JPH07254666A - 半導体装置及びｂｇａパッケージ - Google Patents

半導体装置及びｂｇａパッケージ

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JPH07254666A
JPH07254666A JP6299048A JP29904894A JPH07254666A JP H07254666 A JPH07254666 A JP H07254666A JP 6299048 A JP6299048 A JP 6299048A JP 29904894 A JP29904894 A JP 29904894A JP H07254666 A JPH07254666 A JP H07254666A
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JP
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heat
heat conductor
conductor
insulating substrate
semiconductor chip
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Tomoaki Takubo
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体素子の破損がなく、放熱性に優れた半導
体装置を提供する。 【構成】絶縁基板１１の一方の主面上には、第１熱伝導
体２１ａ及び第２熱伝導体２１ｂが形成される。第１熱
伝導体２１ａ上には、ＴＣＰ１０２が搭載される。第２
熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク１０３が搭載され
る。絶縁基板１１の他方の主面上には、第３熱伝導体２
１ｃが形成される。第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１
ｂと第３熱伝導体２１ｃとの間の絶縁基板１１には、複
数のスルーホール２３，２４が形成される。スルーホー
ル２３，２４内には、第４熱伝導体２１ｄが形成され
る。半導体チップ１５の熱は、第１〜第４熱伝導体２１
ａ〜２１ｄによりヒートシンク１０３に伝導される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント回路基板上の
半導体素子（ＴＣＰなど）とヒートシンクの位置関係及
びＢＧＡパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント回路基板に大きな消費電
力を持つＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）が搭載さ
れると、このＴＣＰから発生する熱を拡散させるために
ヒートシンクが必要になる。
【０００３】図１５７及び図１５８は、従来のプリント
回路基板を用いた従来の半導体装置を示している。な
お、図１５８は、図１５７のＣＬＶＩＩＩーＣＬＶＩＩ
Ｉ´線に沿う断面図である。
【０００４】この半導体装置の構造について説明する。
【０００５】プリント回路基板１０１は、絶縁基板１１
と、この絶縁基板１１上に形成された配線１２とを有し
ている。
【０００６】プリント回路基板１０１には、ＴＣＰ１０
２及びヒートシンク１０３が搭載されている。
【０００７】ＴＣＰ１０２は、ポリイミドテープ１３と
リード１４から構成されるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ
ｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープと、リード１４の
一端に接続される半導体チップ１５とを有している。
【０００８】ＴＣＰ１０２のリード１４の他端は、半田
などによりプリント回路基板１０１の配線１２に接続さ
れている。
【０００９】ヒートシンク１０３は、アルミニウムなど
の金属から構成され、フィン形状を有している。
【００１０】ヒートシンク１０３の底部は、接着剤など
により半導体チップ１５の素子形成面とは反対側の面に
接着されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図１５７及び図１５８
の半導体装置では、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５上
に直接ヒートシンクが搭載されている。
【００１２】しかし、近年、半導体チップ１５が発生す
る熱を効率よく発散させるために、ヒートシンク１０３
のサイズが大きくなってきている。このため、ＴＣＰ１
０２のリード１４のみでヒートシンク１０３の質量を支
えることが困難になっている。
【００１３】従って、ＴＣＰの振動試験に耐えられる強
度をリード１４に持たすことができず、無理にヒートシ
ンク１０３を搭載するとＴＣＰ１０２自体が破損すると
いう欠点がある。
【００１４】本発明は、このような欠点を解決すべくな
されたもので、その目的は、プリント回路基板に搭載さ
れた半導体素子（ＴＣＰなど）を破損させずに、当該半
導体素子から発生する熱を効率的に拡散させることであ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のプリント回路基板及びこれを用いた半導体
装置、並びにＢＧＡパッケージは、以下の構成を有して
いる。
【００１６】本発明のプリント回路基板は、上面及び下
面を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成さ
れ、その上に少なくとも半導体チップを配置するための
第１熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記第１
熱伝導体の周囲に形成され、その上にヒートシンクを配
置するための複数の第２熱伝導体と、前記絶縁基板の下
面であって少なくとも前記第１及び第２熱伝導体の直下
を含む領域に形成される第３熱伝導体と、前記第１及び
第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる少なくとも
１つの第１スルーホールと、前記第２及び第３熱伝導体
間の前記絶縁基板に設けられる少なくとも１つの第２ス
ルーホールと、前記第１及び第２スルーホール内に形成
され、前記第１熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第
２熱伝導体と前記第３熱伝導体をそれぞれ接続する第４
熱伝導体とを備えている。
【００１７】本発明のプリント回路基板は、上面及び下
面を有する多層の絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形
成され、その上に少なくとも半導体チップを配置するた
めの第１熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記
第１熱伝導体の周囲に形成され、その上にヒートシンク
を配置するための複数の第２熱伝導体と、前記絶縁基板
の下面又は層間であって少なくとも前記第１及び第２熱
伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体と、
前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
る少なくとも１つの第１スルーホールと、前記第２及び
第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる少なくとも
１つの第２スルーホールと、前記第１及び第２スルーホ
ール内に形成され、前記第１熱伝導体と前記第３熱伝導
体及び前記第２熱伝導体と前記第３熱伝導体をそれぞれ
接続する第４熱伝導体とを備えている。
【００１８】前記第２熱伝導体は、互いに等間隔になる
ように形成され、さらに、前記絶縁基板の上面であって
前記第２熱伝導体の間に形成される複数の配線を備えて
いるのがよい。
【００１９】前記第３熱伝導体が前記絶縁基板の層間に
形成される場合、前記第１及び第２スルーホールは、前
記絶縁基板の上面から下面まで貫通しており、さらに、
前記絶縁基板の下面であって前記第１スルーホールに重
なる領域に形成される第５熱伝導体と、前記絶縁基板の
下面であって前記第２スルーホールに重なる領域に形成
される第６熱伝導体とを備えている。
【００２０】本発明のプリント回路基板は、上面及び下
面を有する多層の絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形
成され、その上に少なくとも半導体チップを配置するた
めの第１熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記
第１の熱伝導体の周囲を取り囲むように形成され、その
上にヒートシンクを配置するための第２熱伝導体と、前
記絶縁基板の下面又は層間であって少なくとも前記第１
及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱
伝導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板
に設けられる少なくとも１つの第１スルーホールと、前
記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる
少なくとも１つの第２スルーホールと、前記第１及び第
２スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体と前記
第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前記第３熱伝導体
をそれぞれ接続する第４熱伝導体とを備えている。
【００２１】さらに、前記絶縁基板の上面であって前記
第２熱伝導体の内側に形成される複数の第１配線と、前
記絶縁基板の上面であって前記第２熱伝導体の外側に形
成される複数の第２配線と、前記絶縁基板の層間に形成
される複数の第３配線と、前記第１及び第２配線と前記
第３配線との間の前記絶縁基板に形成される第３スルー
ホールと、前記第３スルーホール内に形成され前記第１
及び第２配線と前記第３配線とを接続する第４配線とを
備えている。
【００２２】前記第３熱伝導体が前記絶縁基板の層間に
形成される場合、前記第１及び第２スルーホールは、前
記絶縁基板の上面から下面まで貫通しており、さらに、
前記絶縁基板の下面であって前記第１スルーホールに重
なる領域に形成される第５熱伝導体と、前記絶縁基板の
下面であって前記第２スルーホールに重なる領域に形成
される第６熱伝導体とを備えている。
【００２３】前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２ス
ルーホールの側面にのみ形成されている。但し、前記第
４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホールの側面に
のみ形成され、さらに、前記第１及び第２スルーホール
内を満たす熱伝導率の高い材料を備えていてもよい。ま
た、前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホー
ル内に満たされていてもよい。
【００２４】上記目的を達成するため、本発明の半導体
装置は、上面及び下面を有する絶縁基板と、前記絶縁基
板の上面に形成される第１熱伝導体と、前記絶縁基板の
上面であって前記第１熱伝導体の周囲に形成される複数
の第２熱伝導体と、前記絶縁基板の下面であって少なく
とも前記第１及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成
される第３熱伝導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の
前記絶縁基板に設けられる少なくとも１つの第１スルー
ホールと、前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板
に設けられる少なくとも１つの第２スルーホールと、前
記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１熱
伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前記
第３熱伝導体をそれぞれ接続する第４熱伝導体と、前記
第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、前記半導
体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載される
ヒートシンクとを備えている。
【００２５】本発明の半導体装置は、上面及び下面を有
する多層の絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成され
る第１熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記第
１の熱伝導体の周囲に形成される複数の第２熱伝導体
と、前記絶縁基板の下面又は層間であって少なくとも前
記第１及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される
第３熱伝導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶
縁基板に設けられる少なくとも１つの第１スルーホール
と、前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設け
られる少なくとも１つの第２スルーホールと、前記第１
及び第２スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体
と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前記第３熱
伝導体をそれぞれ接続する第４熱伝導体と、前記第１熱
伝導体上に配置される半導体チップと、前記半導体チッ
プを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載されるヒート
シンクとを備えている。
【００２６】前記第２熱伝導体は、互いに等間隔になる
ように形成され、さらに、前記絶縁基板の上面であって
前記第２熱伝導体の間に形成される複数の配線を備えて
いるのがよい。
【００２７】前記第３熱伝導体が前記絶縁基板の層間に
形成される場合、前記第１及び第２スルーホールは、前
記絶縁基板の上面から下面まで貫通しており、さらに、
前記絶縁基板の下面であって前記第１スルーホールに重
なる領域に形成される第５熱伝導体と、前記絶縁基板の
下面であって前記第２スルーホールに重なる領域に形成
される第６熱伝導体とを備えている。
【００２８】前記ヒートシンクは、蓋部とフィン部とか
ら構成され、前記蓋部は、前記第２熱伝導体上に配置さ
れる突起部を有し、前記フィン部は、前記蓋部上に搭載
される。
【００２９】本発明の半導体装置は、上面及び下面を有
する多層の絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成され
る第１熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記第
１の熱伝導体の周囲を取り囲むように形成される第２熱
伝導体と、前記絶縁基板の下面又は層間であって少なく
とも前記第１及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成
される第３熱伝導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の
前記絶縁基板に設けられる少なくとも１つの第１スルー
ホールと、前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板
に設けられる少なくとも１つの第２スルーホールと、前
記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１熱
伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前記
第３熱伝導体をそれぞれ接続する第４熱伝導体と、前記
第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、前記半導
体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載される
ヒートシンクとを備えている。
【００３０】さらに、前記絶縁基板の上面であって前記
第２熱伝導体の内側に形成される複数の第１配線と、前
記絶縁基板の上面であって前記第２熱伝導体の外側に形
成される複数の第２配線と、前記絶縁基板の層間に形成
される複数の第３配線と、前記第１及び第２配線と前記
第３配線との間の前記絶縁基板に形成される第３スルー
ホールと、前記第３スルーホール内に形成され前記第１
及び第２配線と前記第３配線とを接続する第４配線とを
備えている。
【００３１】前記第３熱伝導体が前記絶縁基板の層間に
形成される場合、前記第１及び第２スルーホールは、前
記絶縁基板の上面から下面まで貫通しており、さらに、
前記絶縁基板の下面であって前記第１スルーホールに重
なる領域に形成される第５熱伝導体と、前記絶縁基板の
下面であって前記第２スルーホールに重なる領域に形成
される第６熱伝導体とを備えている。
【００３２】前記ヒートシンクは、蓋部とフィン部とか
ら構成され、前記蓋部は、前記第２熱伝導体上に配置さ
れる枠状の突起部を有し、前記フィン部は、前記蓋部上
に搭載される。
【００３３】前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２ス
ルーホールの側面にのみ形成されている。但し、前記第
４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホールの側面に
のみ形成され、さらに、前記第１及び第２スルーホール
内を満たす熱伝導率の高い材料を備えていてもよい。ま
た、前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホー
ル内に満たされていてもよい。
【００３４】本発明の半導体装置は、上面及び下面を有
する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成される第１
熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記第１熱伝
導体の周囲に形成される複数の第２熱伝導体と、前記絶
縁基板の下面であって少なくとも前記第１及び第２熱伝
導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体と、前
記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる
少なくとも１つの第１スルーホールと、前記第２及び第
３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられるネジ穴と、前
記第１スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体と
前記第３熱伝導体をそれぞれ接続する第４熱伝導体と、
前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、前記
半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
れ、前記第２熱伝導体に対向する面にネジ穴を有するヒ
ートシンクと、前記絶縁基板のネジ穴と前記ヒートシン
クのネジ穴に挿入され、前記ヒートシンクを前記絶縁基
板に固定するネジとを備えている。
【００３５】本発明の半導体装置は、上面及び下面を有
する多層の絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成され
る第１熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記第
１の熱伝導体の周囲に形成される複数の第２熱伝導体
と、前記絶縁基板の下面又は層間であって少なくとも前
記第１及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される
第３熱伝導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶
縁基板に設けられる少なくとも１つの第１スルーホール
と、前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設け
られるネジ穴と、前記第１スルーホール内に形成され、
前記第１熱伝導体と前記第３熱伝導体を接続する第４熱
伝導体と、前記第１熱伝導体上に配置される半導体チッ
プと、前記半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体
上に搭載され、前記第２熱伝導体に対向する面にネジ穴
を有するヒートシンクと、前記絶縁基板のネジ穴と前記
ヒートシンクのネジ穴に挿入され、前記ヒートシンクを
前記絶縁基板に固定するネジとを備えている。
【００３６】本発明の半導体装置は、上面及び下面を有
する多層の絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成され
る第１熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記第
１の熱伝導体の周囲を取り囲むように形成される第２熱
伝導体と、前記絶縁基板の下面又は層間であって少なく
とも前記第１及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成
される第３熱伝導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の
前記絶縁基板に設けられる少なくとも１つの第１スルー
ホールと、前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板
に設けられるネジ穴と、前記第１スルーホール内に形成
され、前記第１熱伝導体と前記第３熱伝導体を接続する
第４熱伝導体と、前記第１熱伝導体上に配置される半導
体チップと、前記半導体チップを覆うように前記第２熱
伝導体上に搭載され、前記第２熱伝導体に対向する面に
ネジ穴を有するヒートシンクと、前記絶縁基板のネジ穴
と前記ヒートシンクのネジ穴に挿入され、前記ヒートシ
ンクを前記絶縁基板に固定するネジとを備えている。
【００３７】さらに、前記第３熱伝導体上に搭載される
熱伝導率が大きい良熱伝導体を備えているのがよい。
【００３８】前記第３熱伝導体が前記絶縁基板の下面に
形成される場合、さらに、前記第３熱伝導体上に搭載さ
れる熱伝導率が大きい良熱伝導体を備えているのがよ
い。
【００３９】本発明の半導体装置は、上面及び下面を有
する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成される第１
熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記第１熱伝
導体の周囲に形成される複数の第２熱伝導体と、前記絶
縁基板の下面であって少なくとも前記第１及び第２熱伝
導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体と、前
記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる
少なくとも１つの第１スルーホールと、前記第２及び第
３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられるネジ穴と、前
記第１スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体と
前記第３熱伝導体をそれぞれ接続する第４熱伝導体と、
前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、前記
半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
れ、前記第２熱伝導体に対向する面にネジ穴を有するヒ
ートシンクと、前記第３熱伝導体上に搭載され、ネジ穴
を有する熱伝導率が大きい良熱伝導体と、前記絶縁基
板、前記ヒートシンク及び前記良熱伝導体のネジ穴にそ
れぞれ挿入され、前記ヒートシンク及び前記良熱伝導体
を前記絶縁基板に固定するネジとを備えている。
【００４０】本発明の半導体装置は、上面及び下面を有
する多層の絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成され
る第１熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記第
１の熱伝導体の周囲に形成される複数の第２熱伝導体
と、前記絶縁基板の下面であって少なくとも前記第１及
び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝
導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に
設けられる少なくとも１つの第１スルーホールと、前記
第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられるネ
ジ穴と、前記第１スルーホール内に形成され、前記第１
熱伝導体と前記第３熱伝導体を接続する第４熱伝導体
と、前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、
前記半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭
載され、前記第２熱伝導体に対向する面にネジ穴を有す
るヒートシンクと、前記第３熱伝導体上に搭載され、ネ
ジ穴を有する熱伝導率が大きい良熱伝導体と、前記絶縁
基板、前記ヒートシンク及び前記良熱伝導体のネジ穴に
それぞれ挿入され、前記ヒートシンク及び前記良熱伝導
体を前記絶縁基板に固定するネジとを備えている。
【００４１】本発明の半導体装置は、上面及び下面を有
する多層の絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成され
る第１熱伝導体と、前記絶縁基板の上面であって前記第
１の熱伝導体の周囲を取り囲むように形成される第２熱
伝導体と、前記絶縁基板の下面であって少なくとも前記
第１及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第
３熱伝導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁
基板に設けられる少なくとも１つの第１スルーホール
と、前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設け
られるネジ穴と、前記第１スルーホール内に形成され、
前記第１熱伝導体と前記第３熱伝導体を接続する第４熱
伝導体と、前記第１熱伝導体上に配置される半導体チッ
プと、前記半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体
上に搭載され、前記第２熱伝導体に対向する面にネジ穴
を有するヒートシンクと、前記第３熱伝導体上に搭載さ
れ、ネジ穴を有する熱伝導率が大きい良熱伝導体と、前
記絶縁基板、前記ヒートシンク及び前記良熱伝導体のネ
ジ穴にそれぞれ挿入され、前記ヒートシンク及び前記良
熱伝導体を前記絶縁基板に固定するネジとを備えてい
る。
【００４２】さらに、前記半導体チップを搭載するＴＡ
Ｂテープと、前記ＴＡＢテープ上に形成されるリードと
を有し、前記半導体チップは、前記第１熱伝導体上に接
着剤により直接配置され、前記リードの一端は、前記配
線の一端に接続されていてもよい。
【００４３】前記半導体チップは、接着剤により前記第
１熱伝導体上に直接搭載され、さらに、前記半導体チッ
プと前記配線の一端とを結ぶボンディングワイヤを備え
ていてもよい。
【００４４】前記半導体チップは、接着剤により前記第
１熱伝導体上に直接搭載され、さらに、前記半導体チッ
プと前記配線の一端とを結ぶボンディングワイヤと、少
なくとも前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤ
を覆う樹脂とを備えていてもよい。
【００４５】さらに、前記半導体チップを搭載するＴＡ
Ｂテープと、前記ＴＡＢテープ上に形成されるリード
と、少なくとも前記半導体チップの一面を覆う樹脂とを
有し、前記半導体チップは、前記第１熱伝導体上に前記
樹脂を介して配置され、前記リードの一端は、前記配線
の一端に接続されていてもよい。
【００４６】さらに、前記半導体チップの一面に形成さ
れる第１バンプと、少なくとも前記半導体チップの一面
と前記第１熱伝導体との間に充填される樹脂とを有し、
前記第１バンプは、前記配線の一端に接続されていても
よい。
【００４７】前記半導体チップの他面は、接着剤により
前記ヒートシンクに結合されているのがよい。
【００４８】さらに、前記半導体チップの一面と前記第
１熱伝導体とを接続する放熱用の第２バンプを備えてい
るのがよい。
【００４９】上記目的を達成するため、本発明のプリン
ト回路基板は、上面及び下面を有する絶縁基板と、前記
絶縁基板の上面に形成され、複数の半導体チップを配置
するための複数の第１熱伝導体と、前記絶縁基板の上面
に形成され、その上にヒートシンクを配置するための少
なくとも１つの第２熱伝導体と、前記絶縁基板の下面で
あって少なくとも前記第１及び第２熱伝導体の直下を含
む領域に形成される第３熱伝導体と、前記第１及び第３
熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる少なくとも１つ
の第１スルーホールと、前記第２及び第３熱伝導体間の
前記絶縁基板に設けられる少なくとも１つの第２スルー
ホールと、前記第１及び第２スルーホール内に形成さ
れ、前記第１熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２
熱伝導体と前記第３熱伝導体をそれぞれ接続する第４熱
伝導体とを備えている。
【００５０】上記目的を達成するため、本発明のプリン
ト回路基板は、上面及び下面を有する多層の絶縁基板
と、前記絶縁基板の上面に形成され、複数の半導体チッ
プを配置するための複数の第１熱伝導体と、前記絶縁基
板の上面に形成され、その上にヒートシンクを配置する
ための少なくとも１つの第２熱伝導体と、前記絶縁基板
の下面又は層間であって少なくとも前記第１及び第２熱
伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体と、
前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
る少なくとも１つの第１スルーホールと、前記第２及び
第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる少なくとも
１つの第２スルーホールと、前記第１及び第２スルーホ
ール内に形成され、前記第１熱伝導体と前記第３熱伝導
体及び前記第２熱伝導体と前記第３熱伝導体をそれぞれ
接続する第４熱伝導体とを備えている。
【００５１】前記第２熱伝導体は、少なくとも前記複数
の第１熱伝導体の各々から等距離の位置に配置されてい
るのがよい。
【００５２】上記目的を達成するため、本発明のプリン
ト回路基板は、上面及び下面を有する多層の絶縁基板
と、前記絶縁基板の上面及び下面にそれぞれ形成され、
その上に少なくとも半導体チップを配置するための複数
の第１熱伝導体と、前記複数の第１熱伝導体の周囲に形
成され、その上にヒートシンクを配置するための複数の
第２熱伝導体と、前記絶縁基板の層間であって少なくと
も前記第１及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成さ
れる第３熱伝導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の前
記絶縁基板に設けられる少なくとも１つの第１スルーホ
ールと、前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に
設けられる少なくとも１つの第２スルーホールと、前記
第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１熱伝
導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前記第
３熱伝導体をそれぞれ接続する第４熱伝導体とを備えて
いる。
【００５３】上記目的を達成するために、本発明の半導
体装置は、上面及び下面を有する絶縁基板と、前記絶縁
基板の上面に形成される複数の第１熱伝導体と、前記絶
縁基板の上面に形成される少なくとも１つの第２熱伝導
体と、前記絶縁基板の下面であって少なくとも前記第１
及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱
伝導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板
に設けられる少なくとも１つの第１スルーホールと、前
記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる
少なくとも１つの第２スルーホールと、前記第１及び第
２スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体と前記
第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前記第３熱伝導体
をそれぞれ接続する第４熱伝導体と、各々の第１熱伝導
体上に搭載される半導体チップと、前記半導体チップを
覆うように前記第２熱伝導体上に搭載されるヒートシン
クとを備えている。
【００５４】本発明の半導体装置は、上面及び下面を有
する多層の絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成され
る複数の第１熱伝導体と、前記絶縁基板の上面に形成さ
れる少なくとも１つの第２熱伝導体と、前記絶縁基板の
下面又は層間であって少なくとも前記第１及び第２熱伝
導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体と、前
記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる
少なくとも１つの第１スルーホールと、前記第２及び第
３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる少なくとも１
つの第２スルーホールと、前記第１及び第２スルーホー
ル内に形成され、前記第１熱伝導体と前記第３熱伝導体
及び前記第２熱伝導体と前記第３熱伝導体をそれぞれ接
続する第４熱伝導体と、各々の第１熱伝導体上に搭載さ
れる半導体チップと、前記半導体チップを覆うように前
記第２熱伝導体上に搭載されるヒートシンクとを備えて
いる。
【００５５】前記第２熱伝導体は、少なくとも前記複数
の第１熱伝導体の各々から等距離の位置に配置されてい
るのがよい。
【００５６】本発明の半導体装置は、上面及び下面を有
する多層の絶縁基板と、前記絶縁基板の上面及び下面に
それぞれ形成される複数の第１熱伝導体と、前記複数の
第１熱伝導体の周囲に形成される複数の第２熱伝導体
と、前記絶縁基板の層間であって少なくとも前記第１及
び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝
導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に
設けられる少なくとも１つの第１スルーホールと、前記
第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられる少
なくとも１つの第２スルーホールと、前記第１及び第２
スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体と前記第
３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前記第３熱伝導体を
それぞれ接続する第４熱伝導体と、各々の第１熱伝導体
上に搭載される半導体チップと、前記半導体チップを覆
うように前記第２熱伝導体上に搭載されるヒートシンク
とを備えている。
【００５７】上記目的を達成するために、本発明のＢＧ
Ａパッケージは、上面及び下面を有する多層の配線基板
と、前記配線基板の上面に形成される第１熱伝導体と、
前記配線基板の上面であって前記第１の熱伝導体の周囲
に形成される複数の第２熱伝導体と、前記配線基板の層
間であって少なくとも前記第１及び第２熱伝導体の直下
を含む領域に形成される第３熱伝導体と、前記第１及び
第３熱伝導体間の前記配線基板に設けられる少なくとも
１つの第１スルーホールと、前記第２及び第３熱伝導体
間の前記配線基板に設けられる少なくとも１つの第２ス
ルーホールと、前記第１及び第２スルーホール内に形成
され、前記第１熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第
２熱伝導体と前記第３熱伝導体をそれぞれ接続する第４
熱伝導体と、前記第１熱伝導体上に配置される半導体チ
ップと、前記半導体チップを覆うように前記第２熱伝導
体上に搭載されるヒートシンクと、前記配線基板の下面
に形成され、前記半導体チップと電気的に接続される複
数の球状の導電体とを備えている。
【００５８】本発明のＢＧＡパッケージは、上面及び下
面を有する多層の配線基板と、前記配線基板の上面に形
成される第１熱伝導体と、前記配線基板の上面であって
前記第１の熱伝導体の周囲を取り囲むように形成される
第２熱伝導体と、前記配線基板の層間であって少なくと
も前記第１及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成さ
れる第３熱伝導体と、前記第１及び第３熱伝導体間の前
記配線基板に設けられる少なくとも１つの第１スルーホ
ールと、前記第２及び第３熱伝導体間の前記配線基板に
