JP2006294729A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 外部リードと導電体部材を電気的に接続された半導体素子を電極板に搭載し、電極板の一部及び導電体部材の一部を樹脂封止体の外部に露出させることによって放熱部を樹脂封止体の上下両面に設置した半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子10が搭載され第1の放熱部となる電極板と、半導体素子に接合されその外部リード4に接続された導電体部材2と、半導体素子、電極板の一部、導電体部材の少なくとも一部及び外部リードの一部を被覆する樹脂封止体1を有している。電極板の一部を樹脂封止体から露出させて第1の放熱部とし、樹脂封止体の電極板が露出する面と対向する面に導電体部材と接合した放熱板又は樹脂封止体から露出させた導電体部材からなる第2の放熱部を設ける。このことにより、半導体素子から発生する熱を両面から有効に放散させることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体素子10が搭載され第1の放熱部となる電極板と、半導体素子に接合されその外部リード4に接続された導電体部材2と、半導体素子、電極板の一部、導電体部材の少なくとも一部及び外部リードの一部を被覆する樹脂封止体1を有している。電極板の一部を樹脂封止体から露出させて第1の放熱部とし、樹脂封止体の電極板が露出する面と対向する面に導電体部材と接合した放熱板又は樹脂封止体から露出させた導電体部材からなる第2の放熱部を設ける。このことにより、半導体素子から発生する熱を両面から有効に放散させることができる。
【選択図】 図1
Description
半導体素子が電極板に搭載され、前記半導体素子を導電体部材を経由し外部リードと電気的に接続させ、電極板の一部を外部に露出させるように樹脂封止した半導体装置に関するものである。
従来の半導体装置には放熱部を設けてその放熱特性を高めるものがある。とくにIGBTやパワーMOSトランジスタなどのパワー素子を用いた半導体装置には必要な部材である。従来の樹脂封止型半導体装置の一例について説明すると、この例では、電極板にパワー素子などの半導体素子を搭載している。半導体素子は接合材によりこの電極板に固定され、電極板は、半導体素子の第1の電極に電気的に接続されている。電極板は、第1の電極に電気的に接続された第1の外部端子として用いられる。一方、第2の電極に電気的に接続された第2の外部端子は、複数のリード端子から構成されている。そして、複数のリード端子と半導体素子の第2の電極とはストラップにより電気的に接続されている。半導体素子の第3の電極、即ちゲート電極などの制御電極は、1本のリード端子(第3の外部端子)に電気的に接続されて第2の電極に電気的に接続された第2の外部端子、即ち、前記複数のリード端子と同様に導出されている。これら半導体素子、ストラップ、リード端子の一部、電極板の一部は、エポキシ樹脂などからなる樹脂封止体により被覆され、外部端子の一部及び電極板の底面は、樹脂封止体から露出している(特許文献1参照)。
このような従来の放熱部を有する半導体装置では、放熱部は一面だけに設置される。それは、半導体素子とリード端子とを接続するためにストラップあるいはボンディングワイヤが必要であり、これらストラップ、ボンディングワイヤの上を占めるように配置される放熱部の設置は困難であって、ストラップなどが取り付けられた面で放熱部を設けるのは難しかった。
特開2002−314018号公報
放熱部を樹脂封止体の上下両面に設置して放熱特性を向上させた半導体装置を提供する。
本発明の半導体装置の一態様は、半導体素子と、前記半導体素子が搭載され、前記半導体素子の第1の電極と電気的に接続され、第1の放熱部として用いられる電極板と、前記半導体素子の第2の電極に接合され、前記半導体素子の外部リードに接続された導電体部材と、前記半導体素子、前記電極板の一部、前記導電体部材の少なくとも一部及び前記外部リードの一部を被覆する樹脂封止体とを具備し、前記電極板の一部を前記樹脂封止体から露出させて第1の放熱部とし、且つ前記樹脂封止体の前記電極板が露出する面と対向する面に第2の放熱部を設けたことを特徴としている。
半導体装置の放熱部を樹脂封止体の上下両面に設置して放熱特性を向上させた半導体装置を提供することができる。
以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。
まず、図1乃至図3を参照して実施例1を説明する。
図1は、この実施例で説明する半導体装置の樹脂封止体の透視斜視図(樹脂封止体透視)、図2は、電極板上の半導体素子及び半導体素子に取付けられた導電体部材の部分斜視図、図3は、図1に放熱板を取り付けた半導体装置の斜視図(樹脂封止体透視)である。この実施例では、MOSトランジスタやIGBTなどのパワー半導体素子から構成された半導体装置の上部に形成された放熱部(第2の放熱部)として半導体装置下面の電極板(第1の放熱部)に対向して形成された放熱板を上部に設けるのに適した導電体部材の構造に特徴が有る。
