JP2001068622A - 複合半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
複合半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】別体としてのヒートスプレッダを使用すること
なく、また、外部端子の折り曲げ加工を不要とし、か
つ、組立工数が少なく安価に製作できるようにする。 【解決手段】リードフレーム１１の連結部１２から直角
方向に延在する複数のリード部１３Ａ〜１３Ｈの先端に
該リード部１３Ａ〜１３Ｈの板厚よりも厚い肉厚部１４
を設ける。
なく、また、外部端子の折り曲げ加工を不要とし、か
つ、組立工数が少なく安価に製作できるようにする。 【解決手段】リードフレーム１１の連結部１２から直角
方向に延在する複数のリード部１３Ａ〜１３Ｈの先端に
該リード部１３Ａ〜１３Ｈの板厚よりも厚い肉厚部１４
を設ける。
Description
【０００１】本発明は、複合半導体装置及びその製造方
法に関し、特にリードフレームのリード部を改良して容
易かつ安価に製作できるようにした複合半導体装置及び
その製造方法に関するものである。
法に関し、特にリードフレームのリード部を改良して容
易かつ安価に製作できるようにした複合半導体装置及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の複合半導体装置の一例を図８乃
至図１０を参照して説明する。この複合半導体装置１
は、例えば、図９に示すようにダイオードＤ１〜Ｄ６を
用いて三相半波整流回路を構成している。なお、図にお
いて、Ｎ，Ｐは直流出力端子であり、Ｕ，Ｖ，Ｗは交流
入力端子である。
至図１０を参照して説明する。この複合半導体装置１
は、例えば、図９に示すようにダイオードＤ１〜Ｄ６を
用いて三相半波整流回路を構成している。なお、図にお
いて、Ｎ，Ｐは直流出力端子であり、Ｕ，Ｖ，Ｗは交流
入力端子である。
【０００３】上記のような三相半波整流回路からなる複
合半導体装置１は、概略次のような構成を有する。すな
わち、複合半導体装置１は、その上面に所定の導体パタ
ーン３を形成した絶縁金属基板２を有する。上記の導体
パターン３上には、銅等の金属で形成したヒートスプレ
ッダ４を介して半導体チップ５が半田固着されている。
合半導体装置１は、概略次のような構成を有する。すな
わち、複合半導体装置１は、その上面に所定の導体パタ
ーン３を形成した絶縁金属基板２を有する。上記の導体
パターン３上には、銅等の金属で形成したヒートスプレ
ッダ４を介して半導体チップ５が半田固着されている。
【０００４】また、所定の導体パターンには直流出力端
子Ｎ，Ｐとなる外部端子６が半田固着されている。一
方、交流入力端子Ｕ，Ｖ，Ｗとなる外部端子７，８，９
は、半導体チップ５が載置・固定される特定の導体パタ
ーン３上に半田固着されるが、いくつかの外部端子、例
えば外部端子８，９は、導体パターン３Ａを跨いで外部
に導出されている。
子Ｎ，Ｐとなる外部端子６が半田固着されている。一
方、交流入力端子Ｕ，Ｖ，Ｗとなる外部端子７，８，９
は、半導体チップ５が載置・固定される特定の導体パタ
ーン３上に半田固着されるが、いくつかの外部端子、例
えば外部端子８，９は、導体パターン３Ａを跨いで外部
に導出されている。
【０００５】このように、従来ではかかる導体パターン
３Ａと外部端子８，９との接触を回避するため、図１０
に示すように外部端子８，９が上方に逃げるように折り
曲げ加工を施していた。なお、外部端子６は他の導体パ
ターン３を跨ぐような配置となっていないので、当該導
体パターン３との接触のおそれはないが、前記外部端子
８，９との底面からの高さ位置の調整等から前記外部導
出端子６についても所定の折り曲げ加工を施していた。
３Ａと外部端子８，９との接触を回避するため、図１０
に示すように外部端子８，９が上方に逃げるように折り
曲げ加工を施していた。なお、外部端子６は他の導体パ
ターン３を跨ぐような配置となっていないので、当該導
体パターン３との接触のおそれはないが、前記外部端子
８，９との底面からの高さ位置の調整等から前記外部導
出端子６についても所定の折り曲げ加工を施していた。
【０００６】上記の外部端子６，７，８，９は、個別の
端子若しくは連結部と一体的なリードフレーム（図示省
略）から形成される。そして、この個別の端子若しくは
一体的なリードフレームの状態で導体パターン３，３Ａ
の各部に半田固着された後、絶縁金属基板２の周縁が封