設けられる少なくとも１つの第２スルーホールと、前記
第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１熱伝
導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前記第
３熱伝導体をそれぞれ接続する第４熱伝導体と、前記第
１熱伝導体上に配置される半導体チップと、前記半導体
チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載されるヒ
ートシンクと、前記配線基板の下面に形成され、前記半
導体チップと電気的に接続される複数の球状の導電体と
を備えている。
【００５９】前記第２熱伝導体は、前記配線基板の角部
にそれぞれ１つずつ形成され、さらに、前記第２熱伝導
体の周囲に、前記半導体チップと前記複数の球状の導電
体とを電気的に接続するための複数の配線を備えている
のがよい。
【００６０】前記ヒートシンクは、蓋部とフィン部とか
ら構成され、前記蓋部は、前記第２熱伝導体上に配置さ
れる突起部を有し、前記フィン部は、前記蓋部上に搭載
されているのがよい。
【００６１】前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２ス
ルーホールの側面にのみ形成されている。但し、前記第
４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホールの側面に
のみ形成され、さらに、前記第１及び第２スルーホール
内を満たす熱伝導率の高い材料を備えていてもよい。ま
た、前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホー
ル内に満たされていてもよい。
【００６２】さらに、前記半導体チップを搭載するＴＡ
Ｂテープと、前記ＴＡＢテープ上に形成されるリードと
を有し、前記半導体チップは、前記第１熱伝導体上に接
着剤により直接配置され、前記リードの一端は、前記配
線の一端に接続されていてもよい。
【００６３】前記半導体チップは、接着剤により前記第
１熱伝導体上に直接搭載され、さらに、前記半導体チッ
プと前記配線の一端とを結ぶボンディングワイヤを備え
ていてもよい。
【００６４】前記半導体チップは、接着剤により前記第
１熱伝導体上に直接搭載され、さらに、前記半導体チッ
プと前記配線の一端とを結ぶボンディングワイヤと、少
なくとも前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤ
を覆う樹脂とを備えていてもよい。
【００６５】さらに、前記半導体チップを搭載するＴＡ
Ｂテープと、前記ＴＡＢテープ上に形成されるリード
と、少なくとも前記半導体チップの一面を覆う樹脂とを
有し、前記半導体チップは、前記第１熱伝導体上に前記
樹脂を介して配置され、前記リードの一端は、前記配線
の一端に接続されていてもよい。
【００６６】さらに、前記半導体チップの一面に形成さ
れる第１バンプと、少なくとも前記半導体チップの一面
と前記第１熱伝導体との間に充填される樹脂とを有し、
前記第１バンプは、前記配線の一端に接続されていても
よい。
【００６７】前記半導体チップの他面は、接着剤により
前記ヒートシンクに結合されているのがよい。
【００６８】さらに、前記半導体チップの一面と前記第
１熱伝導体とを接続する放熱用の第２バンプを備えてい
るのがよい。
【００６９】本発明のＢＧＡパッケージは、上面及び下
面を有する多層の配線基板と、前記配線基板の上面に形
成される複数の第１熱伝導体と、前記配線基板の上面に
形成される少なくとも１つの第２熱伝導体と、前記配線
基板の層間であって少なくとも前記第１及び第２熱伝導
体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体と、前記
第１及び第３熱伝導体間の前記配線基板に設けられる少
なくとも１つの第１スルーホールと、前記第２及び第３
熱伝導体間の前記配線基板に設けられる少なくとも１つ
の第２スルーホールと、前記第１及び第２スルーホール
内に形成され、前記第１熱伝導体と前記第３熱伝導体及
び前記第２熱伝導体と前記第３熱伝導体をそれぞれ接続
する第４熱伝導体と、各々の第１熱伝導体上に搭載され
る半導体チップと、前記半導体チップを覆うように前記
第２熱伝導体上に搭載されるヒートシンクと、前記配線
基板の下面に形成され、前記半導体チップと電気的に接
続される複数の球状の導電体とを備えている。
【００７０】前記第２熱伝導体は、前記配線基板の角部
にそれぞれ１つずつ形成されているのがよい。
【００７１】本発明のＢＧＡパッケージは、上面及び下
面を有する多層の配線基板と、前記配線基板の上面及び
下面にそれぞれ形成される複数の第１熱伝導体と、前記
配線基板の周囲に形成される複数の第２熱伝導体と、前
記配線基板の層間であって少なくとも前記第１及び第２
熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
と、前記第１及び第３熱伝導体間の前記配線基板に設け
られる少なくとも１つの第１スルーホールと、前記第２
及び第３熱伝導体間の前記配線基板に設けられる少なく
とも１つの第２スルーホールと、前記第１及び第２スル
ーホール内に形成され、前記第１熱伝導体と前記第３熱
伝導体及び前記第２熱伝導体と前記第３熱伝導体をそれ
ぞれ接続する第４熱伝導体と、各々の第１熱伝導体上に
搭載される半導体チップと、前記半導体チップを覆うよ
うに前記第２熱伝導体上に搭載されるヒートシンクと、
前記配線基板の下面に形成され、前記半導体チップと電
気的に接続される複数の球状の導電体とを備えている。
【００７２】
【作用】上記構成のプリント回路基板によれば、絶縁基
板の一方の主表面には、ＴＣＰや半導体チップを搭載す
るための第１熱伝導体と、ヒートシンクを搭載するため
の第２熱伝導体が形成されている。
【００７３】また、半導体チップから発生する熱は、直
接ヒートシンクへ伝導されると共に、第１熱伝導体か
ら、スルーホール内の第４熱伝導体、絶縁基板の他方の
主表面の第３熱伝導体、及び第２熱伝導体をそれぞれ介
して、ヒートシンクに伝導されることになる。
【００７４】従って、ＴＣＰや半導体チップ上に直接ヒ
ートシンクを搭載しなくてもよく、ＴＣＰのリードを破
損させずに放熱性を向上できる。
【００７５】上記構成の半導体装置によれば、絶縁基板
の一方の主表面の第１熱伝導体上にＴＣＰや半導体チッ
プが搭載され、第２熱伝導体上にヒートシンクが搭載さ
れている。従って、ＴＣＰや半導体チップ上に直接ヒー
トシンクを搭載しなくてもよく、ＴＣＰのリードが破損
したりする欠点がない。
【００７６】また、半導体チップから発生する熱は、直
接ヒートシンクへ伝導されると共に、第１熱伝導体か
ら、スルーホール内の第４熱伝導体、絶縁基板の他方の
主表面の第３熱伝導体、及び第２熱伝導体をそれぞれ介
して、ヒートシンクに伝導される。従って、放熱性に優
れた簡易な構成の半導体装置を提供できる。
【００７７】上記構成のＢＧＡパッケージによれば、多
層配線基板の一方の主表面の第１熱伝導体上に半導体チ
ップが搭載され、第２熱伝導体上にヒートシンクが搭載
され、多層配線基板の他方の主表面上に複数の球状の半
田が形成されている。これにより、放熱性に優れた頑丈
で簡易な構成のＢＧＡパッケージを提供できる。
【００７８】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明のプリン
ト回路基板及びこれを用いた半導体装置、並びにＢＧＡ
パッケージについて詳細に説明する。 ［Ａ］ まず、本発明の第１実施例に係わるプリント回
路基板及びこれを用いた半導体装置について説明する。
【００７９】（ａ） 図１乃至図３は、本発明の第１実
施例に係わるプリント回路基板を示すものである。な
お、図１は、プリント回路基板の平面図、図２は、図１
のＩＩ−ＩＩ´線に沿う断面図、図３は、図１のＩＩＩ
−ＩＩＩ´線に沿う断面図である。
【００８０】このプリント回路基板１０１は、絶縁基板
（例えばガラスエポキシ）１１と、第１乃至第４熱伝導
体２１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３，
２４とを有している。
【００８１】絶縁基板１１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【００８２】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
の半導体チップが搭載される。従って、第１熱伝導体２
１ａは、半導体チップの形状に合わせて形成される。例
えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶縁基板１１の一
方の主表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方形
となるように形成される。
【００８３】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【００８４】また、絶縁基板１１の一方の主表面上かつ
第１熱伝導体２１ａの周囲には、１つ以上の第２熱伝導
体２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱
伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構
成される。
【００８５】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、ヒート
シンクが搭載され易いように形成される。例えば、第２
熱伝導体２１ｂは、第１熱伝導体２１ａの対角線を延長
した線上であって、第１熱伝導体２１ａの周囲の４ヶ所
に形成される。また、第２熱伝導体２１ｂの形状は、絶
縁基板１１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約５
ｍｍの正方形となるように形成される。
【００８６】また、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【００８７】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及
び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される
場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１
の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍの正
方形となるように形成される。
【００８８】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。各々のスルーホール２３の側面に
は、第４熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導
体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【００８９】同様に、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導
体２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。各々のスルーホール２４の側面
には、第４熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝
導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約
３５μｍ）から構成される。図４乃至図６は、図１乃至
図３のプリント回路基板の製造方法の一例を示すもので
ある。
【００９０】まず、図４に示すように、絶縁基板１１の
両方の主表面の全面上に銅膜２１を形成する。次に、図
５に示すように、所定の位置に絶縁基板１１の一方の主
表面から他方の主表面まで達するスルーホール２３を形
成する。
【００９１】次に、図６に示すように、絶縁基板１１の
両方の主表面上の銅膜２１をパターニングし、第１熱伝
導体２１ａ及び第２熱伝導体を絶縁基板１１の一方の主
表面上に形成し、第３熱伝導体２１ｃを絶縁基板１１の
他方の主表面上に形成する。また、スルーホール２３の
側面に銅膜をメッキし、第４熱伝導体２１ｄを形成す
る。
【００９２】上記構成のプリント回路基板によれば、第
１熱伝導体２１ａ上に半導体チップが搭載され、第２熱
伝導体上にヒートシンクが搭載される。従って、半導体
チップ上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよいた
め、ヒートシンクの重さによりパッケージのリードなど
を破損することもない。
【００９３】また、半導体チップから発生する熱は、第
１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝
導体２１ｃ、第４熱伝導体及び第２熱伝導体２１ｂを介
してヒートシンクに伝導される。従って、半導体チップ
から発生する熱は、効率よく発散される。
【００９４】（ｂ） 図７乃至図９は、図１乃至図３の
プリント回路基板にＴＣＰを搭載した状態を示すもので
ある。なお、図７は、ＴＣＰが搭載されたプリント回路
基板の平面図、図８は、図７のＶＩＩＩーＶＩＩＩ´線
に沿う断面図、図９は、図７のＩＸーＩＸ´線に沿う断
面図である。
【００９５】ＴＣＰ１０２は、ポリイミドテープ１３と
リード１４から構成されるＴＡＢテープと、リード１４
の一端に接続される半導体チップ１５と、半導体チップ
１５を覆うポッティング樹脂１６とを有している。
【００９６】ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５の裏面
（半導体素子が形成されない面）は、接着剤により第１
熱伝導体２１ａに接着されている。この接着剤に熱伝導
率の大きな材料（例えば銀などを含む導電性ペースト）
を用いれば、半導体チップ１５から第１熱伝導体２１ａ
への熱抵抗が低くなる。
【００９７】ＴＣＰ１０２のリード１４は、半田などに
より絶縁基板１１上の配線２２に接続されている。
【００９８】なお、このＴＣＰ１０２は、半導体チップ
１５の裏面が第１熱伝導体２１ａに接着するように、絶
縁基板１１上に搭載されているが、半導体チップの表面
（半導体素子が形成される面）が第１熱伝導体２１ａ側
を向くように構成してもよい（この実施例については、
後述する。）この場合、接着剤は、ポリイミドテープ１
３を化学的に侵蝕するものであってはならない。
【００９９】（ｃ） 図１０乃至図１２は、図７乃至図
９の半導体装置にヒートシンクを搭載した状態の半導体
装置を示すものである。なお、図１０は、半導体装置の
平面図、図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ´線に沿う断面
図、図１２は、図１０のＸＩＩ−ＸＩＩ´線に沿う断面
図である。
【０１００】ヒートシンク１０３は、蓋部１７とフィン
部１８とから構成されている。
【０１０１】蓋部１７は、ＴＣＰ１０２上を覆うように
絶縁基板１１上に搭載されている。即ち、蓋部１７は、
例えば一辺が約５０ｍｍの正方形の板部と、さらにその
板部の４つの角部にそれぞれ形成される突出部とを有し
ている。蓋部１７の突出部は、例えば一辺が約５ｍｍの
角柱から構成される。蓋部１７は、熱伝導率の大きな材
料、例えばアルミニウムから構成される。
【０１０２】蓋部１７の突出部は、接着剤により絶縁基
板１１の第２熱伝導体２１ｂに接着されている。この接
着剤に熱伝導率の大きな材料（例えば銀などを含む導電
性ペースト）を用いれば、第２熱伝導体２１ｂからヒー
トシンクヘの熱抵抗が低くなる。
【０１０３】蓋部１７とＴＣＰ１０２は、接触していて
もいなくても良いが、接触していれば、ＴＣＰ１０２の
半導体チップから発生する熱を効率よく発散できる（こ
れについては、後述する。）。
【０１０４】フィン部１８は、蓋部１７の板部上に搭載
されている。フィン部１８の表面積は、熱を拡散し易く
するために、できるだけ大きくするのがよい。フィン部
１８は、熱伝導率の大きな材料、例えばアルミニウムか
ら構成される。
【０１０５】なお、図１３に示すように、ヒートシンク
１０３の蓋部１７とフィン部１８は、１つの材料により
一体化されていてもよい。また、図１４に示すように、
ヒートシンク１０３の蓋部１７とフィン部１８は、それ
ぞれ独立に形成されていてもよい。この場合、蓋部１７
とフィン部１８は、同じ材料から構成されていても、又
は異なる材料から構成されていてもよい。また、図１５
に示すように、蓋部１７の突出部１７ｂがそれぞれ独立
に形成され、蓋部１７の板部１７ａとフィン部１８が一
体化されていてもよい。
【０１０６】上記構成の半導体装置によれば、絶縁基板
１１の第１熱伝導体２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チ
ップ１５が搭載され、絶縁基板１１の第２熱伝導体２１
ｂ上にヒートシンク１０３が搭載されている。従って、
半導体チップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくて
もよいため、ヒートシンクの重さによりＴＣＰ１０２の
リードなどを破損することもない。
【０１０７】また、図１６及び図１７に示すように、Ｔ
ＣＰ１０２の半導体チップ１５から発生する熱は、直接
ヒートシンク１０３へ伝導されると共に、第１熱伝導体
２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝導体２１
ｃ、第４熱伝導体２１ｄ、第２熱伝導体２１ｂを介し
て、ヒートシンク１０３に伝導される。従って、半導体
チップ１５から発生する熱は、効率よく発散される。
【０１０８】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、ほとんどがヒートシンク１０３に吸収されるため、
当該半導体チップ１５に隣接する他の半導体チップなど
に悪影響を与えることがない。 ［Ｂ］ 次に、本発明の第２実施例に係わるプリント回
路基板及びこれを用いた半導体装置について説明する。
【０１０９】（ａ） 図１８乃至図２０は、本発明の第
２実施例に係わる多層プリント回路基板を示すものであ
る。なお、図１８は、多層プリント回路基板の平面図、
図１９は、図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ´線に沿う断面図、
図２０は、図１８のＸＸ−ＸＸ´線に沿う断面図であ
る。
【０１１０】この多層のプリント回路基板１０１は、複
数枚の絶縁基板、例えば２枚の絶縁基板（例えばガラス
エポキシ）１１ａ，１１ｂと、第１乃至第４熱伝導体２
１ａ〜２１ｄと、配線２２ａ〜２２ｄと、スルーホール
２３〜２５とを有する。
【０１１１】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０１１２】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
の半導体チップが搭載される。従って、第１熱伝導体２
１ａは、半導体チップの形状に合わせて形成される。例
えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶縁基板１１ａの
一方の主表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方
形となるように形成される。
【０１１３】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上か
つ第１熱伝導体２１ａの周囲には、環状の第２熱伝導体
２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０１１４】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、ヒート
シンクが搭載され易いように形成される。例えば、第２
熱伝導体２１ｂは、絶縁基板１１ａの一方の主表面上か
ら見た場合に、幅が約５ｍｍの四角の枠状に形成され
る。
【０１１５】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２ａ，２２ｂが形成されている。配線２２ａは、
枠状の第２熱伝導体２１ｂの内側に配置され、配線２２
ｂは、枠状の第２熱伝導体２１ｂの外側に配置される。
【０１１６】絶縁基板１１ａの他方の主表面上には、複
数の配線２２ｃが形成されている。配線２２ａ，２２ｂ
と配線２２ｃの間の絶縁基板１１ａには、スルーホール
２５が形成されている。
【０１１７】このスルーホール２５は、例えば直径が約
２００μｍとなるように形成される。各々のスルーホー
ル２５の側面には、配線２２ｄが形成されている。配線
２２ｄは、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成され
る。
【０１１８】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。
【０１１９】絶縁基板１１ｂの他方の主表面上には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０１２０】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０１２１】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つ以上のスルー
ホール２３が形成されている。このスルーホール２３
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に１２１個
（縦１１列×横１１行）形成される。各々のスルーホー
ル２３の側面には、第４熱伝導体２１ｄが形成されてい
る。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０１２２】同様に、第２熱電導体２１ｂの角部と第３
熱電導体２１ｃの間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１
つ以上のスルーホール２４が形成されている。このスル
ーホール２４は、例えば直径が約２００μｍで、行列状
に４９個（縦７列×横７行）形成される。各々のスルー
ホール２４の側面には、第４熱伝導体２１ｄが形成され
ている。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、
例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。上記構成
の多層プリント回路基板によれば、第１熱伝導体２１ａ
上に半導体チップが搭載され、第２熱伝導体２１ｂ上に
ヒートシンクが搭載される。従って、半導体チップ上に
直接ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒートシ
ンクの重さによりパッケージのリードなどを破損するこ
ともない。
【０１２３】また、半導体チップから発生する熱は、第
１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝
導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ、第２熱伝導体２１ａ
を介してヒートシンクに伝導される。従って、半導体チ
ップから発生する熱は、効率よく発散される。 （ｂ） 図２１乃至図２３は、図１８乃至図２０の多層
プリント回路基板にＴＣＰを搭載した状態を示すもので
ある。なお、図２１は、ＴＣＰが搭載された多層プリン
ト回路基板の平面図、図２２は、図２１のＸＸＩＩ−Ｘ
ＸＩＩ´線に沿う断面図、図２３は、図２１のＸＸＩＩ
Ｉ−ＸＸＩＩＩ´線に沿う断面図である。
【０１２４】ＴＣＰ１０２は、ポリイミドテープ１３と
リード１４から構成されるＴＡＢテープと、リード１４
の一端に接続される半導体チップ１５と、半導体チップ
１５を覆うポッティング樹脂１６とを有している。
【０１２５】ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５の裏面
（半導体素子が形成されない面）は、接着剤により第１
熱伝導体２１ａに接着されている。この接着剤に熱伝導
率の大きな材料（例えば銀などを含む導電性ペースト）
を用いれば、半導体チップ１５から第１熱伝導体２１ａ
への熱抵抗が低くなる。
【０１２６】ＴＣＰ１０２のリード１４は、半田などに
より絶縁基板１１ａ上の配線２２ａに接続されている。
【０１２７】なお、このＴＣＰ１０２は、半導体チップ
１５の裏面が第１熱伝導体２１ａに接着するように、絶
縁基板１１上に搭載されているが、半導体チップの表面
（半導体素子が形成される面）が第１熱伝導体２１ａ側
を向くように構成してもよい（この実施例については、
後述する。）この場合、接着剤は、ポリイミドテープ１
３を化学的に侵蝕するものであってはならない。
【０１２８】（ｃ） 図２４乃至図２６は、図２１乃至
図２３の半導体装置にヒートシンクを搭載した状態の半
導体装置を示すものである。なお、図２４は、半導体装
置の平面図、図２５は、図２４のＸＸＶ−ＸＸＶ´線に
沿う断面図、図２６は、図２４のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ´
線に沿う断面図である。
【０１２９】ヒートシンク１０３は、蓋部１７とフィン
部１８とから構成されている。
【０１３０】蓋部１７は、ＴＣＰ１０２上を覆うように
絶縁基板１１ａの一方の主表面上に搭載されている。即
ち、蓋部１７は、例えば一辺が約５０ｍｍの正方形の板
部と、さらにその板部の周辺部にそれぞれ形成される突
出部とを有している。蓋部１７の突出部は、例えば幅が
約５ｍｍ、高さが約５ｍｍ、一辺の長さが約５０ｍｍの
枠状を有している。蓋部１７は、熱伝導率の大きな材
料、例えばアルミニウムから構成される。
【０１３１】蓋部１７の突出部は、接着剤により絶縁基
板１１ａの第２熱伝導体２１ｂに接着されている。この
接着剤に熱伝導率の大きな材料（例えば銀などを含む導
電性ペースト）を用いれば、第２熱伝導体２１ｂからヒ
ートシンクヘの熱抵抗が低くなる。
【０１３２】蓋部１７とＴＣＰ１０２は、接触していて
もいなくても良いが、接触していれば、ＴＣＰ１０２の
半導体チップから発生する熱を効率よく発散できる（こ
れについては、後述する。）。
【０１３３】フィン部１８は、蓋部１７の板部上に搭載
されている。フィン部１８の表面積は、熱を拡散し易く
するために、できるだけ大きくするのがよい。フィン１
８は、熱伝導率の大きな材料、例えばアルミニウムから
構成される。
【０１３４】なお、図２７及び図２８に示すように、ヒ
ートシンク１０３の蓋部１７とフィン部１８は、１つの
材料により一体化されていてもよい。また、図２９に示
すように、ヒートシンク１０３の蓋部１７とフィン部１
８は、それぞれ独立に形成されていてもよい。この場
合、蓋部１７とフィン部１８は、同じ材料から構成され
ていても、又は異なる材料から構成されていてもよい。
また、図３０に示すように、蓋部１７の板部１７ａとフ
ィン部１８が一体化され、これらが蓋部１７の枠状の突
出部１７ｂと独立に形成されていてもよい。
【０１３５】上記構成の半導体装置によれば、絶縁基板
１１ａの第１熱伝導体２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体
チップが搭載され、絶縁基板１１ａの第２熱伝導体２１
ｂ上にヒートシンク１０３が搭載されている。従って、
半導体チップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくて
もよいため、ヒートシンクの重さによりＴＣＰ１０２の
リードなどを破損することもない。
【０１３６】また、図３１及び図３２に示すように、Ｔ
ＣＰ１０２の半導体チップ１５から発生する熱は、直接
ヒートシンク１０３へ伝導されると共に、第１熱伝導体
２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝導体２１
ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導体２１ｂを介し
て、ヒートシンク１０３に伝導される。従って、半導体
チップ１５から発生する熱は、効率よく発散される。
【０１３７】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、ほとんどがヒートシンク１０３に吸収されるため、
当該半導体チップ１５に隣接する他の半導体チップなど
に悪影響を与えることがない。
【０１３８】さらに、ヒートシンク１０３が半導体チッ
プ１５を取り囲んでいるため、外部からの衝撃に対して
半導体チップ１５を保護できる効果もある。 ［Ｃ］ 次に、本発明の第３実施例に係わるプリント回
路基板及びこれを用いた半導体装置について説明する。
【０１３９】図３３乃至図３５は、本発明の第３実施例
に係わる多層プリント回路基板を用いた半導体装置を示
すものである。なお、図３３は、当該半導体装置の平面
図、図３４は、図３３のＸＸＸＩＶ−ＸＸＸＩＶ´線に
沿う断面図、図３５は、図３４のＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ´
線に沿う断面図である。
【０１４０】この多層のプリント回路基板１０１は、複
数枚の絶縁基板、例えば２枚の絶縁基板（例えばガラス
エポキシ）１１ａ，１１ｂと、第１乃至第４熱伝導体２
１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３，２４
とを有する。
【０１４１】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０１４２】第１熱伝導体２１ａ上には、ＴＣＰ１０２
の半導体チップ１５が搭載されている。従って、第１熱
伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて、
絶縁基板１１ａの一方の主表面上から見た場合に一辺が
約１２ｍｍの正方形となるように形成されている。
【０１４３】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上か
つ第１熱伝導体２１ａの周囲には、複数個の第２熱伝導
体２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱
伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構
成される。
【０１４４】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように、第１熱伝導
体２１ａの周囲の４ヶ所に配置される。また、各々の第
２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板１１ａの一方の主表面上
から見た場合に、幅が約５ｍｍの正方形となるように形
成される。
【０１４５】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０１４６】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０１４７】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０１４８】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａには、１つ以上のスルーホール２
３が形成されている。このスルーホール２３は、例えば
直径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×
横１１行）形成される。各々のスルーホール２３の側面
には、第４熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝
導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約
３５μｍ）から構成される。
【０１４９】同様に、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導
体２１ｃの間の絶縁基板１１ａには、１つ以上のスルー
ホール２４が形成されている。このスルーホール２４
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦
７列×横７行）形成される。各々のスルーホール２４の
側面には、第４熱伝導体２１ｄが形成されている。第４
熱伝導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０１５０】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。絶縁基板１１ａ，１１ｂは、共に厚さが約０．８ｍ
ｍとなるように形成される。
【０１５１】上記構成の多層プリント回路基板及びこれ
を用いた半導体装置によれば、第１熱伝導体２１ａ上に
半導体チップ１５が搭載され、第２熱伝導体２１ｂ上に
ヒートシンク１０３が搭載される。従って、半導体チッ
プ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよいた
め、ヒートシンクの重さによりパッケージのリード１４
などを破損することもない。
【０１５２】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第
３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導
体２１ｂを介してヒートシンク１０３に伝導される。従
って、半導体チップ１５から発生する熱は、効率よく発
散される。 ［Ｄ］ 次に、本発明の第４実施例に係わるプリント回
路基板及びこれを用いた半導体装置について説明する。
【０１５３】図３６乃至図３９は、本発明の第４実施例
に係わる多層プリント回路基板を用いた半導体装置を示
すものである。なお、図３６は、当該半導体装置の上面
図、図３７は、図３６のＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ´
線に沿う断面図、図３８は、図３６のＸＸＸＶＩＩＩ−
ＸＸＸＶＩＩＩ´線に沿う断面図、図３９は、当該半導
体装置の下面図である。
【０１５４】この多層プリント回路基板１０１は、複数
枚の絶縁基板、例えば２枚の絶縁基板（例えばガラスエ
ポキシ）１１ａ，１１ｂと、第１乃至第６熱伝導体２１
ａ〜２１ｆと、配線２２と、スルーホール２３，２４と
を有する。
【０１５５】即ち、この実施例の多層プリント回路基板
１０１は、上述の第３実施例に係わるプリント回路基板
と比較すると、スルーホール２３，２４が絶縁基板１１
ａの一方の主表面から絶縁基板１１ｂの他方の主表面ま
で達している点、及び絶縁基板１１ｂの他方の主表面に
第５熱伝導体２１ｅ及び第６熱伝導体２１ｆが形成さて
いる点で相違している。
【０１５６】第５熱伝導体２１ｅは、例えば第１熱伝導
体２１ａと同じパターンに形成され、第６熱伝導体２１
ｆは、例えば第２熱伝導体２１ｂと同じパターンに形成
されている。
【０１５７】上記構成の多層プリント回路基板及びこれ
を用いた半導体装置においても、第１熱伝導体２１ａ上
に半導体チップ１５が搭載され、第２熱伝導体２１ｂ上
にヒートシンク１０３が搭載される。従って、半導体チ
ップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよいた
め、ヒートシンクの重さによりパッケージのリード１４
などを破損することもない。
【０１５８】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第
３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導
体２１ｂを介してヒートシンク１０３に伝導される。従
って、半導体チップ１５から発生する熱は、効率よく発
散される。 ［Ｅ］ 次に、本発明の第５実施例に係わるプリント回
路基板及びこれを用いた半導体装置について説明する。
【０１５９】図４０乃至図４２は、本発明の第５実施例
に係わる多層プリント回路基板を用いた半導体装置を示
すものである。なお、図４０は、当該半導体装置の平面
図、図４１は、図４０のＸＬＩ−ＸＬＩ´線に沿う断面
図、図４２は、図４０のＸＬＩＩ−ＸＬＩＩ´線に沿う
断面図である。
【０１６０】この多層のプリント回路基板１０１は、複
数枚の絶縁基板、例えば３枚の絶縁基板（例えばガラス
エポキシ）１１ａ〜１１ｃと、第１乃至第４熱伝導体２
１ａ〜２１ｄと、配線２２ａ〜２２ｄと、スルーホール
２３〜２５とを有する。
【０１６１】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０１６２】第１熱伝導体２１ａ上には、ＴＣＰ１０２
の半導体チップ１５が搭載されている。従って、第１熱
伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて、
絶縁基板１１ａの一方の主表面上から見た場合に一辺が
約１２ｍｍの正方形となるように形成されている。
【０１６３】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上か
つ第１熱伝導体２１ａの周囲には、環状の第２熱伝導体
２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０１６４】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように、枠状に形成
される。また、各々の第２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板
１１ａの一方の主表面上から見た場合に、幅が約５ｍｍ
となるように形成される。
【０１６５】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２ａ，２２ｂが形成されている。配線２２ａは、
枠状の第２熱伝導体２１ｂの内側に配置され、配線２２
ｂは、枠状の第２熱伝導体２１ｂの外側に配置される。
【０１６６】絶縁基板１１ａの他方の主表面上には、複
数の配線２２ｃが形成されている。配線２２ａ，２２ｂ
と配線２２ｃの間の絶縁基板１１ａには、スルーホール