この半導体装置は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体1に封止されており、半導体素子10と、半導体素子10の第1の電極(図示しない)と電気的に接続された電極板3とを有している。電極板3は、樹脂封止体1の下面に露出する第1の放熱部として用いられる。また、半導体装置は、半導体素子10の第2の電極(図示しない)に接合され、半導体素子10の外部リード4に接続された銅もしくはその合金などからなる導電体部材2を有している。半導体素子10は、電極板3上に導電性を有する接合材6などにより接合されている。
図1は、この実施例で説明する半導体装置の樹脂封止体の透視斜視図(樹脂封止体透視)、図2は、電極板上の半導体素子及び半導体素子に取付けられた導電体部材の部分斜視図、図3は、図1に放熱板を取り付けた半導体装置の斜視図(樹脂封止体透視)である。この実施例では、MOSトランジスタやIGBTなどのパワー半導体素子から構成された半導体装置の上部に形成された放熱部(第2の放熱部)として半導体装置下面の電極板(第1の放熱部)に対向して形成された放熱板を上部に設けるのに適した導電体部材の構造に特徴が有る。
この半導体装置は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体1に封止されており、半導体素子10と、半導体素子10の第1の電極(図示しない)と電気的に接続された電極板3とを有している。電極板3は、樹脂封止体1の下面に露出する第1の放熱部として用いられる。また、半導体装置は、半導体素子10の第2の電極(図示しない)に接合され、半導体素子10の外部リード4に接続された銅もしくはその合金などからなる導電体部材2を有している。半導体素子10は、電極板3上に導電性を有する接合材6などにより接合されている。
導電体部材2は、本体2aを有し、この部分の先に半導体素子10との接合部2bと、この接合部の先に延在部2cとを有している。半導体素子10の第2の電極に接合された接合部2bの両端に連続的に繋がる本体2a及び延在部2cは、半導体素子10から次第に離れて樹脂封止体1内において電極板3から所定の距離だけ離れるように構成されている。導電体部材2の本体2aの接合部2bに繋がる辺とは対向する辺には外部端子である複数の外部リード4が繋がっており、外部リード4の他端は、樹脂封止体1から露出している。複数の外部リード4に並んで1本の外部リード5が一端が樹脂封止体1から露出するように配置され、他端が半導体素子10の第3の電極であるゲート電極などの制御電極(図示しない)に電気的に接続されている。半導体素子10、電極板3の一部、導電体部材2及び外部リード4、5の一部は、樹脂封止体1に封止されている。
樹脂封止体1の上面に形成される銅もしくは銅を含む合金などからなる放熱板7は、はんだ(図示しない)などにより導電体部材2の延在部2cに接合されている(図3)。この半導体装置は、プリント配線基板等の配線には電極板が接合され、放熱板は、配線基板の配線面には離れて対向している。
樹脂封止体1の上面に形成される銅もしくは銅を含む合金などからなる放熱板7は、はんだ(図示しない)などにより導電体部材2の延在部2cに接合されている(図3)。この半導体装置は、プリント配線基板等の配線には電極板が接合され、放熱板は、配線基板の配線面には離れて対向している。
この実施例によれば、導電体部材に延在部を設けて、これに放熱板を接合させているので半導体素子で発生する熱を放熱板に有効に逃がすことができ、プリント配線基板等の実装基板に実装する半導体装置の面及び実装する面と対向する面の両面に放熱部を設置した構造となるので半導体素子から発生する熱を両面から有効に放散させることが可能となる。
また、半導体素子を樹脂封止する構造の半導体装置は、樹脂の熱による伸縮を抑制する構造が少ないので、半導体素子及び半導体素子と導電体部材との接合部への応力が大きくなってしまう。しかし、樹脂封止体に埋め込まれた導電体部材の延在部がこのような接合部に発生する樹脂の伸縮による応力を緩和させることができる。
また、半導体素子を樹脂封止する構造の半導体装置は、樹脂の熱による伸縮を抑制する構造が少ないので、半導体素子及び半導体素子と導電体部材との接合部への応力が大きくなってしまう。しかし、樹脂封止体に埋め込まれた導電体部材の延在部がこのような接合部に発生する樹脂の伸縮による応力を緩和させることができる。
次に、図4乃至図6を参照して実施例2を説明する。
図4は、この実施例に係る半導体装置の斜視図、図5は、図4の半導体装置を下方からみた斜視図、図6は、樹脂封止部を透明にした半導体装置の斜視図である。この実施例ではMOSトランジスタやIGBTなどのパワー半導体素子から構成された半導体装置の上部に形成された放熱部(第2の放熱部)として外部端子である外部リードに繋がる導電体部材を用いることに特徴が有る。
この半導体装置は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体21に封止されており、半導体素子20と、半導体素子20の第1の電極(図示しない)と電気的に接続された電極板23とを有している。電極板23は、樹脂封止体21の下面に露出する第1の放熱部として用いられる。また、半導体装置は、半導体素子20の第2の電極(図示しない)に接合され、半導体素子20の外部リード24に接続された銅もしくはその合金などからなる導電体部材22を有している。半導体素子20は、電極板23上に導電性を有する接合材26などにより接合されている。
