JP2000200977A - ハイブリッドモジュ―ル - Google Patents

ハイブリッドモジュ―ル

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JP2000200977A JP11262727A JP26272799A JP2000200977A JP 2000200977 A JP2000200977 A JP 2000200977A JP 11262727 A JP11262727 A JP 11262727A JP 26272799 A JP26272799 A JP 26272799A JP 2000200977 A JP2000200977 A JP 2000200977A
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circuit
electrode
heat
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Michio Muraida
道夫 村井田
Koichi Iguchi
巧一 井口
Kazutaka Suzuki
一高 鈴木
Naoto Narita
直人 成田
Hisashi Omotani
寿士 重谷
Noriyoshi Fujii
知徳 藤井
Kazuo Inaba
一夫 稲葉
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 放熱性及び信頼性が高く高密度実装が可能な
ハイブリッドモジュールを提供する。 【解決手段】 回路基板１１を複数の絶縁体層１４及び
電極層１５からなる多層プリント基板により形成し、回
路基板１１の主面１６に電極層１５の放熱電極１５ａが
露出する凹部１７を形成し、凹部１７の底面に露出する
放熱電極１５ａに回路部品１３を接着するとともに、回
路基板１１の側面に放熱電極１５ａと接合する外部電極
２３を形成してハイブリッドモジュール１０を構成し
た。これにより、回路部品１３に発生する熱は、回路基
板１１の絶縁体層１４を介することなく放熱電極１５ａ
及び外部電極２３から放熱されるので放熱性に優れたも
のとなる。また、回路部品１３に親回路基板からの応力
が加わらないので信頼性が向上したものとなる。さら
に、回路部品１３を回路基板１１に形成した凹部１７に
実装したので、実装密度が向上したものとなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路パターンが形
成された回路基板に、積層コンデンサや積層インダクタ
等のチップ部品や、半導体部品等の回路部品を実装して
電子回路を形成するハイブリッドモジュールに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のハイブリッドモジュール
としては、図１６に示すようなものが知られている。図
１６は、従来のハイブリッドモジュールを示す側面断面
図である。
【０００３】このハイブリッドモジュール１００は、回
路基板１０１上にチップ状電子部品１０２及び発熱性を
有する半導体素子等の回路部品１０３を実装している。
【０００４】回路基板１０１は、熱伝導性が良好な窒化
アルミニウム系のセラミックからなる。チップ状電子部
品１０２は、回路基板１０１上に形成された回路パター
ン１０６に半田付けされている。回路部品１０３は、半
田バンプ１０３ａを介して回路パターン１０６上に接合
している。ここで、チップ状電子部品１０２は、例えば
積層コンデンサ等の受動部品である。また、回路部品１
０３は、例えばＦＥＴ等の能動部品である。
【０００５】回路基板１０１の側面には、親回路基板２
００と接続するための端子電極１０１ａが形成されてい
る。この端子電極１０１ａは、親回路基板２００に形成
された回路パターン２０１に半田付けされている。ま
た、回路基板１０１の親回路基板２００と対向する主面
１０１ｂは、親回路基板２００に形成された導体膜２０
２を介して接合している。この導体膜２０２は、ハイブ
リッドモジュール１００の熱を親回路基板２００に効率
的に伝導するためのものであり、熱伝導性の良好な部材
からなる。
【０００６】このような構成により、このハイブリッド
モジュール１００では、回路基板１０１に実装された回
路部品１０３から発生する熱が、回路基板１０１及び導
体膜２０２を介して、親回路基板２００或いはグランド
などの広いエリアを有する導体膜に放熱される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このハ
イブリッドモジュール１００では、回路部品１０３に発
生する熱は、回路部品１０３の半田バンプ１０３ａを介
して回路基板１０１に伝導する。そして、該熱は、回路
基板１０１及び導体膜２０２を介して親回路基板に伝導
する。このため、熱伝導が効率的でないという問題があ
った。また、熱伝導率を高めるために用いられる窒化ア
ルミニウム系セラミックは、一般的なアルミナ系の基板
材料に比べて高価であり、経済性に欠けるという問題が
あった。さらに、全ての部品を回路基板１０１の片面上
に実装するので、高密度化が困難であるという問題もあ
った。
【０００８】このような問題を解決するために、図１７
に示すようなハイブリッドモジュールが提案されてい
る。図１７は従来の他のハイブリッドモジュールを示す
側面断面図である。
【０００９】このハイブリッドモジュール１１０では、
回路基板１０１の底面側に凹部１１１を形成するととも
に、この凹部１１１に回路部品１０３を実装している。
具体的には、この凹部１１１は、底面に回路パターン１
０６が露出するよう回路基板１０１の底面に形成され
る。回路部品１０３は、半田バンプ１０３ａを介して凹
部１１１の回路パターン１０６に実装されている。回路
部品１０３の表面側には放熱板１１２が接着されてい
る。凹部１１１には回路部品１０３を封止する封止用樹
脂１１３が充填されている。
【００１０】このような構成により、回路部品１０３か
ら発生する熱は、放熱板１１２に伝導し、この放熱板１
１２を介して親回路基板に放熱される。これにより、高
い放熱効率を得ることができる。また、回路基板１０１
の両面に部品を配置できるので、高密度化を実現でき
る。
【００１１】しかしながら、このハイブリッドモジュー
ル１１０では、回路部品１０３の一面側は回路基板１０
１に実装されるとともに、他面側は放熱板１１２に接着
している。このため、ハイブリッドモジュール１１０の
実装時に発生する応力が回路部品１０３に集中する。こ
れによりハイブリッドモジュール１１０の信頼性を維持
するのが困難であるという問題があった。また、回路基
板１０１への回路部品１０３への実装はフェイスダウン
で搭載するフリップチップ方式等を用いるため、実装コ
ストが高いものとなる。また、同じ理由により、回路部