２５が形成されている。
【０１６７】このスルーホール２５は、例えば直径が約
２００μｍとなるように形成される。各々のスルーホー
ル２５の側面には、配線２２ｄが形成されている。配線
２２ｄは、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成され
る。
【０１６８】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。
【０１６９】絶縁基板１１ｂの他方の主表面上には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０１７０】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０１７１】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つ以上のスルー
ホール２３が形成されている。このスルーホール２３
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に１２１個
（縦１１列×横１１行）形成される。各々のスルーホー
ル２３の側面には、第４熱伝導体２１ｄが形成されてい
る。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０１７２】同様に、第２熱電導体２１ｂの角部と第３
熱電導体２１ｃの間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１
つ以上のスルーホール２４が形成されている。このスル
ーホール２４は、例えば直径が約２００μｍで、行列状
に４９個（縦７列×横７行）形成される。各々のスルー
ホール２４の側面には、第４熱伝導体２１ｄが形成され
ている。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、
例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０１７３】また、絶縁基板１１ｂの他方の主表面と絶
縁基板１１ｃの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。絶縁基板１１ａ〜１１ｃは、例えば、共に厚さが約
０．８ｍｍとなるように形成される。
【０１７４】上記構成の多層プリント回路基板及びこれ
を用いた半導体装置によれば、第１熱伝導体２１ａ上に
半導体チップ１５が搭載され、第２熱伝導体２１ｂ上に
ヒートシンク１０３が搭載される。従って、半導体チッ
プ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよいた
め、ヒートシンクの重さによりパッケージのリード１４
などを破損することもない。
【０１７５】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第
３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導
体２１ｂを介してヒートシンク１０３に伝導される。従
って、半導体チップ１５から発生する熱は、効率よく発
散される。 ［Ｆ］ 次に、本発明の第６実施例に係わるプリント回
路基板及びこれを用いた半導体装置について説明する。
【０１７６】図４３乃至図４５は、本発明の第６実施例
に係わる多層プリント回路基板を用いた半導体装置を示
すものである。なお、図４３は、当該半導体装置の平面
図、図４４は、図４３のＸＬＩＶ−ＸＬＩＶ´線に沿う
断面図、図４５は、図４３のＸＬＶ−ＸＬＶ´線に沿う
断面図である。
【０１７７】この多層プリント回路基板１０１は、複数
枚の絶縁基板、例えば３枚の絶縁基板（例えばガラスエ
ポキシ）１１ａ〜１１ｃと、第１乃至第６熱伝導体２１
ａ〜２１ｆと、配線２２ａ〜２２ｃと、スルーホール２
３〜２５とを有する。
【０１７８】即ち、この実施例の多層プリント回路基板
１０１は、上述の第５実施例に係わるプリント回路基板
と比較すると、スルーホール２３，２４が絶縁基板１１
ａの一方の主表面から絶縁基板１１ｃの他方の主表面ま
で達している点、及び絶縁基板１１ｃの他方の主表面に
第５熱伝導体２１ｅ及び第６熱伝導体２１ｆが形成さて
いる点で相違している。
【０１７９】第５熱伝導体２１ｅは、例えば第１熱伝導
体２１ａと同じパターンに形成され、第６熱伝導体２１
ｆは、例えば第２熱伝導体２１ｂと同じパターンに形成
されている。
【０１８０】上記構成の多層プリント回路基板及びこれ
を用いた半導体装置においても、第１熱伝導体２１ａ上
に半導体チップ１５が搭載され、第２熱伝導体２１ｂ上
にヒートシンク１０３が搭載される。従って、半導体チ
ップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよいた
め、ヒートシンクの重さによりパッケージのリード１４
などを破損することもない。
【０１８１】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第
３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導
体２１ｂを介してヒートシンク１０３に伝導される。従
って、半導体チップ１５から発生する熱は、効率よく発
散される。 ［Ｇ］ 次に、本発明の第７実施例に係わるプリント回
路基板及びこれを用いた半導体装置について説明する。
【０１８２】図４６乃至図４８は、本発明の第７実施例
に係わる半導体装置を示すものである。なお、図４６
は、半導体装置の平面図、図４７は、図４６のＸＬＶＩ
Ｉ−ＸＬＶＩＩ´線に沿う断面図、図４８は、図４６の
ＸＬＶＩＩＩ−ＸＬＶＩＩＩ´線に沿う断面図である。
【０１８３】このプリント回路基板１０１は、絶縁基板
（例えばガラスエポキシ）１１と、第１乃至第４熱伝導
体２１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３，
２４とを有している。
【０１８４】絶縁基板１１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０１８５】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップの形状に合わせて形成
される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶縁基
板１１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約１２ｍ
ｍの正方形となるように形成される。
【０１８６】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０１８７】また、絶縁基板１１の一方の主表面上かつ
第１熱伝導体２１ａの周囲には、１つ以上の第２熱伝導
体２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱
伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構
成される。
【０１８８】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、第１熱伝導体２１ａの
対角線を延長した線上であって、第１熱伝導体２１ａの
周囲の４ヶ所に形成される。また、第２熱伝導体２１ｂ
の形状は、絶縁基板１１の一方の主表面上から見た場合
に一辺が約５ｍｍの正方形となるように形成される。
【０１８９】また、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０１９０】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及
び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される
場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１
の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０１９１】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０１９２】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０１９３】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０１９４】同様に、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導
体２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。
【０１９５】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０１９６】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０１９７】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１の第１熱伝導体
２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭載され、絶
縁基板１１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク１０
３が搭載されている。従って、半導体チップ１５上に直
接ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒートシン
クの重さによりＴＣＰ１０２のリードなどを破損するこ
ともない。
【０１９８】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０１９９】しかも、スルーホール２３，２４は、熱伝
導率の高い材料により埋め込まれているため、さらに効
率的に半導体チップ１５から発生する熱を発散できる。 ［Ｈ］ 次に、本発明の第８実施例に係わるプリント回
路基板及びこれを用いた半導体装置について説明する。
【０２００】図４９乃至図５１は、本発明の第８実施例
に係わる半導体装置を示すものである。なお、図４９
は、半導体装置の平面図、図５０は、図４９のＬ−Ｌ´
線に沿う断面図、図５１は、図４９のＬＩ−ＬＩ´線に
沿う断面図である。
【０２０１】この多層のプリント回路基板１０１は、複
数枚の絶縁基板、例えば２枚の絶縁基板（例えばガラス
エポキシ）１１ａ，１１ｂと、第１乃至第４熱伝導体２
１ａ〜２１ｄと、配線２２ａ〜２２ｄと、スルーホール
２３〜２５とを有する。
【０２０２】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０２０３】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１ａの一方の主表面上から見た場合に一辺が約
１２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０２０４】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上か
つ第１熱伝導体２１ａの周囲には、環状の第２熱伝導体
２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０２０５】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板１１ａの一方
の主表面上から見た場合に、幅が約５ｍｍの四角の枠状
に形成される。
【０２０６】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２ａ，２２ｂが形成されている。配線２２ａは、
枠状の第２熱伝導体２１ｂの内側に配置され、配線２２
ｂは、枠状の第２熱伝導体２１ｂの外側に配置される。
【０２０７】絶縁基板１１ａの他方の主表面上には、複
数の配線２２ｃが形成されている。配線２２ａ，２２ｂ
と配線２２ｃの間の絶縁基板１１ａには、スルーホール
２５が形成されている。
【０２０８】このスルーホール２５は、例えば直径が約
２００μｍとなるように形成される。各々のスルーホー
ル２５内には、リード２２ｄが埋め込まれている。配線
２２ｄは、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成され
る。なお、配線２２ｄをスルーホール２５の側面にのみ
形成し、スルーホール２５を、窒化アルミニウムや、高
熱伝導粒子（金属など）を含有したペーストなどにより
埋め込んでもよい。
【０２０９】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。
【０２１０】絶縁基板１１ｂの他方の主表面上には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０２１１】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０２１２】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つ以上のスルー
ホール２３が形成されている。このスルーホール２３
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に１２１個
（縦１１列×横１１行）形成される。
【０２１３】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０２１４】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０２１５】同様に、第２熱電導体２１ｂの角部と第３
熱電導体２１ｃの間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１
つ以上のスルーホール２４が形成されている。このスル
ーホール２４は、例えば直径が約２００μｍで、行列状
に４９個（縦７列×横７行）形成される。
【０２１６】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０２１７】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０２１８】上記構成の多層プリント回路基板及びこれ
を用いた半導体装置によれば、第１熱伝導体２１ａ上に
半導体チップが搭載され、第２熱伝導体２１ｂ上にヒー
トシンクが搭載される。従って、半導体チップ上に直接
ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒートシンク
の重さによりパッケージのリードなどを破損することも
ない。
【０２１９】また、半導体チップから発生する熱は、第
１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝
導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導体２１
ｂを介してヒートシンクに伝導される。
【０２２０】しかも、スルーホール２３〜２５は、熱伝
導率の高い材料により埋め込まれているため、半導体チ
ップから発生する熱が効率よく発散される。
【０２２１】［Ｉ］ 次に、本発明の第９実施例に係わ
るプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置につい
て説明する。
【０２２２】図５２乃至図５４は、本発明の第９実施例
に係わる半導体装置を示すものである。なお、図５２
は、半導体装置の平面図、図５３は、図５２のＬＩＩＩ
−ＬＩＩＩ´線に沿う断面図、図５４は、図５２のＬＩ
Ｖ−ＬＩＶ´線に沿う断面図である。
【０２２３】このプリント回路基板１０１は、絶縁基板
（例えばガラスエポキシ）１１と、第１乃至第４熱伝導
体２１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３
と、ネジ穴３０と、ネジ３１とを有している。
【０２２４】絶縁基板１１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０２２５】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約１
２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０２２６】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０２２７】また、絶縁基板１１の一方の主表面上かつ
第１熱伝導体２１ａの周囲には、１つ以上の第２熱伝導
体２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱
伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構
成される。
【０２２８】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、第１熱伝導体２１ａの
対角線を延長した線上であって、第１熱伝導体２１ａの
周囲の４ヶ所に形成される。また、第２熱伝導体２１ｂ
の形状は、絶縁基板１１の一方の主表面上から見た場合
に一辺が約５ｍｍの正方形となるように形成される。
【０２２９】また、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０２３０】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及
び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される
場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１
の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０２３１】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０２３２】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０２３３】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つのネジ穴３０が形
成されている。各ネジ穴３０の側面には、第４熱伝導体
２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０２３４】さらに、ヒートシンクの蓋部１７にもネジ
穴が形成されている。例えば蓋部１７のネジ穴は、蓋部
１７の突出部の底部に形成される。
【０２３５】絶縁基板１１のネジ穴とヒートシンク１０
３のネジ穴が互いに重なるように位置合わせが行われ
る。そして、ネジ３１をネジ穴に嵌め込むことにより、
絶縁基板１１とヒートシンク１０３が強く固定される。
【０２３６】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１の第１熱伝導体
２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭載され、絶
縁基板１１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク１０
３が搭載されている。従って、半導体チップ１５上に直
接ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒートシン
クの重さによりＴＣＰ１０２のリードなどを破損するこ
ともない。
【０２３７】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０２３８】しかも、ネジ３１により、絶縁基板１１と
ヒートシンク１０３が強く固定されるため、大きなヒー
トシンクを搭載することができ、半導体チップ１５から
発生する熱を効率よく発散できる。
【０２３９】また、ネジ３１を熱伝導率の高い材料によ
り構成し、かつ、ネジ穴３０の直径をできるだけ大きく
すれば、さらに効率的に半導体チップ１５から発生する
熱を発散できる。
【０２４０】また、多数のスルーホールを設ける場合に
比べて、本実施例では、ネジ穴を１つ設ければ足りるた
め、製造が簡単であり、製造コストも低減できる。 ［Ｊ］ 次に、本発明の第１０実施例に係わるプリント
回路基板及びこれを用いた半導体装置について説明す
る。
【０２４１】図５５乃至図５７は、本発明の第１０実施
例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図５５
は、半導体装置の平面図、図５６は、図５５のＬＶＩ−
ＬＶＩ´線に沿う断面図、図５７は、図５５のＬＶＩＩ
−ＬＶＩＩ´線に沿う断面図である。
【０２４２】この多層のプリント回路基板１０１は、複
数枚の絶縁基板、例えば２枚の絶縁基板（例えばガラス
エポキシ）１１ａ，１１ｂと、第１乃至第４熱伝導体２
１ａ〜２１ｄと、配線２２ａ〜２２ｄと、スルーホール
２３，２５と、ネジ穴３０と、ネジ３１とを有する。
【０２４３】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０２４４】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１ａの一方の主表面上から見た場合に一辺が約
１２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０２４５】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上か
つ第１熱伝導体２１ａの周囲には、環状の第２熱伝導体
２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０２４６】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板１１ａの一方
の主表面上から見た場合に、幅が約５ｍｍの四角の枠状
に形成される。
【０２４７】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２ａ，２２ｂが形成されている。配線２２ａは、
枠状の第２熱伝導体２１ｂの内側に配置され、リード２
２ｂは、枠状の第２熱伝導体２１ｂの外側に配置され
る。
【０２４８】絶縁基板１１ａの他方の主表面上には、複
数の配線２２ｃが形成されている。配線２２ａ，２２ｂ
と配線２２ｃの間の絶縁基板１１ａには、スルーホール
２５が形成されている。
【０２４９】このスルーホール２５は、例えば直径が約
２００μｍとなるように形成される各々のスルーホール
２５内には、配線２２ｄが埋め込まれている。配線２２
ｄは、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。な
お、配線２２ｄをスルーホール２５の側面にのみ形成
し、スルーホール２５を、窒化アルミニウムや、高熱伝
導粒子（金属など）を含有したペーストなどにより埋め
込んでもよい。
【０２５０】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。
【０２５１】絶縁基板１１ｂの他方の主表面上には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０２５２】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０２５３】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つ以上のスルー
ホール２３が形成されている。このスルーホール２３
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に１２１個
（縦１１列×横１１行）形成される。
【０２５４】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０２５５】また、第２熱伝導体２１ｂと第３熱伝導体
２１ｃの間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つのネジ
穴３０が形成されている。各ネジ穴３０は、例えば第２
熱伝導体２１ｂの角部にそれぞれ設けられている。各ネ
ジ穴３０の側面には、第４熱伝導体２１ｄが形成されて
いる。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例
えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０２５６】さらに、ヒートシンクの蓋部１７にもネジ
穴が形成されている。例えば蓋部１７のネジ穴は、蓋部
１７の突出部の底部に形成される。
【０２５７】絶縁基板１１のネジ穴とヒートシンク１０
３のネジ穴が互いに重なるように位置合わせが行われ
る。そして、ネジ３１をネジ穴に嵌め込むことにより、
絶縁基板１１とヒートシンク１０３が強く固定される。
【０２５８】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１の第１熱伝導体
２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭載され、絶
縁基板１１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク１０
３が搭載されている。従って、半導体チップ１５上に直
接ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒートシン
クの重さによりＴＣＰ１０２のリードなどを破損するこ
ともない。
【０２５９】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０２６０】しかも、ネジ３１により、絶縁基板１１と
ヒートシンク１０３が強く固定されるため、大きなヒー
トシンクを搭載することができ、半導体チップ１５から
発生する熱を効率よく発散できる。
【０２６１】また、ネジ３１を熱伝導率の高い材料によ
り構成し、かつ、ネジ穴３０の直径をできるだけ大きく
すれば、さらに効率的に半導体チップ１５から発生する
熱を発散できる。
【０２６２】また、多数のスルーホールを設ける場合に
比べて、本実施例では、ネジ穴を１つ設ければ足りるた
め、製造が簡単であり、製造コストも低減できる。
【０２６３】［Ｋ］ 次に、本発明の第１１実施例に係
わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置につ
いて説明する。
【０２６４】図５８乃至図６０は、本発明の第１１実施
例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図５８
は、半導体装置の平面図、図５９は、図５８のＬＩＸ−
ＬＩＸ´線に沿う断面図、図６０は、図５８のＬＸ−Ｌ
Ｘ´線に沿う断面図である。このプリント回路基板１０
１は、絶縁基板（例えばガラスエポキシ）１１と、第１
乃至第４熱伝導体２１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スル
ーホール２３，２４と、低熱抵抗板３２とを有してい
る。
【０２６５】絶縁基板１１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０２６６】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約１
２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０２６７】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０２６８】また、絶縁基板１１の一方の主表面上かつ
第１熱伝導体２１ａの周囲には、１つ以上の第２熱伝導
体２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱
伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構
成される。
【０２６９】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、第１熱伝導体２１ａの
対角線を延長した線上であって、第１熱伝導体２１ａの
周囲の４ヶ所に形成される。また、第２熱伝導体２１ｂ
の形状は、絶縁基板１１の一方の主表面上から見た場合
に一辺が約５ｍｍの正方形となるように形成される。
【０２７０】また、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０２７１】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及
び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される
場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１
の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０２７２】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０２７３】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０２７４】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホー
ル２４が形成されている。このスルーホール２４は、例
えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列×
横７行）形成される。
【０２７５】各々のスルーホール２４の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０２７６】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３，２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、
窒化アルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有
したペーストなどにより埋め込んでもよい。
【０２７７】さらに、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、熱抵抗が小さい低熱抵抗板３２が取り付けられてい
る。この低熱抵抗板３２は、アルミニウム、銅、セラミ
ック、窒化アルミ、アルミナ、ベリリア、炭化シリコン
などから構成することができる。
【０２７８】なお、低熱抵抗板３２は、半田や小さな熱
抵抗を有する接着剤などにより絶縁基板１１に接着する
ことができる。
【０２７９】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１の第１熱伝導体
２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭載され、絶
縁基板１１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク１０
３が搭載されている。従って、半導体チップ１５上に直
接ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒートシン
クの重さによりＴＣＰ１０２のリードなどを破損するこ
ともない。
【０２８０】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０２８１】しかも、図１００に示すように、絶縁基板
１１の他方の主表面上には低熱抵抗板３２が形成されて
いるため、半導体チップ１５から発生する熱は、この低
熱抵抗板３２から直接的に、又はこの低熱抵抗板３２を
介してヒートシンクから効率よく発散される。また、隣
接する半導体装置から発生する熱の影響を受けることも
ない。 ［Ｌ］ 次に、本発明の第１２実施例に係わるプリント
回路基板及びこれを用いた半導体装置について説明す
る。
【０２８２】図６１乃至図６３は、本発明の第１２実施
例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図６１
は、半導体装置の平面図、図６２は、図６１のＬＸＩＩ
−ＬＸＩＩ´線に沿う断面図、図６３は、図６１のＬＸ
ＩＩＩ−ＬＸＩＩＩ´線に沿う断面図である。
【０２８３】この多層のプリント回路基板１０１は、複
数枚の絶縁基板、例えば２枚の絶縁基板（例えばガラス
エポキシ）１１ａ，１１ｂと、第１乃至第４熱伝導体２
１ａ〜２１ｄと、配線２２ａ〜２２ｄと、スルーホール
２３〜２５と、低熱抵抗板３２とを有する。
【０２８４】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０２８５】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１ａの一方の主表面上から見た場合に一辺が約
１２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０２８６】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上か
つ第１熱伝導体２１ａの周囲には、環状の第２熱伝導体
２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０２８７】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板１１ａの一方
の主表面上から見た場合に、幅が約５ｍｍの四角の枠状
に形成される。
【０２８８】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２ａ，２２ｂが形成されている。配線２２ａは、
枠状の第２熱伝導体２１ｂの内側に配置され、リード２
２ｂは、枠状の第２熱伝導体２１ｂの外側に配置され
る。
【０２８９】絶縁基板１１ａの他方の主表面上には、複
数の配線２２ｃが形成されている。配線２２ａ，２２ｂ
と配線２２ｃの間の絶縁基板１１ａには、スルーホール
２５が形成されている。
【０２９０】このスルーホール２５は、例えば直径が約
２００μｍとなるように形成される。各々のスルーホー
ル２５の側面には、配線２２ｄが形成されている。配線
２２ｄは、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成され
る。なお、配線２２ｄをスルーホール２５の側面にのみ
形成し、スルーホール２５を、窒化アルミニウムや、高
熱伝導粒子（金属など）を含有したペーストなどにより
埋め込んでもよい。
【０２９１】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。
【０２９２】絶縁基板１１ｂの他方の主表面上には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０２９３】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０２９４】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つ以上のスルー
ホール２３が形成されている。このスルーホール２３
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に１２１個
（縦１１列×横１１行）形成される。
【０２９５】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０２９６】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホー
ル２４が形成されている。このスルーホール２４は、例
えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列×
横７行）形成される。
【０２９７】各々のスルーホール２４の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０２９８】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３，２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、
窒化アルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有
したペーストなどにより埋め込んでもよい。
【０２９９】さらに、絶縁基板１１ｂの他方の主表面上
には、熱抵抗が小さい低熱抵抗板３２が取り付けられて
いる。この低熱抵抗板３２は、アルミニウム、銅、セラ
ミック、窒化アルミ、アルミナ、ベリリア、炭化シリコ
ンなどから構成することができる。
【０３００】なお、低熱抵抗板３２は、半田や小さな熱
抵抗を有する接着剤などにより絶縁基板１１に接着する
ことができる。
【０３０１】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１ａ，１１ｂの第
１熱伝導体２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭
載され、絶縁基板１１ａ，１１ｂの第２熱伝導体２１ｂ
上にヒートシンク１０３が搭載されている。従って、半
導体チップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくても
よいため、ヒートシンクの重さによりＴＣＰ１０２のリ
ードなどを破損することもない。
【０３０２】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０３０３】しかも、絶縁基板１１ｂの他方の主表面上
には低熱抵抗板３２が形成されているため、半導体チッ
プ１５から発生する熱は、この低熱抵抗板３２から直接
的に、又はこの低熱抵抗板３２を介してヒートシンクか
ら効率よく発散される。また、隣接する半導体装置から
発生する熱の影響を受けることもない。
【０３０４】［Ｍ］ 次に、本発明の第１３実施例に係
わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置につ
いて説明する。
【０３０５】図６４乃至図６６は、本発明の第１３実施
例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図６４
は、半導体装置の平面図、図６５は、図６４のＬＸＶ−
ＬＸＶ´線に沿う断面図、図６６は、図６４のＬＸＶＩ
−ＬＸＶＩ´線に沿う断面図である。
【０３０６】このプリント回路基板１０１は、絶縁基板
（例えばガラスエポキシ）１１と、第１乃至第４熱伝導
体２１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３
と、ネジ穴３０と、ネジ３１と、低熱抵抗板３２とを有
している。
【０３０７】絶縁基板１１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０３０８】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約１
２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０３０９】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０３１０】また、絶縁基板１１の一方の主表面上かつ
第１熱伝導体２１ａの周囲には、１つ以上の第２熱伝導
体２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱
伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構
成される。
【０３１１】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、第１熱伝導体２１ａの
対角線を延長した線上であって、第１熱伝導体２１ａの
周囲の４ヶ所に形成される。また、第２熱伝導体２１ｂ
の形状は、絶縁基板１１の一方の主表面上から見た場合
に一辺が約５ｍｍの正方形となるように形成される。
【０３１２】また、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０３１３】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及
び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される
場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１
の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０３１４】絶縁基板１１の他方の主表面上には、熱抵
抗が小さい低熱抵抗板３２が取り付けられている。この
低熱抵抗板３２は、アルミニウム、銅、セラミック、窒
化アルミ、アルミナ、ベリリア、炭化シリコンなどから
構成することができる。
【０３１５】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０３１６】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０３１７】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つのネジ穴３０が形
成されている。各ネジ穴３０の側面には、第４熱伝導体
２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０３１８】また、ヒートシンクの蓋部１７にもネジ穴
が形成されている。例えば蓋部１７のネジ穴は、蓋部１
７の突出部の底部に形成される。
【０３１９】さらに、低熱抵抗板３２にもネジ穴が形成
されている。
【０３２０】絶縁基板１１のネジ穴とヒートシンク１０
３のネジ穴と低熱抵抗板３２のネジ穴は、互いに重なる
ように位置合わせが行われる。そして、ネジ３１をネジ
穴に嵌め込むことにより、絶縁基板１１とヒートシンク
１０３と低熱抵抗板３２とが強く固定される。
【０３２１】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１の第１熱伝導体
２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭載され、絶
縁基板１１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク１０
３が搭載されている。従って、半導体チップ１５上に直
接ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒートシン
クの重さによりＴＣＰ１０２のリードなどを破損するこ
ともない。
【０３２２】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０３２３】しかも、ネジ３１により、絶縁基板１１と
ヒートシンク１０３が強く固定されるため、大きなヒー
トシンクを搭載することができ、半導体チップ１５から
発生する熱を効率よく発散できる。
【０３２４】また、ネジ３１を熱伝導率の高い材料によ
り構成し、かつ、ネジ穴３０の直径をできるだけ大きく
すれば、さらに効率的に半導体チップ１５から発生する
熱を発散できる。
【０３２５】また、多数のスルーホールを設ける場合に
比べて、本実施例では、ネジ穴を１つ設ければ足りるた
め、製造が簡単であり、製造コストも低減できる。
【０３２６】また、図１００に示すように、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上には低熱抵抗板３２が形成されて
いるため、半導体チップ１５から発生する熱は、この低
熱抵抗板３２から直接的に、又はこの低熱抵抗板３２を
介してヒートシンクから効率よく発散される。また、隣
接する半導体装置から発生する熱の影響を受けることも
ない。 ［Ｎ］ 次に、本発明の第１４実施例に係わるプリント
回路基板及びこれを用いた半導体装置について説明す
る。
【０３２７】図６７乃至図６９は、本発明の第１４実施
例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図６７
は、半導体装置の平面図、図６８は、図６７のＬＸＶＩ
ＩＩ−ＬＸＶＩＩＩ´線に沿う断面図、図６９は、図６
７のＬＸＩＸ−ＬＸＩＸ´線に沿う断面図である。
【０３２８】この多層のプリント回路基板１０１は、複
数枚の絶縁基板、例えば２枚の絶縁基板（例えばガラス
エポキシ）１１ａ，１１ｂと、第１乃至第４熱伝導体２
１ａ〜２１ｄと、配線２２ａ〜２２ｄと、スルーホール
２３，２５と、ネジ穴３０と、ネジ３１とを有する。
【０３２９】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０３３０】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１ａの一方の主表面上から見た場合に一辺が約
１２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０３３１】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上か
つ第１熱伝導体２１ａの周囲には、環状の第２熱伝導体
２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０３３２】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板１１ａの一方
の主表面上から見た場合に、幅が約５ｍｍの四角の枠状
に形成される。
【０３３３】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２ａ，２２ｂが形成されている。配線２２ａは、
枠状の第２熱伝導体２１ｂの内側に配置され、リード２
２ｂは、枠状の第２熱伝導体２１ｂの外側に配置され
る。
【０３３４】絶縁基板１１ａの他方の主表面上には、複
数の配線２２ｃが形成されている。配線２２ａ，２２ｂ
と配線２２ｃの間の絶縁基板１１ａには、スルーホール
２５が形成されている。
【０３３５】このスルーホール２５は、例えば直径が約
２００μｍとなるように形成される。各々のスルーホー
ル２５内には、配線２２ｄが埋め込まれている。配線２
２ｄは、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
なお、配線２２ｄをスルーホール２５の側面にのみ形成
し、スルーホール２５を、窒化アルミニウムや、高熱伝
導粒子（金属など）を含有したペーストなどにより埋め
込んでもよい。
【０３３６】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。
【０３３７】絶縁基板１１ｂの他方の主表面上には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０３３８】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０３３９】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つ以上のスルー
ホール２３が形成されている。このスルーホール２３
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に１２１個
（縦１１列×横１１行）形成される。
【０３４０】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０３４１】絶縁基板１１ｂの他方の主表面上には、熱
抵抗が小さい低熱抵抗板３２が取り付けられている。こ
の低熱抵抗板３２は、アルミニウム、銅、セラミック、
窒化アルミ、アルミナ、ベリリア、炭化シリコンなどか
ら構成することができる。
【０３４２】また、第２熱伝導体２１ｂと第３熱伝導体
２１ｃの間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つのネジ
穴３０が形成されている。各ネジ穴３０は、例えば第２
熱伝導体２１ｂの角部にそれぞれ設けられている。各ネ
ジ穴３０の側面には、第４熱伝導体２１ｄが形成されて
いる。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例
えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０３４３】また、ヒートシンクの蓋部１７にもネジ穴
が形成されている。例えば蓋部１７のネジ穴は、蓋部１
７の突出部の底部に形成される。
【０３４４】さらに、低熱抵抗板３２にもネジ穴が形成
されている。
【０３４５】絶縁基板１１ａ，１１ｂのネジ穴とヒート
シンク１０３のネジ穴と低熱抵抗板３２のネジ穴は、互
いに重なるように位置合わせが行われる。そして、ネジ
３１をネジ穴に嵌め込むことにより、絶縁基板１１とヒ
ートシンク１０３と低熱抵抗板３２が強く固定される。
【０３４６】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１ａの第１熱伝導
体２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭載され、
絶縁基板１１ａの第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク
１０３が搭載されている。従って、半導体チップ１５上
に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒート
シンクの重さによりＴＣＰ１０２のリードなどを破損す
ることもない。
【０３４７】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０３４８】しかも、ネジ３１により、絶縁基板１１と
ヒートシンク１０３が強く固定されるため、大きなヒー
トシンクを搭載することができ、半導体チップ１５から
発生する熱を効率よく発散できる。
【０３４９】また、ネジ３１を熱伝導率の高い材料によ
り構成し、かつ、ネジ穴３０の直径をできるだけ大きく
すれば、さらに効率的に半導体チップ１５から発生する
熱を発散できる。
【０３５０】また、多数のスルーホールを設ける場合に
比べて、本実施例では、ネジ穴を１つ設ければ足りるた
め、製造が簡単であり、製造コストも低減できる。
【０３５１】また、絶縁基板１１ｂの他方の主表面上に
は低熱抵抗板３２が形成されているため、半導体チップ
１５から発生する熱は、この低熱抵抗板３２から直接的
に、又はこの低熱抵抗板３２を介してヒートシンクから
効率よく発散される。また、隣接する半導体装置から発
生する熱の影響を受けることもない。
【０３５２】［Ｏ］ 次に、本発明の第１５実施例に係
わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置につ
いて説明する。
【０３５３】図７０乃至図７２は、本発明の第１５実施
例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図７０
は、半導体装置の平面図、図７１は、図７０のＬＸＸＩ
−ＬＸＸＩ´線に沿う断面図、図７２は、図７０のＬＸ
ＸＩＩ−ＬＸＸＩＩ´線に沿う断面図である。
【０３５４】絶縁基板１１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０３５５】第１熱伝導体２１ａ上には、例えば半導体
チップ１５が直接搭載される。従って、第１熱伝導体２
１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて形成され
る。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶縁基板１
１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの
正方形となるように形成される。
【０３５６】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０３５７】また、絶縁基板１１の一方の主表面上かつ
第１熱伝導体２１ａの周囲には、１つ以上の第２熱伝導
体２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱
伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構
成される。
【０３５８】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、第１熱伝導体２１ａの
対角線を延長した線上であって、第１熱伝導体２１ａの
周囲の４ヶ所に形成される。また、第２熱伝導体２１ｂ
の形状は、絶縁基板１１の一方の主表面上から見た場合
に一辺が約５ｍｍの正方形となるように形成される。
【０３５９】また、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０３６０】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及
び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される
場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１
の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０３６１】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０３６２】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０３６３】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホー
ル２４が形成されている。このスルーホール２４は、例
えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列×
横７行）形成される。
【０３６４】各々のスルーホール２４の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０３６５】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３，２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、
窒化アルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有
したペーストなどにより埋め込んでもよい。
【０３６６】また、半導体チップ１５は、熱伝導率の大
きな接着剤（例えば銀などを含む導電性ペースト）によ
り、第１熱伝導体２１ａ上に接着されている。半導体チ
ップ１５と絶縁基板１１上の配線２２とは、ボンディン
グワイヤ３４により互いに電気的に接続されている。
【０３６７】さらに、半導体チップ１５及びボンディン
グワイヤ３４は、樹脂３３により覆われている。
【０３６８】ヒートシンク１０３は、第２熱伝導体２１
ｂ上に搭載されている。
【０３６９】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１の第１熱伝導体
２１ａ上に半導体チップ１５が搭載され、絶縁基板１１
の第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク１０３が搭載さ
れている。従って、半導体チップ１５上に直接ヒートシ
ンクを搭載しなくてもよい。
【０３７０】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、直接ヒートシンク１０３へ伝導されると共に、第１
熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝導
体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導体２１ｂ
を介して、ヒートシンク１０３に伝導される。
【０３７１】また、ヒートシンク１０３により半導体チ
ップ１５を保護できる。 ［Ｐ］ 次に、本発明の第１６実施例に係わるプリント
回路基板及びこれを用いた半導体装置について説明す
る。
【０３７２】図７３乃至図７５は、本発明の第１６実施
例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図７３
は、半導体装置の平面図、図７４は、図７３のＬＸＸＩ
Ｖ−ＬＸＸＩＶ´線に沿う断面図、図７５は、図７３の
ＬＸＸＶ−ＬＸＸＶ´線に沿う断面図である。
【０３７３】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０３７４】第１熱伝導体２１ａ上には、例えば半導体
チップ１５が直接搭載される。従って、第１熱伝導体２
１ａは、半導体チップの形状に合わせて形成される。例
えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶縁基板１１ａの
一方の主表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方
形となるように形成される。
【０３７５】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上か
つ第１熱伝導体２１ａの周囲には、環状の第２熱伝導体
２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０３７６】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板１１ａの一方
の主表面上から見た場合に、幅が約５ｍｍの四角の枠状
に形成される。
【０３７７】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２ａ，２２ｂが形成されている。配線２２ａは、
枠状の第２熱伝導体２１ｂの内側に配置され、リード２
２ｂは、枠状の第２熱伝導体２１ｂの外側に配置され
る。
【０３７８】絶縁基板１１ａの他方の主表面上には、複
数の配線２２ｃが形成されている。配線２２ａ，２２ｂ
と配線２２ｃの間の絶縁基板１１ａには、スルーホール
２５が形成されている。
【０３７９】このスルーホール２５は、例えば直径が約
２００μｍとなるように形成される。各々のスルーホー
ル２５の側面には、配線２２ｄが形成されている。配線
２２ｄは、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成され
る。なお、配線２２ｄをスルーホール２５の側面にのみ
形成し、スルーホール２５を、窒化アルミニウムや、高
熱伝導粒子（金属など）を含有したペーストなどにより
埋め込んでもよい。
【０３８０】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。
【０３８１】絶縁基板１１ｂの他方の主表面上には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０３８２】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０３８３】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つ以上のスルー
ホール２３が形成されている。このスルーホール２３
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に１２１個
（縦１１列×横１１行）形成される。
【０３８４】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０３８５】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホー
ル２４が形成されている。このスルーホール２４は、例
えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列×
横７行）形成される。
【０３８６】各々のスルーホール２４の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０３８７】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３，２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、
窒化アルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有
したペーストなどにより埋め込んでもよい。
【０３８８】また、半導体チップ１５は、熱伝導率の大
きな接着剤（例えば銀などを含む導電性ペースト）によ
り、第１熱伝導体２１ａ上に接着されている。半導体チ
ップ１５と絶縁基板１１上の配線２２とは、ボンディン
グワイヤ３４により互いに電気的に接続されている。
【０３８９】さらに、半導体チップ１５及びボンディン
グワイヤ３４は、樹脂３３により覆われている。
【０３９０】ヒートシンク１０３は、第２熱伝導体２１
ｂ上に搭載されている。
【０３９１】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１ａ，１１ｂの第
１熱伝導体２１ａ上に半導体チップ１５が搭載され、絶
縁基板１１ａ，１１ｂの第２熱伝導体２１ｂ上にヒート
シンク１０３が搭載されている。従って、半導体チップ
１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよい。
【０３９２】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、直接ヒートシンク１０３へ伝導されると共に、第１
熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝導
体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導体２１ｂ
を介して、ヒートシンク１０３に伝導される。
【０３９３】また、ヒートシンク１０３により半導体チ
ップ１５を保護できる。
【０３９４】［Ｑ］ 次に、本発明の第１７実施例に係
わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置につ
いて説明する。
【０３９５】図７６乃至図７８は、本発明の第１７実施
例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図７６
は、半導体装置の平面図、図７７は、図７６のＬＸＸＶ
ＩＩ−ＬＸＸＶＩＩ´線に沿う断面図、図７８は、図７
６のＬＸＸＶＩＩＩ−ＬＸＸＶＩＩＩ´線に沿う断面図
である。
【０３９６】絶縁基板１１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０３９７】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約１
２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０３９８】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０３９９】また、絶縁基板１１の一方の主表面上かつ
第１熱伝導体２１ａの周囲には、１つ以上の第２熱伝導
体２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱
伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構
成される。
【０４００】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、第１熱伝導体２１ａの
対角線を延長した線上であって、第１熱伝導体２１ａの
周囲の４ヶ所に形成される。また、第２熱伝導体２１ｂ
の形状は、絶縁基板１１の一方の主表面上から見た場合
に一辺が約５ｍｍの正方形となるように形成される。
【０４０１】また、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０４０２】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及
び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される
場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１
の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０４０３】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０４０４】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０４０５】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホー
ル２４が形成されている。このスルーホール２４は、例
えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列×
横７行）形成される。
【０４０６】各々のスルーホール２４の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０４０７】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３，２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、
窒化アルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有
したペーストなどにより埋め込んでもよい。
【０４０８】また、ＴＣＰ１０３は、熱伝導率の大きな
接着剤（例えば銀などを含む導電性ペースト）により、
第１熱伝導体２１ａ上に接着されている。但し、半導体
チップ１５の裏面は、ヒートシンク１０３側に向いてい
る。
【０４０９】なお、図８２乃至８４に示すように、半導
体チップ１５の裏面とヒートシンクが、熱伝導率の大き
な接着剤（例えば銀などを含む導電性ペースト）３５に
より互いに接着されていてもよい。
【０４１０】ＴＣＰ１０３のリード１４と絶縁基板１１
の配線２２とは、互いに電気的に接続されている。
【０４１１】ヒートシンク１０３は、第２熱伝導体２１
ｂ上に搭載されている。
【０４１２】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１の第１熱伝導体
２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭載され、絶
縁基板１１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク１０
３が搭載されている。従って、半導体チップ１５上に直
接ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒートシン
クの重さによりＴＣＰ１０２のリードなどを破損するこ
ともない。
【０４１３】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０４１４】［Ｒ］ 次に、本発明の第１８実施例に係
わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置につ
いて説明する。
【０４１５】図７９乃至図８１は、本発明の第１８実施
例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図７９
は、半導体装置の平面図、図８０は、図７９のＬＸＸＸ
−ＬＸＸＸ´線に沿う断面図、図８１は、図７９のＬＸ
ＸＸＩ−ＬＸＸＸＩ´線に沿う断面図である。
【０４１６】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０４１７】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１ａの一方の主表面上から見た場合に一辺が約
１２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０４１８】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上か
つ第１熱伝導体２１ａの周囲には、環状の第２熱伝導体
２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０４１９】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板１１ａの一方
の主表面上から見た場合に、幅が約５ｍｍの四角の枠状
に形成される。
【０４２０】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２ａ，２２ｂが形成されている。配線２２ａは、
枠状の第２熱伝導体２１ｂの内側に配置され、リード２
２ｂは、枠状の第２熱伝導体２１ｂの外側に配置され
る。
【０４２１】絶縁基板１１ａの他方の主表面上には、複
数の配線２２ｃが形成されている。配線２２ａ，２２ｂ
と配線２２ｃの間の絶縁基板１１ａには、スルーホール
２５が形成されている。
【０４２２】このスルーホール２５は、例えば直径が約
２００μｍとなるように形成される。各々のスルーホー
ル２５の側面には、配線２２ｄが形成されている。配線
２２ｄは、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成され
る。なお、配線２２ｄをスルーホール２５の側面にのみ
形成し、スルーホール２５を、窒化アルミニウムや、高
熱伝導粒子（金属など）を含有したペーストなどにより
埋め込んでもよい。
【０４２３】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。
【０４２４】絶縁基板１１ｂの他方の主表面上には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０４２５】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０４２６】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つ以上のスルー
ホール２３が形成されている。このスルーホール２３
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に１２１個
（縦１１列×横１１行）形成される。
【０４２７】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０４２８】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホー
ル２４が形成されている。このスルーホール２４は、例
えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列×
横７行）形成される。
【０４２９】各々のスルーホール２４の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０４３０】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３，２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、
窒化アルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有
したペーストなどにより埋め込んでもよい。
【０４３１】また、ＴＣＰ１０３は、熱伝導率の大きな
接着剤（例えば銀などを含む導電性ペースト）により、
第１熱伝導体２１ａ上に接着されている。但し、半導体
チップ１５の裏面は、ヒートシンク１０３側に向いてい
る。
【０４３２】なお、図８５乃至８７に示すように、半導
体チップ１５の裏面とヒートシンクが、熱伝導率の大き
な接着剤（例えば銀などを含む導電性ペースト）３５に
より互いに接着されていてもよい。
【０４３３】ＴＣＰ１０３のリード１４と絶縁基板１１
の配線２２とは、互いに電気的に接続されている。
【０４３４】ヒートシンク１０３は、第２熱伝導体２１
ｂ上に搭載されている。
【０４３５】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１ａ，１１ｂの第
１熱伝導体２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭
載され、絶縁基板１１ａ，１１ｂの第２熱伝導体２１ｂ
上にヒートシンク１０３が搭載されている。従って、半
導体チップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくても
よいため、ヒートシンクの重さによりＴＣＰ１０２のリ
ードなどを破損することもない。
【０４３６】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０４３７】［Ｓ］ 次に、本発明の第１９実施例に係
わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置につ
いて説明する。
【０４３８】図８８乃至図９０は、本発明の第１９実施
例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図８８
は、半導体装置の平面図、図８９は、図８８のＬＸＸＸ
ＩＸ−ＬＸＸＸＩＸ´線に沿う断面図、図９０は、図８
８のＸＣ−ＸＣ´線に沿う断面図である。
【０４３９】絶縁基板１１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０４４０】第１熱伝導体２１ａ上には、例えば半導体
チップ１５が搭載される。従って、第１熱伝導体２１ａ
は、半導体チップ１５の形状に合わせて形成される。例
えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶縁基板１１の一
方の主表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方形
となるように形成される。
【０４４１】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０４４２】また、絶縁基板１１の一方の主表面上かつ
第１熱伝導体２１ａの周囲には、１つ以上の第２熱伝導
体２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱
伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構
成される。
【０４４３】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、第１熱伝導体２１ａの
対角線を延長した線上であって、第１熱伝導体２１ａの
周囲の４ヶ所に形成される。また、第２熱伝導体２１ｂ
の形状は、絶縁基板１１の一方の主表面上から見た場合
に一辺が約５ｍｍの正方形となるように形成される。
【０４４４】また、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０４４５】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及
び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される
場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１
の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０４４６】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０４４７】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０４４８】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホー
ル２４が形成されている。このスルーホール２４は、例
えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列×
横７行）形成される。
【０４４９】各々のスルーホール２４の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０４５０】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３，２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、
窒化アルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有
したペーストなどにより埋め込んでもよい。
【０４５１】また、半導体チップ１５は、第１熱伝導体
２１ａ上に樹脂３３を介して配置されている。半導体チ
ップ１５と絶縁基板１１の配線２２とは、バンプ３６に
より互いに電気的に接続されている。
【０４５２】なお、図９４乃至９６に示すように、半導
体チップ１５と第１熱伝導体２１ａとを低熱抵抗のバン
プ３７により互いに接続してもよい。
【０４５３】ヒートシング１０３は、第２熱伝導体２１
ｂ上に搭載されている。
【０４５４】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１の第１熱伝導体
２１ａ上に半導体チップ１５が搭載され、絶縁基板１１
の第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク１０３が搭載さ
れている。従って、半導体チップ１５上に直接ヒートシ
ンクが搭載されない。
【０４５５】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、直接ヒートシンク１０３へ伝導されると共に、第１
熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝導
体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導体２１ｂ
を介して、ヒートシンク１０３に伝導される。
【０４５６】また、ヒートシンク１０３により半導体チ
ップ１５自体を保護できる。
【０４５７】［Ｔ］ 次に、本発明の第２０実施例に係
わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置につ
いて説明する。
【０４５８】図９１乃至図９３は、本発明の第２０実施
例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図９１
は、半導体装置の平面図、図９２は、図９１のＸＣＩＩ
−ＸＣＩＩ´線に沿う断面図、図９３は、図９１のＸＣ
ＩＩＩ−ＸＣＩＩＩ´線に沿う断面図である。
【０４５９】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０４６０】第１熱伝導体２１ａ上には、例えば半導体
チップ１５が搭載される。従って、第１熱伝導体２１ａ
は、半導体チップ１５の形状に合わせて形成される。例
えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶縁基板１１ａの
一方の主表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方
形となるように形成される。
【０４６１】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上か
つ第１熱伝導体２１ａの周囲には、環状の第２熱伝導体
２１ｂが形成されている。第２熱伝導体２１ｂは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０４６２】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板１１ａの一方
の主表面上から見た場合に、幅が約５ｍｍの四角の枠状
に形成される。
【０４６３】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２ａ，２２ｂが形成されている。配線２２ａは、
枠状の第２熱伝導体２１ｂの内側に配置され、リード２
２ｂは、枠状の第２熱伝導体２１ｂの外側に配置され
る。
【０４６４】絶縁基板１１ａの他方の主表面上には、複
数の配線２２ｃが形成されている。配線２２ａ，２２ｂ
と配線２２ｃの間の絶縁基板１１ａには、スルーホール
２５が形成されている。
【０４６５】このスルーホール２５は、例えば直径が約
２００μｍとなるように形成される。各々のスルーホー
ル２５の側面には、配線２２ｄが形成されている。配線
２２ｄは、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成され
る。なお、配線２２ｄをスルーホール２５の側面にのみ
形成し、スルーホール２５を、窒化アルミニウムや、高
熱伝導粒子（金属など）を含有したペーストなどにより
埋め込んでもよい。
【０４６６】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。
【０４６７】絶縁基板１１ｂの他方の主表面上には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０４６８】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０４６９】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つ以上のスルー
ホール２３が形成されている。このスルーホール２３
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に１２１個
（縦１１列×横１１行）形成される。
【０４７０】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０４７１】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホー
ル２４が形成されている。このスルーホール２４は、例
えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列×
横７行）形成される。
【０４７２】各々のスルーホール２４の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０４７３】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３，２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、
窒化アルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有
したペーストなどにより埋め込んでもよい。
【０４７４】また、半導体チップ１５は、第１熱伝導体
２１ａ上に樹脂３３を介して配置されている。半導体チ
ップ１５と絶縁基板１１の配線２２ａとは、バンプ３６
により互いに電気的に接続されている。
【０４７５】なお、図９７乃至９９に示すように、半導
体チップ１５と第１熱伝導体２１ａとを低熱抵抗のバン
プ３７により互いに接続してもよい。
【０４７６】ヒートシンク１０３は、第２熱伝導体２１
ｂ上に搭載されている。
【０４７７】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１ａ，１１ｂの第
１熱伝導体２１ａ上に半導体チップ１５が搭載され、絶
縁基板１１ａ，１１ｂの第２熱伝導体２１ｂ上にヒート
シンク１０３が搭載されている。従って、半導体チップ
１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよい。
【０４７８】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、直接ヒートシンク１０３へ伝導されると共に、第１
熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝導
体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導体２１ｂ
を介して、ヒートシンク１０３に伝導される。
【０４７９】また、ヒートシンク１０３により半導体チ
ップ１５を保護することが可能である。 ［Ｕ］ まず、本発明の第２１実施例に係わるプリント
回路基板及びこれを用いた半導体装置について説明す
る。
【０４８０】（ａ） 図１０１及び図１０２は、本発明
の第２１実施例に係わるプリント回路基板を示すもので
ある。なお、図１０１は、プリント回路基板の平面図、
図１０２は、図１０１のＣＩＩ−ＣＩＩ´線に沿う断面
図である。
【０４８１】このプリント回路基板１０１は、絶縁基板
（例えばガラスエポキシ）１１と、第１乃至第４熱伝導
体２１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３，
２４とを有している。
【０４８２】絶縁基板１１の一方の主表面上には、４つ
の第１熱伝導体２１ａが形成されている。各々の第１熱
伝導体２１ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ
約３５μｍ）から構成される。
【０４８３】各第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣ
Ｐの半導体チップが搭載される。従って、各第１熱伝導
体２１ａは、半導体チップの形状に合わせて形成され
る。例えば、各第１熱伝導体２１ａの形状は、絶縁基板
１１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０４８４】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、各第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数
の配線２２が形成されている。
【０４８５】また、絶縁基板１１の一方の主表面上であ
って、各第１熱伝導体２１ａから等距離の位置には１つ
の第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導体
２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５
μｍ）から構成される。
【０４８６】第２熱伝導体２１ｂ上には、４つのＴＣＰ
に共通に使用される１つのヒートシンクが搭載される。
従って、第２熱伝導体２１ｂは、ヒートシンクが搭載さ
れ易いように形成される。例えば、第２熱伝導体２１ｂ
の形状は、絶縁基板１１の一方の主表面上から見た場合
に一辺が約５ｍｍの正方形となるように形成される。ま
た、絶縁基板１１の他方の主表面上には、少なくとも第
１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を含む位置に
第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３熱伝導体２
１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０４８７】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。
【０４８８】例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及び第
２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される場合
には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１の他
方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍの正方形
となるように形成される。
【０４８９】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。各々のスルーホール２３の側面に
は、第４熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導
体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０４９０】同様に、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導
体２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。各々のスルーホール２４の側面
には、第４熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝
導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約
３５μｍ）から構成される。
【０４９１】上記構成のプリント回路基板によれば、第
１熱伝導体２１ａ上に半導体チップが搭載され、第２熱
伝導体２１ｂ上にヒートシンクが搭載される。従って、
半導体チップ上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよ
いため、ヒートシンクの重さによりパッケージのリード
などを破損することもない。
【０４９２】また、半導体チップから発生する熱は、第
１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝
導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ、第２熱伝導体２１ａ
を介してヒートシンクに伝導される。従って、半導体チ
ップから発生する熱は、効率よく発散される。
【０４９３】（ｂ） 図１０３及び図１０４は、図１０
１及び図１０２のプリント回路基板にＴＣＰを搭載した
状態を示すものである。なお、図１０３は、プリント回
路基板の平面図、図１０４は、図１０３のＣＩＶ−ＣＩ
Ｖ´線に沿う断面図である。ＴＣＰ１０２は、ポリイミ
ドテープ１３とリード１４から構成されるＴＡＢテープ
と、リード１４の一端に接続される半導体チップ１５
と、半導体チップ１５を覆うポッティング樹脂１６とを
有している。
【０４９４】ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５の裏面
（半導体素子が形成されない面）は、接着剤により第１
熱伝導体２１ａに接着されている。この接着剤に熱伝導
率の大きな材料（例えば銀などを含む導電性ペースト）
を用いれば、半導体チップ１５から第１熱伝導体２１ａ
への熱抵抗が低くなる。
【０４９５】ＴＣＰ１０２のリード１４は、半田などに
より絶縁基板１１上の配線２２に接続されている。
【０４９６】なお、このＴＣＰ１０２は、半導体チップ
１５の裏面が第１熱伝導体２１ａに接着するように、絶
縁基板１１上に搭載されているが、半導体チップの表面
（半導体素子が形成される面）が第１熱伝導体２１ａ側
を向いているように構成してもよい。この場合、接着剤
は、ポリイミドテープ１３を化学的に侵蝕するものであ
ってはならない。
【０４９７】（ｃ） 図１０５及び図１０６は、図１０
３及び図１０４の半導体装置にヒートシンクを搭載した
状態の半導体装置を示すものである。なお、図１０５
は、半導体装置の平面図、図１０６は、図１０５のＣＶ
Ｉ−ＣＶＩ´線に沿う断面図である。
【０４９８】ヒートシンク１０３は、蓋部１７とフィン
部１８とから構成されている。
【０４９９】蓋部１７は、ＴＣＰ１０２上を覆うように
絶縁基板１１上に搭載されている。即ち、蓋部１７は、
例えば一辺が約５０ｍｍの正方形の板部と、さらにその
板部の中央部に形成される１つの突出部とを有してい
る。蓋部１７の突出部は、例えば一辺が約５ｍｍの角柱
から構成される。蓋部１７は、熱伝導率の大きな材料、
例えばアルミニウムから構成される。
【０５００】蓋部１７の突出部は、接着剤により絶縁基
板１１の第２熱伝導体２１ｂに接着されている。この接
着剤に熱伝導率の大きな材料（例えば銀などを含む導電
性ペースト）を用いれば、第２熱伝導体２１ｂからヒー
トシンクヘの熱抵抗が低くなる。
【０５０１】蓋部１７とＴＣＰ１０２は、接触していて
もいなくても良いが、接触していれば、ＴＣＰ１０２の
半導体チップから発生する熱を効率よく発散できる。
【０５０２】フィン部１８は、蓋部１７の板部上に搭載
されている。フィン部１８の表面積は、熱を拡散し易く
するために、できるだけ大きくするのがよい。フィン部
１８は、熱伝導率の大きな材料、例えばアルミニウムか
ら構成される。
【０５０３】なお、ヒートシンクの蓋部１７とフィン部
１８は、１つの材料により一体化されていてもよい。ま
た、ヒートシンクの蓋部１７とフィン部１８は、それぞ
れ独立に形成されていてもよい。この場合、蓋部１７と
フィン部１８は、同じ材料から構成されていても、又は
異なる材料から構成されていてもよい。また、蓋部１７
の突出部がそれぞれ独立に形成され、蓋部１７の板部と
フィン部１８が一体化されていてもよい。
【０５０４】上記構成の半導体装置によれば、絶縁基板
１１の第１熱伝導体２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チ
ップが搭載され、絶縁基板１１の第２熱伝導体２１ｂ上
にヒートシンク１０３が搭載されている。従って、半導
体チップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよ
いため、ヒートシンクの重さによりＴＣＰ１０２のリー
ドなどを破損することもない。
【０５０５】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ、第２熱
伝導体２１ａを介して、ヒートシンク１０３に伝導され
る。従って、半導体チップ１５から発生する熱は、効率
よく発散される。
【０５０６】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、ほとんどがヒートシンク１０３に吸収されるため、
当該半導体チップ１５に隣接する他の半導体チップなど
に悪影響を与えることがない。
【０５０７】また、１つのヒートシンクを４つのＴＣＰ
で共有したため、１つのＴＣＰに１つのヒートシンクを
用いる場合に必要な隣接するヒートシンク同士の間隔が
不要になり、従来よりも放熱の効率が向上する。 ［Ｖ］ まず、本発明の第２２実施例に係わるプリント
回路基板及びこれを用いた半導体装置について説明す
る。
【０５０８】（ａ） 図１０７及び図１０８は、本発明
の第２２実施例に係わるプリント回路基板を示すもので
ある。なお、図１０７は、プリント回路基板の平面図、
図１０８は、図１０７のＣＶＩＩＩ−ＣＶＩＩＩ´線に
沿う断面図である。
【０５０９】このプリント回路基板１０１は、絶縁基板
（例えばガラスエポキシ）１１と、第１乃至第４熱伝導
体２１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３，
２４とを有している。
【０５１０】絶縁基板１１の一方の主表面上には、４つ
の第１熱伝導体２１ａが形成されている。各々の第１熱
伝導体２１ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ
約３５μｍ）から構成される。
【０５１１】各第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣ
Ｐの半導体チップが搭載される。従って、各第１熱伝導
体２１ａは、半導体チップの形状に合わせて形成され
る。例えば、各第１熱伝導体２１ａの形状は、絶縁基板
１１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０５１２】絶縁基板１１の一方の主表面上には、各第
１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の配線２
２が形成されている。
【０５１３】絶縁基板１１の一方の主表面上には、各第
１熱伝導体２１ａの四方を取り囲む４つの第２熱伝導体
２１ｂが形成されている。また、各第１熱伝導体２１ａ
から等距離の位置には、１つの第２熱伝導体２１ｂが形
成されている。即ち、第２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板
１１の一方の主表面上の５ヶ所に形成されている。
【０５１４】なお、第２熱伝導体２１ｂは、熱伝導率の
高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成され
る。
【０５１５】第２熱伝導体２１ｂ上には、４つのＴＣＰ
に共通に使用される１つのヒートシンクが搭載される。
従って、第２熱伝導体２１ｂは、ヒートシンクが搭載さ
れ易いように形成される。例えば、第２熱伝導体２１ｂ
の形状は、絶縁基板１１の一方の主表面上から見た場合
に一辺が約５ｍｍの正方形となるように形成される。な
お、第２熱伝導体２１ｂの数を多くすれば、ヒートシン
クを安定して絶縁基板１１上に搭載できる。
【０５１６】絶縁基板１１の他方の主表面上には、少な
くとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を含
む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３熱
伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ
約３５μｍ）から構成される。
【０５１７】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。
【０５１８】例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及び第
２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される場合
には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１の他
方の主表面上から見た場合に一辺が約１００ｍｍの正方
形となるように形成される。第１熱電導体２１ａと第３
熱電導体２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のス
ルーホール２３が形成されている。このスルーホール２
３は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に１２１個
（縦１１列×横１１行）形成される。各々のスルーホー
ル２３の側面には、第４熱伝導体２１ｄが形成されてい
る。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０５１９】同様に、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導
体２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。各々のスルーホール２４の側面
には、第４熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝
導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約
３５μｍ）から構成される。
【０５２０】上記構成のプリント回路基板によれば、第
１熱伝導体２１ａ上に半導体チップが搭載され、第２熱
伝導体２１ｂ上にヒートシンクが搭載される。従って、
半導体チップ上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよ
いため、ヒートシンクの重さによりパッケージのリード
などを破損することもない。
【０５２１】また、半導体チップから発生する熱は、第
１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝
導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ、第２熱伝導体２１ａ
を介してヒートシンクに伝導される。従って、半導体チ
ップから発生する熱は、効率よく発散される。
【０５２２】（ｂ） 図１０９及び図１１０は、図１０
７及び図１０８のプリント回路基板にＴＣＰを搭載した
状態を示すものである。なお、図１０９は、プリント回
路基板の平面図、図１１０は、図１０９のＣＸ−ＣＸ´
線に沿う断面図である。
【０５２３】ＴＣＰ１０２は、ポリイミドテープ１３と
リード１４から構成されるＴＡＢテープと、リード１４
の一端に接続される半導体チップ１５と、半導体チップ
１５を覆うポッティング樹脂１６とを有している。
【０５２４】ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５の裏面
（半導体素子が形成されない面）は、接着剤により第１
熱伝導体２１ａに接着されている。この接着剤に熱伝導
率の大きな材料（例えば銀などを含む導電性ペースト）
を用いれば、半導体チップ１５から第１熱伝導体２１ａ
への熱抵抗が低くなる。
【０５２５】ＴＣＰ１０２のリード１４は、半田などに
より絶縁基板１１上の配線２２に接続されている。
【０５２６】なお、このＴＣＰ１０２は、半導体チップ
１５の裏面が第１熱伝導体２１ａに接着するように、絶
縁基板１１上に搭載されているが、半導体チップの表面
（半導体素子が形成される面）が第１熱伝導体２１ａ側
を向いているように構成してもよい。この場合、接着剤
は、ポリイミドテープ１３を化学的に侵蝕するものであ
ってはならない。
【０５２７】（ｃ） 図１１１及び図１１２は、図１０
９及び図１１０の半導体装置にヒートシンクを搭載した
状態の半導体装置を示すものである。なお、図１１１
は、半導体装置の平面図、図１１２は、図１１１のＣＸ
ＩＩ−ＣＸＩＩ´線に沿う断面図である。
【０５２８】ヒートシンク１０３は、蓋部１７とフィン
部１８とから構成されている。
【０５２９】蓋部１７は、ＴＣＰ１０２上を覆うように
絶縁基板１１上に搭載されている。即ち、蓋部１７は、
例えば一辺が約１００ｍｍの正方形の板部と、さらにそ
の板部の中央部に形成される１つの突出部とを有してい
る。蓋部１７の突出部は、例えば一辺が約５ｍｍの角柱
から構成される。蓋部１７は、熱伝導率の大きな材料、
例えばアルミニウムから構成される。
【０５３０】蓋部１７の突出部は、接着剤により絶縁基
板１１の５つの第２熱伝導体２１ｂに接着されている。
この接着剤に熱伝導率の大きな材料（例えば銀などを含
む導電性ペースト）を用いれば、第２熱伝導体２１ｂか
らヒートシンクヘの熱抵抗が低くなる。
【０５３１】蓋部１７とＴＣＰ１０２は、接触していて
もいなくても良いが、接触していれば、ＴＣＰ１０２の
半導体チップから発生する熱を効率よく発散できる。
【０５３２】フィン部１８は、蓋部１７の板部上に搭載
されている。フィン部１８の表面積は、熱を拡散し易く
するために、できるだけ大きくするのがよい。フィン部
１８は、熱伝導率の大きな材料、例えばアルミニウムか
ら構成される。
【０５３３】なお、ヒートシンクの蓋部１７とフィン部
１８は、１つの材料により一体化されていてもよい。ま
た、ヒートシンクの蓋部１７とフィン部１８は、それぞ
れ独立に形成されていてもよい。この場合、蓋部１７と
フィン部１８は、同じ材料から構成されていても、又は
異なる材料から構成されていてもよい。また、蓋部１７
の突出部がそれぞれ独立に形成され、蓋部１７の板部と
フィン部１８が一体化されていてもよい。
【０５３４】上記構成の半導体装置によれば、絶縁基板
１１の第１熱伝導体２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チ
ップが搭載され、絶縁基板１１の第２熱伝導体２１ｂ上
にヒートシンク１０３が搭載されている。従って、半導
体チップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよ
いため、ヒートシンクの重さによりＴＣＰ１０２のリー
ドなどを破損することもない。
【０５３５】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ、第２熱
伝導体２１ａを介して、ヒートシンク１０３に伝導され
る。従って、半導体チップ１５から発生する熱は、効率
よく発散される。
【０５３６】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、ほとんどがヒートシンク１０３に吸収されるため、
当該半導体チップ１５に隣接する他の半導体チップなど
に悪影響を与えることがない。
【０５３７】また、１つのヒートシンクを４つのＴＣＰ
で共有したため、１つのＴＣＰに１つのヒートシンクを
用いる場合に必要な隣接するヒートシンク同士の間隔が
不要になり、従来よりも放熱の効率が向上する。 ［Ｗ］ 次に、本発明の第２３実施例に係わるプリント
回路基板及びこれを用いた半導体装置について説明す
る。
【０５３８】図１１３乃至図１１６は、本発明の第２３
実施例に係わる多層プリント回路基板を用いた半導体装
置を示すものである。なお、図１１３及び図１１５は、
当該半導体装置の平面図、図１１４は、図１１３のＣＸ
ＩＩＩ−ＣＸＩＩＩ´線に沿う断面図、図１１６は、図
１１５のＣＸＶＩ−ＣＸＶＩ´線に沿う断面図である。
【０５３９】この多層のプリント回路基板１０１は、複
数枚の絶縁基板、例えば２枚の絶縁基板（例えばガラス
エポキシ）１１ａ，１１ｂと、第１乃至第４熱伝導体２
１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３，２４
とを有する。
【０５４０】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０５４１】第１熱伝導体２１ａ上には、ＴＣＰ１０２
の半導体チップ１５が搭載されている。従って、第１熱
伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて、
絶縁基板１１ａの一方の主表面上から見た場合に一辺が
約１２ｍｍの正方形となるように形成されている。
【０５４２】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０５４３】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように所定の位置に
配置される。また、第２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板１
１ａの一方の主表面上から見た場合に、幅が約５ｍｍの
正方形となるように形成される。
【０５４４】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０５４５】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０５４６】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約１００ｍ
ｍの正方形となるように形成される。
【０５４７】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａには、１つ以上のスルーホール２
３が形成されている。このスルーホール２３は、例えば
直径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×
横１１行）形成される。各々のスルーホール２３の側面
には、第４熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝
導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約
３５μｍ）から構成される。
【０５４８】同様に、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導
体２１ｃの間の絶縁基板１１ａには、１つ以上のスルー
ホール２４が形成されている。このスルーホール２４
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦
７列×横７行）形成される。各々のスルーホール２４の
側面には、第４熱伝導体２１ｄが形成されている。第４
熱伝導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０５４９】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。絶縁基板１１ａ，１１ｂは、共に厚さが約０．８ｍ
ｍとなるように形成される。
【０５５０】上記構成の多層プリント回路基板及びこれ
を用いた半導体装置によれば、第１熱伝導体２１ａ上に
半導体チップ１５が搭載され、第２熱伝導体２１ｂ上に
ヒートシンク１０３が搭載される。従って、半導体チッ
プ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよいた
め、ヒートシンクの重さによりパッケージのリード１４
などを破損することもない。
【０５５１】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第
３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導
体２１ｂを介してヒートシンク１０３に伝導される。従
って、半導体チップ１５から発生する熱は、効率よく発
散される。 ［Ｗ］ 次に、本発明の第２３実施例に係わるプリント
回路基板及びこれを用いた半導体装置について説明す
る。
【０５５２】図１１３乃至図１１６は、本発明の第２３
実施例に係わる多層プリント回路基板を用いた半導体装
置を示すものである。なお、図１１３及び図１１５は、
当該半導体装置の平面図、図１１４は、図１１３のＣＸ
ＩＩＩ−ＣＸＩＩＩ´線に沿う断面図、図１１６は、図
１１５のＣＸＶＩ−ＣＸＶＩ´線に沿う断面図である。
【０５５３】この多層のプリント回路基板１０１は、複
数枚の絶縁基板、例えば２枚の絶縁基板（例えばガラス
エポキシ）１１ａ，１１ｂと、第１乃至第４熱伝導体２
１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３，２４
とを有する。
【０５５４】絶縁基板１１ａの一方の主表面上には、第
１熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１
ａは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μ
ｍ）から構成される。
【０５５５】第１熱伝導体２１ａ上には、ＴＣＰ１０２
の半導体チップ１５が搭載されている。従って、第１熱
伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて、
絶縁基板１１ａの一方の主表面上から見た場合に一辺が
約１２ｍｍの正方形となるように形成されている。
【０５５６】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０５５７】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように所定の位置に
配置される。また、第２熱伝導体２１ｂは、絶縁基板１
１ａの一方の主表面上から見た場合に、幅が約５ｍｍの
正方形となるように形成される。
【０５５８】また、絶縁基板１１ａの一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０５５９】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０５６０】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１ｂの他方の主表面の全面上に形成
されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１
及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成され
る場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１
１ｂの他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０５６１】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つ以上のスルー
ホール２３が形成されている。このスルーホール２３
は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に１２１個
（縦１１列×横１１行）形成される。各々のスルーホー
ル２３の側面には、第４熱伝導体２１ｄが形成されてい
る。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０５６２】同様に、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導
体２１ｃの間の絶縁基板１１ａ，１１ｂには、１つ以上
のスルーホール２４が形成されている。このスルーホー
ル２４は、例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９
個（縦７列×横７行）形成される。各々のスルーホール
２４の側面には、第４熱伝導体２１ｄが形成されてい
る。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０５６３】また、絶縁基板１１ａの他方の主表面と絶
縁基板１１ｂの一方の主表面は、互いに結合されてい
る。絶縁基板１１ａ，１１ｂは、共に厚さが約０．８ｍ
ｍとなるように形成される。
【０５６４】上記構成の多層プリント回路基板及びこれ
を用いた半導体装置によれば、第１熱伝導体２１ａ上に
半導体チップ１５が搭載され、第２熱伝導体２１ｂ上に
ヒートシンク１０３が搭載される。従って、半導体チッ
プ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよいた
め、ヒートシンクの重さによりパッケージのリード１４
