JP2002158318A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化を実現でき、かつ半導体チップの放熱
が良好な半導体装置を提供する。 【解決手段】 サーマルビア７ｂの基板表面１ａにおけ
る開口部８の近傍上に、金属ブロック９をペースト等の
接着材料で固定する。
が良好な半導体装置を提供する。 【解決手段】 サーマルビア７ｂの基板表面１ａにおけ
る開口部８の近傍上に、金属ブロック９をペースト等の
接着材料で固定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップが実
装された半導体装置に関するものである。
装された半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、現在、携帯電話に用いられる送
信用電力増幅器（以下、ＨＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｐｏｗｅｒ
Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）と呼ぶ。）の一例を示す斜視図
である。本ＨＰＡは、多層基板１に金属キャップ２をか
ぶせる構造である。
信用電力増幅器（以下、ＨＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｐｏｗｅｒ
Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）と呼ぶ。）の一例を示す斜視図
である。本ＨＰＡは、多層基板１に金属キャップ２をか
ぶせる構造である。
【０００３】図４の点線に沿って切断した断面図を図５
に示す。図５に示すように、多層基板１は例えば４層構
造であり、多層基板１を構成する各層の材質としては、
セラミック系（例えば、ガラスセラミック、アルミナ、
窒化アルミ）や樹脂系（例えば、ＰＰＯ（多結晶酸化フ
ェニレン）、ガラスエポキシ樹脂）等が知られている。
に示す。図５に示すように、多層基板１は例えば４層構
造であり、多層基板１を構成する各層の材質としては、
セラミック系（例えば、ガラスセラミック、アルミナ、
窒化アルミ）や樹脂系（例えば、ＰＰＯ（多結晶酸化フ
ェニレン）、ガラスエポキシ樹脂）等が知られている。
【０００４】多層基板１の表面１ａには、抵抗、インダ
クタ、コンデンサ等の複数のチップ部品３が実装され、
互いに基板表面１ａに形成された配線用金属薄膜（図示
せず）により電気的に接続されるとともに、後述のＧａ
Ａｓチップ５と多層基板１中の配線を介して電気的に接
続されている。
クタ、コンデンサ等の複数のチップ部品３が実装され、
互いに基板表面１ａに形成された配線用金属薄膜（図示
せず）により電気的に接続されるとともに、後述のＧａ
Ａｓチップ５と多層基板１中の配線を介して電気的に接
続されている。
【０００５】又、表面から数えて１層目及び２層目の一
部をくり抜くことで、多層基板表面１ａに凹部４ａを形
成する。そして、当該凹部４ａに、ＧａＡｓ基板上に高
周波半導体集積回路が形成された半導体チップ５（以
下、ＧａＡｓチップ５と呼ぶ）を実装する。
部をくり抜くことで、多層基板表面１ａに凹部４ａを形
成する。そして、当該凹部４ａに、ＧａＡｓ基板上に高
周波半導体集積回路が形成された半導体チップ５（以
下、ＧａＡｓチップ５と呼ぶ）を実装する。
【０００６】凹部４ａにＧａＡｓチップ５を実装した
後、凹部４ａは封止用樹脂６で埋める。また、ＧａＡｓ
チップ５の放熱を考慮して、サーマルビア７ａを形成し
ている。ＧａＡｓチップ５で発生した熱は、熱伝導製の
良好な部材（例えば、金属材料等）が充填されているサ
ーマルビア７ａを経由して、基板裏面１ｂから実装ボー
ド（図示せず）へ放熱される。尚、基板裏面１ｂは実装
ボードに半田付けされる。
後、凹部４ａは封止用樹脂６で埋める。また、ＧａＡｓ
チップ５の放熱を考慮して、サーマルビア７ａを形成し
ている。ＧａＡｓチップ５で発生した熱は、熱伝導製の
良好な部材（例えば、金属材料等）が充填されているサ
ーマルビア７ａを経由して、基板裏面１ｂから実装ボー
ド（図示せず）へ放熱される。尚、基板裏面１ｂは実装
ボードに半田付けされる。