品１０３の接続部を直視できないので製造歩留まりが低
下するという問題もある。
【００１２】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、放熱性及び信頼性が
高く高密度実装が可能なハイブリッドモジュールを提供
することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１では、凹部が形成された回路基板と、該回
路基板の凹部内に実装された発熱性を有する回路部品と
を備え、回路基板の前記凹部が形成された側を親回路基
板に対向させて実装されるハイブリッドモジュールにお
いて、前記回路基板は、導体層を有する多層基板からな
るとともに、前記導体層が前記凹部の底面に露出し、前
記回路部品は、凹部の底面に露出する前記導体層に接着
されていることを特徴とするものを提案する。
【００１４】本発明によれば、回路基板は多層構造の基
板により形成され、また、回路部品は回路基板に形成し
た凹部に実装されるので、実装密度が向上する。また、
回路部品は回路基板の凹部に露出する導体層に接着され
ているので、回路部品から発生した熱は導体層に伝導す
る。したがって、回路部品から発生する熱を効率的に放
熱することができる。さらに、回路部品は片面側のみが
導体層に接着されているので、回路部品に親回路基板か
らの応力が加わることがない。
【００１５】また、請求項２では、請求項１記載のハイ
ブリッドモジュールにおいて、回路基板の側面に形成さ
れた外部電極を備えるとともに、前記回路部品が接着す
る導体層は、回路基板の側面において前記外部電極と接
続していることを特徴とするものを提案する。
【００１６】本発明によれば、回路部品から導体層に伝
導した熱が外部電極を介して親回路基板側又は空気中に
放出される。したがって、回路部品から発生する熱を効
率的に放熱することができる。
【００１７】さらに、請求項３では、請求項１記載のハ
イブリッドモジュールにおいて、回路基板を被装するケ
ースを備えるとともに、前記回路部品が接着する導体層
は、回路基板の側面において前記ケースと接続している
ことを特徴とするものを提案する。
【００１８】本発明によれば、回路部品から導体層に伝
導した熱がケースを介して空気中に放出される。したが
って、回路部品から発生する熱を、効率的に放熱するこ
とができる。
【００１９】さらに、請求項４では、請求項１記載のハ
イブリッドモジュールにおいて、回路基板の前記凹部が
形成された面には放熱用導体が形成されているととも
に、該放熱用導体は前記回路部品が接着する導体層と接
続していることを特徴とするものを提案する。
【００２０】本発明によれば、回路部品から導体層に伝
導した熱が、回路基板の凹部形成面に形成された放熱用
導体に伝導する。この放熱用導体は、実装時に親回路基
板に接するので、回路部品から発生する熱を効率的に放
熱することができる。
【００２１】さらに、請求項５では、請求項４記載のハ
イブリッドモジュールにおいて、前記導体層と放熱用導
体は、凹部が形成された面から凹部の内壁面に亘り形成
されていることを特徴とするものを提案する。
【００２２】本発明によれば、放熱用導体が凹部の内壁
面にも形成されているので、回路部品から発生する熱が
凹部内をとおって直接放熱用導体に伝導する。したがっ
て、さらに放熱性が向上する。
【００２３】さらに、請求項６では、請求項４記載のハ
イブリッドモジュールにおいて、前記導体層と放熱用導
体は、回路基板内に形成されたビアホールにより接続さ
れていることを特徴とするものを提案する。
【００２４】本発明によれば、前記導体層から放熱用導
体への放熱経路が回路基板内に埋設されるので、高密度
化が容易となる。
【００２５】さらに、請求項７では、請求項４記載のハ
イブリッドモジュールにおいて、回路基板の側面に形成
された外部電極を備えるとともに、前記回路部品が接着
する導体層は、回路基板の側面において前記外部電極と
接続し、前記放熱用導体は外部電極と接続していること
を特徴とするものを提案する。
【００２６】本発明によれば、回路部品から導体層に伝
導した熱が外部電極を介して親回路基板側又は空気中に
放出されるとともに、放熱用導体を介して親回路基板に
伝導する。したがって、回路部品から発生する熱を効率
的に放熱することができる。
【００２７】さらに、請求項８では、請求項１乃至７何
れか１項記載のハイブリッドモジュールにおいて、前記
回路部品が接着する導体層は、多層基板における他の導
体層より厚く形成されていることを特徴とするものを提
案する。
【００２８】本発明によれば、前記回路部品が接着する
導体層は、多層基板の他の導体層より厚く形成されてい
るので、回路部品に発生する熱を高い熱伝導率で伝導さ
せることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）本発明の第
１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュールについ
て図１〜図４を参照して説明する。図１は第１の実施の
形態にかかるハイブリッドモジュールを主面側からみた
外観斜視図、図２は封止樹脂を取り除いた第１の実施の
形態にかかるハイブリッドモジュールの主面側の平面
図、図３は図２のＡ−Ａ’線についての断面図、図４は
図２のＢ−Ｂ’線についての断面図である。
【００３０】このハイブリッドモジュール１０は、親回
路基板（図示省略）に実装されて使用されるものであ
る。このハイブリッドモジュール１０は、回路パターン
が形成された回路基板１１と、回路基板１１に実装され
た複数のチップ状電子部品１２と、回路基板１１に実装
された発熱性を有する半導体素子等の回路部品１３とを
主たる構成要素とする。
【００３１】回路基板１１は、複数の絶縁体層１４と導
体層である電極層１５により形成された矩形の多層プリ
ント基板である。多層プリント基板としては、例えば、
絶縁体層１４がガラスエポキシ等のエポキシ系の材料か
らなり、電極層１５がＣｕ等からなるものである。
【００３２】回路基板１１の底面、すなわち、親回路基
板への実装時に親回路基板と対向する主面１６には、回
路部品１３を搭載するための凹部１７が形成されてい
る。この凹部１７の深さは、少なくとも回路部品１３が
収容できる大きさとなっている。
【００３３】前記回路基板１１の電極層１５は、主とし
て回路部品１３の放熱用である放熱電極１５ａと、主と
して回路部品１３やチップ状電子部品１２と接続して電
気回路を形成するための回路電極１５ｂとからなる。こ
こで、放熱電極１５ａは、熱伝導性を考慮して回路電極
１５ｂよりも層厚を大きく設定してある。具体的には、
放熱電極１５ａの層厚は３０μｍ〜１００μｍ以上が好
ましい。本実施の形態では５０μｍとした。また、回路
電極１５ｂの層厚は、１０μｍ程度とした。
【００３４】放熱電極１５ａは、回路基板１１の内部に
埋設されており、回路基板１１の一側面から該側面に対
向する側面に亘って横長矩形に形成されている。また、
放熱電極１５ａは、前記凹部１７の底面に露出してい
る。さらに、放熱電極１５ａには、凹部１７の底面にお
いて開口する接続口１８が形成されている。この接続口
１８の内側には、前記回路部品１３と接続するための接
続端子２５が形成されている。
【００３５】回路電極１５ｂは、回路基板１１の上面及
び内部において所定パターンに形成されている。この回
路電極１５ｂは、必要に応じてビアホール１９により相
互に接続されている。また、回路電極１５ｂは、ビアホ
ール１９を介して前記接続端子２５と接続している。
【００３６】回路部品１３は、凹部１７に露出する放熱
電極１５ａに接着されている。回路部品１３は、上面側
に複数の端子電極２０を備えており、背面側が放熱電極
１５ａに接着されている。回路部品１３と放熱電極１５
ａとの接着は、例えば導電性樹脂接着法や高温半田接着
法などが用いられる。この回路部品１３は、例えばＧａ
ＡｓＭＥＳ型ＦＥＴ等の発熱性を有するチップである。
回路部品１３の端子電極２０は、放熱電極１５ａの接続
口１８の内側に形成されている接続電極２５及び放熱電
極１５ａと、Ａｕ線やＡｌ線等の導電部材２１を用いて
電気的に接続している。この接続は、ワイヤボンディン
グ法が用いられる。ここで、回路部品１３の端子電極２
０と放熱電極１５ａとの接続は、放熱電極１５ａを放熱
用として用いるとともに電気回路のアースとしても用い
るためである。
【００３７】回路基板１１の凹部１７には、回路部品１
３を封止するための絶縁性樹脂２２が充填されている。
絶縁性樹脂２２は、高い熱伝導性を有するものが好まし
い。この絶縁性樹脂２２としては、例えばエポキシ系や
アクリル系のものが用いられる。
【００３８】回路基板１１の側面には、前記放熱電極１
５ａ又は回路電極１５ｂと接続する外部電極２３が形成
されている。この外部電極２３のうち前記放熱電極１５
ａと接続するものは、放熱効率を考慮して回路基板１１
の側面に幅広に形成されている。また、回路基板１１の
上面側の回路電極１５ｂには、チップ状電子部品１２が
半田付けされている。さらに、回路基板１１の上面側に
は、金属製のケース２４が被装されている。
【００３９】このようなハイブリッドモジュール１０に
よれば、回路基板１１は多層構造のプリント基板により
形成され、また、回路部品１３は回路基板１１の主面１
６に形成した凹部１７に実装されるので、実装密度が向
上する。
【００４０】また、回路部品１３は回路基板１１の凹部
１７に露出する放熱電極１５ａに接着されているので、
回路部品１３から発生した熱は放熱電極１５ａに効率的
に伝導する。さらに、放熱電極１５ａは回路基板１１側
面に形成された外部電極２３に接続しているので、回路
部品１３からの熱は放熱電極１５ａ及び外部電極２３を
介して親回路基板へ放熱される。
【００４１】このように、このハイブリッドモジュール
１０によれば、回路部品１３から発生する熱を、層厚が
厚く高い熱伝導特性を有する放熱電極１５ａを介して放
熱することができるので、放熱性に優れたものとなる。
【００４２】また、回路部品１３は片面側のみが放熱電
極１５ａに接着されているので、該回路部品１３に親回
路基板からの応力が加わることがない。したがって、該
応力による回路部品１３の破損を防止できるので、信頼
性が向上する。さらに、回路基板１１としてプリント基
板を使用しているので、任意の層を厚く形成でき、熱伝
導率の高い放熱電極１５ａを容易に形成することができ
る。
【００４３】さらに、ハイブリッドモジュール１０を構
成する電気回路において、放熱電極１５ａをアースとし
て用いているので、実装時に放熱電極１５ａと接続する
外部電極２３を親回路基板のアースに接続することで、
シールド効果が高く、電気的特性に優れたものとなる。
なお、ケース２４の端部を放熱用の外部電極２３に接続
すると、放熱性及び電気的特性がさらに向上する。
【００４４】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態にかかるハイブリッドモジュールについて
図５を参照して説明する。図５は第２の実施の形態にか
かるハイブリッドモジュールの断面図である。なお、図
中、第１の実施の形態と同一の部材・要素については同
一の符号を付した。
【００４５】このハイブリッドモジュール３０が第１の
実施の形態にかかるハイブリッドモジュール１０と相違
する主な点は、回路基板３１に形成した凹部を２段構造
とした点にある。以下、その内容を詳述する。
【００４６】この回路基板３１は、第１の実施の形態と
同様に、複数の絶縁体層３４と導体層である電極層３５
により形成された矩形の多層のプリント基板である。回
路基板３１の底面、すなわち、親回路基板への実装時に
親回路基板と対向する主面３６には、回路部品１３を搭
載するための凹部３７が形成されている。この凹部３７
は、第１の凹部３７ａの底面に第２の凹部３７ｂが形成
された２段構造となっている。第２の凹部３７ｂは、少
なくとも回路部品１３が収容できる大きさとなってい
る。
【００４７】回路基板３１の電極層３５は、主として回
路部品１３の放熱用である放熱電極３５ａと、主として
回路部品１３やチップ状電子部品１２と接続して電気回
路を形成するための回路電極３５ｂとからなる。ここ
で、放熱電極３５ａは、熱伝導性を考慮して回路電極３
５ｂよりも層厚を大きく設定してある。具体的には、放
熱電極３５ａの層厚は３０μｍ〜１００μｍ以上が好ま
しい。本実施の形態では５０μｍとした。また、回路電
極３５ｂの層厚は、１０μｍ程度とした。
【００４８】放熱電極３５ａは、回路基板３１の内部に
埋設されており、回路基板３１の一側面から該側面に対
向する側面に亘って横長矩形に形成されている。また、
放熱電極３５ａは、前記第２の凹部３７ｂの底面に露出
している。なお、この放熱電極３５ａには、第１の実施
の形態にかかる放熱電極１５ａと異なり、接続口１８は
形成されていない。
【００４９】回路電極３５ｂは、回路基板３１の上面及
び内部において所定パターンに形成されている。この回
路電極３５ｂは、必要に応じてビアホール１９により相
互に接続されている。また、回路電極３５ｂは、第１の
凹部３７ａの底面に露出している。
【００５０】回路部品１３は、第２の凹部３７ｂに露出
する放熱電極３５ａに接着されている。回路部品１３
は、上面側に複数の端子電極２０を備えており、背面側
が放熱電極３５ａに接着されている。回路部品１３と放
熱電極３５ａとの接着は、例えば導電性樹脂接着法や高
温半田接着法などが用いられる。この回路部品１３は、
例えばＧａＡｓＭＥＳ型ＦＥＴ等の発熱性を有するチッ
プである。回路部品１３の端子電極２０は、第１の凹部
３７ａの底面に露出している回路電極３５ｂ及び第２の
凹部３７ｂの底面に露出している放熱電極３５ａと、Ａ
ｕ線やＡｌ線等の導電部材２１を用いて電気的に接続し
ている。この接続は、ワイヤボンディング法が用いられ
る。ここで、回路部品１３の端子電極２０と放熱電極３
５ａとの接続は、放熱電極３５ａを放熱用として用いる
とともに電気回路のアースとして用いるためである。
【００５１】回路基板３１の凹部３６には、回路部品１
３を封止するための絶縁性樹脂２２が充填されている。
絶縁性樹脂２２は、高い熱伝導性を有するものが好まし
い。この絶縁性樹脂２２としては、例えばエポキシ系や
アクリル系のものが用いられる。
【００５２】回路基板３１の側面には、前記放熱電極３
５ａ又は回路電極３５ｂと接続する外部電極２３が形成
されている。この外部電極２３のうち前記放熱電極３５
ａと接続するものは、放熱効率を考慮して回路基板３１
の側面に幅広に形成されている。また、回路基板３１の
上面側の回路電極３５ｂにはチップ状電子部品１２が半
田付けされている。さらに、回路基板３１の上面側には
金属製のケース２４が被装されている。
【００５３】このようなハイブリッドモジュール３０に
よれば、第１の実施の形態のものと同様に、回路基板３
１は多層構造のプリント基板により形成され、また、回
路部品１３は回路基板３１の主面３６に形成した凹部３
７に実装されるので、実装密度が向上する。
【００５４】また、回路部品１３は回路基板３１の第２
の凹部３７ｂに露出する放熱電極３５ａに接着されてい
るので、回路部品１３から発生した熱は放熱電極３５ａ
に伝導する。さらに、放熱電極３５ａは回路基板３１の
側面に形成された外部電極２３に接続しているので、回
路部品１３からの熱は放熱電極３５ａ及び外部電極２３
を介して親回路基板へ放熱される。
【００５５】このように、このハイブリッドモジュール
３０によれば、回路部品１３から発生する熱を、層厚が
厚く高い熱伝導性を有する放熱電極３５ａを介して放熱
することができるので、放熱性に優れたものとなる。
【００５６】また、回路部品１３は片面側のみが放熱電
極３５ａに接着されているので、回路部品１３に親回路
基板からの応力が加わることがない。したがって、該応
力による回路部品１３の破損を防止できるので、信頼性
が向上する。さらに、回路基板３１としてプリント基板
を使用しているので、任意の層を厚く形成でき、熱伝導
率の高い放熱電極３５ａを容易に形成することができ
る。
【００５７】さらに、ハイブリッドモジュール３０を構
成する電気回路において、放熱電極３５ａをアースとし
て用いているので、実装時に放熱電極３５ａと接続する
外部電極２３を親回路基板のアースに接続することで、
シールド効果が高く、電気的特性に優れたものとなる。
【００５８】（第３の実施の形態）次に、本発明の第３
の実施の形態にかかるハイブリッドモジュールについて
図６及び図７を参照して説明する。図６は第３の実施の
形態にかかるハイブリッドモジュールを主面側からみた
外観斜視図、図７は第３の実施の形態にかかるハイブリ
ッドモジュールの断面図である。なお、図中、第１〜第
２の実施の形態と同一の部材・要素については同一の符
号を付した。
【００５９】このハイブリッドモジュール４０が第１の
実施の形態にかかるハイブリッドモジュール１０と相違
する点は、回路部品１３に生じた熱を外部電極２３を介
して親回路基板に放熱するのではなく、ケースを介して
空気中に放熱する点にある。
【００６０】すなわち、このハイブリッドモジュール４
０は、回路基板１１の側面において電極層１５の放熱電
極１５ｂとケース４１が接合している。ケース４１は、
一側面及びこれに対向する側面の下縁部が下方に張り出
した接合部４１ａを備えている。この接合部４１ａは、
回路基板１１の側面において放熱電極１５ｂと半田付け
により接合している。このケース４１の材料としては、
熱伝導率が高いものが好ましい。例えば、ＣｕやＡｌ等
の金属部材により形成される。本実施の形態ではＣｕ製
のケースを用いた。
【００６１】このようなハイブリッドモジュール４０に
よれば、第１の実施の形態のものと同様に、回路基板１
１は多層構造のプリント基板により形成され、また、回
路部品１３は回路基板１１の主面１６に形成した凹部１
７に実装されるので、実装密度が向上する。
【００６２】また、回路部品１３は回路基板１１の凹部
１７に露出する電極層１５の放熱電極１５ａに接着され
ているので、回路部品１３から発生した熱は放熱電極１
５ａに伝導する。さらに、放熱電極１５ａは回路基板１
１の側面においてケース４１と接合しているので、回路
部品１３からの熱は放熱電極１５ａ及びケース４１を介
して空気中へ放熱される。
【００６３】このように、このハイブリッドモジュール
４０によれば、回路部品１３から発生する熱を、層厚が
厚く高い熱伝導率を有する放熱電極１５ａにより放熱す
ることができるので、放熱性の向上したものとなる。
【００６４】また、回路部品１３は片面側のみが放熱電
極１５ａに接着されているので、回路部品１３に親回路
基板からの応力が加わることがない。したがって、該応
力による回路部品１３の破損を防止できるので、信頼性
の高いものとなる。さらに、回路基板１１としてプリン
ト基板を使用しているので、任意の層を厚く形成でき、
熱伝導率の高い放熱電極１５ａを容易に形成することが
できる。
【００６５】（第４の実施の形態）次に、本発明の第４
の実施の形態にかかるハイブリッドモジュールについて
図８〜図１１を参照して説明する。図８は第４の実施の
形態にかかるハイブリッドモジュールを主面側からみた
外観斜視図、図９は封止樹脂を取り除いた第４の実施の
形態にかかるハイブリッドモジュールの主面側の平面
図、図１０は図９のＣ−Ｃ’線についての断面図、図１
１は図９のＤ−Ｄ’線についての断面図である。なお、
図中、第１〜第３の実施の形態と同一の部材・要素につ
いては同一の符号を付した。
【００６６】このハイブリッドモジュール５０が第１の
実施の形態にかかるハイブリッドモジュール１０と相違
する主な点は、回路基板５１の主面５２に放熱用導体５
３を形成するとともに、この放熱用導体５３と回路基板
５１の放熱電極５４ａを接続したことにある。以下、そ
の内容を詳述する。
【００６７】この回路基板５１は、第１の実施の形態と
同様に、複数の絶縁体層５５と導体層である電極層５４
とにより形成された矩形の多層プリント基板である。回
路基板５１の底面、すなわち、親回路基板への実装時に
親回路基板と対向する主面５２には、回路部品１３を搭
載するための凹部５６が形成されている。凹部５６の底
面には、配線用の接続孔５７が形成されている。
【００６８】回路基板５１の電極層５４は、主として回
路部品１３の放熱用である放熱電極５４ａと、主として
回路部品１３やチップ状電子部品１２と接続して電気回
路を形成するための回路電極５４ｂとからなる。ここ
で、放熱電極５４ａは、熱伝導性を考慮して回路電極５
４ｂよりも層厚を大きく設定してある。具体的には、放
熱電極５４ａの層厚は３０μｍ〜１００μｍ以上が好ま
しい。本実施の形態では５０μｍとした。また、回路電
極５４ｂの層圧は、１０μｍ程度とした。
【００６９】放熱電極５４ａは、回路基板５１の内部に
埋設されており、回路基板５１の一側面から該側に対向
する側面に亘って横長矩形に形成されている。また、放
熱電極５４ａは、前記凹部５６の底面に露出している。
【００７０】回路電極５４ｂは、回路基板５１の上面及
び内部において所定パターンに形成されている。回路電
極５４ｂは、必要に応じてビアホール１９を介して相互
に接続している。また、回路電極５４ｂは、前記凹部５
６内に形成された接続孔５７の底面に露出している。
【００７１】回路部品１３は、前記凹部５６の底面に露
出する放熱電極５４ａに接着されている。回路部品１３
は、上面側に複数の端子電極２０を備えており、背面側
が放熱電極５４ａに接着されている。回路部品１３と放
熱電極３５ａとの接着は、例えば導電性樹脂接着法や高
温半田接着法などが用いられる。端子電極２０は、前記
接続孔５７の底面に露出している回路電極５４ｂ及び凹
部５６の底面に露出している放熱電極５４ａと、Ａｕ線
やＡｌ線等の導電部材２１を用いて電気的に接続してい
る。この接続は、ワイヤボンディング法が用いられる。
ここで、端子電極２０と放熱電極５４ａとの接続は、放
熱電極５４ａを放熱用として用いるとともに電気回路の
アースとして用いるためである。
【００７２】回路基板５１の凹部５６には、回路部品１
３を封止するための絶縁性樹脂２２が充填されている。
絶縁性樹脂２２は、高い熱伝導性を有するものが好まし
い。この絶縁性樹脂２２としては、例えばエポキシ系や
アクリル系のものが用いられる。
【００７３】回路基板５１の側面には、前記放熱電極５
４ａ又は回路電極５４ｂと接続する外部電極２３が形成
されている。この外部電極２３のうち前記放熱電極５４
ａと接続するものは、放熱効率を考慮して回路基板５１
の側面に幅広に形成されている。
【００７４】回路基板５１の主面５２には、前記凹部５
６を囲むように外形が矩形の放熱用導体５３が形成され
ている。この放熱用導体５３は、回路基板５１の縁部方
向に延びる張出部５３ａを備えている。この張出部５３
ａは、回路基板５１の側面に形成されている外部電極２
３と接続している。また、放熱用導体５３は、回路基板
５１に形成された放熱用ビアホール５８を介して放熱電
極５４ａと接続している。この放熱用ビアホール５８
は、放熱効率を向上させるために通常のビアホール１９
よりも径を大きく形成されている。
【００７５】回路基板５１の上面には、前記回路電極５
４ｂにチップ状電子部品１２が半田付けされている。さ
らに、回路基板５１の上面側には、金属製のケース２４
が被装されている。
【００７６】このようなハイブリッドモジュール５０に
よれば、第１の実施の形態のものと同様に、回路基板５
１は多層構造のプリント基板により形成され、また、回
路部品１３は回路基板５１の主面５２に形成した凹部５
６に実装されるので、実装密度が向上する。
【００７７】また、回路部品１３は回路基板５１の凹部
５６に露出する放熱電極５４ａに接着されているので、
回路部品１３から発生した熱は放熱電極５４ａに伝導す
る。さらに、放熱電極５４ａは回路基板５１の側面に形
成された外部電極２３に接続しているので、回路部品１
３からの熱は外部電極２３に伝導する。外部電極２３に
伝導した熱は、実装先の親回路基板に直接放熱されると
ともに、回路基板５１の主面５２に形成された放熱用導
体５３を介して親回路基板に放熱される。一方、放熱電
極５４ａに伝導した熱は、放熱用ビアホール５８を介し
て放熱用導体５３にも伝導し、該放熱用導体５３から親
回路基板に放熱される。
【００７８】このように、本実施の形態にかかるハイブ
リッドモジュール５０では、回路部品１３から発生する
熱を、層厚が厚く高い熱伝導性を有する放熱電極５４ａ
を介して放熱することができるので、放熱性に優れたも
のとなる。また、回路基板５１の主面５２には、放熱用
導体５３が形成されており、この放熱用導体５３は前記
放熱電極５４ａと外部電極２３及び放熱用ビアホール５
８を介して接続しているので、親回路基板への放熱を効
率的に行うことができる。その他の作用及び効果につい
ては第１の実施の形態と同様である。
【００７９】（第５の実施の形態）次に、本発明の第５
の実施の形態にかかるハイブリッドモジュールについて
図１２〜図１４を参照して説明する。図１２は封止樹脂
を取り除いた第５の実施の形態にかかるハイブリッドモ
ジュールの主面側の平面図、図１３は図１２のＥ−Ｅ’
線についての断面図、図１４は第５の実施の形態にかか
るハイブリッドモジュールの凹部の斜視図である。な
お、図中、第１〜第４の実施の形態と同一の部材・要素
については同一の符号を付した。
【００８０】このハイブリッドモジュール６０が第４の
実施の形態にかかるハイブリッドモジュール４０と相違
する主な点は、回路基板６１の主面６２に形成された第
１放熱用導体６３と放熱電極５４ａの接続手段、及び、
回路基板６１の主面６２に形成された凹部６６の構造に
ある。以下、その内容を詳述する。
【００８１】この回路基板６１は、第４の実施の形態と
同様に、複数の絶縁体層６５と導体層である電極層６４
とにより形成された矩形の多層プリント基板である。回
路基板６１の底面、すなわち、親回路基板への実装時に
親回路基板と対向する主面６２には、回路部品１３を搭
載するための凹部６６が形成されている。
【００８２】回路基板６１の凹部６６は、２段構造を有
している。すなわち、第１凹部６６ａの底面に該第１凹
部６６ａよりも開口面積の小さい第２凹部６６ｂを形成
した構造となっている。また、第１凹部６６ａの内壁面
には、第２放熱用導体６７が形成されている。この第２
放熱用導体６７は、図１４に示すように、第１凹部６６
ａの壁面に形成された溝６８に金属部材を充填して形成
されている。したがって、第２放熱用導体６７の厚みは
溝６８の深さと等しい。また、第１凹部６６ａの底面の
縁部（壁際）には、放熱用ビアホール６９が形成されて
いる。この放熱用ビアホール６９は、前記溝６８が形成
されている部位に設けられている。したがって、このビ
アホール６９は、第１凹部６６ａの底面縁部において前
記第２放熱用導体６７と接続している。
【００８３】回路基板６１の電極層６４は、主として回
路部品１３の放熱用である放熱電極６４ａと、主として
回路部品１３やチップ状電子部品１２と接続して電気回
路を形成するための回路電極６４ｂとからなる。ここ
で、放熱電極６４ａは、熱伝導性を考慮して回路電極６
４ｂよりも層厚を大きく設定してある。具体的には、放
熱電極６４ａの層厚は３０μｍ〜１００μｍ以上が好ま
しい。本実施の形態では５０μｍとした。また、回路電
極６４ｂの層圧は、１０μｍ程度とした。
【００８４】放熱電極６４ａは、回路基板６１の内部に
埋設されており、回路基板６１の一側面から該側面に対
向する側面に亘って横長矩形に形成されている。また、
放熱電極６４ａは、第２凹部６６ｂの底面に露出してい
る。さらに、この放熱電極６４ａは、前記ビアホール６
９を介して第１凹部６６ａ壁面に形成された前記第２放
熱用導体６７と接続している。
【００８５】回路電極６４ｂは、回路基板６１の上面及
び内部において所定パターンに形成されており、必要に
応じて電極間をビアホール１９により接続されている。
また、回路電極６４ｂは、第１凹部６６ａの底面に露出
している。
【００８６】回路部品１３は、第２凹部６６ｂの底面に
形成されている放熱電極６４ａに接着されている。回路
部品１３は、上面側に複数の端子電極２０を備えてお
り、背面側が放熱電極６４ａに接着されている。回路部
品１３と放熱電極６４ａとの接着は、例えば導電性樹脂
接着法や高温半田接着法などが用いられる。端子電極２
０は、第１凹部６６ａの底面に露出している回路電極６
４ｂ及び第２凹部６６ｂの底面に露出している放熱電極
６４ａと、Ａｕ線やＡｌ線等の導電部材２１を用いて電
気邸に接続している。この接続は、ワイヤボンディング
法が用いられる。ここで、端子電極２０と放熱電極６４
ａとの接続は、放熱電極６４ａを放熱用として用いると
ともに電気回路のアースとして用いるためである。
【００８７】回路基板６１の凹部６６には、回路部品１
３を封止するための絶縁性樹脂２２が充填されている。
絶縁性樹脂２２は、高い熱伝導性を有するものが好まし
い。この絶縁性樹脂２２としては、例えばエポキシ系や
アクリル系のものが用いられる。
【００８８】回路基板６１の側面には、前記放熱電極６
４ａ又は回路電極６４ｂと接続する外部電極２３が形成
されている。この外部電極２３のうち前記放熱電極６４
ａと接続するものは、放熱効率を考慮して回路基板６１
の側面にやや幅広に形成されている。
【００８９】回路基板６１の主面６２には、前記凹部６
６を囲むように外形が矩形の第１放熱用導体６３が形成
されている。この第１放熱用導体６３は、回路基板６１
の縁部方向に延びる張出部６３ａを備えている。この張
出部６３ａは、回路基板５１の側面に形成されている外
部電極２３と接続している。また、第１放熱用導体６３
は、凹部６６との境界部において前記第１凹部６６ａの
壁面に形成された第２放熱用導体６７と接続している。
【００９０】回路基板６１の上面には、前記回路電極６
４ｂにチップ状電子部品１２が半田付けされている。さ
らに、回路基板６１の上面側には、金属製のケース２４
が被装されている。
【００９１】このようなハイブリッドモジュール６０に
よれば、第１の実施の形態のものと同様に、回路基板６
１は多層構造のプリント基板により形成され、また、回
路部品１３は回路基板６１の主面６２に形成した凹部６
６に実装されるので、実装密度が向上する。
【００９２】また、回路部品１３は回路基板６１の第２
凹部６６ｂに露出する放熱電極６４ａに接着されている
ので、回路部品１３から発生した熱は放熱電極６４ａに
伝導する。さらに、放熱電極６４ａは回路基板６１の側
面に形成された外部電極２３に接続しているので、回路
部品１３からの熱は外部電極２３に伝導する。外部電極
２３に伝導した熱は、実装先の親回路基板に直接放熱さ
れるとともに、回路基板６１の主面６２に形成された第
１放熱用導体６３を介して親回路基板に放熱される。一
方、放熱電極６４ａに伝導した熱は、放熱用ビアホール
６９を介して第１凹部６６ａの壁面に形成された第２放
熱用導体６７に伝導する。この第２放熱用導体６７は前
記第１放熱用導体６３に接続しているので、回路部品１
３に生じる熱は該経路からも親回路基板に放熱される。
【００９３】このように、本実施の形態にかかるハイブ
リッドモジュール６０では、回路部品１３から発生する
熱を、層厚が厚く高い熱伝導性を有する放熱電極６４ａ
を介して放熱することができるので、放熱性に優れたも
のとなる。また、回路基板６１の主面６２には、第１放
熱用導体６３が形成されており、この第１放熱用導体６
３は前記放熱電極６４ａに対して、外部電極２３並びに
第２放熱用導体６７及び放熱用ビアホール６９を介して
接続しているので、親回路基板への放熱を効率的に行う
ことができる。その他の作用及び効果については第１の
実施の形態と同様である。
【００９４】（第６の実施の形態）次に、本発明の第６
の実施の形態にかかるハイブリッドモジュールについて
図１５を参照して説明する。図１５は第６の実施の形態
にかかるハイブリッドモジュールの断面図である。な
お、図中、第１〜第５の実施の形態と同一の部材・要素
については同一の符号を付した。
【００９５】このハイブリッドモジュール７０が第５の
実施の形態にかかるハイブリッドモジュールと相違する
主な点は、凹部内の放熱用導体の形成構造、及び、回路
基板の放熱電極の構造にある。以下、その内容を詳述す
る。
【００９６】この回路基板７１は、第５の実施の形態と
同様に、複数の絶縁体層７５と導体層である電極層７４
とにより形成された矩形の多層プリント基板である。回
路基板７１の底面、すなわち、親回路基板への実装時に
親回路基板と対向する主面７２には、回路部品１３を搭
載するための凹部７６が形成されている。
【００９７】回路基板７１の凹部７６は、２段構造を有
している。すなわち、第１凹部７６ａの底面に該第１凹
部７６ａよりも開口面積の小さい第２凹部７６ｂを形成
した構造となっている。この凹部７６の内面には、第２
放熱用導体７７が形成されている。第２放熱用導体７７
は、第１凹部７６ａの内壁面及び底面から第２凹部７６
ｂの壁面に亘って形成されている。この第２放熱用導体
７７は、第４の実施の形態と同様に、第１凹部７６ａ及
び第２凹部７６ｂの壁面においては、該壁面に形成され
た溝に金属部材を充填して形成されている。したがっ
て、第２放熱用導体７７の厚みはこの溝の深さと等し
い。
【００９８】回路基板７１の電極層７４は、主として回
路部品１３の放熱用である放熱電極７４ａ及び７４ｂ
と、主として回路部品１３やチップ状電子部品１２と接
続して電気回路を形成するための回路電極７４ｃとから
なる。ここで、放熱電極７４ａ及び７４ｂは、熱伝導性
を考慮して回路電極７４ｃよりも層厚を大きく設定して
ある。具体的には、放熱電極７４ａ及び７４ｂの層厚は
３０μｍ〜１００μｍ以上が好ましい。本実施の形態で
は５０μｍとした。また、回路電極７４ｃの層圧は、１
０μｍ程度とした。
【００９９】放熱電極７４ａは、回路基板７１の内部に
埋設されており、回路基板７１の一側面から該側面に対
向する側面に亘って横長矩形に形成されている。また、
放熱電極７４ａは、第２凹部７６ｂの底面に露出してい
る。さらに、放熱電極７４ａは、第２凹部７６ｂの壁面
に形成された第２放熱用導体７７と接続している。一
方、放熱電極７４ｂは、前記放熱電極７４ａよりも主面
７２側の層に形成されている。この放熱電極７４ｂは、
回路基板７１の一側面から該側面に対向する側面に亘っ
て横長矩形に形成されている。また、放熱電極７４ｂ
は、中央部において第２凹部７６ｂが貫通している。こ
れにより、放熱電極７４ｂは、第２凹部７６ｂの壁面に
形成された第２放熱用導体７７と接続している。
【０１００】回路電極７４ｃは、回路基板７１の上面及
び内部において所定パターンに形成されており、必要に
応じて電極間をビアホール１９により接続されている。
また、回路電極７４ｂは、第１凹部７６ａの底面に露出
している。
【０１０１】回路部品１３は、第２凹部７６ｂの底面に
形成されている放熱電極７４ａに接着されている。回路
部品１３は、上面側に複数の端子電極２０を備えてお
り、背面側が放熱電極７４ａに接着されている。回路部
品１３と放熱電極７４ａとの接着は、例えば導電性樹脂
接着法や高温半田接着法などが用いられる。端子電極２
０は、第１凹部７６ａの底面に露出している回路電極７
４ｃ及び第２凹部７６ｂの底面に露出している放熱電極
７４ａと、Ａｕ線やＡｌ線等の導電部材２１を用いて電
気邸に接続している。この接続は、ワイヤボンディング
法が用いられる。ここで、端子電極２０と放熱電極７４
ａとの接続は、放熱電極７４ａを放熱用として用いると
ともに電気回路のアースとして用いるためである。
【０１０２】回路基板７１の凹部７６には、回路部品１
３を封止するための絶縁性樹脂２２が充填されている。
この絶縁性樹脂２２としては、例えばエポキシ系やアク
リル系のものが用いられる。また、この絶縁性樹脂２２
は、高い熱伝導性を有するものが好ましい。
【０１０３】回路基板７１の側面には、前記放熱電極７
４ａ及び７４ｂ又は回路電極７４ｃと接続する外部電極
２３が形成されている。この外部電極２３のうち前記放
熱電極７４ａ及び７４ｂと接続するものは、放熱効率を
考慮して回路基板７１の側面にやや幅広に形成されてい
る。
【０１０４】回路基板７１の主面７２には、前記凹部７
６を囲むように外形が矩形の第１放熱用導体７３が形成
されている。この第１放熱用導体７３は、回路基板７１
の縁部方向に延びる張出部を備えている。この張出部
は、回路基板７１の側面に形成されている外部電極２３
と接続している。また、第１放熱用導体７３は、凹部７
６との境界部において前記第２放熱用導体７７と接続し
ている。
【０１０５】回路基板７１の上面には、前記回路電極７
４ｃにチップ状電子部品１２が半田付けされている。さ
らに、回路基板７１の上面側には、金属製のケース２４
が被装されている。
【０１０６】このようなハイブリッドモジュール７０に
よれば、第１の実施の形態のものと同様に、回路基板７
１は多層構造のプリント基板により形成され、また、回
路部品１３は回路基板７１の主面７２に形成した凹部７
６に実装されるので、実装密度が向上する。
【０１０７】また、回路部品１３は回路基板７１の第２
凹部７６ｂに露出する放熱電極７４ａに接着されている
ので、回路部品１３から発生した熱は放熱電極７４ａに
伝導する。放熱電極６４ａは回路基板６１の側面に形成
された外部電極２３に接続しているので、回路部品１３
からの熱は外部電極２３に伝導する。一方、回路部品１
３から発生した熱は、絶縁性樹脂２２を介して第２放熱
用導体７７にも伝導する。また、第２放熱用導体７７に
は前記放熱電極７４ａからも熱が伝導する。第２放熱用
導体７７に伝導した熱は、放熱電極７４ｂを介して外部
電極２３に伝導するとともに、第１放熱用導体７３にも
伝導する。また、外部電極２３に伝導した熱も、回路基
板７１の主面７２の縁部側から第１放熱用導体７３に伝
導する。外部電極２３及び第１放熱用導体７３に伝導し
た熱は、実装先の親回路基板に放熱される。
【０１０８】このように、本実施の形態にかかるハイブ
リッドモジュール７０では、回路部品１３から発生する
熱を、層厚が厚く高い熱伝導性を有する放熱電極７４ａ
及び７４ｂを介して放熱することができるので、放熱性
の向上したものとなる。また、回路基板７１の主面７２
には、第１放熱用導体７３が形成されており、この第１
放熱用導体７３は前記放熱電極７４ａ及び７４ｂに対し
て、外部電極２３及び第２放熱用導体７７を介して接続
しているので、親回路基板への放熱を効率的に行うこと
ができる。その他の作用及び効果については第１の実施
の形態と同様である。
【０１０９】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではない。例え
ば、上記実施の形態では、回路部品としてＧａＡｓＦＥ
Ｔを例示したが、これに限定されるものでない。尤も、
本発明は、回路部品として高い発熱性を有する半導体素
子である場合に特に有効である。また、上記実施の形態
では、一つの回路部品を凹部に実装したものを例示した
が、本発明はこれに限定されるものでない。すなわち、
複数の回路部品を凹部に実装してもよい。
【０１１０】また、上記実施の形態では、回路基板とし
てエポキシ系のプリント基板を例示したが、本発明はこ
れに限定されるものではない。例えば、フェノール系、
ポリエステル系、フッ素樹脂系等の有機材料系の基板、
ガラスやセラミック等の無機材料系の基板であってもよ
い。なお、無機材料系の基板の場合には、電極層の厚み
を大きくするのが比較的困難であるので、例えば窒化ア
ルミニウム系のセラミック等のように熱伝導性が良好な
基板材料を選択するのが好ましい。また、上記実施の形
態では、回路基板の電極層（導体層）としてＣｕを用い
たが、他の材料を用いてもよい。例えば、Ａｌや他の貴
金属を主成分とするものである。なお、この電極層とし
ては、熱伝導性が良好なものが好ましい。
【０１１１】さらに、上記実施の形態では、回路部品の
実装方法としてワイヤボンディングについて説明した
が、本発明はこれに限定されるものではない。すなわ
ち、ＣＳＰ（Chip Size Package）やＢＧＡ（Ball Grid
Array）等の回路部品をフェースダウン実装してもよ
い。
【０１１２】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１の発明に
よれば、回路基板は多層構造の基板により形成され、ま
た、回路部品は回路基板に形成した凹部に実装されるの
で、実装密度が向上する。また、回路部品は回路基板の
凹部に露出する導体層に接着されているので、回路部品
から発生した熱は導体層に伝導する。したがって、回路
部品から発生する熱を効率的に放熱することができる。
さらに、回路部品は片面側のみが導体層に接着されてい
るので、回路部品に親回路基板からの応力が加わること
がない。これにより、該応力による回路部品の破損を防
止できるので、信頼性が向上する。
【０１１３】また、請求項２の発明によれば、回路部品
から導体層に伝導した熱が外部電極を介して親回路基板
側又は空気中に放出される。したがって、回路部品から
発生する熱を効率的に放熱することができる。
【０１１４】さらに、請求項３の発明によれば、回路部
品から導体層に伝導した熱がケースを介して空気中に放
出される。したがって、回路部品から発生する熱を効率
的に放熱することができる。
【０１１５】さらに、請求項４の発明によれば、回路部
品から導体層に伝導した熱が、回路基板の凹部形成面に
形成された放熱用導体に伝導する。この放熱用導体は、
実装時に親回路基板に接するので、回路部品から発生す
る熱を効率的に放熱することができる。
【０１１６】さらに、請求項５の発明によれば、放熱用
導体が凹部の内壁面にも形成されているので、回路部品
から発生する熱が凹部内をとおって直接放熱用導体に伝
導する。したがって、さらに放熱性が向上する。
【０１１７】さらに、請求項６の発明によれば、前記導
体層から放熱用導体への放熱経路が回路基板内に埋設さ
れるので、高密度実装が可能となる。
【０１１８】さらに、請求項７の発明によれば、回路部
品から導体層に伝導した熱が外部電極を介して親回路基
板側又は空気中に放出されるとともに、放熱用導体を介
して親回路基板に効率的に伝導する。したがって、回路
部品から発生する熱を効率的に放熱することができる。
【０１１９】さらに、請求項８の発明によれば、前記回
路部品が接着する導体層は、多層プリント基板の他の導
体層より厚く形成されているので、回路部品に発生する
熱を高い熱伝導率で放熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュ
ールを主面側からみた外観斜視図
【図２】封止樹脂を取り除いた第１の実施の形態にかか
るハイブリッドモジュールの主面側の平面図
【図３】図２のＡ−Ａ’線についての断面図
【図４】図２のＢ−Ｂ’線についての断面図
【図５】第２の実施の形態にかかるハイブリッドモジュ
ールの断面図
【図６】第３の実施の形態にかかるハイブリッドモジュ
ールを主面側からみた外観斜視図
【図７】第３の実施の形態にかかるハイブリッドモジュ
ールの断面図
【図８】第４の実施の形態にかかるハイブリッドモジュ
ールを主面側からみた外観斜視図
【図９】封止樹脂を取り除いた第４の実施の形態にかか
るハイブリッドモジュールの主面側の平面図
【図１０】図９のＣ−Ｃ’線についての断面図
【図１１】図９のＤ−Ｄ’線についての断面図
【図１２】封止樹脂を取り除いた第５の実施の形態にか
かるハイブリッドモジュールの主面側の平面図
【図１３】図１２のＥ−Ｅ’線についての断面図
【図１４】第５の実施の形態にかかるハイブリッドモジ
ュールの凹部の斜視図
【図１５】第６の実施の形態にかかるハイブリッドモジ
ュールの断面図
【図１６】従来のハイブリッドモジュールを示す側面断
面図
【図１７】従来の他のハイブリッドモジュールを示す側
面断面図
【符号の説明】
１０，３０，４０，５０，６０，７０…ハイブリッドモ
ジュール、１１，３１，５１，６１，７１…回路基板、
１２…チップ状電子部品、１３…回路部品、１４，３
４，５５，６５，７４…絶縁体層、１５，３５，５４，
６４，７４…電極層、１５ａ，３５ａ，５４ａ，６４
ａ，７４ａ，７４ｂ…放熱電極、１５ｂ，３５ｂ，５４
ｂ，６４ｂ，７４ｃ…回路電極、１６，３６，５２，６
２，７２…主面、１７，３７，５６，６６，７６…凹
部、３７ａ，６６ａ，７６ａ…第１の凹部、３７ｂ，６
６ｂ，７６ｂ…第２の凹部、１９…ビアホール、２２…
絶縁性樹脂、２３…端子電極、２４，４１…ケース、２
５…接続電極，５３…放熱用導体、６３，７３…第１放
熱用導体、６７，７７…第２放熱用導体、５８，６９…
放熱用ビアホール、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 一高 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 成田 直人 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 重谷 寿士 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 藤井 知徳 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 稲葉 一夫 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 凹部が形成された回路基板と、該回路基
    板の凹部内に実装された発熱性を有する回路部品とを備
    え、回路基板の前記凹部が形成された側を親回路基板に
    対向させて実装されるハイブリッドモジュールにおい
    て、 前記回路基板は、導体層を有する多層基板からなるとと
    もに、前記導体層が前記凹部の底面に露出し、 前記回路部品は、凹部の底面に露出する前記導体層に接
    着されていることを特徴とするハイブリッドモジュー
    ル。
  2. 【請求項２】 回路基板の側面に形成された外部電極を
    備えるとともに、 前記回路部品が接着する導体層は、回路基板の側面にお
    いて前記外部電極と接続していることを特徴とする請求
    項１記載のハイブリッドモジュール。
  3. 【請求項３】 回路基板を被装するケースを備えるとと
    もに、 前記回路部品が接着する導体層は、回路基板の側面にお
    いて前記ケースと接続していることを特徴とする請求項
    １記載のハイブリッドモジュール。
  4. 【請求項４】 回路基板の前記凹部が形成された面には
    放熱用導体が形成されているとともに、 該放熱用導体は前記回路部品が接着する導体層と接続し
    ていることを特徴とする請求項１記載のハイブリッドモ
    ジュール。
  5. 【請求項５】 前記放熱用導体は、凹部が形成された面
    から凹部の内壁面に亘り形成されていることを特徴とす
    る請求項４記載のハイブリッドモジュール。
  6. 【請求項６】 前記導体層と放熱用導体は、回路基板内
    に形成されたビアホールにより接続されていることを特
    徴とする請求項４記載のハイブリッドモジュール。
  7. 【請求項７】 回路基板の側面に形成された外部電極を
    備えるとともに、 前記回路部品が接着する導体層は、回路基板の側面にお
    いて前記外部電極と接続し、 前記放熱用導体は外部電極と接続していることを特徴と
    する請求項４記載のハイブリッドモジュール。
  8. 【請求項８】 前記回路部品が接着する導体層は、多層
    基板における他の導体層より厚く形成されていることを
    特徴とする請求項１乃至７何れか１項記載のハイブリッ
    ドモジュール。
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