などを破損することもない。
【０５６５】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第
３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導
体２１ｂを介してヒートシンク１０３に伝導される。従
って、半導体チップ１５から発生する熱は、効率よく発
散される。
【０５６６】［Ｘ］ 次に、本発明の第２４実施例に係
わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置につ
いて説明する。
【０５６７】図１１７乃至図１２０は、本発明の第２４
実施例に係わるプリント回路基板を用いた半導体装置を
示すものである。なお、図１１７及び図１１９は、当該
半導体装置の平面図、図１１８は、図１１７のＣＸＶＩ
ＩＩ−ＣＸＶＩＩＩ´線に沿う断面図、図１２０は、図
１１９のＣＸＸ−ＣＸＸ´線に沿う断面図である。
【０５６８】このプリント回路基板１０１は、絶縁基板
（例えばガラスエポキシ）１１と、第１乃至第４熱伝導
体２１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３，
２４とを有している。
【０５６９】絶縁基板１１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０５７０】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約１
２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０５７１】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０５７２】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０５７３】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
第２熱伝導体２１ｂの形状は、絶縁基板１１の一方の主
表面上から見た場合に一辺が約５ｍｍの正方形となるよ
うに形成される。
【０５７４】また、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０５７５】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及
び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される
場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１
の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ又は
約１００ｍｍの正方形となるように形成される。
【０５７６】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０５７７】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０５７８】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０５７９】同様に、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導
体２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。
【０５８０】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０５８１】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０５８２】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１の第１熱伝導体
２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭載され、絶
縁基板１１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク１０
３が搭載されている。従って、半導体チップ１５上に直
接ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒートシン
クの重さによりＴＣＰ１０２のリードなどを破損するこ
ともない。
【０５８３】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０５８４】しかも、スルーホール２３，２４は、熱伝
導率の高い材料により埋め込まれているため、さらに効
率的に半導体チップ１５から発生する熱を発散できる。
【０５８５】［Ｙ］ 次に、本発明の第２５実施例に係
わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置につ
いて説明する。
【０５８６】図１２１乃至図１２４は、本発明の第２５
実施例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図
１２１及び図１２３は、半導体装置の平面図、図１２２
は、図１２１のＣＸＸＩＩ−ＣＸＸＩＩ´線に沿う断面
図、図１２４は、図１２３のＣＸＸＩＶ−ＣＸＸＩＶ´
線に沿う断面図である。
【０５８７】このプリント回路基板１０１は、絶縁基板
（例えばガラスエポキシ）１１と、第１乃至第４熱伝導
体２１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３
と、ネジ穴３０と、ネジ３１とを有している。
【０５８８】絶縁基板１１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０５８９】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約１
２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０５９０】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０５９１】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、１つ以上の第２熱伝導体２１ｂが形成されている。
第２熱伝導体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅
（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０５９２】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
第２熱伝導体２１ｂの形状は、絶縁基板１１の一方の主
表面上から見た場合に一辺が約５ｍｍの正方形となるよ
うに形成される。
【０５９３】また、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０５９４】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及
び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される
場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１
の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ又は
約１００ｍｍの正方形となるように形成される。
【０５９５】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０５９６】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０５９７】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つのネジ穴３０が形
成されている。各ネジ穴３０の側面には、第４熱伝導体
２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄは、熱伝
導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成
される。
【０５９８】さらに、ヒートシンクの蓋部１７にもネジ
穴が形成されている。例えば蓋部１７のネジ穴は、蓋部
１７の突出部の底部に形成される。
【０５９９】絶縁基板１１のネジ穴とヒートシンク１０
３のネジ穴が互いに重なるように位置合わせが行われ
る。そして、ネジ３１をネジ穴に嵌め込むことにより、
絶縁基板１１とヒートシンク１０３が強く固定される。
【０６００】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１の第１熱伝導体
２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭載され、絶
縁基板１１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク１０
３が搭載されている。従って、半導体チップ１５上に直
接ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒートシン
クの重さによりＴＣＰ１０２のリードなどを破損するこ
ともない。
【０６０１】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ、第２熱
伝導体２１ａを介して、ヒートシンク１０３に伝導され
る。
【０６０２】しかも、ネジ３１により、絶縁基板１１と
ヒートシンク１０３が強く固定されるため、大きなヒー
トシンクを搭載することができ、半導体チップ１５から
発生する熱を効率よく発散できる。
【０６０３】また、ネジ３１を熱伝導率の高い材料によ
り構成し、かつ、ネジ穴３０の直径をできるだけ大きく
すれば、さらに効率的に半導体チップ１５から発生する
熱を発散できる。
【０６０４】また、多数のスルーホールを設ける場合に
比べて、本実施例では、ネジ穴を１つ設ければ足りるた
め、製造が簡単であり、製造コストも低減できる。
【０６０５】［Ｚ］ 次に、本発明の第２６実施例に係
わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置につ
いて説明する。
【０６０６】図１２５乃至図１２８は、本発明の第２６
実施例に係わる半導体装置を示すものである。なお、図
１２５及び図１２７は、半導体装置の平面図、図１２６
は、図１２５のＣＸＸＶＩ−ＣＸＸＶＩ´線に沿う断面
図、図１２８は、図１２７のＣＸＸＶＩＩＩ−ＣＸＸＶ
ＩＩＩ´線に沿う断面図である。
【０６０７】このプリント回路基板１０１は、絶縁基板
（例えばガラスエポキシ）１１と、第１乃至第４熱伝導
体２１ａ〜２１ｄと、配線２２と、スルーホール２３，
２４と、低熱抵抗板３２とを有している。
【０６０８】絶縁基板１１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６０９】第１熱伝導体２１ａ上には、例えばＴＣＰ
１０２の半導体チップ１５が搭載される。従って、第１
熱伝導体２１ａは、半導体チップ１５の形状に合わせて
形成される。例えば、第１熱伝導体２１ａの形状は、絶
縁基板１１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約１
２ｍｍの正方形となるように形成される。
【０６１０】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０６１１】また、絶縁基板１１の一方の主表面上に
は、１つ以上の第２熱伝導体２１ｂが形成されている。
第２熱伝導体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅
（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０６１２】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
第２熱伝導体２１ｂの形状は、絶縁基板１１の一方の主
表面上から見た場合に一辺が約５ｍｍの正方形となるよ
うに形成される。
【０６１３】また、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、少なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの
直下を含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されてい
る。第３熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例え
ば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０６１４】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は絶縁基板１１の他方の主表面の全面上に形成さ
れていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第１及
び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成される
場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、絶縁基板１１
の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ又は
約１００ｍｍの正方形となるように形成される。
【０６１５】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０６１６】各々のスルーホール２３の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６１７】また、第２熱電導体２１ｂと第３熱電導体
２１ｃの間の絶縁基板１１には、１つ以上のスルーホー
ル２４が形成されている。このスルーホール２４は、例
えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列×
横７行）形成される。
【０６１８】各々のスルーホール２４の側面には、第４
熱伝導体２１ｄが形成されている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６１９】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３，２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、
窒化アルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有
したペーストなどにより埋め込んでもよい。
【０６２０】さらに、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は、熱抵抗が小さい低熱抵抗板３２が取り付けられてい
る。この低熱抵抗板３２は、アルミニウム、銅、セラミ
ック、窒化アルミ、アルミナ、ベリリア、炭化シリコン
などから構成することができる。
【０６２１】なお、低熱抵抗板３２は、半田や小さな熱
抵抗を有する接着剤などにより絶縁基板１１に接着する
ことができる。
【０６２２】上記構成のプリント回路基板及びこれを用
いた半導体装置によれば、絶縁基板１１の第１熱伝導体
２１ａ上にＴＣＰ１０２の半導体チップが搭載され、絶
縁基板１１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒートシンク１０
３が搭載されている。従って、半導体チップ１５上に直
接ヒートシンクを搭載しなくてもよいため、ヒートシン
クの重さによりＴＣＰ１０２のリードなどを破損するこ
ともない。
【０６２３】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０６２４】しかも、絶縁基板１１の他方の主表面上に
は低熱抵抗板３２が形成されているため、半導体チップ
１５から発生する熱は、この低熱抵抗板３２から直接的
に、又はこの低熱抵抗板３２を介してヒートシンクから
効率よく発散される。また、隣接する半導体装置から発
生する熱の影響を受けることもない。
【０６２５】［ＡＡ］ 次に、本発明の第２７実施例に
係わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置に
ついて説明する。
【０６２６】図１２９は、本発明の第２７実施例に係わ
る多層のプリント回路基板を用いた半導体装置を示すも
のである。
【０６２７】この多層のプリント回路基板１０１は、絶
縁基板（例えばガラスエポキシ）と、第１乃至第４熱伝
導体と、配線と、スルーホールとを有している。
【０６２８】従って、プリント回路基板１０１の両面
に、それぞれＴＣＰ１０２とヒートシンク１０３を搭載
することができる。
【０６２９】このため、半導体パッケージの高密度実装
に貢献できる。
【０６３０】なお、図１３０に示すように、プリント回
路基板１０１の一面にＴＣＰ１０２を搭載し、他面にヒ
ートシンク１０３を搭載してもよいが、この場合には、
プリント回路基板１０１の両面にＴＣＰ１０２を搭載で
きない欠点がある。
【０６３１】［ＢＢ］ 次に、本発明の第２８実施例に
係わるプリント回路基板及びこれを用いた半導体装置に
ついて説明する。
【０６３２】図１３１は、本発明の第２８実施例に係わ
る多層のプリント回路基板を用いた半導体装置を示すも
のである。
【０６３３】この半導体装置は、プリント回路基板１０
１の一面上にＴＣＰ１０２とヒートシンク１０３が搭載
されている。
【０６３４】従って、複数枚のプリント回路基板１０１
にＴＣＰ１０２とフラットパッケージ１０４を混在して
搭載するような場合でも、ＴＣＰ１０２上のヒートシン
ク１０３の高さとフラットパッケージ１０４上のヒート
シンク１０３の高さは、ほぼ同じになるため、無駄な空
間ができず、高密度に実装できる。
【０６３５】なお、図１３２に示すように、プリント回
路基板１０１の一面にＴＣＰ１０２を搭載し、他面にヒ
ートシンク１０３を搭載した場合、ＴＣＰ１０２とフラ
ットパッケージ１０４を混在して搭載すると、無駄な空
間が生じるため、高密度実装できない欠点がある。
【０６３６】［ＣＣ］ 次に、本発明の第２９実施例に
係わるＢＧＡパッケージについて説明する。
【０６３７】図１３３乃至図１３５は、本発明の第２９
実施例に係わる多層配線基板を用いたＢＧＡパッケージ
を示すものである。なお、図１３３は、ＢＧＡパッケー
ジの平面図、図１３４は、図１３３のＣＸＸＸＩＶ−Ｃ
ＸＸＸＩＶ´線に沿う断面図、図１３５は、図１３３の
ＣＸＸＸＶ−ＣＸＸＸＶ´線に沿う断面図である。
【０６３８】配線基板４１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６３９】第１熱伝導体２１ａ上には、半導体チップ
１５が搭載される。従って、第１熱伝導体２１ａは、半
導体チップ１５の形状に合わせて形成される。例えば、
第１熱伝導体２１ａの形状は、配線基板４１の一方の主
表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方形となる
ように形成される。
【０６４０】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０６４１】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０６４２】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、配線基板４１の４つの
角部にそれぞれ１つずつ形成される。
【０６４３】第２熱伝導体２１ｂの形状は、配線基板４
１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約５ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０６４４】また、配線基板４１中の１つの層には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０６４５】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は配線基板４１中の１つの層の全体にわたって形
成されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第
１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成さ
れる場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、配線基板
４１の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０６４６】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０６４７】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６４８】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０６４９】同様に、第２熱伝導体２１ｂと第３熱伝導
体２１ｃの間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。
【０６５０】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６５１】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０６５２】配線基板４１の他方の主表面上には、複数
の球状の半田（端子）４０がアレイ状に配置されてい
る。この球状の半田４０は、多層の配線基板４１を介し
て第１熱伝導体２１ａ上の半導体チップ１５に電気的に
接続されている。
【０６５３】また、半導体チップ１５と配線基板４１上
の配線２２は、ボンディングワイヤ３４によって電気的
に接続されている。半導体チップ１５とボンディングワ
イヤ３４は、樹脂３３により覆われている。
【０６５４】なお、半導体チップ１５とボンディングワ
イヤ３４は、ヒートシンク１０３により保護されている
ため、樹脂３３により覆われていなくてもよい。
【０６５５】上記構成のＢＧＡパッケージによれば、配
線基板４１の第１熱伝導体２１ａ上に半導体チップ１５
が搭載され、配線基板４１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒ
ートシンク１０３が搭載されている。従って、半導体チ
ップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよい。
【０６５６】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、直接ヒートシンク１０３へ伝導されると共に、第１
熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝導
体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導体２１ｂ
を介して、ヒートシンク１０３に伝導される。
【０６５７】これにより、放熱性に優れた頑丈で簡易な
構成のＢＧＡパッケージを提供できる。
【０６５８】［ＤＤ］ 次に、本発明の第３０実施例に
係わるＢＧＡパッケージについて説明する。
【０６５９】図１３６及び図１３７は、本発明の第３０
実施例に係わる多層配線基板を用いたＢＧＡパッケージ
を示すものである。なお、図１３６は、ＢＧＡパッケー
ジの平面図、図１３７は、図１３６のＣＸＸＸＶＩＩ−
ＣＸＸＸＶＩＩ´線に沿う断面図である。
【０６６０】配線基板４１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６６１】第１熱伝導体２１ａ上には、半導体チップ
１５が搭載される。従って、第１熱伝導体２１ａは、半
導体チップ１５の形状に合わせて形成される。例えば、
第１熱伝導体２１ａの形状は、配線基板４１の一方の主
表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方形となる
ように形成される。
【０６６２】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０６６３】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０６６４】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、配線基板４１の周囲に
リング状に形成される。
【０６６５】また、配線基板４１中の１つの層には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０６６６】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は配線基板４１中の１つの層の全体にわたって形
成されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第
１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成さ
れる場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、配線基板
４１の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０６６７】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０６６８】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６６９】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０６７０】同様に、第２熱伝導体２１ｂと第３熱伝導
体２１ｃの間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。
【０６７１】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６７２】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０６７３】配線基板４１の他方の主表面上には、複数
の球状の半田（端子）４０がアレイ状に配置されてい
る。この球状の半田４０は、多層の配線基板４１を介し
て第１熱伝導体２１ａ上の半導体チップ１５に電気的に
接続されている。
【０６７４】また、半導体チップ１５と配線基板４１上
の配線２２は、ボンディングワイヤ３４によって電気的
に接続されている。半導体チップ１５とボンディングワ
イヤ３４は、樹脂３３により覆われている。
【０６７５】なお、半導体チップ１５とボンディングワ
イヤ３４は、ヒートシンク１０３により保護されている
ため、樹脂３３により覆われていなくてもよい。
【０６７６】上記構成のＢＧＡパッケージによれば、配
線基板４１の第１熱伝導体２１ａ上に半導体チップ１５
が搭載され、配線基板４１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒ
ートシンク１０３が搭載されている。従って、半導体チ
ップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよい。
【０６７７】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、直接ヒートシンク１０３へ伝導されると共に、第１
熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝導
体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導体２１ｂ
を介して、ヒートシンク１０３に伝導される。
【０６７８】これにより、放熱性に優れた頑丈で簡易な
構成のＢＧＡパッケージを提供できる。
【０６７９】［ＥＥ］ 次に、本発明の第３１実施例に
係わるＢＧＡパッケージについて説明する。
【０６８０】図１３８乃至図１４０は、本発明の第３１
実施例に係わる多層配線基板を用いたＢＧＡパッケージ
を示すものである。なお、図１３８は、ＢＧＡパッケー
ジの平面図、図１３９は、図１３８のＣＸＸＸＩＸ−Ｃ
ＸＸＸＩＸ´線に沿う断面図、図１４０は、図１３８の
ＣＸＬ−ＣＸＬ´線に沿う断面図である。
【０６８１】配線基板４１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６８２】第１熱伝導体２１ａ上には、半導体チップ
１５が搭載される。従って、第１熱伝導体２１ａは、半
導体チップ１５の形状に合わせて形成される。例えば、
第１熱伝導体２１ａの形状は、配線基板４１の一方の主
表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方形となる
ように形成される。
【０６８３】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０６８４】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０６８５】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、配線基板４１の４つの
角部にそれぞれ１つずつ形成される。
【０６８６】第２熱伝導体２１ｂの形状は、配線基板４
１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約５ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０６８７】また、配線基板４１中の１つの層には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０６８８】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は配線基板４１中の１つの層の全体にわたって形
成されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第
１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成さ
れる場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、配線基板
４１の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０６８９】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０６９０】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６９１】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０６９２】同様に、第２熱伝導体２１ｂと第３熱伝導
体２１ｃの間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。
【０６９３】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０６９４】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０６９５】第１熱伝導体２１ａ上にはＴＣＰ１０２が
搭載されている。配線基板４１の他方の主表面上には、
複数の球状の半田（端子）４０がアレイ状に配置されて
いる。この球状の半田４０は、多層の配線基板４１を介
して第１熱伝導体２１ａ上のＴＣＰ１０２の半導体チッ
プ１５に電気的に接続されている。
【０６９６】また、ＴＣＰのリード１４と配線基板４１
上の配線２２は、半田によって互いに電気的に接続され
ている。なお、ＴＣＰ１０２は、ヒートシンク１０３に
より保護されている。半導体チップ１５は、ポッティン
グ樹脂により覆われていてもよい。
【０６９７】上記構成のＢＧＡパッケージによれば、配
線基板４１の第１熱伝導体２１ａ上にＴＣＰの半導体チ
ップ１５が搭載され、配線基板４１の第２熱伝導体２１
ｂ上にヒートシンク１０３が搭載されている。従って、
ＴＣＰ１０２上に直接ヒ−トシンクを搭載しなくてもよ
い。
【０６９８】また、ＴＣＰの半導体チップ１５から発生
する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導されると共
に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第
３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導
体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導される。
【０６９９】これにより、放熱性に優れた頑丈で簡易な
構成のＢＧＡパッケージを提供できる。
【０７００】［ＦＦ］ 次に、本発明の第３２実施例に
係わるＢＧＡパッケージについて説明する。
【０７０１】図１４１及び図１４２は、本発明の第３２
実施例に係わる多層配線基板を用いたＢＧＡパッケージ
を示すものである。なお、図１４１は、ＢＧＡパッケー
ジの平面図、図１４２は、図１４１のＣＸＬＩＩ−ＣＸ
ＬＩＩ´線に沿う断面図である。
【０７０２】配線基板４１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７０３】第１熱伝導体２１ａ上には、半導体チップ
１５が搭載される。従って、第１熱伝導体２１ａは、半
導体チップ１５の形状に合わせて形成される。例えば、
第１熱伝導体２１ａの形状は、配線基板４１の一方の主
表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方形となる
ように形成される。
【０７０４】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０７０５】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０７０６】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、配線基板４１の周囲に
リング状に形成される。
【０７０７】また、配線基板４１中の１つの層には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０７０８】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は配線基板４１中の１つの層の全体にわたって形
成されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第
１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成さ
れる場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、配線基板
４１の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０７０９】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０７１０】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７１１】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０７１２】同様に、第２熱伝導体２１ｂと第３熱伝導
体２１ｃの間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。
【０７１３】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７１４】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０７１５】第１熱伝導体２１ａ上にはＴＣＰ１０２が
搭載されている。配線基板４１の他方の主表面上には、
複数の球状の半田（端子）４０がアレイ状に配置されて
いる。この球状の半田４０は、多層の配線基板４１を介
して第１熱伝導体２１ａ上の半導体チップ１５に電気的
に接続されている。
【０７１６】また、ＴＣＰのリード１４と配線基板４１
上の配線２２は、半田によって互いに電気的に接続され
ている。なお、ＴＣＰ１０２は、ヒートシンク１０３に
より保護されている。ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５
は、樹脂により覆われていてもよい。
【０７１７】上記構成のＢＧＡパッケージによれば、配
線基板４１の第１熱伝導体２１ａ上にＴＣＰ１０２が搭
載され、配線基板４１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒート
シンク１０３が搭載されている。従って、ＴＣＰ１０２
上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよい。
【０７１８】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０７１９】これにより、放熱性に優れた頑丈で簡易な
構成のＢＧＡパッケージを提供できる。
【０７２０】［ＧＧ］ 次に、本発明の第３３実施例に
係わるＢＧＡパッケージについて説明する。
【０７２１】図１４３乃至図１４５は、本発明の第３３
実施例に係わる多層配線基板を用いたＢＧＡパッケージ
を示すものである。なお、図１４３は、ＢＧＡパッケー
ジの平面図、図１４４は、図１４３のＣＸＬＩＶ−ＣＸ
ＬＩＶ´線に沿う断面図、図１４５は、図１４３のＣＸ
ＬＶ−ＣＸＬＶ´線に沿う断面図である。
【０７２２】配線基板４１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７２３】第１熱伝導体２１ａ上には、半導体チップ