図4は、この実施例に係る半導体装置の斜視図、図5は、図4の半導体装置を下方からみた斜視図、図6は、樹脂封止部を透明にした半導体装置の斜視図である。この実施例ではMOSトランジスタやIGBTなどのパワー半導体素子から構成された半導体装置の上部に形成された放熱部(第2の放熱部)として外部端子である外部リードに繋がる導電体部材を用いることに特徴が有る。
この半導体装置は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体21に封止されており、半導体素子20と、半導体素子20の第1の電極(図示しない)と電気的に接続された電極板23とを有している。電極板23は、樹脂封止体21の下面に露出する第1の放熱部として用いられる。また、半導体装置は、半導体素子20の第2の電極(図示しない)に接合され、半導体素子20の外部リード24に接続された銅もしくはその合金などからなる導電体部材22を有している。半導体素子20は、電極板23上に導電性を有する接合材26などにより接合されている。
導電体部材22は、本体22aを有し、この部分の先に半導体素子20との接合部22bと、この接合部の先に延在部22cとを有している。半導体素子20の第2の電極に接合された接合部22bに連続的に繋がる先端部分の延在部22cは、接合部22bの上に配置されるように折り曲げられ、折り曲げられた延在部22cの上面は、本体22aの上面とほぼ同じ水平面に配置される。導電体部材22の本体22aの接合部22bに繋がる辺とは対向する辺には外部端子である複数の外部リード24が繋がっており、外部リード24の他端は、樹脂封止体21から露出している。複数の外部リード24に並んで1本の外部リード25が一端が樹脂封止体21から露出するように配置され、他端は、半導体素子20の第3の電極であるゲート電極などの制御電極(図示しない)に電気的に接続されている。半導体素子20、電極板23の一部、導電体部材22の一部及び外部リード24、25の一部は、樹脂封止体21に封止されている。
導電体部材22の折り曲げられた延在部22cの上面、本体22aの上面及び外部リード25の上面の一部は、樹脂封止体21の上面に露出している。そして、導電体部材22の樹脂封止体21上面に露出する部分は、放熱部(第2の放熱部)として用いられる。この半導体装置は、プリント配線基板等への実装には電極板側が用いられる。
導電体部材22の折り曲げられた延在部22cの上面、本体22aの上面及び外部リード25の上面の一部は、樹脂封止体21の上面に露出している。そして、導電体部材22の樹脂封止体21上面に露出する部分は、放熱部(第2の放熱部)として用いられる。この半導体装置は、プリント配線基板等への実装には電極板側が用いられる。
この実施例によれば、プリント配線基板等の実装基板に実装する半導体装置の面及び実装する面と対向する面の両面に放熱部を設置した構造となるので半導体素子から発生する熱を両面から有効に放散させることが可能となる。また、曲げた板状の導電体部材を半導体素子上に接合し、その一部を樹脂封止体の上面から露出させている。半導体素子で発生した熱は、導電体部材を伝わり、露出した第2の放熱部から外部へ放散される。導電体部材の材料にはリード材料に通常用いられる銅もしくはその合金などを使用し、半導体素子との接合には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。
次に、図7を参照して実施例3を説明する。
図7は、この実施例に係る半導体装置の斜視図である。この実施例は、実施例2と同様に導電体部材を放熱部に用いるとともに、その放熱部分の面積を広く取り放熱効果を向上させることに特徴がある。
この半導体装置は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体31に封止されており、半導体素子30と、半導体素子30の第1の電極(図示しない)と電気的に接続された電極板33とを有している。電極板33は、樹脂封止体31の下面に露出する第1の放熱部として用いられる。また、半導体装置は、半導体素子30の第2の電極(図示しない)に接合され、半導体素子30の外部リード34に接続された銅もしくはその合金などからなる導電体部材32を有している。半導体素子30は、電極板33上に導電性などの接合材36などにより接合されている。
図7は、この実施例に係る半導体装置の斜視図である。この実施例は、実施例2と同様に導電体部材を放熱部に用いるとともに、その放熱部分の面積を広く取り放熱効果を向上させることに特徴がある。
この半導体装置は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体31に封止されており、半導体素子30と、半導体素子30の第1の電極(図示しない)と電気的に接続された電極板33とを有している。電極板33は、樹脂封止体31の下面に露出する第1の放熱部として用いられる。また、半導体装置は、半導体素子30の第2の電極(図示しない)に接合され、半導体素子30の外部リード34に接続された銅もしくはその合金などからなる導電体部材32を有している。半導体素子30は、電極板33上に導電性などの接合材36などにより接合されている。
