JP2006310609A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 放熱性を良くし、半導体素子の熱破壊を防止し得る半導体装置を提供すること。
【解決手段】 リードフレーム1上にマウントされた半導体素子5と、その半導体素子5のソース電極8に超音波接続された導電性金属板からなるストラップ7と、このストラップ7に超音波接続されたリードフレーム1の端子ポスト部3と、前記半導体素子5のゲート電極9とボンディングワイヤー10を介して接続している端子部4と、さらに、前記ストラップ7の上面に半田ペースト11を塗布した後、マウントされた熱伝導の良い材料からなる放熱板6と、前記リードフレーム2の端子ポスト部2、3と前記端子4の一部を除いた部分をモールド樹脂12で覆ったもの。
【選択図】 図1
【解決手段】 リードフレーム1上にマウントされた半導体素子5と、その半導体素子5のソース電極8に超音波接続された導電性金属板からなるストラップ7と、このストラップ7に超音波接続されたリードフレーム1の端子ポスト部3と、前記半導体素子5のゲート電極9とボンディングワイヤー10を介して接続している端子部4と、さらに、前記ストラップ7の上面に半田ペースト11を塗布した後、マウントされた熱伝導の良い材料からなる放熱板6と、前記リードフレーム2の端子ポスト部2、3と前記端子4の一部を除いた部分をモールド樹脂12で覆ったもの。
【選択図】 図1
Description
本発明は、表面電極とリードフレームとが導電性金属板(以下、ストラップと呼ぶ)によって接続され、モールド樹脂で覆われている半導体装置に関し、特に、電源スイッチなどとして使用されるパワーMOSFET等の半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、絶縁基板上に固定されたリードフレーム上に、半導体素子がマウントされ、この半導体素子の表面電極と前記リードフレームとが板状あるいは帯状の導電性金属板(以下、ストラップと呼ぶ)によって接続され、全体がモールド樹脂で覆われている。この種の半導体装置は、消費電力が大きいため、発熱量が大きいが、全体がモールド樹脂で覆われていたため、放熱性が悪かった。その結果、半導体素子の熱破壊を起こし、半導体装置の信頼性を著しく低下させていた。
そこで、本発明の目的は、放熱性を良くし、半導体素子の熱破壊を防止し得る半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、リードフレーム上にマウントされ、表面に電極が設けられた半導体素子と、この半導体素子の前記表面に形成された電極を前記リードフレームの端子部に接続する導電性金属板からなるストラップと、このストラップの上面に設けられた放熱板と、前記半導体素子、ストラップおよび放熱板を覆うように設けられたモールド樹脂と、を備えたことを特徴とするものである。
また、本発明の半導体装置においては、前記ストラップはニッケルメッキされたアルミ板であり、前記放熱板は前記アルミ板のニッケルメッキ層上に半田付けされた銅板であることを特徴とするものである。
さらに、本発明の半導体装置においては、前記モールド樹脂は、前記放熱板の表面を露出するように形成されていることを特徴とするものである。
本発明によれば、放熱性を良くし、半導体素子の熱破壊を防止し得る半導体装置を提供することができる。
以下、本発明の実施形態につき、図面を用いて詳細に説明する。
図1は本発明による半導体装置の平面図、図2は、図1の半導体装置の点線A−A´に沿った断面を矢示方向から見た断面図、図3は本発明による他の実施形態を示す図2に対応する断面図である。
図1において、リードフレーム1はほぼ矩形のベッド部1−1の一辺に第1の端子部2が連接されており、その対向辺には第2および第3の端子部3、4が前記ベッド部から分離された位置に配置されている。前記ベッド部1−1の上には半導体素子5がマウントされている。この半導体素子5の下面には図示されないが、半導体素子5の第1の電極、例えば、ドレイン電極が半田付けにより直接接続されている。他方、この半導体素子5の上面には、その中心部に半導体素子5の第2の電極である、例えば、ソース電極8が、また、その近傍には第3の電極である、例えば、ゲート電極9がそれぞれ形成されている。ソース電極8には例えば、銅板の表面にニッケルメッキが施された板状、或いは帯状の金属導体であるストラップ7の一端が接続されており、ストラップ7の他端はリードフレーム1の第2の端子部3のポスト部3−1に接続されている。ストラップ7のソース電極8およびポスト部3−1との接続には、例えば、超音波ボンディングが用いられる。他方、ゲート電極9はボンディングワイヤー10を介して端子部4のポスト部4−1と接続されている。
そして、ストラップ7の上面には、例えば、熱伝導の良い銅(Cu)材からなる放熱板6が半田ペースト11により固着されている。そして、図2に示すように、リードフレーム1と端子部2、3および4以外の全体をモールド樹脂12で覆い、その後、リードカットすることによって、半導体装置が得られる。
このような半導体装置は、例えば所定のパッケージに収納されたMOSFETとして構成されるが、半導体素子5の表面のソース電極に接続された導電性金属であるストラップ7上に、放熱性のよい材料からなる放熱板6を設けているので、大電力の半導体素子5により発生した熱は放熱板6を介してモールド樹脂12の外部に伝達されるため、半導体素子5の放熱効果を向上させることができる。
図3は、放熱板の放熱性をさらに高めた、本発明の他の実施形態を示す断面図で、本実施形態では、放熱板6の上部がモールド樹脂12で覆われないように形成されているため、半導体素子5の放熱効率がより一層高められている。なお、図3において、図1と同一構成部分には、同一符号を付し、その構成部分の詳細な説明は省略する。
以上本発明の実施形態を図面を用いて具体的に説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した技術的範囲内で、種々の変形例が可能である。例えば、上記図1乃至図3では、モールド樹脂12はリードフレーム1の下面は覆っていないが、この部分も含めて覆ってもよい。
1 リードフレーム
1−1 ベッド部
2 第1の端子部
2−1 ポスト部
3 第2の端子部
3−1 ポスト部
4 第3の端子部
5 半導体素子
6 放熱板
7 ストラップ(導電性金属板)
8 ソース電極
9 ゲート電極
10 ボンディングワイヤー
11 半田ペースト
12 モールド樹脂
1−1 ベッド部
2 第1の端子部
2−1 ポスト部
3 第2の端子部
3−1 ポスト部
4 第3の端子部
5 半導体素子
6 放熱板
7 ストラップ(導電性金属板)
8 ソース電極
9 ゲート電極
10 ボンディングワイヤー
11 半田ペースト
12 モールド樹脂
Claims (3)
- リードフレーム上にマウントされ、表面に電極が設けられた半導体素子と、この半導体素子の前記表面に形成された電極を前記リードフレームの端子部に接続する導電性金属板からなるストラップと、このストラップの上面に設けられた放熱板と、前記半導体素子、ストラップおよび放熱板を覆うように設けられたモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
- 前記ストラップはニッケルメッキされたアルミ板であり、前記放熱板は前記アルミ板のニッケルメッキ層上に半田付けされた銅板であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記モールド樹脂は、前記放熱板の表面を露出するように形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005132253A JP2006310609A (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005132253A JP2006310609A (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006310609A true JP2006310609A (ja) | 2006-11-09 |
Family
ID=37477148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005132253A Pending JP2006310609A (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2006310609A (ja) |
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CN117476590A (zh) * | 2023-12-28 | 2024-01-30 | 华羿微电子股份有限公司 | 一种双面散热的封装结构及其制备方法 |
-
2005
- 2005-04-28 JP JP2005132253A patent/JP2006310609A/ja active Pending
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