JP2003133514A - パワーモジュール - Google Patents

パワーモジュール

Info

Publication number
JP2003133514A
JP2003133514A JP2001324739A JP2001324739A JP2003133514A JP 2003133514 A JP2003133514 A JP 2003133514A JP 2001324739 A JP2001324739 A JP 2001324739A JP 2001324739 A JP2001324739 A JP 2001324739A JP 2003133514 A JP2003133514 A JP 2003133514A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power module
heat
conductive insulating
semiconductor chips
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001324739A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3855726B2 (ja
Inventor
Satoru Doi
覚 土居
Yasushi Kato
康司 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001324739A priority Critical patent/JP3855726B2/ja
Publication of JP2003133514A publication Critical patent/JP2003133514A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3855726B2 publication Critical patent/JP3855726B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来、複数の半導体を一体化したパワーモジ
ュールは、リードフレームによりプリント基板と電気的
接続を得ているために、プリント基板と放熱器との間の
デッドスペースが大きく、さらなる小型化の障害になっ
ている。 【解決手段】 本発明では、複数の半導体チップ１と、
これらの半導体チップ１を支持する複数のヒートスプレ
ッダ２と、このヒートスプレッダ２を支持する熱伝導性
絶縁部５と、前記複数の半導体チップ１に設けた電極部
３とを備えたパワーモジュール１５であり、前記熱伝導
性絶縁部側を放熱面とし、前記電極部により電気的接合
を行うことを特徴とするパワーモジュールを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＧＢＴやＭＯＳＦ
ＥＴなどの、電気機器に用いられる半導体装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、インバータ装置などのパワー変換
装置はさらなる小型化、高効率化が求められている。例
えばインバータ装置を小型化する手段のひとつとして、
複数のパワーデバイスを一体化したパワーモジュールが
使われている。このようなパワーモジュールを用いるこ
とにより、パワーデバイスを別々に実装した場合に比べ
てインバータ回路を小型化することができる。図４は従
来のパワーモジュール実装例の一つである。図４のパワ
ーモジュール１４は半導体チップ１、ヒートスプレッダ
２、アルミワイヤ１２、熱伝導性絶縁部５、リードフレ
ーム１３から構成される。リードフレーム１３によりプ
リント基板１０との電気的接続が構成されており、放熱
は熱伝導性絶縁材料５と放熱材料８を経て、放熱器９に
行っている。放熱材料８はパワーモジュール１４と放熱
器９の間に空気の層ができて熱伝導が悪化するのを防止
するために用いられることが多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図４の実装例では、リ
ードフレームによりプリント基板と電気的接続を得てい
るために、プリント基板と放熱器との間のデッドスペー
スが大きく、さらなる小型化の障害になっている。本発
明では上記課題を解決するための小型でかつ高熱伝導な
パワーモジュールを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるパワーモ
ジュールは、複数の半導体チップと、この半導体チップ
を支持するヒートスプレッダと、このヒートスプレッダ
を支持する熱伝導性絶縁部と、前記半導体チップに設け
た電極部とを備え、前記熱伝導性絶縁部側を放熱面と
し、前記半導体チップに設けた電極部により電気的接合
を行う。このような構成にすることにより、一方の面に
半導体の電極を電気的に接合するための電極部を、反対
側の面に前記半導体で発生する熱を絶縁して伝導する熱
伝導性絶縁部を備え、電極部をプリント基板と接続する
ことにより従来のリードフレームに比べて接続距離を減
少させ、非常に小型でかつ高熱伝導性を有するパワーモ
ジュールを提供することができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明にかかるパワーモジュール
は、複数の半導体チップと、この半導体チップを支持す
るヒートスプレッダと、このヒートスプレッダを支持す
る熱伝導性絶縁部と、前記半導体チップに設けた電極部
とを備え、前記熱伝導性絶縁部側を放熱面とし、前記半
導体チップに設けた電極部により電気的接合を行う。一
方の面に半導体の電極を電気的に接合するための電極部
を、反対の面に前記半導体で発生する熱を絶縁して伝導
する熱伝導性絶縁部を備えており、電極部をプリント基
板と接続することにより従来のリードフレームに比べて
配線距離を減少させ、非常に小型でかつ高熱伝導性を有
するパワーモジュールを提供することができる。
【０００６】さらに本件発明は、一つのヒートスプレッ
ダが複数の半導体チップを支持してもよい。
【０００７】さらに本件発明のヒートスプレッダ上に配
置した突起部は、パワーモジュールとプリント基板を構
造的に支持すると同時に実装高さ精度を確保することが
できる。
【０００８】さらに、本件発明の突起部は電気伝導性を
有しているため、半導体チップが縦型半導体の場合には
パワーモジュール電極部として用いることができる。
【０００９】さらに、本件発明は、パワーモジュールの
熱伝導性絶縁部と一体で放熱器を設けることで、より小