導電体部材32は、本体32aを有し、この部分の先に半導体素子30との接合部32bを有している。接合部32bは、半導体素子30の上面に接合され、本体32aは、接合部32bの上方に折り曲げられて外部リード34に繋がっている。導電体部材32の本体32aは、上面が樹脂封止体31からから露出している。複数の外部リード34に並んで1本の外部リードが一端が樹脂封止体31から露出するように配置され、他端は、半導体素子30の第3の電極であるゲート電極などの制御電極(図示しない)に電気的に接続されているが図による説明はしない。外部リード34が露出する側面とは対向する面に外部リード37が形成されている。この外部リード37は、例えば、半導体装置がより多くの電極を有する半導体素子、又は2つ以上の半導体素子を必要とする時に第2、第3の半導体素子の電極を引き出すために用いられる。半導体素子30、電極板33の一部、導電体部材32の一部及び外部リード34、37の一部は、樹脂封止体31に封止されている。
導電体部材32の折り曲げられた本体32aの露出する上面は、放熱部(第2の放熱部)として用いられる。この半導体装置は、プリント配線基板等の配線には電極板が接合される。
この実施例によれば、プリント配線基板等の実装基板に実装する半導体装置の面及び実装する面と対向する面の両面に放熱部を設置した構造となるので半導体素子から発生する熱を両面から有効に放散させることが可能となる。また、曲げた板状の導電体部材を半導体素子上に接合し、その一部を樹脂封止体の上面から露出させている。半導体素子で発生した熱は、導電体部材を伝わり、露出した第2の放熱部から外部へ放散される。導電体部材の材料にはリード材料に通常用いられる銅もしくはその合金などを使用し、半導体素子との接合には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。実施例2より電流が流れる経路は長くなるが、放熱面積を広く確保することができる。このように材料効率、半導体素子との接点数、接合面積、半導体装置全体の体積等を考慮し、曲げ部の形状は幾通りも考えることが可能ある。
この実施例によれば、プリント配線基板等の実装基板に実装する半導体装置の面及び実装する面と対向する面の両面に放熱部を設置した構造となるので半導体素子から発生する熱を両面から有効に放散させることが可能となる。また、曲げた板状の導電体部材を半導体素子上に接合し、その一部を樹脂封止体の上面から露出させている。半導体素子で発生した熱は、導電体部材を伝わり、露出した第2の放熱部から外部へ放散される。導電体部材の材料にはリード材料に通常用いられる銅もしくはその合金などを使用し、半導体素子との接合には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。実施例2より電流が流れる経路は長くなるが、放熱面積を広く確保することができる。このように材料効率、半導体素子との接点数、接合面積、半導体装置全体の体積等を考慮し、曲げ部の形状は幾通りも考えることが可能ある。
次に、図8を参照して実施例4を説明する。
図8は、この実施例に係る半導体装置の斜視図である。この実施例は、実施例2と同様に導電体部材を放熱部に用いるとともに、その半導体素子との接合部分を複数の部材を用いることに特徴がある。
この半導体装置は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体41に封止されており、半導体素子40と、半導体素子40の第1の電極(図示しない)と電気的に接続された銅もしくは銅の合金などからなる電極板43とを有している。電極板43は、樹脂封止体41の下面に露出する第1の放熱部として用いられる。また、半導体装置は、半導体素子40の第2の電極(図示しない)に接合され、半導体素子40の外部リード44に接続された銅もしくはその合金などからなる導電体部材42を有している。半導体素子40は、電極板43上に導電性を有する接合材46などにより接合されている。
図8は、この実施例に係る半導体装置の斜視図である。この実施例は、実施例2と同様に導電体部材を放熱部に用いるとともに、その半導体素子との接合部分を複数の部材を用いることに特徴がある。
この半導体装置は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体41に封止されており、半導体素子40と、半導体素子40の第1の電極(図示しない)と電気的に接続された銅もしくは銅の合金などからなる電極板43とを有している。電極板43は、樹脂封止体41の下面に露出する第1の放熱部として用いられる。また、半導体装置は、半導体素子40の第2の電極(図示しない)に接合され、半導体素子40の外部リード44に接続された銅もしくはその合金などからなる導電体部材42を有している。半導体素子40は、電極板43上に導電性を有する接合材46などにより接合されている。