止用樹脂により樹脂モールド１０され、所定の複合半導
体装置１としていた。
端子若しくは連結部と一体的なリードフレーム（図示省
略）から形成される。そして、この個別の端子若しくは
一体的なリードフレームの状態で導体パターン３，３Ａ
の各部に半田固着された後、絶縁金属基板２の周縁が封
止用樹脂により樹脂モールド１０され、所定の複合半導
体装置１としていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の複合半導体装置
は上記のように構成されているので、次のような解決す
べき課題があった。 （１）例えば、熱伝導率の良好なアルミナ、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等により十
分な厚さを備えて絶縁金属基板２を形成しようとすると
非常に高価となるため、従来では価格との兼ね合いで適
当な厚さのものを選択し、この絶縁金属基板２に銅等か
らなるヒートスプレッダ４を搭載して放熱面での補償を
行なっている。 （２）上記ヒートスプレッダ４を用いるために、該スプ
レッダ４を導体パターン３に半田付けしなければなら
ず、それだけ半田付け工程数が多くなる。 （３）外部端子８，９は、導体パターン３Ａを跨いで配
置されるために、上方への逃げを作るための折り曲げ加
工が必要であった。 （４）上記により組立工数が多く安価な複合半導体装置
が得難かった。
は上記のように構成されているので、次のような解決す
べき課題があった。 （１）例えば、熱伝導率の良好なアルミナ、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等により十
分な厚さを備えて絶縁金属基板２を形成しようとすると
非常に高価となるため、従来では価格との兼ね合いで適
当な厚さのものを選択し、この絶縁金属基板２に銅等か
らなるヒートスプレッダ４を搭載して放熱面での補償を
行なっている。 （２）上記ヒートスプレッダ４を用いるために、該スプ
レッダ４を導体パターン３に半田付けしなければなら
ず、それだけ半田付け工程数が多くなる。 （３）外部端子８，９は、導体パターン３Ａを跨いで配
置されるために、上方への逃げを作るための折り曲げ加
工が必要であった。 （４）上記により組立工数が多く安価な複合半導体装置
が得難かった。
【０００８】
【発明の目的】本発明は上記のような課題を解決すため
になされたもので、別体としてのヒートスプレッダを使
用することなく、また、外部端子の折り曲げ加工を不要
とし、かつ、組立工数が少なく安価に製作し得る複合半
導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする
ものである。
になされたもので、別体としてのヒートスプレッダを使
用することなく、また、外部端子の折り曲げ加工を不要
とし、かつ、組立工数が少なく安価に製作し得る複合半
導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、リードフ
レームの連結部から直角方向に延在する複数のリード部
と、該リード部の先端に該リード部と一体的に形成さ
れ、該リード部の板厚よりも厚さの厚い肉厚部とを有
し、該肉厚部の上面には半導体チップが搭載・固着さ
れ、該肉厚部の下面は絶縁金属基板の導体パターン上に
半田付けされ、前記複数のリード部のうち、所定数のリ
ード部の一部が、該導体パターンの表面と前記肉厚部の
厚さから前記リード部の板厚だけ差引いた寸法だけの間
隔を隔てて該導体パターンを跨いで配置されたことを特
徴とするものである。
レームの連結部から直角方向に延在する複数のリード部
と、該リード部の先端に該リード部と一体的に形成さ
れ、該リード部の板厚よりも厚さの厚い肉厚部とを有
し、該肉厚部の上面には半導体チップが搭載・固着さ
れ、該肉厚部の下面は絶縁金属基板の導体パターン上に
半田付けされ、前記複数のリード部のうち、所定数のリ
ード部の一部が、該導体パターンの表面と前記肉厚部の
厚さから前記リード部の板厚だけ差引いた寸法だけの間
隔を隔てて該導体パターンを跨いで配置されたことを特
徴とするものである。
【００１０】第２の発明は、リードフレームの連結部か
ら直角方向に延在する複数のリード部と、該リード部の
先端に該リード部と一体的に形成され、該リード部の板
厚よりも厚さの厚い肉厚部とを有し、上記複数のリード
部のうち、所定数のリード部に対して該リード部の途中