型なパワーモジュールを提供することができる。
【００１０】さらに本件発明は、パワーモジュールと、
前記パワーモジュールの電極部と電気的に接合するプリ
ント基板と、前記パワーモジュールの熱伝導性絶縁部と
接する放熱器とを備え、前記パワーモジュールは、複数
の半導体チップと、この複数の半導体チップを支持する
ヒートスプレッダと、このヒートスプレッダを支持する
熱伝導性絶縁部と、前記複数の半導体チップに設けた電
極部とを備え、前記半導体チップに設けた電極部により
電気的接合をなすモータ駆動装置としてもよい。
【００１１】さらに本件発明はパワーモジュールと、前
記パワーモジュールの電極部と電気的に接合するプリン
ト基板とを備え、前記パワーモジュールは、複数の半導
体チップと、この複数の半導体チップを支持するヒート
スプレッダと、このヒートスプレッダを支持する熱伝導
性絶縁部と、前記複数の半導体チップに設けた電極部と
を備えた、パワーモジュールの熱伝導性絶縁部と一体で
放熱器を設け、前記半導体チップに設けた電極部により
電気的接合をなすモータ駆動装置としてもよい。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照に
しながら説明する。
【００１３】（実施例１）図１はパワーモジュール１５
を上面から見た（絶縁封止材料７を除いた図）状態を示
している。パワーモジュール１５は半導体チップ１、半
導体チップ１の上部に、半導体電極とプリント基板１０
を接続するための電極部３、半導体チップ１を下方で支
持し、且つ半導体チップ１で発生した熱を拡散するヒー
トスプレッダ２、構造的な支持と高さ精度を確保するた
めと同時に電極としても利用する突起部４、半導体チッ
プ１と電極部３を保護するための封止材料６から構成さ
れる。なお、電極部３、突起部４の一部は、パワーモジ
ュール１５の上面に露出している。
【００１４】このパワーモジュール１５は、１個の熱伝
導性絶縁部５に対して、複数の半導体チップ１と複数の
ヒートスプレッダ２があり、それぞれのヒートスプレッ
ダ２のすべてに、半導体チップ１が乗っている。なお、
１個のヒートスプレッダ２の上に、複数の半導体チップ
１を乗せてもよい。
【００１５】このパワーモジュール１５をプリント基板
１０に取り付けた状態の断面図を図２に示す。パワーモ
ジュール１５は電極部３と突起部４によりプリント基板
１０と電気的に接続されており、絶縁封止材料７はプリ
ント基板上の絶縁距離を確保するためにプリント基板１
０とパワーモジュール１５の間に充填する。熱伝導性絶
縁部５は、放熱材料８を介して放熱器９と接触してい
る。放熱材料８はパワーモジュール１５と放熱器９の間
に空気の層ができて熱伝導が悪化するのを防止する。放
熱材料８は例えば、放熱グリースや熱伝導性シートなど
を用いてもよい。基板支持部１１はプリント基板１０と
放熱器９の間隔を規定すると同時にプリント基板１０を
放熱器９と固定し、パワーモジュール１５を放熱器９に
密着させるために設けられる。
【００１６】突起部４はパワーモジュール１５とプリン
ト基板１０の接続を構造的に支持するとともに、突起部
４の高さを規定することによりパワーモジュール１５の
実装高さ精度を確保することができる。
【００１７】さらに半導体チップ１とヒートスプレッダ
２は通常はんだ付けなどの導電性材料でろう付けされて
いるため、半導体チップ１が縦型半導体の場合は半導体
裏面の電極をヒートスプレッダ２と突起部４を介して電
気的に接続することができる。また電極部３と半導体チ
ップ１は固相拡散接合やろう付けなどの手段により接続
されている。半導体チップ１からの電気信号は電極部３
と突起部４を経てプリント基板上の回路へと伝わる。一
方、半導体チップ１で発生した熱はヒートスプレッダ２
から熱伝導性絶縁部５、放熱材料８を経て放熱器９へと
伝導される。図４のような従来のパワーモジュール１４
を使用した構成に比べて、半導体チップ１から放熱器９
までの距離が短くなり、より良い熱伝導性を得ることが
できる。熱伝導性絶縁部５は絶縁性と熱伝導性の両方を
兼ね備えた特性が必要であり、例えばエポキシ系樹脂や
セラミックなどを用いてもよい。
【００１８】本発明によるパワーモジュール１５は半導
体チップ１上の電極部３とプリント基板１０を接続して
いるために、従来のパワーモジュール１４のようなリー
ドフレーム１３による接続よりも接続距離が短い構成と
なるため、デッドスペースが小さくなり、電気機器をよ
り小型化することができる。
【００１９】特にモータ制御装置に使用するパワーモジ
ュールは、他のパワーモジュールに比べて発熱が大き
く、小型にすることが非常に困難であったが、このよう
な構成とすることにより小型化が可能になる。なお、こ
のようなパワーモジュールは、モータ制御装置にかぎら
ず、インバータ装置、電源装置等に用いても同様の効果
を得ることができる。
【００２０】（実施例２）図３に実施例２の断面図を示
す。実施例２では、パワーモジュール自身が放熱器９を
備えている構成のため、電気機器の構造にとらわれずに
プリント基板１０の表裏どちら側にも実装でき、基板レ
イアウトの自由度が向上する。また放熱器９の大きさも
発熱量によって適当に変えられるので、電気機器をより
小型化するのにも有効である。この場合放熱材料８は使
わずに、絶縁封止材料７のみで放熱器と一体成型しても
よい。
【００２１】
【発明の効果】本発明によるパワーモジュールは、一方
の面では電気的に最短距離で接続され、反対の面では熱
的に最短距離で接続できるため、従来のパワーモジュー
ルと比べて電気機器の小型化に有効である。また電気的
接合距離を短くすることで電気抵抗を低減させ、電気機
器の効率改善に有効である。さらにパワーモジュール自
体に放熱器を備える構造をとることにより、基板レイア
ウトの自由度が向上し、電気機器のさらなる小型化が可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１のパワーモジュールを上から見た図
【図２】同モータ制御装置の断面図
【図３】実施例２のモータ制御装置の断面図
【図４】従来のモータ制御装置を示す図
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ ヒートスプレッダ ３ 電極部 ４ 突起部 ５ 熱伝導性絶縁部 ６ 封止材料 ７ 絶縁封止材料 ８ 放熱材料 ９ 放熱器 １０ プリント基板 １１ 基板支持部 １２ アルミワイヤ １３ リードフレーム １４ 従来のパワーモジュール １５ 本発明に係るパワーモジュール