【０００７】また、多層基板１の表層等からの電磁放射
をシールドするために、多層基板１の表面１ａのチップ
部品３上に金属キャップ２をかぶせている。この場合、
基板表面１ａにおけるチップ部品３の実装面積の十分な
確保ができず、そのため、小型化を実現することができ
なかった。
をシールドするために、多層基板１の表面１ａのチップ
部品３上に金属キャップ２をかぶせている。この場合、
基板表面１ａにおけるチップ部品３の実装面積の十分な
確保ができず、そのため、小型化を実現することができ
なかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記小型化についての
問題点を解決するために、現在までに、図６に示す構造
の半導体装置が提案されている。図６は、従来の他のＨ
ＰＡを示す断面図である。
問題点を解決するために、現在までに、図６に示す構造
の半導体装置が提案されている。図６は、従来の他のＨ
ＰＡを示す断面図である。
【０００９】チップ部品３を実装する基板の表面１ａと
は反対の面（即ち、裏面）１ｂに、ＧａＡｓチップ５を
実装するための凹部４ｂを形成している。基板裏面１ｂ
に形成した凹部４ｂについては、ＧａＡｓチップ５の実
装後、封止用樹脂６で埋めて、基板裏面１ｂを平らにす
る。尚、金属キャップ２については、図５に示した半導
体装置と同じシールドの目的で使用している。又、基板
裏面１ｂは実装ボードに半田付けされる。
は反対の面（即ち、裏面）１ｂに、ＧａＡｓチップ５を
実装するための凹部４ｂを形成している。基板裏面１ｂ
に形成した凹部４ｂについては、ＧａＡｓチップ５の実
装後、封止用樹脂６で埋めて、基板裏面１ｂを平らにす
る。尚、金属キャップ２については、図５に示した半導
体装置と同じシールドの目的で使用している。又、基板
裏面１ｂは実装ボードに半田付けされる。
【００１０】ＧａＡｓチップ５の放熱については、多層
基板１を構成する各層が安価なガラスセラミックのよう
な熱伝導の悪いものであれば、基板１自身を経由した基
板裏面１ｂへの放熱は期待できない。また、図示するよ
うに、サーマルビア７ｂを凹部４ｂから基板表面１ａま
で貫通するように形成しても、サーマルビア７ｂの基板
表面１ａにおける開口部８に接するのはエアー（空気）
となり、所望の放熱効果は期待できない。そのため、基
板材料として熱伝導の悪い材質（ガラスセラミック等）
を用いた場合、図６に示す構造を適用することは困難で
あった。
基板１を構成する各層が安価なガラスセラミックのよう
な熱伝導の悪いものであれば、基板１自身を経由した基
板裏面１ｂへの放熱は期待できない。また、図示するよ
うに、サーマルビア７ｂを凹部４ｂから基板表面１ａま
で貫通するように形成しても、サーマルビア７ｂの基板
表面１ａにおける開口部８に接するのはエアー（空気）
となり、所望の放熱効果は期待できない。そのため、基
板材料として熱伝導の悪い材質（ガラスセラミック等）
を用いた場合、図６に示す構造を適用することは困難で
あった。
【００１１】本発明は、以上のような問題点に鑑みてな
されたものであり、小型化を実現でき、かつ半導体チッ
プの放熱が良好な半導体装置を提供することを目的とす
るものである。
されたものであり、小型化を実現でき、かつ半導体チッ
プの放熱が良好な半導体装置を提供することを目的とす
るものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、一方の面に凹部が形成され、かつ、上記凹部から
当該凹部が形成された面と対向する他方の面まで貫通し
熱伝導性の良好な部材が充填された孔を有する絶縁基板
と、上記絶縁基板の凹部が形成された面と対向する他方
の面に実装されたチップ部品と、半導体集積回路が形成
され、かつ、上記絶縁基板の凹部に実装された半導体チ
ップと、上記絶縁基板のチップ部品が実装された面の当
該チップ部品上を覆う金属部品とを備えた半導体装置に
おいて、上記孔の上記チップ部品が実装された面におけ
る開口部の近傍に、空気より熱伝導性の良好な構造体が
設置されているものである。
置は、一方の面に凹部が形成され、かつ、上記凹部から
当該凹部が形成された面と対向する他方の面まで貫通し
熱伝導性の良好な部材が充填された孔を有する絶縁基板
と、上記絶縁基板の凹部が形成された面と対向する他方
の面に実装されたチップ部品と、半導体集積回路が形成
され、かつ、上記絶縁基板の凹部に実装された半導体チ
ップと、上記絶縁基板のチップ部品が実装された面の当
該チップ部品上を覆う金属部品とを備えた半導体装置に
おいて、上記孔の上記チップ部品が実装された面におけ
る開口部の近傍に、空気より熱伝導性の良好な構造体が
設置されているものである。
【００１３】又、構造体と金属部品とが接続されている
ものである。
ものである。
【００１４】又、構造体が、金属製のブロックであるも
のである。
のである。
【００１５】又、一方の面に凹部が形成され、かつ、上
記凹部から当該凹部が形成された面と対向する他方の面
まで貫通し熱伝導性の良好な部材が充填された孔を有す
る絶縁基板と、上記絶縁基板の凹部が形成された面と対
向する他方の面に実装されたチップ部品と、半導体集積
回路が形成され、かつ、上記絶縁基板の凹部に実装され
た半導体チップと、上記絶縁基板のチップ部品が実装さ
れた面の当該チップ部品上を覆う金属部品とを備えた半
導体装置において、上記金属部品が、上記孔の上記チッ
プ部品が実装された面における開口部の近傍において、
上記絶縁基板に接触するものである。
記凹部から当該凹部が形成された面と対向する他方の面
まで貫通し熱伝導性の良好な部材が充填された孔を有す
る絶縁基板と、上記絶縁基板の凹部が形成された面と対
向する他方の面に実装されたチップ部品と、半導体集積
回路が形成され、かつ、上記絶縁基板の凹部に実装され
た半導体チップと、上記絶縁基板のチップ部品が実装さ
れた面の当該チップ部品上を覆う金属部品とを備えた半
導体装置において、上記金属部品が、上記孔の上記チッ
プ部品が実装された面における開口部の近傍において、
上記絶縁基板に接触するものである。
【００１６】又、金属部品がチップ部品上を覆う金属製
の板状部を有し、かつ、当該板状部が、その一部が絶縁
基板側へ折曲し孔の開口部近傍に接触しているものであ
る。
の板状部を有し、かつ、当該板状部が、その一部が絶縁
基板側へ折曲し孔の開口部近傍に接触しているものであ
る。
【００１７】又、金属部品がチップ部品上を覆う金属製
の板状部を有し、かつ、当該板状部が、その複数箇所が
絶縁基板側へ折曲し孔の開口部近傍に接触しているもの
である。
の板状部を有し、かつ、当該板状部が、その複数箇所が
絶縁基板側へ折曲し孔の開口部近傍に接触しているもの
である。
【００１８】又、絶縁基板のチップ部品が実装された面
における孔の開口部は複数存在しており、かつ、上記チ
ップ部品が実装された面に上記複数の開口部を覆うよう
に放熱用金属薄膜が形成されているものである。
における孔の開口部は複数存在しており、かつ、上記チ
ップ部品が実装された面に上記複数の開口部を覆うよう
に放熱用金属薄膜が形成されているものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．本発明の実施の形
態１を図１（ａ）〜（ｄ）に示す。図１（ａ）は、本実
施の形態におけるＨＰＡの上面図である。図１（ｂ）は
上面図のＡ−Ａ線断面図である。図１（ｃ）は上面図の
Ｂ−Ｂ線断面図である。又、図１（ｄ）はＡ−Ａ線方向
視の側面図である。ここで、図１において、図６と同一
符号を用いたものは、図６に示されたものと同一または
相当であることを示す。又、図１（ｂ）及び図１（ｃ）
の各線断面図においては、断面における構造のみを示
し、その背景等は複雑化を避けるために省略している。
態１を図１（ａ）〜（ｄ）に示す。図１（ａ）は、本実
施の形態におけるＨＰＡの上面図である。図１（ｂ）は
上面図のＡ−Ａ線断面図である。図１（ｃ）は上面図の
Ｂ−Ｂ線断面図である。又、図１（ｄ）はＡ−Ａ線方向
視の側面図である。ここで、図１において、図６と同一
符号を用いたものは、図６に示されたものと同一または
相当であることを示す。又、図１（ｂ）及び図１（ｃ）
の各線断面図においては、断面における構造のみを示
し、その背景等は複雑化を避けるために省略している。
【００２０】以下、本実施の形態におけるＨＰＡの構造
について、図１に基づいて説明する。本構造は、図６に
示した構造に工夫を行うことで、小型化を実現した上
で、さらに、従来問題となっていた放熱性に改善を加え
たものである。
について、図１に基づいて説明する。本構造は、図６に
示した構造に工夫を行うことで、小型化を実現した上
で、さらに、従来問題となっていた放熱性に改善を加え
たものである。
【００２１】具体的には、サーマルビア７ｂの基板表面
１ａにおける開口部８の近傍上に、金属ブロック９をペ
ースト等の接着材料で固定する。これにより、ＧａＡｓ
チップ５の放熱性の改善が期待できる。ここで、金属ブ
ロック９が金属キャップ２に接続されることにより、よ
り大きな効果が期待できる。
１ａにおける開口部８の近傍上に、金属ブロック９をペ
ースト等の接着材料で固定する。これにより、ＧａＡｓ
チップ５の放熱性の改善が期待できる。ここで、金属ブ
ロック９が金属キャップ２に接続されることにより、よ
り大きな効果が期待できる。
【００２２】尚、ここで、開口部８の近傍上には金属製
のブロック９を設けているが、少なくとも空気よりも熱
伝導性の良好な材料（例えば、窒化アルミ）で形成され
た構造体であれば、金属製に限られるものではない。
のブロック９を設けているが、少なくとも空気よりも熱
伝導性の良好な材料（例えば、窒化アルミ）で形成され
た構造体であれば、金属製に限られるものではない。
【００２３】又、特別に放熱用の構造体９を設けること
なく、チップコンデンサー等の金属部分を有するチップ
部品３を開口部８の近傍上に配置することによっても、
放熱効果を期待できる。
なく、チップコンデンサー等の金属部分を有するチップ
部品３を開口部８の近傍上に配置することによっても、
放熱効果を期待できる。
【００２４】実施の形態２．本発明の実施の形態２を図
２（ａ）〜（ｄ）に示す。図２（ａ）は、本実施の形態
におけるＨＰＡの上面図である。図２（ｂ）は上面図の
Ｃ−Ｃ線断面図である。図２（ｃ）は上面図のＤ−Ｄ線
断面図である。又、図２（ｄ）はＣ−Ｃ線方向視の側面
図である。ここで、図２において、図６と同一符号を用
いたものは、図６に示されたものと同一または相当であ
ることを示す。又、図２（ｂ）及び図２（ｃ）の各線断
面図においては、断面における構造のみを示し、その背
景等は複雑化を避けるために省略している。
２（ａ）〜（ｄ）に示す。図２（ａ）は、本実施の形態
におけるＨＰＡの上面図である。図２（ｂ）は上面図の
Ｃ−Ｃ線断面図である。図２（ｃ）は上面図のＤ−Ｄ線
断面図である。又、図２（ｄ）はＣ−Ｃ線方向視の側面
図である。ここで、図２において、図６と同一符号を用
いたものは、図６に示されたものと同一または相当であ
ることを示す。又、図２（ｂ）及び図２（ｃ）の各線断
面図においては、断面における構造のみを示し、その背
景等は複雑化を避けるために省略している。
【００２５】以下、本実施の形態におけるＨＰＡの構造
について、図２に基づいて説明する。本構造は、図６に
示した構造に工夫を行うことで、小型化を実現した上
で、さらに、従来問題となっていた放熱性に改善を加え
たものである。
について、図２に基づいて説明する。本構造は、図６に
示した構造に工夫を行うことで、小型化を実現した上
で、さらに、従来問題となっていた放熱性に改善を加え
たものである。
【００２６】具体的には、金属キャップ１０の板状部１
０ａのほぼ中央に切り込みを入れ、絶縁基板の表面１ａ
側に折り曲げ、その折り曲げられた部分１０ｂの先をサ
ーマルビア７ｂの開口部８近傍に接触させている。この
構造により、ＧａＡｓチップ５で発生する熱は、サーマ
ルビア７ｂを経由し、金属キャップ１０に伝わり放熱さ
れる。そのため、従来技術と比較して、放熱効果の改善
が期待できる。
０ａのほぼ中央に切り込みを入れ、絶縁基板の表面１ａ
側に折り曲げ、その折り曲げられた部分１０ｂの先をサ
ーマルビア７ｂの開口部８近傍に接触させている。この
構造により、ＧａＡｓチップ５で発生する熱は、サーマ
ルビア７ｂを経由し、金属キャップ１０に伝わり放熱さ
れる。そのため、従来技術と比較して、放熱効果の改善
が期待できる。
【００２７】実施の形態３．本発明の実施の形態３を図
３（ａ）〜（ｄ）に示す。図１（ａ）は、本実施の形態
におけるＨＰＡの上面図である。図３（ｂ）は上面図の
Ｅ−Ｅ線断面図である。図３（ｃ）は上面図のＦ−Ｆ線
断面図である。又、図３（ｄ）はＦ−Ｆ線方向視の側面
