JPS607750A - 絶縁型半導体装置 - Google Patents
絶縁型半導体装置Info
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- JPS607750A JPS607750A JP58115549A JP11554983A JPS607750A JP S607750 A JPS607750 A JP S607750A JP 58115549 A JP58115549 A JP 58115549A JP 11554983 A JP11554983 A JP 11554983A JP S607750 A JPS607750 A JP S607750A
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- resin
- radiation plate
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放熱板の裏面をも成型樹脂でおおった絶縁型半
導体装置にかかるものである。
導体装置にかかるものである。
樹脂封止型半導体装置において、放熱板裏面を樹脂によ
りおおい、装置を冷却フィンに実装した時に装置の放熱
板裏面と冷却フィンとの間に絶縁板を入れることなく相
互間の絶縁を行なうことができる絶縁型半導体装置があ
る。いわゆる絶縁型半導体装置と呼ばれるもので、第1
図にこの方式による従来の樹脂封止型半導体装置の例を
示す。
りおおい、装置を冷却フィンに実装した時に装置の放熱
板裏面と冷却フィンとの間に絶縁板を入れることなく相
互間の絶縁を行なうことができる絶縁型半導体装置があ
る。いわゆる絶縁型半導体装置と呼ばれるもので、第1
図にこの方式による従来の樹脂封止型半導体装置の例を
示す。
放熱板1は外部リード2のうち1本の2′と連続してお
り、素子ベレット3は放熱板1にろう付されており、素
子ペレット3と外部リード2とは金梼細線4で接続され
ている。外部リード2.2′を除く全体は放熱板1の裏
面も含めて樹脂7でモールドされている。
り、素子ベレット3は放熱板1にろう付されており、素
子ペレット3と外部リード2とは金梼細線4で接続され
ている。外部リード2.2′を除く全体は放熱板1の裏
面も含めて樹脂7でモールドされている。
この形の素子の組立は太むね以下の手順により行なわれ
る。
る。
先ず放熱板1に半導体ペレット3を半田によりろう付す
る。次に半導体ベレット3の電極と外部リード端子2と
の間をAtあるいはAすの細線4Vcより配線する。次
に放熱板1に付いているつなぎ部5を用いて成形金型内
に位置決めして入れて外部リード端子2,2′を除く全
体を樹脂封止する。
る。次に半導体ベレット3の電極と外部リード端子2と
の間をAtあるいはAすの細線4Vcより配線する。次
に放熱板1に付いているつなぎ部5を用いて成形金型内
に位置決めして入れて外部リード端子2,2′を除く全
体を樹脂封止する。
次に、互いにつながっている放熱板1につなき゛部5で
切りはなして個々の半導体装置に分ける。
切りはなして個々の半導体装置に分ける。
これらの工程において樹脂封止全行なう工程では成形金
型内で放熱板1を浮かせて放熱板裏面の樹脂厚tを出来
るだけ正確に保つ必要がある。一方樹脂厚をあつくする
と半導体ベレットから冷却フィンへの放熱効果は悪くな
り半導体装置の許容損失は低下する。従ってより大きな
許容損失を得るには樹脂厚tをできるだけ薄くする必要
がある。
型内で放熱板1を浮かせて放熱板裏面の樹脂厚tを出来
るだけ正確に保つ必要がある。一方樹脂厚をあつくする
と半導体ベレットから冷却フィンへの放熱効果は悪くな
り半導体装置の許容損失は低下する。従ってより大きな
許容損失を得るには樹脂厚tをできるだけ薄くする必要
がある。
ところが従来構造の樹脂封止型半導体装置では成形時の
放熱板1の位置決めは放熱板1の先端のつなぎ部5と外
部リード2の根元とにより行なう。
放熱板1の位置決めは放熱板1の先端のつなぎ部5と外
部リード2の根元とにより行なう。
ところが外部リードの根元の高さhはリードフレームの
製造上曲げ加工によるため、その精度は出しづらく、±
0.05程度である。従って、特に外部リード2の根元
での位置精度が悪く、従来構造においては樹脂厚tは0
.3Wrmに設計するとそのバラツキは0.25〜0.
35mmとなり放熱特性のバラツキが大きい。
製造上曲げ加工によるため、その精度は出しづらく、±
0.05程度である。従って、特に外部リード2の根元
での位置精度が悪く、従来構造においては樹脂厚tは0
.3Wrmに設計するとそのバラツキは0.25〜0.