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の半導体チップと、これらの半導体
    チップを支持する複数のヒートスプレッダと、このヒー
    トスプレッダを支持する熱伝導性絶縁部と、前記半導体
    チップの表面に設けた電極部とを備えたパワーモジュー
    ルであり、前記熱伝導性絶縁部側を放熱面とし、前記電
    極部により電気的接合を行うことを特徴とするパワーモ
    ジュール。
  2. 【請求項２】 一つのヒートスプレッダは複数の半導体
    チップを支持する請求項１記載のパワーモジュール。
  3. 【請求項３】 ヒートスプレッダ上に構造的な支持と実
    装高さ精度を確保するための突起部を備えた請求項１記
    載のパワーモジュール。
  4. 【請求項４】 突起部は電気伝導性を有し、パワーモジ
    ュールの電極部となることを特徴とする請求項３記載の
    パワーモジュール。
  5. 【請求項５】 パワーモジュールの熱伝導性絶縁部に、
    放熱器を設けた請求項１記載のパワーモジュール。
  6. 【請求項６】 パワーモジュールと、前記パワーモジュ
    ールの電極部と電気的に接合するプリント基板と、前記
    パワーモジュールの熱伝導性絶縁部と接する放熱器とを
    備え、前記パワーモジュールは、複数の半導体チップ
    と、この半導体チップを支持するヒートスプレッダと、
    このヒートスプレッダを支持する熱伝導性絶縁部と、前
    記半導体チップに設けた電極部とを備えたパワーモジュ
    ールであり、前記半導体チップに設けた電極部により電
    気的接合をなすモータ制御装置。
  7. 【請求項７】 パワーモジュールと、前記パワーモジュ
    ールの電極部と電気的に接合するプリント基板とを備
    え、前記パワーモジュールは、複数の半導体チップと、
    この複数の半導体チップを支持するヒートスプレッダ
    と、このヒートスプレッダを支持する熱伝導性絶縁部
    と、前記複数の半導体チップに設けた電極部とを備えた
    パワーモジュールであり、パワーモジュールの熱伝導性
    絶縁部に放熱器を設け、前記半導体チップに設けた電極
    部により電気的接合をなすモータ制御装置。
JP2001324739A 2001-10-23 2001-10-23 パワーモジュール Expired - Fee Related JP3855726B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001324739A JP3855726B2 (ja) 2001-10-23 2001-10-23 パワーモジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001324739A JP3855726B2 (ja) 2001-10-23 2001-10-23 パワーモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003133514A true JP2003133514A (ja) 2003-05-09
JP3855726B2 JP3855726B2 (ja) 2006-12-13