図である。ここで、図３において、図６と同一符号を用
いたものは、図６に示されたものと同一または相当であ
ることを示す。又、図３（ｂ）及び図３（ｃ）の各線断
面図においては、断面における構造のみを示し、その背
景等は複雑化を避けるために省略している。
３（ａ）〜（ｄ）に示す。図１（ａ）は、本実施の形態
におけるＨＰＡの上面図である。図３（ｂ）は上面図の
Ｅ−Ｅ線断面図である。図３（ｃ）は上面図のＦ−Ｆ線
断面図である。又、図３（ｄ）はＦ−Ｆ線方向視の側面
図である。ここで、図３において、図６と同一符号を用
いたものは、図６に示されたものと同一または相当であ
ることを示す。又、図３（ｂ）及び図３（ｃ）の各線断
面図においては、断面における構造のみを示し、その背
景等は複雑化を避けるために省略している。
【００２８】以下、本実施の形態におけるＨＰＡの構造
について、図３に基づいて説明する。本構造は、図６に
示した構造に工夫を行うことで、小型化を実現した上
で、さらに、従来問題となっていた放熱性に改善を加え
たものである。
について、図３に基づいて説明する。本構造は、図６に
示した構造に工夫を行うことで、小型化を実現した上
で、さらに、従来問題となっていた放熱性に改善を加え
たものである。
【００２９】具体的には、金属キャップ１１の板状部１
１ａの複数箇所に切り込みを入れ、絶縁基板の表面１ａ
側に折り曲げ、その折り曲げられた部分１１ｂ、１１ｃ
の先をサーマルビア７ｂの開口部８近傍に接触させてい
る。この構造により、ＧａＡｓチップ５で発生する熱
は、サーマルビア７ｂを経由し、金属キャップ１１に伝
わり放熱される。そのため、従来技術と比較して、放熱
効果の改善がさらに期待できる。
１ａの複数箇所に切り込みを入れ、絶縁基板の表面１ａ
側に折り曲げ、その折り曲げられた部分１１ｂ、１１ｃ
の先をサーマルビア７ｂの開口部８近傍に接触させてい
る。この構造により、ＧａＡｓチップ５で発生する熱
は、サーマルビア７ｂを経由し、金属キャップ１１に伝
わり放熱される。そのため、従来技術と比較して、放熱
効果の改善がさらに期待できる。
【００３０】実施の形態２、３において、金属キャップ
１０、１１の切り込みの方法・形状としては様々なもの
あるが、金属キャップ１０、１１の一部を、サーマルビ
ア７ｂの開口部８近傍に接触させることが実施の形態
２、３における主要点であり、その方法・形状は図２、
図３に示されたものに限定されるものではない。
１０、１１の切り込みの方法・形状としては様々なもの
あるが、金属キャップ１０、１１の一部を、サーマルビ
ア７ｂの開口部８近傍に接触させることが実施の形態
２、３における主要点であり、その方法・形状は図２、
図３に示されたものに限定されるものではない。
【００３１】実施の形態４．実施の形態１乃至３におい
ては、サーマルビア７ｂの開口部８近傍に、金属ブロッ
ク９または金属キャップの折り曲げられた部分１０ｂ、
１１ｂ、１１ｃを直接接触させることで、ＧａＡｓチッ
プ５からの熱を金属キャップ２、１０、１１に伝熱させ
ていた。
ては、サーマルビア７ｂの開口部８近傍に、金属ブロッ
ク９または金属キャップの折り曲げられた部分１０ｂ、
１１ｂ、１１ｃを直接接触させることで、ＧａＡｓチッ
プ５からの熱を金属キャップ２、１０、１１に伝熱させ
ていた。
【００３２】それに対し、本実施の形態においては、絶
縁基板表面１ａに複数の開口部８を覆う放熱用金属薄膜
を形成し、その放熱用金属薄膜に、金属ブロック９を固
定または金属キャップの折り曲げられた部分１０ｂ、１
１ｂ、１１ｃを接触させるものである。尚、その他の点
においては、実施の形態１乃至３と同様である。
縁基板表面１ａに複数の開口部８を覆う放熱用金属薄膜
を形成し、その放熱用金属薄膜に、金属ブロック９を固
定または金属キャップの折り曲げられた部分１０ｂ、１
１ｂ、１１ｃを接触させるものである。尚、その他の点
においては、実施の形態１乃至３と同様である。
【００３３】上記のように、放熱用金属薄膜を介して金
属キャップ２、１０、１１に放熱する構造とすること
で、ＧａＡｓチップ５からの放熱を、より効率的に達成
することができる。
属キャップ２、１０、１１に放熱する構造とすること
で、ＧａＡｓチップ５からの放熱を、より効率的に達成
