JPH11251497A - 電子回路モジュール - Google Patents
電子回路モジュールInfo
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- JPH11251497A JPH11251497A JP4702098A JP4702098A JPH11251497A JP H11251497 A JPH11251497 A JP H11251497A JP 4702098 A JP4702098 A JP 4702098A JP 4702098 A JP4702098 A JP 4702098A JP H11251497 A JPH11251497 A JP H11251497A
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Abstract
化を図りつつ半導体素子の十分な放熱対策を行なうこと
が困難であった。 【解決手段】 ガラスセラミックスから成り、上面に電
子部品搭載部を、下面に凹部1aを有する基板1と、基
板1の凹部1a底面から上面にかけて基板1を貫通し、
一端が基板1上面に形成した接続パッド6に接続されて
いる複数個の熱伝導部材5と、基板1の電子部品搭載部
に搭載されている電子部品4と、基板1の凹部1a内に
収容されている半導体素子3と、基板1の上面に搭載さ
れている電子部品4を覆う金属ケース2とから成り、金
属ケース2の内側に凸部2aを形成するとともにその凸
部2aを接続パッド6を介して熱伝導部材5に熱的に接
続した電子回路モジュールである。小型化を図りつつ半
導体素子3からの発熱を効率よく放散させることができ
る。
Description
子装置等の重要部に用いられる、基板上に搭載された電
子部品を金属ケースで覆って成る電子回路モジュールに
関し、特に金属ケースを半導体素子の放熱構造に利用し
た電子回路モジュールに関する。
型化や薄型化・高機能化・低コスト化等の要求が絶える
ことがなく、それらの要求を実現するために、電子機器
や電子装置を構成する半導体装置である電子回路モジュ
ールに対しても同様に小型化・薄型化・高機能化・低コ
スト化の検討が急速に押し進められている。
に、回路基板を構成する基板上に電子部品や半導体素子
が搭載されて電子回路を構成し、さらに電子回路の保護
や電磁シールドのためにこれら電子部品や半導体素子を
覆うように金属ケースが取着されることにより構成され
ている。
は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体を主成分とする
セラミックス材料や窒化アルミニウム質焼結体を主成分
とする高熱伝導性のセラミックス材料、あるいはガラス
材料と有機材料とから成るガラスエポキシ、またはセラ
ミック材料に比べて低温焼成が可能なガラスセラミック
ス等が用いられている。これらの基板材料について電子
回路モジュールでは、その用途によって以下のように各
基板材料が使い分けられている。
分とするセラミックス材料は、安定性や信頼性の高い絶
縁材料であるが、約1400〜1650℃程度の高温で焼成しな
ければならないために配線導体の材料に高融点金属であ
るタングステンやモリブデン等を用いる必要があり、こ
れら高融点金属が高比抵抗金属材料であることから、高
速信号処理を行なう電子回路モジュールには適用が困難
である。
とする高熱伝導性のセラミックス材料は、良好な放熱性
を有する点では有効であるが、一般的な民生分野の電子
回路モジュールに対しては高価であり、低コスト化を図
ることが困難である。
ラスエポキシは、安価であるが耐熱性が不十分であり、
熱的な安定性も要求される電子回路モジュールには不向
きである。
温でかつ短時間で焼成可能であるガラスセラミックス
は、低コストで作製することができ、さらに配線導体の
材料に低融点金属材料であるAuやAg・Cu等の低比
抵抗金属材料を使用できるため、高速信号処理を行なう
電子回路モジュールに有利である。
上面に電子部品とともに半導体素子を搭載する構成に対
して、基板の下面にキャビティ(凹部)を設けてその底
面に形成した半導体素子搭載部に半導体素子を搭載し収
納する構成とし、基板上面の面積を電子部品実装のため
に有効に活用することにより、電子回路モジュールの更
なる小型化が図られている。
回路基板の製造においては、製造コストや工数の削減を
目的として、回路基板の集合体である1枚のシート状基
板からの基板取り数の増大化を図り、一回の製造工程で
できるだけ多くの回路基板を得ることが重要な課題とな
っている。また、その回路基板上への電子部品や半導体
素子等の搭載ならびに電気的特性の調整・ケーシング
(ケース取着)・電気テスト等、製品となる最終工程ま
でをシート状基板の状態で製造することで、電子回路モ
ジュールの製造工数および製造時間の削減が図られてい
る。
ては、通常、基板上面に金属ケースを固定するための接
続パッドである金属電極を設置してこの金属電極と金属
ケースとを半田付けしたり、基板の端部にケース取付用
の端面電極を形成してこの端面電極に金属ケースに設け
たべろ部を半田付けしたりすることで金属ケースを基板