導電体部材42は、本体42aを有し、この部分の先に半導体素子40との接合部42bを有している。接合部42bは、半導体素子40の上面に接合され、本体42aとは別の部材からなり、本体42aに接合材や超音波により接合されている。本体42aは、他方で外部リード44に繋がっている。本体42aは、上面が樹脂封止体41からから露出している。複数の外部リード44に並んで1本の外部リード45が一端が樹脂封止体41から露出するように配置され、他端は、半導体素子40の第3の電極であるゲート電極などの制御電極(図示しない)に電気的に接続されている。また、外部リード44が露出する側面とは対向する側面に外部リード47が形成されている。この外部リード47は、例えば、半導体装置がより多くの電極を有する半導体素子、又は2つ以上の半導体素子を必要とする時に第2、第3の半導体素子の電極を引き出すために用いられる。半導体素子40、電極板43の一部、導電体部材42の一部及び外部リード44、45、47の一部は、樹脂封止体41に封止されている。
導電体部材42の本体42aの露出する上面は、放熱部(第2の放熱部)として用いられる。この半導体装置は、プリント配線基板等には電極板が接合される。
導電体部材42の本体42aの露出する上面は、放熱部(第2の放熱部)として用いられる。この半導体装置は、プリント配線基板等には電極板が接合される。
この実施例によれば、プリント配線基板等の実装基板に実装する樹脂封止体の面及び実装する面と対向する面の両面に放熱部を設置した構造となるので半導体素子から発生する熱を両面から有効に放散させることが可能となる。半導体素子で発生した熱は、導電体部材を伝わり、露出した第2の放熱部から外部へ放散される。導電体部材の材料にはリード材料に通常用いられる銅もしくはその合金などを使用し、半導体素子との接合には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。
この実施例では導電体部材の半導体素子との接合部を導電体部材本体とは別体の複数の板状体を用いて構成しているので、各部の板厚に自由度が与えられる。図示はしないが、別部品として上面放熱部をさらに設置することも可能である。各部の接続には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。
この実施例では導電体部材の半導体素子との接合部を導電体部材本体とは別体の複数の板状体を用いて構成しているので、各部の板厚に自由度が与えられる。図示はしないが、別部品として上面放熱部をさらに設置することも可能である。各部の接続には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。
この実施例において、導電体部材は、本体の先に半導体素子との接合部を設けているが、さらに、この接合部の先に延在部を設けるようにしても良い。延在部は、半導体素子から次第に離れて樹脂封止体内において電極板から所定の距離だけ離れるように構成されている。樹脂封止体に埋め込まれた導電体部材の延在部は、半導体素子と導電体部材との接合部に発生する樹脂の伸縮による応力を緩和させることができる。
次に、図9を参照して実施例5を説明する。
図9は、半導体素子と導電体部材との接合部を示す半導体装置の部分斜視図である。この実施例は、実施例2と同様に導電体部材を放熱部に用いるとともに、その半導体素子との接合部分を板厚構造にすることに特徴がある。
この半導体装置は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体(図示しない)に封止されており、半導体素子50と、半導体素子50の第1の電極(図示しない)と電気的に接続された銅もしくは銅の合金などからなる電極板53とを有している。電極板53は、樹脂封止体の下面に露出する第1の放熱部として用いられる。また、半導体装置は、半導体素子50の第2の電極(図示しない)に接合され、半導体素子50の第1の外部リード(図示しない)に接続された銅もしくはその合金などからなる導電体部材52を有している。半導体素子50は、電極板53上に導電性などの接合材56などにより接合されている。
導電体部材52は、本体(図示しない)を有し、この部分の先に半導体素子50との接合部52bを有している。接合部52bは、半導体素子50の上面に接合されている。
図9は、半導体素子と導電体部材との接合部を示す半導体装置の部分斜視図である。この実施例は、実施例2と同様に導電体部材を放熱部に用いるとともに、その半導体素子との接合部分を板厚構造にすることに特徴がある。
この半導体装置は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体(図示しない)に封止されており、半導体素子50と、半導体素子50の第1の電極(図示しない)と電気的に接続された銅もしくは銅の合金などからなる電極板53とを有している。電極板53は、樹脂封止体の下面に露出する第1の放熱部として用いられる。また、半導体装置は、半導体素子50の第2の電極(図示しない)に接合され、半導体素子50の第1の外部リード(図示しない)に接続された銅もしくはその合金などからなる導電体部材52を有している。半導体素子50は、電極板53上に導電性などの接合材56などにより接合されている。
導電体部材52は、本体(図示しない)を有し、この部分の先に半導体素子50との接合部52bを有している。接合部52bは、半導体素子50の上面に接合されている。
導電体部材52の本体は、他方で第1の外部リードに繋がっている。本体は、上面が樹脂封止体41からから露出している。複数の第1の外部リードに並んで1本の第2の外部リード45が一端が樹脂封止体から露出するように配置され、他端は、半導体素子50の第3の電極であるゲート電極などの制御電極(図示しない)に電気的に接続されている。また、第1の外部リードが露出する側面とは対向する側面に第3の外部リード(図示しない)が形成されている。この第3の外部リードは、半導体素子50とは電気的に接続されていない。これは、例えば、半導体装置が2つ以上の半導体素子を必要とする時に第2、第3の半導体素子の電極を引き出すために用いられる。半導体素子50、電極板53の一部、導電体部材52の一部及び第1、第2及び第3の外部リードの一部は、樹脂封止体に封止されている。
導電体部材52本体の露出上面は、放熱部(第2の放熱部)として用いられる。この半導体装置は、プリント配線基板等の配線には電極板が接合される。
また、導電体部材52の半導体素子50との接合部52bは、膜厚部52cを有している。
導電体部材52本体の露出上面は、放熱部(第2の放熱部)として用いられる。この半導体装置は、プリント配線基板等の配線には電極板が接合される。
また、導電体部材52の半導体素子50との接合部52bは、膜厚部52cを有している。
図9(a)の場合には、接合部52bの板厚部52cは板状であって半導体素子に全面が接合されている。板厚部52cを設けることにより接合部上面全体が、樹脂封止体から上面が露出する本体と同じ水平面に位置するようになる。したがって、接合部52b上面も樹脂封止体から露出し、この接合部も放熱部となる。その結果、半導体素子との広い接合面積及び放熱部の広い面積を確保することが出来る。この板厚部は、鍛造や事前にロウ付けで作製できる。半導体素子との接合には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。
図9(b)の場合には、接合部52bの板厚部52dは、複数の突起状であって半導体素子に複数の接合点がある。板厚部52dを設けることにより接合部上面全体が、樹脂封止体から上面が露出する本体と同じ水平面に位置するようになる。したがって、接合部52b上面も樹脂封止体から露出し、この接合部も放熱部となる。その結果、半導体素子との高い接合特性及び放熱部の広い面積を確保することが出来る。この板厚部は、鍛造や事前にロウ付けで作製できる。半導体素子との接合には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。半導体素子との接合部を突起状のアレイにしたことにより素子への熱応力緩和を考慮した構造になる。
図9(b)の場合には、接合部52bの板厚部52dは、複数の突起状であって半導体素子に複数の接合点がある。板厚部52dを設けることにより接合部上面全体が、樹脂封止体から上面が露出する本体と同じ水平面に位置するようになる。したがって、接合部52b上面も樹脂封止体から露出し、この接合部も放熱部となる。その結果、半導体素子との高い接合特性及び放熱部の広い面積を確保することが出来る。この板厚部は、鍛造や事前にロウ付けで作製できる。半導体素子との接合には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。半導体素子との接合部を突起状のアレイにしたことにより素子への熱応力緩和を考慮した構造になる。
この実施例によれば、プリント配線基板等の実装基板に実装する樹脂封止体の面及び実装する面と対向する面の両面に放熱部を設置した構造となるので半導体素子から発生する熱を両面から有効に放散させることが可能となる。半導体素子で発生した熱は、導電体部材を伝わり、露出した第2の放熱部から外部へ放散される。導電体部材の材料にはリード材料に通常用いられる銅もしくはその合金などを使用し、半導体素子との接合には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。
この実施例では導電体部材の半導体素子との接合部を導電体部材本体とは別体の複数の板状体を用いて構成しているので、各部の板厚に自由度が与えられる。図示はしないが、別部品として上面放熱部をさらに設置することも可能である。各部の接続には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。
この実施例では導電体部材の半導体素子との接合部を導電体部材本体とは別体の複数の板状体を用いて構成しているので、各部の板厚に自由度が与えられる。図示はしないが、別部品として上面放熱部をさらに設置することも可能である。各部の接続には、導電体接合材や超音波による接合を用いる。