することができる。
【００３４】尚、放熱用金属薄膜の形状は、サーマルビ
アの開口部８の配置、チップ部品３及びそれを相互に接
続する配線用金属薄膜の配置、並びに金属ブロック９ま
たは金属キャップの折り曲げられた部分１０ｂ、１１
ｂ、１１ｃの形状等を考慮して所望の形状にすれば良
い。又、上記配線用金属薄膜とともに絶縁基板表面１ａ
にプリントすることで、所望の形状にすることは容易で
ある。
アの開口部８の配置、チップ部品３及びそれを相互に接
続する配線用金属薄膜の配置、並びに金属ブロック９ま
たは金属キャップの折り曲げられた部分１０ｂ、１１
ｂ、１１ｃの形状等を考慮して所望の形状にすれば良
い。又、上記配線用金属薄膜とともに絶縁基板表面１ａ
にプリントすることで、所望の形状にすることは容易で
ある。
【００３５】
【発明の効果】この発明に係る半導体装置は、一方の面
に凹部が形成され、かつ、上記凹部から当該凹部が形成
された面と対向する他方の面まで貫通し熱伝導性の良好
な部材が充填された孔を有する絶縁基板と、上記絶縁基
板の凹部が形成された面と対向する他方の面に実装され
たチップ部品と、半導体集積回路が形成され、かつ、上
記絶縁基板の凹部に実装された半導体チップと、上記絶
縁基板のチップ部品が実装された面の当該チップ部品上
を覆う金属部品とを備えた半導体装置において、上記孔
の上記チップ部品が実装された面における開口部の近傍
に、空気より熱伝導性の良好な構造体が設置されている
ので、小型化を実現でき、かつ半導体チップの放熱を良
好にすることができる。
に凹部が形成され、かつ、上記凹部から当該凹部が形成
された面と対向する他方の面まで貫通し熱伝導性の良好
な部材が充填された孔を有する絶縁基板と、上記絶縁基
板の凹部が形成された面と対向する他方の面に実装され
たチップ部品と、半導体集積回路が形成され、かつ、上
記絶縁基板の凹部に実装された半導体チップと、上記絶
縁基板のチップ部品が実装された面の当該チップ部品上
を覆う金属部品とを備えた半導体装置において、上記孔
の上記チップ部品が実装された面における開口部の近傍
に、空気より熱伝導性の良好な構造体が設置されている
ので、小型化を実現でき、かつ半導体チップの放熱を良
好にすることができる。
【００３６】又、構造体と金属部品とが接続されている
ので、小型化を実現でき、かつ更に半導体チップの放熱
を良好にすることができる。
ので、小型化を実現でき、かつ更に半導体チップの放熱
を良好にすることができる。
【００３７】又、構造体が、金属製のブロックであるの
で、小型化を実現でき、かつ容易に半導体チップの放熱
を良好にすることができる。
で、小型化を実現でき、かつ容易に半導体チップの放熱
を良好にすることができる。
【００３８】又、一方の面に凹部が形成され、かつ、上
記凹部から当該凹部が形成された面と対向する他方の面
まで貫通し熱伝導性の良好な部材が充填された孔を有す
る絶縁基板と、上記絶縁基板の凹部が形成された面と対
向する他方の面に実装されたチップ部品と、半導体集積
回路が形成され、かつ、上記絶縁基板の凹部に実装され
た半導体チップと、上記絶縁基板のチップ部品が実装さ
れた面の当該チップ部品上を覆う金属部品とを備えた半
導体装置において、上記金属部品が、上記孔の上記チッ
プ部品が実装された面における開口部の近傍において、
上記絶縁基板に接触するので、小型化を実現でき、かつ
半導体チップの放熱を良好にすることができる。
記凹部から当該凹部が形成された面と対向する他方の面
まで貫通し熱伝導性の良好な部材が充填された孔を有す
る絶縁基板と、上記絶縁基板の凹部が形成された面と対
向する他方の面に実装されたチップ部品と、半導体集積
回路が形成され、かつ、上記絶縁基板の凹部に実装され
た半導体チップと、上記絶縁基板のチップ部品が実装さ
れた面の当該チップ部品上を覆う金属部品とを備えた半
導体装置において、上記金属部品が、上記孔の上記チッ
プ部品が実装された面における開口部の近傍において、
上記絶縁基板に接触するので、小型化を実現でき、かつ
半導体チップの放熱を良好にすることができる。
【００３９】又、金属部品がチップ部品上を覆う金属製
の板状部を有し、かつ、当該板状部が、その一部が絶縁
基板側へ折曲し孔の開口部近傍に接触しているので、小