１５が搭載される。従って、第１熱伝導体２１ａは、半
導体チップ１５の形状に合わせて形成される。例えば、
第１熱伝導体２１ａの形状は、配線基板４１の一方の主
表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方形となる
ように形成される。
【０７２４】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０７２５】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０７２６】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、配線基板４１の４つの
角部にそれぞれ１つずつ形成される。
【０７２７】第２熱伝導体２１ｂの形状は、配線基板４
１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約５ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０７２８】また、配線基板４１中の１つの層には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０７２９】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は配線基板４１中の１つの層の全体にわたって形
成されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第
１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成さ
れる場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、配線基板
４１の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０７３０】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０７３１】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７３２】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０７３３】同様に、第２熱伝導体２１ｂと第３熱伝導
体２１ｃの間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。
【０７３４】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７３５】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０７３６】第１熱伝導体２１ａ上にはＴＣＰ１０２が
搭載されている。ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５の上
面（素子が形成される面）は、第１熱伝導体２１ａ側を
向いている。第１熱伝導体２１ａと半導体チップ１５の
間には、樹脂１６が充填されている。なお、ＴＣＰ１０
２の半導体チップ１５の下面（素子が形成されない面）
は、低熱抵抗の接着剤によってヒートシンク１０３に接
続されていてもよい。配線基板４１の他方の主表面上に
は、複数の球状の半田（端子）４０がアレイ状に配置さ
れている。この球状の半田４０は、多層の配線基板４１
を介して第１熱伝導体２１ａ上のＴＣＰ１０２の半導体
チップ１５に接続されている。
【０７３７】また、ＴＣＰのリード１４と配線基板４１
上の配線２２は、半田によって互いに電気的に接続され
ている。なお、ＴＣＰ１０２は、ヒートシンク１０３に
より保護されている。本実施例では、ＴＣＰ１０２のＴ
ＡＢテープは、取り除かれているが、ＴＡＢテープを残
しておいてもよい。
【０７３８】上記構成のＢＧＡパッケージによれば、配
線基板４１の第１熱伝導体２１ａ上にＴＣＰの半導体チ
ップ１５が搭載され、配線基板４１の第２熱伝導体２１
ｂ上にヒートシンク１０３が搭載されている。従って、
ＴＣＰ１０２上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよ
い。
【０７３９】また、ＴＣＰの半導体チップ１５から発生
する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導されると共
に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第
３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導
体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導される。
【０７４０】これにより、放熱性に優れた頑丈で簡易な
構成のＢＧＡパッケージを提供できる。
【０７４１】［ＨＨ］ 次に、本発明の第３４実施例に
係わるＢＧＡパッケージについて説明する。
【０７４２】図１４６及び図１４７は、本発明の第３４
実施例に係わる多層配線基板を用いたＢＧＡパッケージ
を示すものである。なお、図１４６は、ＢＧＡパッケー
ジの平面図、図１４７は、図１４６のＣＸＬＶＩＩ−Ｃ
ＸＬＶＩＩ´線に沿う断面図である。
【０７４３】配線基板４１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７４４】第１熱伝導体２１ａ上には、半導体チップ
１５が搭載される。従って、第１熱伝導体２１ａは、半
導体チップ１５の形状に合わせて形成される。例えば、
第１熱伝導体２１ａの形状は、配線基板４１の一方の主
表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方形となる
ように形成される。
【０７４５】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０７４６】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０７４７】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、配線基板４１の周囲に
リング状に形成される。
【０７４８】また、配線基板４１中の１つの層には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０７４９】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は配線基板４１中の１つの層の全体にわたって形
成されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第
１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成さ
れる場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、配線基板
４１の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０７５０】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０７５１】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７５２】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０７５３】同様に、第２熱伝導体２１ｂと第３熱伝導
体２１ｃの間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。
【０７５４】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７５５】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０７５６】第１熱伝導体２１ａ上にはＴＣＰ１０２が
搭載されている。ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５の上
面（素子が形成される面）は、第１熱伝導体２１ａ側を
向いている。第１熱伝導体２１ａと半導体チップ１５の
間には、樹脂１６が充填されている。
【０７５７】なお、図１４８に示すように、ＴＣＰ１０
２の半導体チップ１５の下面（素子が形成されない面）
は、低熱抵抗の接着剤３５によってヒートシンク１０３
に接続されていてもよい。
【０７５８】配線基板４１の他方の主表面上には、複数
の球状の半田（端子）４０がアレイ状に配置されてい
る。この球状の半田４０は、多層の配線基板４１を介し
て第１熱伝導体２１ａ上の半導体チップ１５に電気的に
接続されている。
【０７５９】また、ＴＣＰのリード１４と配線基板４１
上の配線２２は、半田によって互いに電気的に接続され
ている。ＴＣＰ１０２は、ヒートシンク１０３により保
護されている。
【０７６０】なお、本実施例では、ＴＣＰ１０２のＴＡ
Ｂテープは、取り除かれているが、ＴＡＢテープを残し
ておいてもよい。上記構成のＢＧＡパッケージによれ
ば、配線基板４１の第１熱伝導体２１ａ上にＴＣＰ１０
２が搭載され、配線基板４１の第２熱伝導体２１ｂ上に
ヒートシンク１０３が搭載されている。従って、ＴＣＰ
１０２上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよい。
【０７６１】また、ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０７６２】これにより、放熱性に優れた頑丈で簡易な
構成のＢＧＡパッケージを提供できる。
【０７６３】［ＩＩ］ 次に、本発明の第３５実施例に
係わるＢＧＡパッケージについて説明する。
【０７６４】図１４９乃至図１５１は、本発明の第３５
実施例に係わる多層配線基板を用いたＢＧＡパッケージ
を示すものである。なお、図１４９は、ＢＧＡパッケー
ジの平面図、図１５０は、図１４９のＣＬ−ＣＬ´線に
沿う断面図、図１５１は、図１４９のＣＬＩ−ＣＬＩ´
線に沿う断面図である。
【０７６５】配線基板４１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７６６】第１熱伝導体２１ａ上には、半導体チップ
１５が搭載される。従って、第１熱伝導体２１ａは、半
導体チップ１５の形状に合わせて形成される。例えば、
第１熱伝導体２１ａの形状は、配線基板４１の一方の主
表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方形となる
ように形成される。
【０７６７】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０７６８】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０７６９】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、配線基板４１の４つの
角部にそれぞれ１つずつ形成される。
【０７７０】第２熱伝導体２１ｂの形状は、配線基板４
１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約５ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０７７１】また、配線基板４１中の１つの層には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０７７２】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は配線基板４１中の１つの層の全体にわたって形
成されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第
１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成さ
れる場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、配線基板
４１の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０７７３】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０７７４】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７７５】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０７７６】同様に、第２熱伝導体２１ｂと第３熱伝導
体２１ｃの間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。
【０７７７】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７７８】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０７７９】配線基板４１の他方の主表面上には、複数
の球状の半田（端子）４０がアレイ状に配置されてい
る。この球状の半田４０は、多層の配線基板４１を介し
て第１熱伝導体２１ａ上の半導体チップ１５に電気的に
接続されている。
【０７８０】また、半導体チップ１５と配線基板４１上
の配線２２は、バンプ３６によって電気的に接続されて
いる。また、半導体チップ１５の直下及びその近傍に
は、樹脂３３が充填されている。
【０７８１】上記構成のＢＧＡパッケージによれば、配
線基板４１の第１熱伝導体２１ａ上に半導体チップ１５
が搭載され、配線基板４１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒ
ートシンク１０３が搭載されている。従って、半導体チ
ップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよい。
【０７８２】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、直接ヒートシンク１０３へ伝導されると共に、第１
熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝導
体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２熱伝導体２１ｂ
を介して、ヒートシンク１０３に伝導される。
【０７８３】これにより、放熱性に優れた頑丈で簡易な
構成のＢＧＡパッケージを提供できる。
【０７８４】［ＪＪ］ 次に、本発明の第３６実施例に
係わるＢＧＡパッケージについて説明する。
【０７８５】図１５２及び図１５３は、本発明の第３６
実施例に係わる多層配線基板を用いたＢＧＡパッケージ
を示すものである。なお、図１５２は、ＢＧＡパッケー
ジの平面図、図１５３は、図１５２のＣＬＩＩＩ−ＣＬ
ＩＩＩ´線に沿う断面図である。
【０７８６】配線基板４１の一方の主表面上には、第１
熱伝導体２１ａが形成されている。第１熱伝導体２１ａ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７８７】第１熱伝導体２１ａ上には、半導体チップ
１５が搭載される。従って、第１熱伝導体２１ａは、半
導体チップ１５の形状に合わせて形成される。例えば、
第１熱伝導体２１ａの形状は、配線基板４１の一方の主
表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方形となる
ように形成される。
【０７８８】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数の
配線２２が形成されている。
【０７８９】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０７９０】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、配線基板４１の周囲に
リング状に形成される。
【０７９１】また、配線基板４１中の１つの層には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０７９２】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は配線基板４１中の１つの層の全体にわたって形
成されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第
１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成さ
れる場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、配線基板
４１の他方の主表面上から見た場合に一辺が約５０ｍｍ
の正方形となるように形成される。
【０７９３】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０７９４】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７９５】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０７９６】同様に、第２熱伝導体２１ｂと第３熱伝導
体２１ｃの間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。
【０７９７】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０７９８】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０７９９】配線基板４１の他方の主表面上には、複数
の球状の半田（端子）４０がアレイ状に配置されてい
る。この球状の半田４０は、多層の配線基板４１を介し
て第１熱伝導体２１ａ上の半導体チップ１５に電気的に
接続されている。
【０８００】半導体チップ１５と配線基板４１上の配線
２２は、バンプ３６によって電気的に接続されている。
また、半導体チップ１５の直下及びその近傍には、樹脂
３３が充填されている。
【０８０１】なお、図１５４に示すように、第１熱伝導
体２１ａと半導体チップ１５の間には、半導体チップ１
５の熱を第１熱伝導体２１ａに導くための複数の放熱用
バンプ３７が形成されていてもよい。
【０８０２】上記構成のＢＧＡパッケージによれば、配
線基板４１の第１熱伝導体２１ａ上に半導体チップ１５
が搭載され、配線基板４１の第２熱伝導体２１ｂ上にヒ
ートシンク１０３が搭載されている。従って、半導体チ
ップ１５上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよい。
【０８０３】また、半導体チップ１５から発生する熱
は、直接ヒートシンク１０３へ伝導されると共に、第１
熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１ｄ、第３熱伝導
体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ、第２熱伝導体２１ａを
介して、ヒートシンク１０３に伝導される。
【０８０４】これにより、放熱性に優れた頑丈で簡易な
構成のＢＧＡパッケージを提供できる。
【０８０５】［ＫＫ］ 次に、本発明の第３７実施例に
係わるＢＧＡパッケージについて説明する。
【０８０６】図１５５乃至図１５６は、本発明の第３７
実施例に係わる多層配線基板を用いたマルチチップ型の
ＢＧＡパッケージを示すものである。なお、図１５５
は、ＢＧＡパッケージの平面図、図１５６は、図１５５
のＣＬＶＩ−ＣＬＶＩ´線に沿う断面図である。
【０８０７】配線基板４１の一方の主表面上には、複数
（例えば４つ）の第１熱伝導体２１ａが形成されてい
る。各第１熱伝導体２１ａは、熱伝導率の高い材料、例
えば銅（厚さ約３５μｍ）から構成される。
【０８０８】各第１熱伝導体２１ａ上には、半導体チッ
プ１５が搭載される。従って、各第１熱伝導体２１ａ
は、半導体チップ１５の形状に合わせて形成される。例
えば、各第１熱伝導体２１ａの形状は、配線基板４１の
一方の主表面上から見た場合に一辺が約１２ｍｍの正方
形となるように形成される。
【０８０９】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、各第１熱伝導体２１ａの四方を取り囲むような複数
の配線２２が形成されている。
【０８１０】また、配線基板４１の一方の主表面上に
は、第２熱伝導体２１ｂが形成されている。第２熱伝導
体２１ｂは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３
５μｍ）から構成される。
【０８１１】第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク
１０３が搭載される。従って、第２熱伝導体２１ｂは、
ヒートシンク１０３が搭載され易いように形成される。
例えば、第２熱伝導体２１ｂは、配線基板４１の４つの
角部にそれぞれ１つずつ形成される。
【０８１２】第２熱伝導体２１ｂの形状は、配線基板４
１の一方の主表面上から見た場合に一辺が約５ｍｍの正
方形となるように形成される。
【０８１３】また、配線基板４１中の１つの層には、少
なくとも第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下を
含む位置に第３熱伝導体２１ｃが形成されている。第３
熱伝導体２１ｃは、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚
さ約３５μｍ）から構成される。
【０８１４】第３熱伝導体２１ｃは、第１及び第２熱伝
導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成されていてもよい
し、又は配線基板４１中の１つの層の全体にわたって形
成されていてもよい。例えば、第３熱伝導体２１ｃが第
１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂの直下にのみ形成さ
れる場合には、第３熱伝導体２１ｃの形状は、配線基板
４１の他方の主表面上から見た場合に一辺が約１００ｍ
ｍの正方形となるように形成される。
【０８１５】第１熱電導体２１ａと第３熱電導体２１ｃ
の間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホール２３
が形成されている。このスルーホール２３は、例えば直
径が約２００μｍで、行列状に１２１個（縦１１列×横
１１行）形成される。
【０８１６】各々のスルーホール２３内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０８１７】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２３の側面にのみ形成し、スルーホール２３を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０８１８】同様に、第２熱伝導体２１ｂと第３熱伝導
体２１ｃの間の配線基板４１には、１つ以上のスルーホ
ール２４が形成されている。このスルーホール２４は、
例えば直径が約２００μｍで、行列状に４９個（縦７列
×横７行）形成される。
【０８１９】各々のスルーホール２４内には、第４熱伝
導体２１ｄが埋め込まれている。第４熱伝導体２１ｄ
は、熱伝導率の高い材料、例えば銅（厚さ約３５μｍ）
から構成される。
【０８２０】なお、第４熱伝導体２１ｄをスルーホール
２４の側面にのみ形成し、スルーホール２４を、窒化ア
ルミニウムや、高熱伝導粒子（金属など）を含有したペ
ーストなどにより埋め込んでもよい。
【０８２１】各第１熱伝導体２１ａ上にはＴＣＰ１０２
が搭載されている。配線基板４１の他方の主表面上に
は、複数の球状の半田（端子）４０がアレイ状に配置さ
れている。この球状の半田４０は、多層の配線基板４１
を介して各第１熱伝導体２１ａ上のＴＣＰ１０２の半導
体チップ１５に電気的に接続されている。
【０８２２】また、ＴＣＰのリード１４と配線基板４１
上の配線２２は、半田によって互いに電気的に接続され
ている。なお、ＴＣＰ１０２は、ヒートシンク１０３に
より保護されている。ＴＣＰ１０２の半導体チップ１５
は、ポッティング樹脂により覆われていてもよい。
【０８２３】上記構成のＢＧＡパッケージによれば、配
線基板４１の４つの第１熱伝導体２１ａ上にそれぞれＴ
ＣＰ１０２が搭載され、配線基板４１の第２熱伝導体２
１ｂ上にヒートシンク１０３が搭載されている。従っ
て、ＴＣＰ１０２上に直接ヒートシンクを搭載しなくて
もよい。
【０８２４】また、４つのＴＣＰの半導体チップ１５か
ら発生する熱は、直接ヒートシンク１０３へ伝導される
と共に、第１熱伝導体２１ａから、第４熱伝導体２１
ｄ、第３熱伝導体２１ｃ、第４熱伝導体２１ｄ及び第２
熱伝導体２１ｂを介して、ヒートシンク１０３に伝導さ
れる。
【０８２５】これにより、放熱性に優れた頑丈で簡易な
構成のＢＧＡパッケージを提供できる。
【０８２６】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明のプリン
ト回路基板及びこれを用いた半導体装置、並びにＢＧＡ
パッケージによれば、次のような効果を奏する。
【０８２７】絶縁基板の一方の主表面の第１熱伝導体上
にＴＣＰや半導体チップが搭載され、第２熱伝導体上に
ヒートシンクが搭載されている。従って、ＴＣＰや半導
体チップ上に直接ヒートシンクを搭載しなくてもよく、
ＴＣＰのリードが破損したりする欠点がない。
【０８２８】また、半導体チップから発生する熱は、直
接ヒートシンクへ伝導されると共に、第１熱伝導体か
ら、スルーホール内の第４熱伝導体、絶縁基板の他方の
主表面の第３熱伝導体、及び第２熱伝導体をそれぞれ介
して、ヒートシンクに伝導される。従って、放熱性に優
れた簡易な構成の半導体装置を提供できる。
【０８２９】また、本発明をＢＧＡパッケージに適用し
た場合には、多層配線基板の一方の主表面の第１熱伝導
体上に半導体チップを搭載し、第２熱伝導体上にヒート
シンクを搭載し、多層配線基板の他方の主表面上に複数
の球状の半田を形成すればよい。これにより、放熱性に
優れた頑丈で簡易な構成のＢＧＡパッケージを提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係わるプリント回路基板
を示す平面図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´線に沿う断面図。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ´線に沿う断面図。
【図４】図１のプリント回路基板の製造方法の一例を示
す断面図。
【図５】図１のプリント回路基板の製造方法の一例を示
す断面図。
【図６】図１のプリント回路基板の製造方法の一例を示
す断面図。
【図７】本発明の第１実施例に係わる半導体装置を示す
平面図。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ´線に沿う断面図。
【図９】図７のＩＸ−ＩＸ´線に沿う断面図。
【図１０】本発明の第１実施例に係わる半導体装置を示
す平面図。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩ´線に沿う断面図。
【図１２】図１０のＸＩＩ−ＸＩＩ´線に沿う断面図。
【図１３】図１０のヒ−トシンクを示す斜視図。
【図１４】図１０のヒートシンクを示す斜視図。
【図１５】図１０のヒートシンクを示す斜視図。
【図１６】図１０の半導体装置の放熱経路を示す断面
図。
【図１７】図１０の半導体装置の放熱経路を示す断面
図。
【図１８】本発明の第２実施例に係わるプリント回路基
板を示す平面図。
【図１９】図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ´線に沿う断面図。
【図２０】図１８のＸＸ−ＸＸ´線に沿う断面図。
【図２１】本発明の第２実施例に係わる半導体装置を示
す平面図。
【図２２】図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ´線に沿う断面
図。
【図２３】図２１のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ´線に沿う
断面図。
【図２４】本発明の第２実施例に係わる半導体装置を示
す平面図。
【図２５】図２４のＸＸＶ−ＸＸＶ´線に沿う断面図。
【図２６】図２４のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ´線に沿う断面
図。
【図２７】図２４のヒートシンクを示す斜視図。
【図２８】図２４のヒートシンクを示す斜視図。
【図２９】図２４のヒートシンクを示す斜視図。
【図３０】図２４のヒートシンクを示す斜視図。
【図３１】図２４の半導体装置の放熱経路を示す断面
図。
【図３２】図２４の半導体装置の放熱経路を示す断面
図。
【図３３】本発明の第３実施例のプリント回路基板及び
半導体装置を示す平面図。
【図３４】図３３のＸＸＸＩＶ−ＸＸＸＩＶ´線に沿う
断面図。
【図３５】図３３のＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ´線に沿う断面
図。
【図３６】本発明の第４実施例のプリント回路基板及び
半導体装置を示す平面図。
【図３７】図３６のＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ´線に
沿う断面図。
【図３８】図３７のＸＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＸＶＩＩＩ´
線に沿う断面図。
【図３９】図３７のプリント回路基板及び半導体装置の
裏面を示す図。
【図４０】本発明の第５実施例のプリント回路基板及び
半導体装置を示す平面図。
【図４１】図４０のＸＬＩ−ＸＬＩ´線に沿う断面図。
【図４２】図４０のＸＬＩＩ−ＸＬＩＩ´線に沿う断面
図。
【図４３】本発明の第６実施例のプリント回路基板及び
半導体装置を示す平面図。
【図４４】図４３のＸＬＩＶ−ＸＬＩＶ´線に沿う断面
図。
【図４５】図４３のＸＬＶ−ＸＬＶ´線に沿う断面図。
【図４６】本発明の第７実施例のプリント回路基板及び
半導体装置を示す平面図。
【図４７】図４６のＸＬＶＩＩ−ＸＬＶＩＩ´線に沿う
断面図。
【図４８】図４６のＸＬＶＩＩＩ−ＸＬＶＩＩＩ´線に
沿う断面図。
【図４９】本発明の第８実施例のプリント回路基板及び
半導体装置を示す平面図。
【図５０】図４９のＬ−Ｌ´線に沿う断面図。
【図５１】図４９のＬＩ−ＬＩ´線に沿う断面図。
【図５２】本発明の第９実施例のプリント回路基板及び
半導体装置を示す平面図。
【図５３】図５２のＬＩＩＩ−ＬＩＩＩ´線に沿う断面
図。
【図５４】図５２のＬＩＶ−ＬＩＶ´線に沿う断面図。
【図５５】本発明の第１０実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図５６】図５５のＬＶＩ−ＬＶＩ´線に沿う断面図。
【図５７】図５５のＬＶＩＩ−ＬＶＩＩ´線に沿う断面
図。
【図５８】本発明の第１１実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図５９】図５８のＬＩＸ−ＬＩＸ´線に沿う断面図。
【図６０】図５８のＬＸ−ＬＸ´線に沿う断面図。
【図６１】本発明の第１２実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図６２】図６１のＬＸＩＩ−ＬＸＩＩ´線に沿う断面
図。
【図６３】図６１のＬＸＩＩＩ−ＬＸＩＩＩ´線に沿う
断面図。
【図６４】本発明の第１３実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図６５】図６４のＬＸＶ−ＬＸＶ´線に沿う断面図。
【図６６】図６４のＬＸＶＩ−ＬＸＶＩ´線に沿う断面
図。
【図６７】本発明の第１４実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図６８】図６７のＬＸＶＩＩＩ−ＬＸＶＩＩＩ´線に
沿う断面図。
【図６９】図６７のＬＸＩＸ−ＬＸＩＸ´線に沿う断面
図。
【図７０】本発明の第１５実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図７１】図７０のＬＸＸＩ−ＬＸＸＩ´線に沿う断面
図。
【図７２】図７０のＬＸＸＩＩ−ＬＸＸＩＩ´線に沿う
断面図。
【図７３】本発明の第１６実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図７４】図７３のＬＸＸＩＶ−ＬＸＸＩＶ´線に沿う
断面図。
【図７５】図７３のＬＸＸＶ−ＬＸＸＶ´線に沿う断面
図。
【図７６】本発明の第１７実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図７７】図７６のＬＸＸＶＩＩ−ＬＸＸＶＩＩ´線に
沿う断面図。
【図７８】図７６のＬＸＸＶＩＩＩ−ＬＸＸＶＩＩＩ´
線に沿う断面図。
【図７９】本発明の第１８実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図８０】図７９のＬＸＸＸ−ＬＸＸＸ´線に沿う断面
図。
【図８１】図７９のＬＸＸＸＩ−ＬＸＸＸＩ´線に沿う
断面図。
【図８２】本発明の第１７実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図８３】図８２のＬＸＸＸＩＩＩ−ＬＸＸＸＩＩＩ´
線に沿う断面図。
【図８４】図８２のＬＸＸＸＩＶ−ＬＸＸＸＩＶ´線に
沿う断面図。
【図８５】本発明の第１８実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図８６】図８５のＬＸＸＸＶＩ−ＬＸＸＸＶＩ´線に
沿う断面図。
【図８７】図８５のＬＸＸＸＶＩＩ−ＬＸＸＸＶＩＩ´
線に沿う断面図。
【図８８】本発明の第１９実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図８９】図８８のＬＸＸＸＩＸ−ＬＸＸＸＩＸ´線に
沿う断面図。
【図９０】図８８のＸＣ−ＸＣ´線に沿う断面図。
【図９１】本発明の第２０実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図９２】図９１のＸＣＩＩ−ＸＣＩＩ´線に沿う断面
図。
【図９３】図９１のＸＣＩＩＩ−ＸＣＩＩＩ´線に沿う
断面図。
【図９４】本発明の第１９実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図９５】図９４のＸＣＶ−ＸＣＶ´線に沿う断面図。
【図９６】図９４のＸＣＶＩ−ＸＣＶＩ´線に沿う断面
図。
【図９７】本発明の第２０実施例のプリント回路基板及
び半導体装置を示す平面図。
【図９８】図９７のＸＣＶＩＩＩ−ＸＣＶＩＩＩ´線に
沿う断面図。
【図９９】図９８のＸＣＩＸ−ＸＣＩＸ´線に沿う断面
図。
【図１００】図５８の半導体装置の放熱経路を示す断面
図。
【図１０１】本発明の第２１実施例に係わるプリント回
路基板を示す平面図。
【図１０２】図１０１のＣＩＩ−ＣＩＩ´線に沿う断面
図。
【図１０３】本発明の第２１実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１０４】図１０３のＣＩＶ−ＣＩＶ´線に沿う断面
図。
【図１０５】本発明の第２１実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１０６】図１０５のＣＶＩ−ＣＶＩ´線に沿う断面
図。
【図１０７】本発明の第２２実施例に係わるプリント回
路基板を示す平面図。
【図１０８】図１０７のＣＶＩＩＩ−ＣＶＩＩＩ´線に
沿う断面図。
【図１０９】本発明の第２２実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１１０】図１０９のＣＸ−ＣＸ´線に沿う断面図。
【図１１１】本発明の第２２実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１１２】図１１１のＣＸＩＩ−ＣＸＩＩ´線に沿う
断面図。
【図１１３】本発明の第２３実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１１４】図１１３のＣＸＩＶ−ＣＸＩＶ´線に沿う
断面図。
【図１１５】本発明の第２３実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１１６】図１１５のＣＸＶＩ−ＣＸＶＩ´線に沿う
断面図。
【図１１７】本発明の第２４実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１１８】図１１７のＣＸＶＩＩＩ−ＣＸＶＩＩＩ´
線に沿う断面図。
【図１１９】本発明の第２４実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１２０】図１１９のＣＸＸ−ＣＸＸ´線に沿う断面
図。
【図１２１】本発明の第２５実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１２２】図１２１のＣＸＸＩＩ−ＣＸＸＩＩ´線に
沿う断面図。
【図１２３】本発明の第２５実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１２４】図１２３のＣＸＸＩＶ−ＣＸＸＩＶ´線に
沿う断面図。
【図１２５】本発明の第２６実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１２６】図１２５のＣＸＸＶＩ−ＣＸＸＶＩ´線に
沿う断面図。
【図１２７】本発明の第２６実施例に係わる半導体装置
を示す平面図。
【図１２８】図１２７のＣＸＸＶＩＩＩ−ＣＸＸＶＩＩ
Ｉ´線に沿う断面図。
【図１２９】本発明の第２７実施例に係わる半導体装置
を示す断面図。
【図１３０】図１２９の半導体装置の比較対象となる半
導体装置を示す断面図。
【図１３１】本発明の第２８実施例に係わる半導体装置
を示す断面図。