に取着していた。また、これらの固定方法を併用するこ
とで、金属ケースを基板に対して位置精度良く固定し取
着することも行なわれていた。
機能化により発熱量が増加しており、半導体装置の小型
化にとって必要不可欠な技術となりつつある半導体素子
の直接搭載技術、すなわち金属バンプ等を用いた半導体
素子のフリップチップ実装技術を適用して電子回路モジ
ュールの小型化を達成するためには、小型化と低コスト
化を図りつつ従来以上の良好な放熱性を確保して半導体
素子の発熱の影響をいかに抑えるかが重要な課題となっ
ている。
する手法としては、例えば、高熱伝導率材料からなる基
板に直接半導体素子を実装する手法や、半導体素子搭載
位置の直下の基板に多数のサーマルビアホールと呼ばれ
る熱伝導部材を形成して放熱部材に熱を放散する手法等
が採用されている。
た半導体素子に対する放熱対策としては、例えば、凹部
の底部から基板の上面に貫通させた複数のサーマルビア
ホールといわれる熱伝導部材を配設し、それら熱伝導部
材を基板上面に被着形成した金属電極に接続しておき、
この金属電極に金属製の放熱部材を半田付け等により取
着することにより対応することができる。また、この放
熱部材を基板上面に取着される金属ケ一スと密着させる
ことにより放熱性を向上させることが可能となる。
上面に放熱部材を余分に搭載する必要があると同時に、
放熱部材と金属ケースとを接触させることから放熱部材
の高さがケースの高さつまり製品としての電子回路モジ
ュールの高さを決定することとなって、電子回路モジュ
ールの小型化が困難であるという問題点があった。さら
に、放熱部材を半田付けによって搭載する際に、その半
田量の制御や半田厚みの制御が困難であることから高さ
のバラツキが大きくなってしまうという問題点もあっ
た。
体の状態で製造する場合には、電子回路モジュールとな
る回路基板が小さくなるに従い、シート状基板の状態で
金属ケースのべろ部を回路基板側面の端面電極に半田付
けするときに隣接する金属ケース同士の間隔が十分確保
できなくなって隣接する金属ケースのべろ部同士が半田
付けされてしまい、シート状基板の状態から各回路基板
への分割ができなくなることがあるという問題点があっ
た。
シング工程前にシート状基板を予め各回路基板に分割し
ておき、その後に金属ケースの取着を行なう手法が採ら
れているが、これではシート状基板の状態で最終工程ま
で製造することを目的とした多数個取り法の意味がなく
なってしまうという問題点があった。
広げて金属ケース同士の間隔を広げればシート状基板の
状態でのケーシングが行なえるが、これではシート状基
板からの回路基板の個数の増大が図れず、また回路基板
の小型化の達成も困難となってしまうという問題点があ
った。
ものであり、その目的は、安価でかつ信頼性の高い基板
を用い、電子回路モジュールの小型化を図りつつその基
板に搭載された半導体素子からの発熱を効率良く放熱す
ることができる、小型化・高密度化・低コスト化に対応
可能な高信頼性の電子回路モジュールを提供することに
ある。
ールは、ガラスセラミックスから成り、上面に電子部品
搭載部を、下面に凹部を有する基板と、前記基板の凹部
底面から上面にかけて基板を貫通し、一端が基板上面に
形成した接続パッドに接続されている複数個の熱伝導部
材と、前記基板の電子部品搭載部に搭載されている電子
部品と、前記基板の凹部内に収容されている半導体素子
と、前記基板の上面に搭載されている電子部品を覆う金
属ケースとから成り、前記金属ケースの内側に凸部を形
成するとともにこの凸部を前記接続パッドを介して前記
熱伝導部材に熱的に接続したことを特徴とするものであ
る。
ルについて、図面を参照しながら詳細に説明する。
の形態の一例を示す金属ケース取着前の分解斜視図であ
り、図2は金属ケース取着後の斜視図、図3は図2にお
けるA−A’線断面図である。
1枚のシート状基板から同時に多数作製する場合の基板
の集合体であるシート状基板の例を示す斜視図である。
おける加工、例えば基板への半導体素子や電子部品等の
搭載工程や電気的特性の調整工程・ケーシング工程・電
気テスト工程等、製品となる最終工程までは、図4に示
すような基板の集合体であるシート状基板の状態で実施
することにより電子回路モジュールの搬送時間および製
造時間の削減を図ることができ、ケーシング終了後に基
板を分割することで図1〜3に示す本発明の電子回路モ
ジュールを効率良く得ることができる。
は金属ケースである。基板1の上面には電子部品搭載部
(図示せず)が形成されてチップコンデンサやチップ抵
抗等の電子部品4が搭載され、一方、基板1の下面には
凹部1aが形成されるとともに半導体集積回路素子等の
半導体素子3がこの凹部1aの底面に搭載されて凹部1
a内に収容されており、これら半導体素子3および電子
部品4により電子回路が構成されている。
上面にかけて基板1を貫通して配線された複数個の熱伝
導部材であり、6は基板1の上面に被着形成され、熱伝
導部材5の一端が接続されている、金属ケース2取着用
の接続パッドである。
が、この例では金属ケース2の上側から見て凹部となる
ように形成されており、この凸部2aを接続パッド6に
半田付け等により取着することによって金属ケース2が
基板1上に電子部品4を覆うように取着され、それによ
り金属ケース2の凸部2aが接続パッド6を介して熱伝
導部材5に熱的に接続されて本発明の電子回路モジュー
ル7が構成される。
るとともに回路基板となるものであり、本発明において
はガラスセラミックスから成る基板が用いられ、特に本
発明には電子回路の高密度化が可能となる多層回路基板
が好適に用いられる。基板1としてガラスセラミックス
から成る基板を用いることにより、搭載される半導体素
子3による発熱を考慮した場合、後述する熱伝導部材5
として高熱伝導率材料であるAu・Ag・Cu等を用い
ることができ、良好な放熱性を実現することができる。
また、近年の電子機器の高周波化に伴い電子回路モジュ
ールおよびそれに用いられる半導体素子3も同様に高周
波化されているのに対し、配線導体の材料として電気伝
導率の高い金属材料であるAu・Ag・Cu等を用いる
ことができ、高速信号処理も可能となる。
3に示すように、多層回路基板による半導体素子収納用
パッケージと同様に複数の段状に形成すると、半導体素
子3の電極と基板1内の配線導体(図示せず)とをボン
ディングワイヤ8等により接続し、かつエポキシ樹脂等
の封止樹脂9あるいはシールキャップ等により封止して
半導体素子3を保護・収納するのに好適なものとなる。
のべろ部2bの位置決めを行なうべろ部挿入用凹部1b
を形成すると、金属ケース2の位置決め精度をより向上
させることができる点で好ましい。
部が形成されており、ここに半導体素子3の裏面を例え
ばAu−SnやAu−Siまたは熱硬化型Agぺースト
等により接着し、半導体素子3の電極と凹部1aの半導
体素子搭載部近傍に設けられた配線導体の電極パッドと
をボンディングワイヤ8により接続する。このとき、可
能な限り熱伝導性の良好な接続材料を選定することが重
要である。あるいは、半導体素子3を凹部1aの半導体
素子搭載部にフリップチップ実装法により搭載してもよ
く、この場合は、凹部1aの底面と半導体素子3との間
に伝熱性フィラーを含有したアンダーフィル樹脂を充填
しておくことが重要である。
熱を伝導し放散させるために凹部1aの底面から基板1
上面にかけて基板1を貫通するサーマルビアホール等の
複数個の熱伝導部材5が形成されており、これら熱伝導
部材5の一端は、基板1上面に被着形成された接続パッ
ド6と電気的および熱的に接続されている。この接続パ
ッド6は、基板1の上面に通常の金属電極と同様のメタ
ライズ層等として被着形成されており、金属ケース2の
内側に設けた凸部2aを半田付け等により取着して金属
ケース2の凸部2aと熱伝導部材5とを熱的に接続し、
それにより半導体素子3の発熱を熱伝導部材5・接続パ
ッド6・凸部2aを介して金属ケース2から効率良く放
散させるためのものである。
金属ケース2の凸部2aを取着することにより、金属ケ
ース2により電子部品4ならびに電子回路を保護すると
ともに、凹部1a底面に搭載された半導体素子3から発
生する熱を熱伝導部材5を介して基板1上面の接続パッ
ド6に伝え、さらに接続パッド6から凸部2aを通じて
金属ケース2に熱を伝えることが可能となり、半導体素
子3の発熱を金属ケース2から効率良く放散させること
ができる。
エポキシ樹脂等の半導体素子封止用の封止樹脂9によ
り、あるいはシールキャップ等により半導体素子3を凹
部1a内に封止して収納する。ここで、面実装型の電子
部品モジュールとするために、基板1下面には突起が無
いよう平坦化することが重要である。
形成された回路導体に電気的に接着させることで所望の
電子回路が構成される。電子部品4を半田付けする場合
は、予め半田ペーストを基板1上面の電子部品搭載部の
電極パッドに印刷塗布しておき、そこに電子部品4を搭
載した後、ベルト式リフロー炉等により半田ぺーストを
溶融して半田付けが行なわれる。
子回路の電磁シールドの目的で用いられるとともに半導
体素子3からの発熱に対する放熱部材としても機能する
ものであり、その内側の中央部には基板1上面の接続パ
ッド6に半田等により取着させるための凸部2aが設け
られている。この凸部2aは、例えば金属ケース2加工
用金型による型押し加工やパンチ加工等により金属ケー
ス2上面から見て凹部となるように、あるいは金属ケー
ス2の内側に適当な金属部材を取着することにより電子
回路モジュール7の仕様に応じたものとして形成する。
また、金属ケース2の材料としては、鉄・洋白・アルミ
ニウム・SUS・銅等が用いられる。
ッド6とは半田付けにより取着されるが、この半田付け
は、例えば電子部品4の搭載と同様に半田ペーストをデ
ィスペンサー等を用いて接続パッド6上に塗布してお
き、凸部2aが接続パッド6に接触するように金属ケー
ス2を載置して、ベルト式リフロー炉等を用いて半田付
けすればよい。このとき、金属ケース2には基板1との
位置合わせを行なうためのべろ部2bを形成しておく
と、基板1に設けられたべろ部挿入用凹部1bにより正
確に位置合わせを行なうことができる。
リフロー時には、凸部2aの周囲に沿って余分な半田が
吸い上げられ、金属ケース2の自重により金属ケース2
の凸部2aと基板1の接続パッド6とを密着させること
ができ、これにより金属ケース2の高さのバラツキを低
減させることが可能となり、電子回路モジュール7の高
さのバラツキも低減させることが可能となるとともに、
本発明の主目的である半導体素子3の発熱を金属ケース
2に効率良く伝えることが可能となって、金属ケース2
全体で半導体素子3の発熱を放散させることが可能とな
る。
続パッド6と凸部2aとの取着によって行なうことか
ら、多数の基板1を高密度に配置したシート状基板の状
態でも隣接した金属ケース2同士が互いに半田付けされ
てケーシング後に各基板1に分割できなくなることがな
くなり、シート状基板の状態でのケーシングが可能とな
るため、製造工程の短縮化も実現できるものとなる。
金属ケース2はその凸部2aでもって基板1の接続パッ
ド6に取着されることから、従来のように金属ケースを
固定するためのケース取着用端面電極を形成する必要が
ないため、べろ部2bとべろ部挿入用凹部1bとにより
金属ケース2の位置決めを行なっても、従来のように基
板1面積が大きなものとなることはなく基板1の小型化
が図れるとともに、基板1をシート状基板の状態で高密
度に配置してもべろ部2b同士が半田付けされてしまう
こともなく、シート状基板の状態での製造が可能なもの
である。
電気回路基板に実装する際の実装用電極が形成されるキ
ャスタレーションであり、電子回路モジュール7の仕様
に応じて適宜設けられる。
レーション1cを形成するには、例えば基板1を形成す
るガラスセラミックスのグリーンシートにパンチング加
工によりべろ部挿入用凹部1bやキャスタレーション1
cとなる所望の形状の貫通孔を所望の数だけ形成して焼
結させることで、べろ部挿入用凹部1b・キャスタレー
ション1cを有する基板1を得ることができる。
基板10から得る場合、ガラスセラミックスのグリーンシ
ートを積層して、下面に凹部1aが形成されるとともに
上面に接続パッド6が形成され、かつ凹部1a底面から
上面にかけて一端が接続パッド6に接続し形成された熱
伝導部材5が形成された回路基板となる基板1が多数個
形成されたシート状基板10に、各基板1の分離後にべろ
部挿入用凹部1bとなる所望の形状の貫通孔10bおよび
キャスタレーション1cとなる所望の形状の貫通孔10c
をそれぞれ所望の数だけ形成した後、焼結一体化するこ
とによって基板1の集合体であるシート状基板10が得ら
れる。そして、このシート状基板10を同図中に示した点
線に沿って各基板1毎に分割することにより、下面に凹
部1aが、上面に接続パッド6が形成され、側面にべろ
部挿入用凹部1b・キャスタレーション1cを有する基
板1を得ることができる。なお、10dはシート状基板10
の耳部に設けた位置決め用認識マークである。
および電子部品4を搭載し、特性調整等の所定の工程を
終えた後、金属ケース2をシート状基板10の各基板1上
に搭載配置する。
ト状基板10の貫通孔10b(基板1のべろ部挿入用凹部1
b)に挿入することで、金属ケース2を基板1上に位置
精度良く搭載させることができる。
金属ケース2の凸部2aと基板1の接続パッド6とを半
田付けして金属ケース2を基板1に取着する。
ト状基板10を分割することで、本発明の電子回路モジュ
ール7が完成する。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更
や改良を施すことは何ら差し支えない。
ールによれば、ガラスセラミックスからなる基板の下面
に設けた凹部内にフェイスアップまたはフェイスダウン
の形態で半導体素子が搭載され、凹部底面から基板の上
面にかけて基板を貫通して熱伝導部材が配設されるとと
もにその一端が基板上面に形成された接続パッドと電気
的および熱的に接続されており、接続パッドに金属ケー
スの内側に形成した凸部を取着して凸部を接続パッドを
介して熱伝導部材に熱的に接続する構成としたことか
ら、半導体素子からの発熱を熱伝導部材・接続パッド・
金属ケースの凸部を介して金属ケースにより効率良く放
散させることができ、面実装型の電子回路モジュールに
おいて小型化を図りつつ良好な放熱を行なうことができ
る。
ドとは金属ケースの自重により十分に密着させることが
できるので、両者を取着させる半田厚みのバラツキをな
くすことができ、金属ケ一スの高さつまり電子回路モジ
ュールの高さのバラツキをなくすことができる。
ース内側の凸部と基板上面の接続パッドとにより行なう
ことから、基板の小型化が進んで多数個取りのためのシ
ート状基板で隣接する金属ケース同士の間隔が十分確保
できない場合でも、はんだリフロー炉によりはんだ付け
された後に隣接するケース同士がはんだ付けされて多数
個取りから単品の基板への分割ができなくなる問題もな
くすことができる。
信頼性の高い基板を用い、電子回路モジュールの小型化
を図りつつその基板に搭載された半導体素子からの発熱
を効率よく放熱することができる、小型化・高密度化・
低コスト化に対応可能な高信頼性の電子回路モジュール
を提供することができた。
例を示す金属ケース取着前の分解斜視図である。
例を示す金属ケース取着後の斜視図である。
ト状基板の斜視図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 ガラスセラミックスから成り、上面に電
子部品搭載部を、下面に凹部を有する基板と、前記基板
の凹部底面から上面にかけて基板を貫通し、一端が基板
上面に形成した接続パッドに接続されている複数個の熱
伝導部材と、前記基板の電子部品搭載部に搭載されてい
る電子部品と、前記基板の凹部内に収容されている半導
体素子と、前記基板の上面に搭載されている電子部品を
覆う金属ケースとから成り、前記金属ケースの内側に凸
部を形成するとともに該凸部を前記接続パッドを介して
前記熱伝導部材に熱的に接続したことを特徴とする電子
回路モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4702098A JP3652102B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 電子回路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4702098A JP3652102B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 電子回路モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11251497A true JPH11251497A (ja) | 1999-09-17 |
JP3652102B2 JP3652102B2 (ja) | 2005-05-25 |
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ID=12763510
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4702098A Expired - Fee Related JP3652102B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 電子回路モジュール |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP3652102B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002158318A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2004288726A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Tektronix Japan Ltd | 電子デバイスの放熱方法 |
JP2008130879A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Denso Corp | 電子装置 |
JP2009010170A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Mitsubishi Electric Corp | 回路モジュールとその製造方法 |
JP2015029043A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-02-12 | 京セラ株式会社 | 電子装置および光モジュール |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP4702098A patent/JP3652102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002158318A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2004288726A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Tektronix Japan Ltd | 電子デバイスの放熱方法 |
JP2008130879A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Denso Corp | 電子装置 |
JP2009010170A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Mitsubishi Electric Corp | 回路モジュールとその製造方法 |
JP2015029043A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-02-12 | 京セラ株式会社 | 電子装置および光モジュール |
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JP3652102B2 (ja) | 2005-05-25 |
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