型化を実現でき、かつ容易に半導体チップの放熱を良好
にすることができる。
の板状部を有し、かつ、当該板状部が、その一部が絶縁
基板側へ折曲し孔の開口部近傍に接触しているので、小
型化を実現でき、かつ容易に半導体チップの放熱を良好
にすることができる。
【００４０】又、金属部品がチップ部品上を覆う金属製
の板状部を有し、かつ、当該板状部が、その複数箇所が
絶縁基板側へ折曲し孔の開口部近傍に接触しているの
で、小型化を実現でき、かつ更に半導体チップの放熱を
良好にすることができる。
の板状部を有し、かつ、当該板状部が、その複数箇所が
絶縁基板側へ折曲し孔の開口部近傍に接触しているの
で、小型化を実現でき、かつ更に半導体チップの放熱を
良好にすることができる。
【００４１】又、絶縁基板のチップ部品が実装された面
における孔の開口部は複数存在しており、かつ、上記チ
ップ部品が実装された面に上記複数の開口部を覆うよう
に放熱用金属薄膜が形成されているので、小型化を実現
でき、かつ更に半導体チップの放熱を良好にすることが
できる。
における孔の開口部は複数存在しており、かつ、上記チ
ップ部品が実装された面に上記複数の開口部を覆うよう
に放熱用金属薄膜が形成されているので、小型化を実現
でき、かつ更に半導体チップの放熱を良好にすることが
できる。
【図１】 この発明の実施の形態１を示す上面図、Ａ−
Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図及び側面図である。
Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図及び側面図である。
【図２】 この発明の実施の形態２を示す上面図、Ｃ−
Ｃ断面図、Ｄ−Ｄ断面図及び側面図である。
Ｃ断面図、Ｄ−Ｄ断面図及び側面図である。
【図３】 この発明の実施の形態３を示す上面図、Ｅ−
Ｅ断面図、Ｆ−Ｆ断面図及び側面図である。
Ｅ断面図、Ｆ−Ｆ断面図及び側面図である。
【図４】 従来のＨＰＡの一例を示す斜視図である。
【図５】 図４に示す従来のＨＰＡの断面図である。
【図６】 従来の他のＨＰＡを示す断面図である。
【符号の説明】 １ 多層基板、 １ａ 多層基板の表面、 １ｂ 多層基板の裏面、 ２ 金属キャップ、 ３ チップ部品、 ４ａ、４ｂ 凹部、 ５ ＧａＡｓチップ、 ６ 封止用樹脂、 ７ａ、７ｂ サーマルビア、 ８ サーマルビアの開口部、 ９ 、金属ブロック、 １０ 金属キャップ、 １０ａ 金属キャップの板状部、 １０ｂ 金属キャップの折り曲げられた部分 １１ 金属キャップ、 １１ａ 金属キャップの板状部、 １１ｂ、１１ｃ 金属キャップの折り曲げられた部分。
Claims (7)
- 【請求項１】 一方の面に凹部が形成され、かつ、上記
凹部から当該凹部が形成された面と対向する他方の面ま
で貫通し熱伝導性の良好な部材が充填された孔を有する
絶縁基板と、 上記絶縁基板の凹部が形成された面と対向する他方の面
に実装されたチップ部品と、 半導体集積回路が形成され、かつ、上記絶縁基板の凹部
に実装された半導体チップと、 上記絶縁基板のチップ部品が実装された面の当該チップ
部品上を覆う金属部品とを備えた半導体装置において、 上記孔の上記チップ部品が実装された面における開口部
の近傍に、空気より熱伝導性の良好な構造体が設置され
ていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 構造体と金属部品とは接続されているこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 構造体は、金属製のブロックであること
を特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 一方の面に凹部が形成され、かつ、上記
凹部から当該凹部が形成された面と対向する他方の面ま
で貫通し熱伝導性の良好な部材が充填された孔を有する
絶縁基板と、 上記絶縁基板の凹部が形成された面と対向する他方の面
に実装されたチップ部品と、 半導体集積回路が形成され、かつ、上記絶縁基板の凹部
に実装された半導体チップと、 上記絶縁基板のチップ部品が実装された面の当該チップ
部品上を覆う金属部品とを備えた半導体装置において、 上記金属部品は、上記孔の上記チップ部品が実装された
