JPH0458189B2 - - Google Patents
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- JPH0458189B2 JPH0458189B2 JP58130521A JP13052183A JPH0458189B2 JP H0458189 B2 JPH0458189 B2 JP H0458189B2 JP 58130521 A JP58130521 A JP 58130521A JP 13052183 A JP13052183 A JP 13052183A JP H0458189 B2 JPH0458189 B2 JP H0458189B2
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
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-
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Description
【発明の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
この発明は高密度実装を適した半導体装置に関
する。
する。
<従来の技術>
近年の電子機器の小型化に伴い、これらに用い
られる半導体部品も著しく小型化されてきた。し
かして、今日、前記半導体部品のみならず、その
周辺をも含めた半導体装置全体としての小型化が
要望されるに至つている。
られる半導体部品も著しく小型化されてきた。し
かして、今日、前記半導体部品のみならず、その
周辺をも含めた半導体装置全体としての小型化が
要望されるに至つている。
<発明が解決しようとする課題>
しかしながら、充分小型化に寄与できるような
半導体装置は現在開発されていないのが現状であ
る。
半導体装置は現在開発されていないのが現状であ
る。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、
周辺部品をも含めた装置全体としての小型化が容
易で、高密度実装に好適な半導体装置を提供する
ことを目的としている。
周辺部品をも含めた装置全体としての小型化が容
易で、高密度実装に好適な半導体装置を提供する
ことを目的としている。
<課題を解決するための手段>
本発明に係る半導体装置は、絶縁基板と、半導
体素子と、サブ基板と、周辺部品、樹脂を具備す
る半導体装置であつて、前記絶縁基板はその表面
中央部に形成した凹部と、前記凹部の底面中央に
形成した凹所と、凹部の内面から絶縁基板の表
面、側面及び底面に沿つて厚膜を印刷形成して作
られた複数の放射状の接続端子を有しており、且
つ前記半導体素子は前記絶縁基板の前記凹所に固
定されているとともに、半導体素子の電極と前記
接続端子間はワイヤボンデイングされており、且
つ前記サブ基板は前記絶縁基板の上面よりも小さ
く且つ平板状に形成されているとともに、その表
面、側面及び底面に沿つて厚膜で印刷形成された
接続端子を有しており、且つ前記周辺部品は前記
サブ基板の表面に取付接続されており、且つサブ
基板は絶縁基板の表面に載置されるとともに両基
板の所定の接続端子間が導電性ペースト又は半田
付けでもつて接続固定されており、且つ前記樹脂
は前記半導体素子の周囲を充填して構成されてい
る。
体素子と、サブ基板と、周辺部品、樹脂を具備す
る半導体装置であつて、前記絶縁基板はその表面
中央部に形成した凹部と、前記凹部の底面中央に
形成した凹所と、凹部の内面から絶縁基板の表
面、側面及び底面に沿つて厚膜を印刷形成して作
られた複数の放射状の接続端子を有しており、且
つ前記半導体素子は前記絶縁基板の前記凹所に固
定されているとともに、半導体素子の電極と前記
接続端子間はワイヤボンデイングされており、且
つ前記サブ基板は前記絶縁基板の上面よりも小さ
く且つ平板状に形成されているとともに、その表
面、側面及び底面に沿つて厚膜で印刷形成された
接続端子を有しており、且つ前記周辺部品は前記
サブ基板の表面に取付接続されており、且つサブ
基板は絶縁基板の表面に載置されるとともに両基
板の所定の接続端子間が導電性ペースト又は半田
付けでもつて接続固定されており、且つ前記樹脂
は前記半導体素子の周囲を充填して構成されてい
る。
<作 用>
半導体素子を絶縁基板の凹所に載置した後、ワ
イヤボンデイングが施され、半導体素子の周囲を
樹脂で充填固定した後、サブ基板の絶縁基板の上
面に載せて両基板は導電性樹脂または半田でもつ
て固定されて半導体装置が完成する。
イヤボンデイングが施され、半導体素子の周囲を
樹脂で充填固定した後、サブ基板の絶縁基板の上
面に載せて両基板は導電性樹脂または半田でもつ
て固定されて半導体装置が完成する。
<実施例>
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を
説明する。第1図はこの発明に係る半導体装置の
1実施例を示す解体斜視図、第2図は第1図に示
した実施例の断面図である。
説明する。第1図はこの発明に係る半導体装置の
1実施例を示す解体斜視図、第2図は第1図に示
した実施例の断面図である。
図において、10はセラミツク等からなる略枡
の形状をした絶縁基板であり、この絶縁基板10
の表面中央部には、凹部11が形成されている。
凹部11の底面中央の凹所には、半導体素子12
がダイボンデイングされている。そして凹部11
の内面から絶縁基板10の表面、絶縁基板10の
側面、底面に沿つて複数の放射状の接続端子13
が導出されている。この接続端子13は例えば、
前記各面に沿つて厚膜を印刷形成して作られてい
る。
の形状をした絶縁基板であり、この絶縁基板10
の表面中央部には、凹部11が形成されている。
凹部11の底面中央の凹所には、半導体素子12
がダイボンデイングされている。そして凹部11
の内面から絶縁基板10の表面、絶縁基板10の
側面、底面に沿つて複数の放射状の接続端子13
が導出されている。この接続端子13は例えば、
前記各面に沿つて厚膜を印刷形成して作られてい
る。
接続端子13の一端と前記半導体素子12の所
定の電極間は極細い金線14等でワイヤボンデイ
ングされている。このワイヤボンデイングを行つ
た後、凹部11に例えばエポキシ樹脂15が充填
され、前記半導体素子12が封止される。
定の電極間は極細い金線14等でワイヤボンデイ
ングされている。このワイヤボンデイングを行つ
た後、凹部11に例えばエポキシ樹脂15が充填
され、前記半導体素子12が封止される。
20はセラミツク等の絶縁性の基板よりなるサ
ブ基板であつて、前記絶縁基板10の上面より小
さな平板状に形成されている。さらにサブ基板2
0の表面には厚膜で適宜の図外の配線パターンが
形成されており、接続端子21が前記サブ基板2
0の表面、側面及び底面にまで導出されている。
そして、このサブ基板20の表面には、例えばチ
ツプ抵抗器、チツプコンデンサ、小型トランジス
タ等の周辺部品22が取付接続されている。しか
して、前記サブ基板20は、第1図及び第2図に
示すように、絶縁基板10の表面に載置され、両
基板の所定の接続端子間が導電性ペーストや半田
付けでもつて、接続されることにより互いに固定
される。
ブ基板であつて、前記絶縁基板10の上面より小
さな平板状に形成されている。さらにサブ基板2
0の表面には厚膜で適宜の図外の配線パターンが
形成されており、接続端子21が前記サブ基板2
0の表面、側面及び底面にまで導出されている。
そして、このサブ基板20の表面には、例えばチ
ツプ抵抗器、チツプコンデンサ、小型トランジス
タ等の周辺部品22が取付接続されている。しか
して、前記サブ基板20は、第1図及び第2図に
示すように、絶縁基板10の表面に載置され、両
基板の所定の接続端子間が導電性ペーストや半田
付けでもつて、接続されることにより互いに固定
される。
<発明の効果>
この発明に係る半導体装置は、半導体素子が組
み込まれた絶縁基板の表面に周辺部品を取付け接
続するものであるから、周辺部品をプリント基板
に配置する必要がなくなり、電気機器の高密度実
装に大いに役立つ。
み込まれた絶縁基板の表面に周辺部品を取付け接
続するものであるから、周辺部品をプリント基板
に配置する必要がなくなり、電気機器の高密度実
装に大いに役立つ。
第1図はこの発明に係る半導体装置の1実施例
の構成を示す解体斜視図、第2図は第1図に示し
た実施例の断面図である。 10……絶縁基板、11……凹部、12……半
導体素子、13……接続端子、20……サブ基
板、21……接続端子、22……周辺部品。
の構成を示す解体斜視図、第2図は第1図に示し
た実施例の断面図である。 10……絶縁基板、11……凹部、12……半
導体素子、13……接続端子、20……サブ基
板、21……接続端子、22……周辺部品。
Claims (1)
- 1 絶縁基板と、半導体素子と、サブ基板と、周
辺部品、樹脂を具備する半導体装置であつて、前
記絶縁基板はその表面中央部に形成した凹部と、
前記凹部の底面中央に形成した凹所と、凹部の内
面から絶縁基板の表面、側面及び底面に沿つて厚
膜を印刷形成して作られた複数の放射状の接続端
子を有しており、且つ前記半導体素子は前記絶縁
基板の前記凹所に固定されているとともに、半導
体素子の電極と前記接続端子間はワイヤボンデイ
ングされており、且つ前記サブ基板は前記絶縁基
板の上面よりも小さく且つ平板状に形成されてい
るとともに、その表面、側面及び底面に沿つて厚
膜で印刷形成された接続端子を有しており、且つ
前記周辺部品は前記サブ基板の表面に取付接続さ
れており、且つサブ基板は絶縁基板の表面に載置
されるとともに両基板の所定の接続端子間が導電
性ペースト又は半田付けでもつて接続固定されて
おり、且つ前記樹脂は前記半導体素子の周囲を充
填してあることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58130521A JPS6022348A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58130521A JPS6022348A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6022348A JPS6022348A (ja) | 1985-02-04 |
JPH0458189B2 true JPH0458189B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=15036282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58130521A Granted JPS6022348A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6022348A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6088574U (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-18 | 日本電気株式会社 | チツプキヤリア型パツケ−ジ接続構造 |
US5444296A (en) * | 1993-11-22 | 1995-08-22 | Sun Microsystems, Inc. | Ball grid array packages for high speed applications |
US5666272A (en) * | 1994-11-29 | 1997-09-09 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Detachable module/ball grid array package |
US5825084A (en) * | 1996-08-22 | 1998-10-20 | Express Packaging Systems, Inc. | Single-core two-side substrate with u-strip and co-planar signal traces, and power and ground planes through split-wrap-around (SWA) or split-via-connections (SVC) for packaging IC devices |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4814961B1 (ja) * | 1965-03-05 | 1973-05-11 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5146920Y2 (ja) * | 1971-06-30 | 1976-11-12 |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP58130521A patent/JPS6022348A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4814961B1 (ja) * | 1965-03-05 | 1973-05-11 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6022348A (ja) | 1985-02-04 |
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