この実施例において、導電体部材は、本体の先に半導体素子との接合部を設けているが、さらに、この接合部の先に延在部を設けるようにしても良い。延在部は、半導体素子から次第に離れて樹脂封止体内において電極板から所定の距離だけ離れるように構成されている。樹脂封止体に埋め込まれた導電体部材の延在部は、半導体素子と導電体部材との接合部に発生する樹脂の伸縮による応力を緩和させることができる。
1、21、31、41・・・樹脂封止体
2、22、32、42、52・・・導電体部材
2a、22a、32a、42a・・・導電体部材の本体
2b、22b、32b、42b、52b・・・導電体部材の接合部
2c、22c・・・導電体部材の延在部
3、23、33、43、53・・・電極板
4、5、24、25、34、37、44、45、47・・・外部リード
6、26、36、46、56・・・接合材
7・・・放熱板
52c、52d・・・導電体部材接合部の板厚部
2、22、32、42、52・・・導電体部材
2a、22a、32a、42a・・・導電体部材の本体
2b、22b、32b、42b、52b・・・導電体部材の接合部
2c、22c・・・導電体部材の延在部
3、23、33、43、53・・・電極板
4、5、24、25、34、37、44、45、47・・・外部リード
6、26、36、46、56・・・接合材
7・・・放熱板
52c、52d・・・導電体部材接合部の板厚部
Claims (5)
- 半導体素子と、
前記半導体素子が搭載され、前記半導体素子の第1の電極と電気的に接続され、第1の放熱部として用いられる電極板と、
前記半導体素子の第2の電極に接合され、前記半導体素子の外部リードに接続された導電体部材と、
前記半導体素子、前記電極板の一部、前記導電体部材の少なくとも一部及び前記外部リードの一部を被覆する樹脂封止体とを具備し、
前記電極板の一部を前記樹脂封止体から露出させて第1の放熱部とし、且つ前記樹脂封止体の前記電極板が露出する面と対向する面に第2の放熱部を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 前記導電体部材は、前記第2の電極との接合部分を越えて延在する延在部分を有し、前記第2の放熱部は、前記延在部分に接合され、且つ前記樹脂封止体の前記電極板が露出する面と対向する面に載置された放熱板からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記導電体部材は、前記樹脂封止体の前記電極板が露出する面と対向する面に露出する部分を有し、この露出部分は、第2の放熱部として用いられることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記導電体部材の前記第2の電極との接合部分は、折曲された板状体であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記導電体部材の前記第2の電極との接合部分は、他の部分より厚くなっていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
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-
2005
- 2005-04-07 JP JP2005110762A patent/JP2006294729A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014175364A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JP2019134178A (ja) * | 2014-04-09 | 2019-08-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2020129700A (ja) * | 2014-04-09 | 2020-08-27 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP7022784B2 (ja) | 2014-04-09 | 2022-02-18 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2019038876A1 (ja) * | 2017-08-24 | 2019-02-28 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
GB2567746A (en) * | 2017-08-24 | 2019-04-24 | Shindengen Electric Mfg | Semiconductor device |
JPWO2019038876A1 (ja) * | 2017-08-24 | 2019-11-07 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
GB2567746B (en) * | 2017-08-24 | 2022-03-16 | Shindengen Electric Mfg | Semiconductor device |
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