35mmとなり放熱特性のバラツキが大きい。
本発明の目的は上記の欠点をなくシ、放熱板下面の樹脂
厚のバラツキが少く放熱特性の良好な絶絶型半導体装置
を得ることにある。
厚のバラツキが少く放熱特性の良好な絶絶型半導体装置
を得ることにある。
本発明によれば、放熱板に少くとも4カ所の突起部を有
し、この突起部を用いてモールド金型内での放熱板の位
置決めを可能とした絶縁型半導体装置を得る。
し、この突起部を用いてモールド金型内での放熱板の位
置決めを可能とした絶縁型半導体装置を得る。
次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
第2図に本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示
す。放熱板1は4カ所に突起部5,6を有し、樹脂成形
時にモールド金型内で放熱板1を突起部5と6の部分に
より位置決めする。この時、放熱板1下面と突起部6下
面との位置寸法iの精度はリードフレームの加工時のプ
レス精度によっており、たかだか±0.01mm程度で
ある。このようにして樹脂7で半導体素子ベレット3、
金属細線4および放熱板1の表裏全面をおおうと放熱板
1の下の樹脂厚のバラツキはo、25〜0.27+nm
!:なり放熱特性のバラツキは少なhoこの放熱板1の
下の樹脂7の厚さはそのバラツキが少いことによって、
さらに薄くすることも可能である。
す。放熱板1は4カ所に突起部5,6を有し、樹脂成形
時にモールド金型内で放熱板1を突起部5と6の部分に
より位置決めする。この時、放熱板1下面と突起部6下
面との位置寸法iの精度はリードフレームの加工時のプ
レス精度によっており、たかだか±0.01mm程度で
ある。このようにして樹脂7で半導体素子ベレット3、
金属細線4および放熱板1の表裏全面をおおうと放熱板
1の下の樹脂厚のバラツキはo、25〜0.27+nm
!:なり放熱特性のバラツキは少なhoこの放熱板1の
下の樹脂7の厚さはそのバラツキが少いことによって、
さらに薄くすることも可能である。
第3図に本発明に用いるリードフレームの形状の一例を
示す。放熱板lはA及びBでつながっており、樹脂成形
後にリード2を切断する時につなぎ部AとBとを切りは
なす。但し、リードフレーム段階でAとBとは必らずし
もつながっていなくても良い。位置決めするのに必要な
長さのみであれば良い。
示す。放熱板lはA及びBでつながっており、樹脂成形
後にリード2を切断する時につなぎ部AとBとを切りは
なす。但し、リードフレーム段階でAとBとは必らずし
もつながっていなくても良い。位置決めするのに必要な
長さのみであれば良い。
第1図(8)、(B)は従来の半導体装置の断面図およ
び平面図である。第2図囚、(B)は本発明の一実施例
による半導体装置の断面図および平面図である。 第3図は本発明の半導体装置に用いるリードフレームの
例を示す部分平面図である。 1・・・・・・放熱板% 2.2′・・・・・・外部リ
ード、3・・・・・・半導体素子ベレット、4・・・・
・・金属細線、5.6・・・・・・突起部% 7・・・
・・・樹脂。
び平面図である。第2図囚、(B)は本発明の一実施例
による半導体装置の断面図および平面図である。 第3図は本発明の半導体装置に用いるリードフレームの
例を示す部分平面図である。 1・・・・・・放熱板% 2.2′・・・・・・外部リ
ード、3・・・・・・半導体素子ベレット、4・・・・
・・金属細線、5.6・・・・・・突起部% 7・・・
・・・樹脂。
Claims (1)
- 放熱板が成形用樹脂によっておおわれている絶縁型半導
体装置において、放熱板の高さ方向を位置決めする突起
部を放熱板上部と下部にそれぞれ2本ずつそなえており
、これら4つの突起部により樹脂成形時に放熱板が位置
決めされることを特徴とする絶縁型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58115549A JPS607750A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 絶縁型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58115549A JPS607750A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 絶縁型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607750A true JPS607750A (ja) | 1985-01-16 |
JPS6350863B2 JPS6350863B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=14665286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58115549A Granted JPS607750A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 絶縁型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607750A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6269839A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-03-31 | 中塚 善造 | 両面模様経箔糸原反 |
JPS6269840A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-03-31 | 中塚 善造 | 両面模様経箔糸の製造法 |
US4750030A (en) * | 1983-01-17 | 1988-06-07 | Nec Corporation | Resin-molded semiconductor device having heat radiating plate embedded in the resin |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58115549A patent/JPS607750A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4750030A (en) * | 1983-01-17 | 1988-06-07 | Nec Corporation | Resin-molded semiconductor device having heat radiating plate embedded in the resin |
JPS6269839A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-03-31 | 中塚 善造 | 両面模様経箔糸原反 |
JPS6269840A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-03-31 | 中塚 善造 | 両面模様経箔糸の製造法 |
JPH0252015B2 (ja) * | 1986-06-20 | 1990-11-09 | Zenzo Nakatsuka | |
JPH0252016B2 (ja) * | 1986-06-20 | 1990-11-09 | Zenzo Nakatsuka |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6350863B2 (ja) | 1988-10-12 |
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