JP2828057B2 - チップサイズパッケージ - Google Patents
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- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
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- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
- H01L2924/15173—Fan-out arrangement of the internal vias in a single layer of the multilayer substrate
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はチップサイズパッケ
ージに関し、特に半導体集積回路チップを高密度に実装
する構造に関する。
ージに関し、特に半導体集積回路チップを高密度に実装
する構造に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体技術の進歩に伴い、半導体集積回
路の発展形態であるLSI(大規模集積回路)チップは
ますますその集積規模が拡大され、電子装置全体が一つ
のLSIチップの中に収容可能となってきている。この
状況を反映して、携帯型のコンピュータや携帯電話、あ
るいはディジタル化された各種携帯型の電子装置が生み
だされている。
路の発展形態であるLSI(大規模集積回路)チップは
ますますその集積規模が拡大され、電子装置全体が一つ
のLSIチップの中に収容可能となってきている。この
状況を反映して、携帯型のコンピュータや携帯電話、あ
るいはディジタル化された各種携帯型の電子装置が生み
だされている。
【0003】これらの電子装置に対しては小型化及び軽
量化の要求が強く、それに伴ってLSIチップを実装す
るためのLSIパッケージに対しても同様に小型化及び
軽量化が要求されている。
量化の要求が強く、それに伴ってLSIチップを実装す
るためのLSIパッケージに対しても同様に小型化及び
軽量化が要求されている。
【0004】一方、大型コンピュータや大型電話交換機
等の大規模システムにおいては、多数のLSIチップを
組合せて一つのシステムが構成されるので、LSIチッ
プ相互の信号伝播にもますます高速化が必要となってき
ている。このLSIチップ相互の信号伝播の高速化には
隣接するLSIチップ間距離の短縮が必須であり、それ
にはLSIパッケージの小型化が最も有効である。
等の大規模システムにおいては、多数のLSIチップを
組合せて一つのシステムが構成されるので、LSIチッ
プ相互の信号伝播にもますます高速化が必要となってき
ている。このLSIチップ相互の信号伝播の高速化には
隣接するLSIチップ間距離の短縮が必須であり、それ
にはLSIパッケージの小型化が最も有効である。
【0005】小型かつ軽量なLSIパッケージとして
は、TAB(Tape Automated Bond
ing)と呼ばれるテープキャリア方式やLSIチップ
をそのまま実装する方式としてフリップチップがある。
は、TAB(Tape Automated Bond
ing)と呼ばれるテープキャリア方式やLSIチップ
をそのまま実装する方式としてフリップチップがある。
【0006】テープキャリア方式については、特開平4
−252054号公報に詳述されている。また、フリッ
プチップについては、「Microelectroni
csPackaging Handbook : 6.
3 CONTROLLEDCOLLAPSE CHIP
CONNECTION(C4)」(VAN NOST
RAND REINHOLD刊,1989,P.366
〜373)に詳述されている。
−252054号公報に詳述されている。また、フリッ
プチップについては、「Microelectroni
csPackaging Handbook : 6.
3 CONTROLLEDCOLLAPSE CHIP
CONNECTION(C4)」(VAN NOST
RAND REINHOLD刊,1989,P.366
〜373)に詳述されている。
【0007】最近ではTABやフリップチップが有する
種々の欠点を解決し、しかも極小のLSIパッケージと
してチップサイズパッケージが種々提案され、実用に供
されようとしている。
種々の欠点を解決し、しかも極小のLSIパッケージと
してチップサイズパッケージが種々提案され、実用に供
されようとしている。
【0008】現在までに提案されているチップサイズパ
ッケージについては、「チップサイスパッケージ」(若
林信一・小山鉄也著,SHM会誌第11巻第5号,19
95.9.1,P.3〜8)や「CSPの技術開発動
向」(方慶一郎・松田修一著,SHM会誌第11巻第5
号,1995.9.1,P.9〜13)に夫々解説され
ている。
ッケージについては、「チップサイスパッケージ」(若
林信一・小山鉄也著,SHM会誌第11巻第5号,19
95.9.1,P.3〜8)や「CSPの技術開発動
向」(方慶一郎・松田修一著,SHM会誌第11巻第5
号,1995.9.1,P.9〜13)に夫々解説され
ている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のLSI
パッケージでは、TABで小型化及び軽量化を図る場
合、図10に示すように、LSIチップ5から放射状に
TABリード61が外に向かって延びており、テープ6
の外周でLSIチップ5を搭載する配線基板(図示せ
ず)に接続されるため、パッケージ外形寸法が必然的に
LSIチップよりかなり大きくなる。尚、図10におい
て、62はテスト用パッドである。
パッケージでは、TABで小型化及び軽量化を図る場
合、図10に示すように、LSIチップ5から放射状に
TABリード61が外に向かって延びており、テープ6
の外周でLSIチップ5を搭載する配線基板(図示せ
ず)に接続されるため、パッケージ外形寸法が必然的に
LSIチップよりかなり大きくなる。尚、図10におい
て、62はテスト用パッドである。
【0010】一方、フリップチップで小型化及び軽量化
を図る場合、図11に示すように、LSIチップ7の下
面に配設されたI/O(入出力)バンプ71で配線基板
8に接続されるので、LSIチップ7そのものの面積が
配線基板8に占めるだけであるが、LSIチップ7が剥
き出しとなるためにLSIチップ7の保護等の信頼性の
確保が困難である。
を図る場合、図11に示すように、LSIチップ7の下
面に配設されたI/O(入出力)バンプ71で配線基板
8に接続されるので、LSIチップ7そのものの面積が
配線基板8に占めるだけであるが、LSIチップ7が剥
き出しとなるためにLSIチップ7の保護等の信頼性の
確保が困難である。
【0011】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、小型かつ軽量でしかもLSIチップを外部環境か
ら保護し得る構造とすることができ、安価でかつLSI
チップとほぼ同等の極小寸法のチップサイズパッケージ
を提供することにある。
消し、小型かつ軽量でしかもLSIチップを外部環境か
ら保護し得る構造とすることができ、安価でかつLSI
チップとほぼ同等の極小寸法のチップサイズパッケージ
を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明によるチップサイ
ズパッケージは、周縁部に入出力端子を有する半導体集
積回路チップと、外形寸法が前記半導体集積回路チップ
より小さくかつ下面周縁部に設けられた複数の金属端子
と上面に格子状に配設された複数の金属バンプとを含む
小型基板と、前記半導体集積回路チップの周縁部に設け
られた前記入出力端子に電気的に接続される第1の端子
及び前記小型基板に設けられた前記金属端子に電気的に
接続される第2の端子が各々配置された複数のリード配
線を含むテープ部材とを備え、前記半導体集積回路チッ
プの上面と前記小型基板の下面とを前記テープ部材を介
して互いに対向するように配置しかつ前記半導体集積回
路チップと前記小型基板とを前記テープ部材を介して電
気的に接続するよう構成している。
ズパッケージは、周縁部に入出力端子を有する半導体集
積回路チップと、外形寸法が前記半導体集積回路チップ
より小さくかつ下面周縁部に設けられた複数の金属端子
と上面に格子状に配設された複数の金属バンプとを含む
小型基板と、前記半導体集積回路チップの周縁部に設け
られた前記入出力端子に電気的に接続される第1の端子
及び前記小型基板に設けられた前記金属端子に電気的に
接続される第2の端子が各々配置された複数のリード配
線を含むテープ部材とを備え、前記半導体集積回路チッ
プの上面と前記小型基板の下面とを前記テープ部材を介
して互いに対向するように配置しかつ前記半導体集積回
路チップと前記小型基板とを前記テープ部材を介して電
気的に接続するよう構成している。
【0013】すなわち、上記の如く、周縁部に入出力端
子を有する半導体集積回路チップと、この半導体集積回
路チップよりやや小さい外形寸法で一方の表面(上面)
の周縁部に複数の金属端子を有し他方の表面(下面)の
大半の領域にわたり1.0mm以下の間隔の格子点に配
列された金属バンプとを有する小型基板とにおいて、半
導体集積回路チップの周縁部に設けた入出力端子と小型
基板に設けた金属端子とをTABテープを用いて電気的
に接続することで、半導体集積回路チップとほぼ同じ大
きさながら、従来の半導体集積回路パッケージと同様の
耐候性と耐衝撃性とを備えた半導体集積回路パッケージ
を実現している。
子を有する半導体集積回路チップと、この半導体集積回
路チップよりやや小さい外形寸法で一方の表面(上面)
の周縁部に複数の金属端子を有し他方の表面(下面)の
大半の領域にわたり1.0mm以下の間隔の格子点に配
列された金属バンプとを有する小型基板とにおいて、半
導体集積回路チップの周縁部に設けた入出力端子と小型
基板に設けた金属端子とをTABテープを用いて電気的
に接続することで、半導体集積回路チップとほぼ同じ大
きさながら、従来の半導体集積回路パッケージと同様の
耐候性と耐衝撃性とを備えた半導体集積回路パッケージ
を実現している。
【0014】また、半導体集積回路チップの外形より小
さい接続端子面を持つ小型基板を取付けることで、この
半導体集積回路チップと配線基板との接続領域が極小に
抑えられるので、半導体集積回路チップと外部回路との
接続配線長が最短になり、信号配線経路の短縮すなわち
信号伝播の高速化に対応することができる。
さい接続端子面を持つ小型基板を取付けることで、この
半導体集積回路チップと配線基板との接続領域が極小に
抑えられるので、半導体集積回路チップと外部回路との
接続配線長が最短になり、信号配線経路の短縮すなわち
信号伝播の高速化に対応することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施例について
図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施例の斜
視図であり、図2は図1のAA線に沿う矢視方向の断面
図である。これらの図において、小型基板1の下面に配
設された金属端子11は熱圧着ボンディングによってT
ABテープ2の内周部の端子24に固着され、TABテ
ープ2のリード21に電気的に接続されている。また、
金属端子11はスルーホール13及び内部配線14を介
して小型基板1の上面に配設されたバンプ12に接続さ
れている。
図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施例の斜
視図であり、図2は図1のAA線に沿う矢視方向の断面
図である。これらの図において、小型基板1の下面に配
設された金属端子11は熱圧着ボンディングによってT
ABテープ2の内周部の端子24に固着され、TABテ
ープ2のリード21に電気的に接続されている。また、
金属端子11はスルーホール13及び内部配線14を介
して小型基板1の上面に配設されたバンプ12に接続さ
れている。
【0016】一方、LSIチップ3の周縁部に設けられ
た端子31はTABテープ2の中間点の端子22にボン
ディング接続され、TABテープ2のリード21を介し
て小型基板1の金属端子11に電気的に接続されてい
る。TABテープ2のリード21には外周端子22が設
けられている。
た端子31はTABテープ2の中間点の端子22にボン
ディング接続され、TABテープ2のリード21を介し
て小型基板1の金属端子11に電気的に接続されてい
る。TABテープ2のリード21には外周端子22が設
けられている。
【0017】図3(a)は図1の小型基板1を上面から
見た斜視図であり、図3(b)は図1の小型基板1を下
面から見た斜視図である。これらの図において、小型基
板1は金属端子11の列が上面の周縁部に配設し、バン
プ12が下面の格子点に配列されている。この小型基板
1の上面の金属端子11及び下面に設けられたバンプ1
2は小型基板1内部に設けられたスルーホール13及び
内部配線14によって相互に接続されている。
見た斜視図であり、図3(b)は図1の小型基板1を下
面から見た斜視図である。これらの図において、小型基
板1は金属端子11の列が上面の周縁部に配設し、バン
プ12が下面の格子点に配列されている。この小型基板
1の上面の金属端子11及び下面に設けられたバンプ1
2は小型基板1内部に設けられたスルーホール13及び
内部配線14によって相互に接続されている。
【0018】図4は図1のTABテープ2の斜視図であ
り、図5は図1の小型基板1とTABテープ2との接続
状態を示す斜視図である。これらの図において、TAB
テープ2には複数のリード21が小型基板10を取付け
るために設けられたデバイスホール25の周縁に沿って
配置されており、このリード21各々には外周端子22
と中間点の端子23と内周部の端子24とが設けられて
いる。
り、図5は図1の小型基板1とTABテープ2との接続
状態を示す斜視図である。これらの図において、TAB
テープ2には複数のリード21が小型基板10を取付け
るために設けられたデバイスホール25の周縁に沿って
配置されており、このリード21各々には外周端子22
と中間点の端子23と内周部の端子24とが設けられて
いる。
【0019】内周部の端子24は小型基板1の金属端子
11に対応するピッチ及び寸法で形成されている。した
がって、このTABテープ2の内周部の端子24と小型
基板1の金属端子11とは熱圧着ボンディングによって
固着され、図5に示すように、あたかも中央部の各格子
点に配置されたバンプ12を有するTABテープ2とし
て機能する。
11に対応するピッチ及び寸法で形成されている。した
がって、このTABテープ2の内周部の端子24と小型
基板1の金属端子11とは熱圧着ボンディングによって
固着され、図5に示すように、あたかも中央部の各格子
点に配置されたバンプ12を有するTABテープ2とし
て機能する。
【0020】図6は図1のLSIチップ3を小型基板1
が接続されたTABテープ2に接続する状態を示す図で
ある。図において、LSIチップ3の周縁部に設けられ
た端子31は、上記の様にして出来上った小型基板1が
接続されたTABテープ2の中間点の端子22にボンデ
ィング接続される。この図6において、TABテープ2
及び小型基板1は図5に示した状態から裏返しにした状
態を示している。
が接続されたTABテープ2に接続する状態を示す図で
ある。図において、LSIチップ3の周縁部に設けられ
た端子31は、上記の様にして出来上った小型基板1が
接続されたTABテープ2の中間点の端子22にボンデ
ィング接続される。この図6において、TABテープ2
及び小型基板1は図5に示した状態から裏返しにした状
態を示している。
【0021】このようにして、LSIチップ3にはその
中央部に小型基板1を介して格子点に配列されたバンプ
12が設けられるとともに、その周囲にはTABテープ
2を介して外周端子22が接続される。
中央部に小型基板1を介して格子点に配列されたバンプ
12が設けられるとともに、その周囲にはTABテープ
2を介して外周端子22が接続される。
【0022】すなわち、LSIチップ3の端子31に接
続されたTABテープ2の中間点の端子23からLSI
チップ3の外側方向に延びているリード21の先端には
外周端子22があり、この外周端子22を検査端子とし
て使用することで、LSIチップ3の電気的特性を検査
することができる。
続されたTABテープ2の中間点の端子23からLSI
チップ3の外側方向に延びているリード21の先端には
外周端子22があり、この外周端子22を検査端子とし
て使用することで、LSIチップ3の電気的特性を検査
することができる。
【0023】図7は図1の小型基板1及びLSIチップ
3をTABテープ2から切り離した状態を示す斜視図で
あり、図8は図1の小型基板1及びLSIチップ3をT
ABテープ2から切り離した状態を示す断面図である。
これらの図においては外周端子22を用いて図2のC点
での電気検査によりLSIチップ3の電気的特性や小型
基板1とLSIチップ3との接続構造に異常がないこと
を確認した後、図2のB点に示す位置でTABテープ2
のリード21を切断した状態を示している。
3をTABテープ2から切り離した状態を示す斜視図で
あり、図8は図1の小型基板1及びLSIチップ3をT
ABテープ2から切り離した状態を示す断面図である。
これらの図においては外周端子22を用いて図2のC点
での電気検査によりLSIチップ3の電気的特性や小型
基板1とLSIチップ3との接続構造に異常がないこと
を確認した後、図2のB点に示す位置でTABテープ2
のリード21を切断した状態を示している。
【0024】LSIチップ3の周縁部に設けられた端子
31はTABテープ2のリード21を介して小型基板1
の金属端子11に接続されている。そして、この金属端
子11は小型基板1の内部配線14とスルーホール13
とを介してバンプ12に接続されている。最後に、LS
Iチップ3の回路面(上面)と小型基板1の下面との隙
間にエポキシ等の樹脂32を充填することで、チップサ
イズパッケージが完成する。
31はTABテープ2のリード21を介して小型基板1
の金属端子11に接続されている。そして、この金属端
子11は小型基板1の内部配線14とスルーホール13
とを介してバンプ12に接続されている。最後に、LS
Iチップ3の回路面(上面)と小型基板1の下面との隙
間にエポキシ等の樹脂32を充填することで、チップサ
イズパッケージが完成する。
【0025】図9は本発明の一実施例によるチップサイ
ズパッケージを配線基板に搭載した状態を示す断面図で
ある。図において、上記のようにして完成したチップサ
イズパッケージの小型基板1上面に配設されたバンプ1
2を配線基板4の金属端子41に半田付けすることで、
チップサイズパッケージが配線基板4上に搭載される。
ズパッケージを配線基板に搭載した状態を示す断面図で
ある。図において、上記のようにして完成したチップサ
イズパッケージの小型基板1上面に配設されたバンプ1
2を配線基板4の金属端子41に半田付けすることで、
チップサイズパッケージが配線基板4上に搭載される。
【0026】このように、LSIチップ3の周縁部に狭
いピッチで一次元配列されている端子31をTABテー
プ2の中間点の端子23と、リード21と、内周部の端
子24と、小型基板1の金属端子11と、内部配線14
と、スルーホール13とを介してバンプ12に接続する
ことで、LSIチップ3の中央部の領域全体にわたって
バンプ12が格子点に二次元配列され、より広いピッチ
のバンプ12として再配列されることとなるので、LS
Iチップ3を配線基板4に搭載する時に、従来よりも容
易に半田付け等の接続を行うことができるようになる。
いピッチで一次元配列されている端子31をTABテー
プ2の中間点の端子23と、リード21と、内周部の端
子24と、小型基板1の金属端子11と、内部配線14
と、スルーホール13とを介してバンプ12に接続する
ことで、LSIチップ3の中央部の領域全体にわたって
バンプ12が格子点に二次元配列され、より広いピッチ
のバンプ12として再配列されることとなるので、LS
Iチップ3を配線基板4に搭載する時に、従来よりも容
易に半田付け等の接続を行うことができるようになる。
【0027】また、LSIチップ3の回路面と小型基板
1の下面との隙間に樹脂32を充填することで、樹脂3
2によってLSIチップ3の回路面が保護されるので、
フリップチップ等の他のべアチップ実装法と比較してよ
りチップ実装時の取扱いが容易になる。
1の下面との隙間に樹脂32を充填することで、樹脂3
2によってLSIチップ3の回路面が保護されるので、
フリップチップ等の他のべアチップ実装法と比較してよ
りチップ実装時の取扱いが容易になる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、周
縁部に入出力端子を有する半導体集積回路チップの上面
と外形寸法が前記半導体集積回路チップより小さくかつ
下面周縁部に設けられた複数の金属端子と上面に格子状
に配設された複数の金属バンプとを含む小型基板の下面
とを、半導体集積回路チップの周縁部に設けられた入出
力端子に電気的に接続される第1の端子及び小型基板に
設けられた金属端子に電気的に接続される第2の端子が
各々配置された複数のリード配線を含むテープ部材を介
して電気的に接続するよう構成することによって、小型
かつ軽量でしかもLSIチップを外部環境から保護し得
る構造とすることができ、安価でかつLSIチップとほ
ぼ同等の極小寸法のチップサイズパッケージを提供する
ことができるという効果がある。
縁部に入出力端子を有する半導体集積回路チップの上面
と外形寸法が前記半導体集積回路チップより小さくかつ
下面周縁部に設けられた複数の金属端子と上面に格子状
に配設された複数の金属バンプとを含む小型基板の下面
とを、半導体集積回路チップの周縁部に設けられた入出
力端子に電気的に接続される第1の端子及び小型基板に
設けられた金属端子に電気的に接続される第2の端子が
各々配置された複数のリード配線を含むテープ部材を介
して電気的に接続するよう構成することによって、小型
かつ軽量でしかもLSIチップを外部環境から保護し得
る構造とすることができ、安価でかつLSIチップとほ
ぼ同等の極小寸法のチップサイズパッケージを提供する
ことができるという効果がある。
【図1】本発明の一実施例の斜視図である。
【図2】図1のAA線に沿う矢視方向の断面図である。
【図3】(a)は図1の小型基板を上面から見た斜視
図、(b)は図1の小型基板を下面から見た斜視図であ
る。
図、(b)は図1の小型基板を下面から見た斜視図であ
る。
【図4】図1のTABテープの斜視図である。
【図5】図1の小型基板とTABテープとの接続状態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図6】図1のLSIチップを小型基板が接続されたT
ABテープに接続する状態を示す図である。
ABテープに接続する状態を示す図である。
【図7】図1の小型基板及びLSIチップをTABテー
プから切り離した状態を示す斜視図である。
プから切り離した状態を示す斜視図である。
【図8】図1の小型基板及びLSIチップをTABテー
プから切り離した状態を示す断面図である。
プから切り離した状態を示す断面図である。
【図9】本発明の一実施例によるチップサイズパッケー
ジを配線基板に搭載した状態を示す断面図である。
ジを配線基板に搭載した状態を示す断面図である。
【図10】(a)は従来のTABテープにLSIチップ
を搭載した状態を示す図、(b)は従来のLSIチップ
をTABテープから切り離した状態を示す図である。
を搭載した状態を示す図、(b)は従来のLSIチップ
をTABテープから切り離した状態を示す図である。
【図11】(a)は従来のフリップチップのLSIチッ
プの斜視図、(b)は従来のLSIチップを配線基板に
搭載した状態を示す図である。
プの斜視図、(b)は従来のLSIチップを配線基板に
搭載した状態を示す図である。
1 小型基板 2 TABテープ 3 LSIチップ 4 配線基板 11 金属端子 12 バンプ 13 スルーホール 14 内部配線 21 TABリード 22 外周端子 23 中間点の端子 24 内周部の端子 25 デバイスホール 31 端子 32 樹脂 41 金属端子
Claims (6)
- 【請求項1】 周縁部に入出力端子を有する半導体集積
回路チップと、外形寸法が前記半導体集積回路チップよ
り小さくかつ下面周縁部に設けられた複数の金属端子と
上面に格子状に配設された複数の金属バンプとを含む小
型基板と、前記半導体集積回路チップの周縁部に設けら
れた前記入出力端子に電気的に接続される第1の端子及
び前記小型基板に設けられた前記金属端子に電気的に接
続される第2の端子が各々配置された複数のリード配線
を含むテープ部材とを有し、前記半導体集積回路チップ
の上面と前記小型基板の下面とを前記テープ部材を介し
て互いに対向するように配置しかつ前記半導体集積回路
チップと前記小型基板とを前記テープ部材を介して電気
的に接続するよう構成したことを特徴とするチップサイ
ズパッケージ。 - 【請求項2】 前記テープ部材は、前記第2の端子が前
記第1の端子よりも内側に配設された前記複数のリード
配線各々において前記第1の端子よりも外側に配設され
かつ前記半導体集積回路チップ及び前記小型基板の少な
くとも一方の電気的検査に用いられる第3の端子を含む
ことを特徴とする請求項1記載のチップサイズパッケー
ジ。 - 【請求項3】 前記テープ部材は、前記第2の端子を前
記小型基板の前記金属端子に電気的に接続しかつ前記第
1の端子を前記半導体集積回路チップの前記入出力端子
に電気的に接続した後に前記第3の端子を用いて前記半
導体集積回路チップ及び前記小型基板の少なくとも一方
の電気的検査を行ってから前記複数のリード配線各々の
前記第1の端子と前記第3の端子との間を切断するよう
にしたことを特徴とする請求項2記載のチップサイズパ
ッケージ。 - 【請求項4】 前記半導体集積回路チップの上面と前記
小型基板の下面との間隙に充填される樹脂材を含むこと
を特徴とする請求項1から請求項3のいずれか記載のチ
ップサイズパッケージ。 - 【請求項5】 前記テープ部材は、開口寸法が前記半導
体集積回路チップの外形寸法よりも大きくかつその内部
に前記複数のリード配線各々の前記第1及び第2の端子
が配置される開口部と、前記複数のリード配線及び前記
第3の端子が前記開口部の周縁に沿って配置されるテー
プ部とからなることを特徴とする請求項2から請求項4
のいずれか記載のチップサイズパッケージ。 - 【請求項6】 前記小型基板は、前記金属端子を対応す
る前記金属バンプに電気的に接続する内部配線及びスル
ーホールを含むことを特徴とする請求項1から請求項5
のいずれか記載のチップサイズパッケージ。
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