Family

ID=19141419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001324739A Expired - Fee Related JP3855726B2 (ja) 2001-10-23 2001-10-23 パワーモジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3855726B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005232313A (ja) * 2004-02-19 2005-09-02 Mitsubishi Electric Corp 熱伝導性樹脂シートおよびこれを用いたパワーモジュール
JP2008101227A (ja) * 2007-12-27 2008-05-01 Mitsubishi Electric Corp 熱伝導性樹脂シートおよびこれを用いたパワーモジュール
JP2011142124A (ja) * 2010-01-05 2011-07-21 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPWO2010147201A1 (ja) * 2009-06-19 2012-12-06 株式会社安川電機 電力変換装置
JP2015050255A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 富士通株式会社 ヒートシンク及び基板ユニット
KR20170118599A (ko) * 2016-04-15 2017-10-25 오므론 가부시키가이샤 반도체 장치의 방열구조

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001203313A (ja) * 1999-11-09 2001-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導基板およびその製造方法
JP2001223321A (ja) * 1999-11-29 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001203313A (ja) * 1999-11-09 2001-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導基板およびその製造方法
JP2001223321A (ja) * 1999-11-29 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005232313A (ja) * 2004-02-19 2005-09-02 Mitsubishi Electric Corp 熱伝導性樹脂シートおよびこれを用いたパワーモジュール
US7602051B2 (en) 2004-02-19 2009-10-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thermally conductive resin sheet and power module using the same
JP2008101227A (ja) * 2007-12-27 2008-05-01 Mitsubishi Electric Corp 熱伝導性樹脂シートおよびこれを用いたパワーモジュール
JPWO2010147201A1 (ja) * 2009-06-19 2012-12-06 株式会社安川電機 電力変換装置
JP2011142124A (ja) * 2010-01-05 2011-07-21 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JP2015050255A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 富士通株式会社 ヒートシンク及び基板ユニット
KR20170118599A (ko) * 2016-04-15 2017-10-25 오므론 가부시키가이샤 반도체 장치의 방열구조
US9997430B2 (en) 2016-04-15 2018-06-12 Omron Corporation Heat dissipation structure of semiconductor device
KR101946467B1 (ko) * 2016-04-15 2019-02-08 오므론 가부시키가이샤 반도체 장치의 방열구조

Also Published As

Publication number Publication date
JP3855726B2 (ja) 2006-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3429921B2 (ja) 半導体装置
JPH09139461A (ja) 半導体パワーモジュール
JP2000164800A (ja) 半導体モジュール
US7148562B2 (en) Power semiconductor device and power semiconductor module
WO2005119896A1 (ja) インバータ装置
JPH11204700A (ja) 放熱フィン一体型パワーモジュール
JP2000174180A (ja) 半導体装置
US11195775B2 (en) Semiconductor module, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor module
JP2004006603A (ja) 半導体パワーデバイス
US20060220188A1 (en) Package structure having mixed circuit and composite substrate
JP2004022844A (ja) パワーモジュール
JP2000156439A (ja) パワー半導体モジュール
JP3855726B2 (ja) パワーモジュール
JP2002164485A (ja) 半導体モジュール
JP4375299B2 (ja) パワー半導体装置
JP2002050722A (ja) 半導体パッケージおよびその応用装置
JPH07106721A (ja) プリント回路板及びその放熱方法
JPH10247702A (ja) ボールグリッドアレイパッケージ及びプリントボード
JP5039388B2 (ja) 回路装置
CN110676232B (zh) 一种半导体器件封装结构及其制作方法、一种电子设备
JPH08264688A (ja) 半導体用セラミックパッケージ
JP2004048084A (ja) 半導体パワーモジュール
JPH02278856A (ja) 半導体集積回路装置
JPH11220074A (ja) 半導体装置
JP2006294729A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040615

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050701

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060620

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060802

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060822

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060904

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 3855726

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090922

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110922

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120922

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130922

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees