JPS5845825B2 - ハンドウタイセイリユウソシ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体整流素子に関し、製造が容易で強固な構
造の半導体整流素子を提供するものである。

複数個の半導体整流素子（以降本明細書において単に整
流素子と略称する）をもってブリッジを形成する一例の
全波整流を行なう回路に第１図に示す如きものがある。

図示の１ａ〜１ｆはいずれも整流素子で、その構造につ
き次に述べる。

第２図は一例の整流素子を示す図ａは側面から視た断面
図、図すは図ａの直角方向側面から視た断面図を示し、
両型面に夫々電極がある半導体基板２の電極の一方２ａ
に弾接しこの電極を導出する金属のウィスカ３によって
前記１電極を導出し、他の電極２ｂははんた４の如き一
例のろう接によってカップ状の放熱電極体５の凹部内に
導接される。

さらに上記ウィスカ３の弾接部と反対側の端部および放
熱電極体の凸部を除き、これらと半導体基板を被覆する
被覆体６がたとえばエポキシ樹脂の如きによってモール
ド成形されてなる。

上記の整流素子にあっては、その製造工程においてウィ
スカがその幅方向即ち第２図すに図示の矢印方向にふれ
やすいため、ウィスカと電極との間の接触不良を生じや
すい欠点となり、取扱中に放熱電極板と被覆体との間で
間隙を生じあるいは第２図Ｃに矢印（点線表示）で示す
如く回転したりする。

このために磁イスカと半導体基板との接触を損じたり、
外気の浸入によって半導体基板や周辺が汚染される欠点
がある。

本発明は上記整流素子の欠点を除去する改良された構造
の整流素子を提供するものである。

本発明は両型面に電極を備えた半導体基板と、前記電極
の一方に弾接し該電極を導出する金属のウィスカと、前
記の残る電極の他方を凹部内に接続した放熱電極体、お
よび前記放熱電極体とウィスカの夫々一部を露出し他を
前記半導体基板とともに被覆する被覆体とを備えた整流
素子において、放熱電極体が被覆体により被覆される周
縁に凸部およびまたは凹部を備えたことを特徴とするも
のである。

また本発明においてウィスカの半導体基板の電極との接
触面の短手方向と、それに直角を威す長手方向との比（
以降本明細書において縦横比と称する。

）が０．４乃至１．０の範囲であることも重要である。

なお、この定義による比は短手方向を分子とし長手方向
を分母とするが、１．０の比にあっては円形または正方
形あるいはこれらの変形形状を意味する。

以下に本発明の整流素子につき図面を参照して詳細に説
明する。

本発明の整流素子は放熱電極体にその周縁の一例として
エポキシ樹脂によってモールド被覆される部分に凸部お
よび四部を形成したことを特徴とする。

即ち第３図ａ ” ｃに斜視図でまた図Ｃの側面図を図
Ｃ′に一例を例示する。

図ａは切欠状の複数の凹部１５′を、図すは礼状の複数
の凹部１５“を、図Ｃは複数凸部１５“′および複数凹
部１５““を備える。

次に第４図ａ ＝ ｄに示す如く、本発明にかかる整流
素子は上記の放熱電極板を備えるとともに、ウィスカ１
３の半導体基板の電極との接触面の縦横比が０．４乃至
１．０の範囲にある如く形成されてなる。

即ち図ａはウィスカ１３の斜視図、図すは上面図、図Ｃ
は図ａに示した矢印Ｃ方向から視た側面図、図ｄは図ａ
の矢印ｄ方向から視た側面図で、これから明らかな如く
図示のものは半導体基板の電極との接触面１３ａの縦横
比が１．０の正方形に形成されてなる。

この形状は方形に限らずだ円、円形その地平規則なあら
ゆる形状で縦横比が０．４以上１．０までの任意の形状
に選定して好適する。

一例の形状を第５図にウィスカの下面図で示す。

図における縦横比（短手方向Ｘ／長手方向ｙ）は０．４
でた円に形成されている。

（この場合縦横比は、短径をＸ長径をｙとしている）。

さらに上記ウィスカを適用し、かつ上記放熱電極板を併
設した整流素子の側面断面図を第６図に示す。

（第６図は第２図すに準じて示したものである）本発明
によればウィスカと半導体基板の電極との接続が強固か
つ安定するため、接続不良を生じない。

これについては第７図に例示する如く、縦横比が０．４
以上で良品率が顕著に向上をみる。

図におけるＡ、Ｂ、Ｃはいづれも互に異なる品種の整流
素子群について測定したものである。

なお、この実験成績は縦横比（横軸）の変化にかかわら
らずＡ、Ｂ、Ｃ夫々の品種毎に接触面積を一定に保ち測
定を行なった。

本発明によれば放熱電極体と被覆体との間の接続がきわ
めて強固で、接続の「ガタ」あるいは回転を生ずる不良
が従来１例の品種の整流素子にみられた不良率０．３％
が皆無になるという顕著な効果がある。

本発明は実施がきわめて容易である特徴も兼備する。

【図面の簡単な説明】

第１図は一例の全波整流の回路図、第２図ａおよびｂは
いづれも一例の整流素子の断面図、図Ｃは上面図、第３
図ａ ”−ｃはいづれも夫々が本発明の一実施例の整流
素子の放熱電極板を示す斜視図、図Ｃ′は図Ｃの側面図
、第４図ａ ＝ ｂは本発明一実施例の整流素子のウィ
スカを示す図ａは斜視図、図６は上面図、図１１図ｄは
夫々図ａにおける矢印ｃ、ｄ方向から視た側面図、第５
図は本発明一実施例のウィスカの下面図、第６図は本発
明の一実施例の整流素子の断面図、第７図は本発明の詳
細な説明するための図である。 なお図中同一符号は夫々同一または相当部分を示すもの
とする。 ｌａ、１ｆ・・・・・・整流素子、２・・・・・・半導
体基板、２ａ、２ｂ・・・・・電極、１３・・・・・・
ウィスカ、１３ａ・・・・・・ウィスカの電極との接触
面、ｘ／ｙ・・・・・・縦横比、１５・・・・・・放熱
電極板、１５’、１５“、１５Ｍ・・・・・・放熱電極
板の凹部、１５”ｌ・・・・・微熱電極板の凸部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 両型面に電極を備えた半導体基板と、前記電極の一
   方に弾接し該電極を導出する金属のウィスカと、前記電
   極の他方と凹部内で接続した放熱電彎体と、この放熱電
   極体とウィスカの夫々一部を露出し、他を前記半導体基
   板とともに被覆する被覆体とを具備した半導体整流素子
   において、放熱電極体が被覆体により被覆される周縁に
   凸または凹部を備えたことを特徴とする半導体整流素子
   。 ２ ウィスカの半導体基板の電極との接触面の短手方向
   と、それに直角を威す長手方向との比が０．４乃至１．
   ０の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の半導体整流素子。