面における開口部の近傍において、上記絶縁基板に接触
することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 金属部品はチップ部品上を覆う金属製の
板状部を有し、かつ、当該板状部は、その一部が絶縁基
板側へ折曲し孔の開口部近傍に接触していることを特徴
とする請求項４記載の半導体装置。 - 【請求項６】 金属部品はチップ部品上を覆う金属製の
板状部を有し、かつ、当該板状部は、その複数箇所が絶
縁基板側へ折曲し孔の開口部近傍に接触していることを
特徴とする請求項４記載の半導体装置。 - 【請求項７】 絶縁基板のチップ部品が実装された面に
おける孔の開口部は複数存在しており、かつ、上記チッ
プ部品が実装された面に上記複数の開口部を覆うように
放熱用金属薄膜が形成されていることを特徴とする請求
項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000355751A JP2002158318A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000355751A JP2002158318A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158318A true JP2002158318A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18828113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000355751A Pending JP2002158318A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002158318A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10674596B2 (en) | 2018-01-25 | 2020-06-02 | Nec Corporation | Electronic component, electronic component manufacturing method, and mechanical component |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316492U (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | ||
| JPH04155853A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPH0758253A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-03-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｉｃパッケージの構造 |
| JPH07254666A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 半導体装置及びｂｇａパッケージ |
| JPH11251497A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Kyocera Corp | 電子回路モジュール |
-
2000
- 2000-11-22 JP JP2000355751A patent/JP2002158318A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US10674596B2 (en) | 2018-01-25 | 2020-06-02 | Nec Corporation | Electronic component, electronic component manufacturing method, and mechanical component |
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