【図１３２】図１３１の半導体装置の比較対象となる半
導体装置を示す断面図。
【図１３３】本発明の第２９実施例に係わるＢＧＡパッ
ケージを示す平面図。
【図１３４】図１３３のＣＸＸＸＩＶ−ＣＸＸＸＩＶ´
線に沿う断面図。
【図１３５】図１３３のＣＸＸＸＶ−ＣＸＸＸＶ´線に
沿う断面図。
【図１３６】本発明の第３０実施例に係わるＢＧＡパッ
ケ−ジを示す平面図。
【図１３７】図１３６のＣＸＸＸＶＩＩ−ＣＸＸＸＶＩ
Ｉ´線に沿う断面図。
【図１３８】本発明の第３１実施例に係わるＢＧＡパッ
ケージを示す平面図。
【図１３９】図１３８のＣＸＸＸＩＸ−ＣＸＸＸＩＸ´
線に沿う断面図。
【図１４０】図１３８のＣＸＬ−ＣＸＬ´線に沿う断面
図。
【図１４１】本発明の第３２実施例に係わるＢＧＡパッ
ケージを示す平面図。
【図１４２】図１４１のＣＸＬＩＩ−ＣＸＬＩＩ´線に
沿う断面図。
【図１４３】本発明の第３３実施例に係わるＢＧＡパッ
ケージを示す平面図。
【図１４４】図１４３のＣＸＬＩＶ−ＣＸＬＩＶ´線に
沿う断面図。
【図１４５】図１４３のＣＸＬＶ−ＣＸＬＶ´線に沿う
断面図。
【図１４６】本発明の第３４実施例に係わるＢＧＡパッ
ケージを示す平面図。
【図１４７】図１４６のＣＸＬＶＩＩ−ＣＸＬＶＩＩ´
線に沿う断面図。
【図１４８】本発明の第３４実施例に係わるＢＧＡパッ
ケージを示す平面図。
【図１４９】本発明の第３５実施例に係わるＢＧＡパッ
ケージを示す平面図。
【図１５０】図１４９のＣＬ−ＣＬ´線に沿う断面図。
【図１５１】図１４９のＣＬＩ−ＣＬＩ´線に沿う断面
図。
【図１５２】本発明の第３６実施例に係わるＢＧＡパッ
ケージを示す平面図。
【図１５３】図１５２のＣＬＩＩＩ−ＣＬＩＩＩ´線に
沿う断面図。
【図１５４】本発明の第３６実施例に係わるＢＧＡパッ
ケージを示す平面図。
【図１５５】本発明の第３７実施例に係わるＢＧＡパッ
ケージを示す平面図。
【図１５６】図１５５のＣＬＶＩ−ＣＬＶＩ´線に沿う
断面図。
【図１５７】従来の半導体装置を示す平面図。
【図１５８】図１５７のＣＬＶＩＩＩ−ＣＬＶＩＩＩ´
線に沿う断面図。
【符号の説明】
１１，１１ａ，１１ｂ …絶縁基板、 １２，２２，２２ａ〜２２ｄ …配線、 １３ …ＴＡＢテープ、 １４ …リード、 １５ …半導体チップ、 １６，３３ …樹脂、 １７ …ヒートシンクの蓋部、 １７ａ …蓋部の板部、 １７ｂ …蓋部の突出部、 １８ …ヒートシンクのフィン
部、 ２１ａ …第１熱伝導体、 ２１ｂ …第２熱伝導体、 ２１ｃ …第３熱伝導体、 ２１ｄ …第４熱伝導体、 ２３〜２５ …スルーホール、 ３０ …ネジ穴、 ３１ …ネジ、 ３２ …低熱抵抗板、 ３４ …ボンディングワイヤ、 ３５ …接着剤、 ３６，３７ …バンプ、 ４１ …ＢＧＡパッケージの配
線基板、 １０１ …プリント回路基板、 １０２ …ＴＣＰ、 １０３ …ヒートシンク、 １０４ …フラットパッケージ。

Claims (52)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上面及び下面を有する絶縁基板と、 前記絶縁基板の上面に形成される第１熱伝導体と、 前記絶縁基板の上面であって前記第１熱伝導体の周囲に
    形成される複数の第２熱伝導体と、 前記絶縁基板の下面であって少なくとも前記第１及び第
    ２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
    と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第２スルーホールと、 前記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１
    熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前
    記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝導体
    と、 前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れるヒートシンクとを具備することを特徴とする半導体
    装置。
  2. 【請求項２】 上面及び下面を有する多層の絶縁基板
    と、 前記絶縁基板の上面に形成される第１熱伝導体と、 前記絶縁基板の上面であって前記第１の熱伝導体の周囲
    に形成される複数の第２熱伝導体と、 前記絶縁基板の下面又は層間であって少なくとも前記第
    １及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３
    熱伝導体と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第２スルーホールと、 前記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１
    熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前
    記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝導体
    と、 前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れるヒートシンクとを具備することを特徴とする半導体
    装置。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の半導体装置にお
    いて、 前記第２熱伝導体は、互いに等間隔になるように形成さ
    れ、 さらに、前記絶縁基板の上面であって前記第２熱伝導体
    の間に形成される複数の配線を具備することを特徴とす
    る半導体装置。
  4. 【請求項４】 請求項２に記載の半導体装置において、 前記第３熱伝導体が前記絶縁基板の層間に形成される場
    合、前記第１及び第２スルーホールは、前記絶縁基板の
    上面から下面まで貫通しており、さらに、前記絶縁基板
    の下面であって前記第１スルーホール上及びその近傍に
    形成される第５熱伝導体と、前記絶縁基板の下面であっ
    て前記第２スルーホール上及びその近傍に形成される第
    ６熱伝導体とを具備することを特徴とする半導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項１又は２に記載の半導体装置にお
    いて、 前記ヒートシンクは、蓋部とフィン部とから構成され、
    前記蓋部は、前記第２熱伝導体上に配置される突起部を
    有し、前記フィン部は、前記蓋部上に搭載されることを
    特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 上面及び下面を有する多層の絶縁基板
    と、 前記絶縁基板の上面に形成される第１熱伝導体と、 前記絶縁基板の上面であって前記第１の熱伝導体の周囲
    を取り囲むように形成される第２熱伝導体と、 前記絶縁基板の下面又は層間であって少なくとも前記第
    １及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３
    熱伝導体と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第２スルーホールと、 前記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１
    熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前
    記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝導体
    と、 前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れるヒートシンクと、 前記絶縁基板の上面であって前記第２熱伝導体の内側に
    形成される複数の第１配線と、 前記絶縁基板の上面であって前記第２熱伝導体の外側に
    形成される複数の第２配線と、 前記絶縁基板の層間に形成される複数の第３配線と、 前記第１及び第２配線と前記第３配線との間の前記絶縁
    基板に形成される第３スルーホールと、 前記第３スルーホール内に形成され前記第１及び第２配
    線と前記第３配線とを接続する第４配線とを具備するこ
    とを特徴とする半導体装置。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載の半導体装置において、 前記第３熱伝導体が前記絶縁基板の層間に形成される場
    合、前記第１及び第２スルーホールは、前記絶縁基板の
    上面から下面まで貫通しており、さらに、前記絶縁基板
    の下面であって前記第１スルーホール上及びその近傍に
    形成される第５熱伝導体と、前記絶縁基板の下面であっ
    て前記第２スルーホール上及びその近傍に形成される第
    ６熱伝導体とを具備することを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 請求項６に記載の半導体装置において、 前記ヒートシンクは、蓋部とフィン部とから構成され、
    前記蓋部は、前記第２熱伝導体上に配置される枠状の突
    起部を有し、前記フィン部は、前記蓋部上に搭載される
    ことを特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項９】 請求項１、２又は６に記載の半導体装置
    において、 前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホールの
    側面にのみ形成されていることを特徴とする半導体装
    置。
  10. 【請求項１０】 請求項１、２又は６に記載の半導体装
    置において、 前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホールの
    側面にのみ形成され、さらに、前記第１及び第２スルー
    ホール内を満たす熱伝導率の高い材料を具備することを
    特徴とする半導体装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１、２又は６に記載の半導体装
    置において、 前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホール内
    に満たされていることを特徴とする半導体装置。
  12. 【請求項１２】 上面及び下面を有する絶縁基板と、 前記絶縁基板の上面に形成される第１熱伝導体と、 前記絶縁基板の上面であって前記第１熱伝導体の周囲に
    形成される複数の第２熱伝導体と、 前記絶縁基板の下面であって少なくとも前記第１及び第
    ２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
    と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    るネジ穴と、 前記第１スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体
    と前記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝
    導体と、 前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れ、前記支持体の前記第２熱伝導体に対向する面にネジ
    穴を有するヒートシンクと、 前記絶縁基板のネジ穴と前記ヒートシンクのネジ穴に挿
    入され、前記ヒートシンクを前記絶縁基板に固定するネ
    ジとを具備することを特徴とする半導体装置。
  13. 【請求項１３】 上面及び下面を有する多層の絶縁基板
    と、 前記絶縁基板の上面に形成される第１熱伝導体と、 前記絶縁基板の上面であって前記第１の熱伝導体の周囲
    に形成される複数の第２熱伝導体と、 前記絶縁基板の下面又は層間であって少なくとも前記第
    １及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３
    熱伝導体と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    るネジ穴と、 前記第１スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体
    と前記第３熱伝導体を熱的に接続する第４熱伝導体と、 前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れ、前記支持体の前記第２熱伝導体に対向する面にネジ
    穴を有するヒートシンクと、 前記絶縁基板のネジ穴と前記ヒートシンクのネジ穴に挿
    入され、前記ヒートシンクを前記絶縁基板に固定するネ
    ジとを具備することを特徴とする半導体装置。
  14. 【請求項１４】 上面及び下面を有する多層の絶縁基板
    と、 前記絶縁基板の上面に形成される第１熱伝導体と、 前記絶縁基板の上面であって前記第１の熱伝導体の周囲
    を取り囲むように形成される第２熱伝導体と、 前記絶縁基板の下面又は層間であって少なくとも前記第
    １及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３
    熱伝導体と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    るネジ穴と、 前記第１スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体
    と前記第３熱伝導体を熱的に接続する第４熱伝導体と、 前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れ、前記支持体の前記第２熱伝導体に対向する面にネジ
    穴を有するヒートシンクと、 前記絶縁基板のネジ穴と前記ヒートシンクのネジ穴に挿
    入され、前記ヒートシンクを前記絶縁基板に固定するネ
    ジと、 前記絶縁基板の上面であって前記第２熱伝導体の内側に
    形成される複数の第１配線と、 前記絶縁基板の上面であって前記第２熱伝導体の外側に
    形成される複数の第２配線と、 前記絶縁基板の層間に形成される複数の第３配線と、 前記第１及び第２配線と前記第３配線との間の前記絶縁
    基板に形成される第３スルーホールと、 前記第３スルーホール内に形成され前記第１及び第２配
    線と前記第３配線とを接続する第４配線とを具備するこ
    とを特徴とする半導体装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１に記載の半導体装置におい
    て、 さらに、前記第３熱伝導体上に搭載される熱伝導率が大
    きい良熱伝導体を具備することを特徴とする半導体装
    置。
  16. 【請求項１６】 請求項２又は６に記載の半導体装置に
    おいて、 前記第３熱伝導体が前記絶縁基板の下面に形成される場
    合、さらに、前記第３熱伝導体上に搭載される熱伝導率
    が大きい良熱伝導体を具備することを特徴とする半導体
    装置。
  17. 【請求項１７】 上面及び下面を有する絶縁基板と、 前記絶縁基板の上面に形成される第１熱伝導体と、 前記絶縁基板の上面であって前記第１熱伝導体の周囲に
    形成される複数の第２熱伝導体と、 前記絶縁基板の下面であって少なくとも前記第１及び第
    ２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
    と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    るネジ穴と、 前記第１スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体
    と前記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝
    導体と、 前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れ、前記支持体の前記第２熱伝導体に対向する面にネジ
    穴を有するヒートシンクと、 前記第３熱伝導体上に搭載され、ネジ穴を有する熱伝導
    率が大きい良熱伝導体と、 前記絶縁基板、前記ヒートシンク及び前記良熱伝導体の
    ネジ穴にそれぞれ挿入され、前記ヒートシンク及び前記
    良熱伝導体を前記絶縁基板に固定するネジとを具備する
    ことを特徴とする半導体装置。
  18. 【請求項１８】 上面及び下面を有する多層の絶縁基板
    と、 前記絶縁基板の上面に形成される第１熱伝導体と、 前記絶縁基板の上面であって前記第１の熱伝導体の周囲
    に形成される複数の第２熱伝導体と、 前記絶縁基板の下面であって少なくとも前記第１及び第
    ２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
    と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    るネジ穴と、 前記第１スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体
    と前記第３熱伝導体を熱的に接続する第４熱伝導体と、 前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れ、前記支持体の前記第２熱伝導体に対向する面にネジ
    穴を有するヒートシンクと、 前記第３熱伝導体上に搭載され、ネジ穴を有する熱伝導
    率が大きい良熱伝導体と、 前記絶縁基板、前記ヒートシンク及び前記良熱伝導体の
    ネジ穴にそれぞれ挿入され、前記ヒートシンク及び前記
    良熱伝導体を前記絶縁基板に固定するネジとを具備する
    ことを特徴とする半導体装置。
  19. 【請求項１９】 上面及び下面を有する多層の絶縁基板
    と、 前記絶縁基板の上面に形成される第１熱伝導体と、 前記絶縁基板の上面であって前記第１の熱伝導体の周囲
    を取り囲むように形成される第２熱伝導体と、 前記絶縁基板の下面であって少なくとも前記第１及び第
    ２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
    と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    るネジ穴と、 前記第１スルーホール内に形成され、前記第１熱伝導体
    と前記第３熱伝導体を熱的に接続する第４熱伝導体と、 前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れ、前記支持体の前記第２熱伝導体に対向する面にネジ
    穴を有するヒートシンクと、 前記第３熱伝導体上に搭載され、ネジ穴を有する熱伝導
    率が大きい良熱伝導体と、 前記絶縁基板、前記ヒートシンク及び前記良熱伝導体の
    ネジ穴にそれぞれ挿入され、前記ヒートシンク及び前記
    良熱伝導体を前記絶縁基板に固定するネジとを具備する
    ことを特徴とする半導体装置。
  20. 【請求項２０】 請求項３に記載の半導体装置におい
    て、 さらに、前記半導体チップを搭載するＴＡＢテープと、
    前記ＴＡＢテープ上に形成されるリードとを有し、前記
    半導体チップは、前記第１熱伝導体上に接着剤により直
    接配置され、前記リードの一端は、前記配線の一端に接
    続されていることを特徴とする半導体装置。
  21. 【請求項２１】 請求項３に記載の半導体装置におい
    て、 前記半導体チップは、接着剤により前記第１熱伝導体上
    に直接搭載され、さらに、前記半導体チップと前記配線
    の一端とを結ぶボンディングワイヤを具備することを特
    徴とする半導体装置。
  22. 【請求項２２】 請求項３に記載の半導体装置におい
    て、 前記半導体チップは、接着剤により前記第１熱伝導体上
    に直接搭載され、さらに、前記半導体チップと前記配線
    の一端とを結ぶボンディングワイヤと、少なくとも前記
    半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを覆う樹脂と
    を具備することを特徴とする半導体装置。
  23. 【請求項２３】 請求項３に記載の半導体装置におい
    て、 さらに、前記半導体チップを搭載するＴＡＢテープと、
    前記ＴＡＢテープ上に形成されるリードと、少なくとも
    前記半導体チップの一面を覆う樹脂とを有し、前記半導
    体チップは、前記第１熱伝導体上に前記樹脂を介して配
    置され、前記リードの一端は、前記配線の一端に接続さ
    れていることを特徴とする半導体装置。
  24. 【請求項２４】 請求項３に記載の半導体装置におい
    て、さらに、前記半導体チップの一面に形成される第１
    バンプと、少なくとも前記 半導体チップの一面と前記第１熱伝導体との間に充填さ
    れる樹脂とを有し、前記第１バンプは、前記配線の一端
    に接続されていることを特徴とする半導体装置。
  25. 【請求項２５】 請求項６に記載の半導体装置におい
    て、 さらに、前記半導体チップを搭載するＴＡＢテープと、
    前記ＴＡＢテープ上に形成されるリードとを有し、前記
    半導体チップは、前記第１熱伝導体上に接着剤により直
    接配置され、前記リードの一端は、前記第１配線の一端
    に接続されていることを特徴とする半導体装置。
  26. 【請求項２６】 請求項６に記載の半導体装置におい
    て、 前記半導体チップは、接着剤により前記第１熱伝導体上
    に直接搭載され、さらに、前記半導体チップと前記第１
    配線の一端とを結ぶボンディングワイヤを具備すること
    を特徴とする半導体装置。
  27. 【請求項２７】 請求項６に記載の半導体装置におい
    て、 前記半導体チップは、接着剤により前記第１熱伝導体上
    に直接搭載され、さらに、前記半導体チップと前記第１
    配線の一端とを結ぶボンディングワイヤと、少なくとも
    前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを覆う樹
    脂とを具備することを特徴とする半導体装置。
  28. 【請求項２８】 請求項６に記載の半導体装置におい
    て、 さらに、前記半導体チップを搭載するＴＡＢテープと、
    前記ＴＡＢテープ上に形成されるリードと、少なくとも
    前記半導体チップの一面を覆う樹脂とを有し、前記半導
    体チップは、前記第１熱伝導体上に前記樹脂を介して配
    置され、前記リードの一端は、前記第１配線の一端に接
    続されていることを特徴とする半導体装置。
  29. 【請求項２９】 請求項６に記載の半導体装置におい
    て、 さらに、前記半導体チップの一面に形成される第１バン
    プと、少なくとも前記半導体チップの一面と前記第１熱
    伝導体との間に充填される樹脂とを有し、前記第１バン
    プは、前記第１配線の一端に接続されていることを特徴
    とする半導体装置。
  30. 【請求項３０】 請求項２３、２４、２８又は２９に記
    載の半導体装置において、 前記半導体チップの他面は、接着剤により前記ヒートシ
    ンクに結合されていることを特徴とする半導体装置。
  31. 【請求項３１】 請求項２４又は２９に記載の半導体装
    置において、 さらに、前記半導体チップの一面と前記第１熱伝導体と
    を接続する第２バンプを具備することを特徴とする半導
    体装置。
  32. 【請求項３２】 上面及び下面を有する絶縁基板と、 前記絶縁基板の上面に形成される複数の第１熱伝導体
    と、 前記絶縁基板の上面に形成される少なくとも１つの第２
    熱伝導体と、 前記絶縁基板の下面であって少なくとも前記第１及び第
    ２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
    と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第２スルーホールと、 前記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１
    熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前
    記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝導体
    と、 各々の第１熱伝導体上に搭載される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れるヒートシンクとを具備することを特徴とする半導体
    装置。
  33. 【請求項３３】 上面及び下面を有する多層の絶縁基板
    と、 前記絶縁基板の上面に形成される複数の第１熱伝導体
    と、 前記絶縁基板の上面に形成される少なくとも１つの第２
    熱伝導体と、 前記絶縁基板の下面又は層間であって少なくとも前記第
    １及び第２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３
    熱伝導体と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第２スルーホールと、 前記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１
    熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前
    記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝導体
    と、 各々の第１熱伝導体上に搭載される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れるヒートシンクとを具備することを特徴とする半導体
    装置。
  34. 【請求項３４】 請求項３２又は３３に記載の半導体装
    置において、 前記第２熱伝導体は、少なくとも前記複数の第１熱伝導
    体の各々から等距離の位置に配置されていることを特徴
    とする半導体装置。
  35. 【請求項３５】 上面及び下面を有する多層の絶縁基板
    と、 前記絶縁基板の上面及び下面にそれぞれ形成される複数
    の第１熱伝導体と、 前記複数の第１熱伝導体の周囲に形成される複数の第２
    熱伝導体と、 前記絶縁基板の層間であって少なくとも前記第１及び第
    ２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
    と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記絶縁基板に設けられ
    る少なくとも１つの第２スルーホールと、 前記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１
    熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前
    記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝導体
    と、 各々の第１熱伝導体上に搭載される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れるヒートシンクとを具備することを特徴とする半導体
    装置。
  36. 【請求項３６】 上面及び下面を有する多層の配線基板
    と、 前記配線基板の上面に形成される第１熱伝導体と、 前記配線基板の上面であって前記第１の熱伝導体の周囲
    に形成される複数の第２熱伝導体と、 前記配線基板の層間であって少なくとも前記第１及び第
    ２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
    と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記配線基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記配線基板に設けられ
    る少なくとも１つの第２スルーホールと、 前記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１
    熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前
    記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝導体
    と、 前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れるヒートシンクと、 前記配線基板の下面に形成され、前記半導体チップと電
    気的に接続される複数の球状の導電体とを具備すること
    を特徴とするＢＧＡパッケージ。
  37. 【請求項３７】 上面及び下面を有する多層の配線基板
    と、 前記配線基板の上面に形成される第１熱伝導体と、 前記配線基板の上面であって前記第１の熱伝導体の周囲
    を取り囲むように形成される第２熱伝導体と、 前記配線基板の層間であって少なくとも前記第１及び第
    ２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
    と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記配線基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記配線基板に設けられ
    る少なくとも１つの第２スルーホールと、 前記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１
    熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前
    記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝導体
    と、 前記第１熱伝導体上に配置される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れるヒートシンクと、 前記配線基板の下面に形成され、前記半導体チップと電
    気的に接続される複数の球状の導電体とを具備すること
    を特徴とするＢＧＡパッケージ。
  38. 【請求項３８】 請求項３６に記載のＢＧＡパッケージ
    において、 前記第２熱伝導体は、前記配線基板の角部にそれぞれ１
    つずつ形成され、 さらに、前記第２熱伝導体の周囲に、前記半導体チップ
    と前記複数の球状の導電体とを電気的に接続するための
    複数の配線を具備することを特徴とするＢＧＡパッケー
    ジ。
  39. 【請求項３９】 請求項３６又は３７に記載のＢＧＡパ
    ッケージにおいて、 前記ヒートシンクは、蓋部とフィン部とから構成され、
    前記蓋部は、前記第２熱伝導体上に配置される突起部を
    有し、前記フィン部は、前記蓋部上に搭載されることを
    特徴とするＢＧＡパッケージ。
  40. 【請求項４０】 請求項３６又は３７に記載のＢＧＡパ
    ッケージにおいて、 前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホールの
    側面にのみ形成されていることを特徴とするＢＧＡパッ
    ケージ。
  41. 【請求項４１】 請求項３６又は３７に記載のＢＧＡパ
    ッケージにおいて、 前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホールの
    側面にのみ形成され、さらに、前記第１及び第２スルー
    ホール内を満たす熱伝導率の高い材料を具備することを
    特徴とするＢＧＡパッケージ。
  42. 【請求項４２】 請求項３６又は３７に記載のＢＧＡパ
    ッケージにおいて、 前記第４熱伝導体は、前記第１及び第２スルーホール内
    に満たされていることを特徴とするＢＧＡパッケージ。
  43. 【請求項４３】 請求項３６又は３７に記載のＢＧＡパ
    ッケージにおいて、 さらに、前記半導体チップを搭載するＴＡＢテープと、
    前記ＴＡＢテープ上に形成されるリードとを有し、前記
    半導体チップは、前記第１熱伝導体上に接着剤により直
    接配置され、前記リードの一端は、前記配線の一端に接
    続されていることを特徴とする半導体装置。
  44. 【請求項４４】 請求項３６又は３７に記載のＢＧＡパ
    ッケージにおいて、 前記半導体チップは、接着剤により前記第１熱伝導体上
    に直接搭載され、さらに、前記半導体チップと前記配線
    の一端とを結ぶボンディングワイヤを具備することを特
    徴とするＢＧＡパッケージ。
  45. 【請求項４５】 請求項３６又は３７に記載のＢＧＡパ
    ッケージにおいて、 前記半導体チップは、接着剤により前記第１熱伝導体上
    に直接搭載され、さらに、前記半導体チップと前記配線
    の一端とを結ぶボンディングワイヤと、少なくとも前記
    半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを覆う樹脂と
    を具備することを特徴とするＢＧＡパッケージ。
  46. 【請求項４６】 請求項３６又は３７に記載のＢＧＡパ
    ッケージにおいて、 さらに、前記半導体チップを搭載するＴＡＢテープと、
    前記ＴＡＢテープ上に形成されるリードと、少なくとも
    前記半導体チップの一面を覆う樹脂とを有し、前記半導
    体チップは、前記第１熱伝導体上に前記樹脂を介して配
    置され、前記リードの一端は、前記配線の一端に接続さ
    れていることを特徴とするＢＧＡパッケージ。
  47. 【請求項４７】 請求項３６又は３７に記載のＢＧＡパ
    ッケージにおいて、 さらに、前記半導体チップの一面に形成される第１バン
    プと、少なくとも前記半導体チップの一面と前記第１熱
    伝導体との間に充填される樹脂とを有し、前記第１バン
    プは、前記配線の一端に接続されていることを特徴とす
    るＢＧＡパッケージ。
  48. 【請求項４８】 請求項４６に記載のＢＧＡパッケージ
    において、 前記半導体チップの他面は、接着剤により前記ヒートシ
    ンクに結合されていることを特徴とする半導体装置。
  49. 【請求項４９】 請求項４７に記載のＢＧＡパッケージ
    において、 さらに、前記半導体チップの一面と前記第１熱伝導体と
    を接続する第２バンプを具備することを特徴とするＢＧ
    Ａパッケージ。
  50. 【請求項５０】 上面及び下面を有する多層の配線基板
    と、 前記配線基板の上面に形成される複数の第１熱伝導体
    と、 前記配線基板の上面に形成される少なくとも１つの第２
    熱伝導体と、 前記配線基板の層間であって少なくとも前記第１及び第
    ２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
    と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記配線基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記配線基板に設けられ
    る少なくとも１つの第２スルーホールと、 前記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１
    熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前
    記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝導体
    と、 各々の第１熱伝導体上に搭載される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れるヒートシンクと、 前記配線基板の下面に形成され、前記半導体チップと電
    気的に接続される複数の球状の導電体とを具備すること
    を特徴とするＢＧＡパッケージ。
  51. 【請求項５１】 請求項５０に記載のＢＧＡパッケージ
    において、 前記第２熱伝導体は、前記配線基板の角部にそれぞれ１
    つずつ形成されていることを特徴とするＢＧＡパッケー
    ジ。
  52. 【請求項５２】 上面及び下面を有する多層の配線基板
    と、 前記配線基板の上面及び下面にそれぞれ形成される複数
    の第１熱伝導体と、 前記配線基板の周囲に形成される複数の第２熱伝導体
    と、 前記配線基板の層間であって少なくとも前記第１及び第
    ２熱伝導体の直下を含む領域に形成される第３熱伝導体
    と、 前記第１及び第３熱伝導体間の前記配線基板に設けられ
    る少なくとも１つの第１スルーホールと、 前記第２及び第３熱伝導体間の前記配線基板に設けられ
    る少なくとも１つの第２スルーホールと、 前記第１及び第２スルーホール内に形成され、前記第１
    熱伝導体と前記第３熱伝導体及び前記第２熱伝導体と前
    記第３熱伝導体をそれぞれ熱的に接続する第４熱伝導体
    と、 各々の第１熱伝導体上に搭載される半導体チップと、 前記第２熱伝導体に対応する位置に支持体を有し、前記
    半導体チップを覆うように前記第２熱伝導体上に搭載さ
    れるヒートシンクと、 前記配線基板の下面に形成され、前記半導体チップと電
    気的に接続される複数の球状の導電体とを具備すること
    を特徴とする半導体装置。
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