に少なくとも１箇所以上の折曲部が形成され、かつ、該
リード部は、残りの複数のリード部よりも前記リードフ
レームの連結部から前記肉厚部までの長さが短くなるよ
うに形成したことを特徴とするものである。
ら直角方向に延在する複数のリード部と、該リード部の
先端に該リード部と一体的に形成され、該リード部の板
厚よりも厚さの厚い肉厚部とを有し、上記複数のリード
部のうち、所定数のリード部に対して該リード部の途中
に少なくとも１箇所以上の折曲部が形成され、かつ、該
リード部は、残りの複数のリード部よりも前記リードフ
レームの連結部から前記肉厚部までの長さが短くなるよ
うに形成したことを特徴とするものである。
【００１１】第３の発明は、前記肉厚部の上面には半導
体チップが半田付けされ、前記導体パターン上には導体
バーが半田付けされ、該半導体チップの上面電極と、導
体バー及び前記肉厚部の上面とがそれぞれボンディング
ワイヤで結線されていることを特徴とするものである。
体チップが半田付けされ、前記導体パターン上には導体
バーが半田付けされ、該半導体チップの上面電極と、導
体バー及び前記肉厚部の上面とがそれぞれボンディング
ワイヤで結線されていることを特徴とするものである。
【００１２】第４の発明は、リードフレームの連結部か
ら直角方向に延在する複数のリード部と、該リード部の
先端に一体的に形成された該リード部の板厚よりも厚さ
の厚い肉厚部とを有するリードフレームを打ち抜く工程
と、前記複数のリード部のうち、所定数のリード部に対
して該リード部の途中に少なくとも１箇所以上の折曲部
を形成し、前記リードフレームの連結部から前記肉厚部
までの長さが異なる２種類のリード部を形成する工程
と、上面に所定の導体パターンが形成された絶縁金属基
板を備え、該絶縁金属基板の所定の導体パターン上に、
前記リード部先端の肉厚部下面及び導体バーと、前記リ
ード部先端の肉厚部上面に半導体チップを半田付けする
工程と、前記半導体チップの上面電極と、前記導体バー
及び前記肉厚部の上面とをそれぞれボンディングワイヤ
で結線する工程と、前記絶縁金属基板の下面を外部に露
出させると共に、前記リードフレームの連結部及びリー
ド部の一部が外部に露出するようにして前記半導体チッ
プを含む絶縁金属基板の周縁を樹脂封止する工程と、前
記リードフレームの前記連結部を切り離して所定の樹脂
封止型複合半導体装置を得る工程と、を有することを特
徴とするものである。
ら直角方向に延在する複数のリード部と、該リード部の
先端に一体的に形成された該リード部の板厚よりも厚さ
の厚い肉厚部とを有するリードフレームを打ち抜く工程
と、前記複数のリード部のうち、所定数のリード部に対
して該リード部の途中に少なくとも１箇所以上の折曲部
を形成し、前記リードフレームの連結部から前記肉厚部
までの長さが異なる２種類のリード部を形成する工程
と、上面に所定の導体パターンが形成された絶縁金属基
板を備え、該絶縁金属基板の所定の導体パターン上に、
前記リード部先端の肉厚部下面及び導体バーと、前記リ
ード部先端の肉厚部上面に半導体チップを半田付けする
工程と、前記半導体チップの上面電極と、前記導体バー
及び前記肉厚部の上面とをそれぞれボンディングワイヤ
で結線する工程と、前記絶縁金属基板の下面を外部に露
出させると共に、前記リードフレームの連結部及びリー
ド部の一部が外部に露出するようにして前記半導体チッ
プを含む絶縁金属基板の周縁を樹脂封止する工程と、前
記リードフレームの前記連結部を切り離して所定の樹脂
封止型複合半導体装置を得る工程と、を有することを特
徴とするものである。
【００１３】
【実施例】まず、本発明の概要を述べれば、別体として
のヒートスプレッダを使用することなく、リードフレー
ムのリード部の先端に該ヒートスプレッダに代わる肉厚
部を形成したことである。以下に本発明の実施例を、図
１乃至図７を参照して詳細に説明する。
のヒートスプレッダを使用することなく、リードフレー
ムのリード部の先端に該ヒートスプレッダに代わる肉厚
部を形成したことである。以下に本発明の実施例を、図
１乃至図７を参照して詳細に説明する。
【００１４】図１は、樹脂モールド部を形成する以前の
複合半導体装置を示す平面図である。図において、１１
はリードフレームであり、このリードフレーム１１の連
結部１２から直角方向に延在するように複数のリード部
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆ，１
３Ｇ及び１３Ｈが形成されている。リード部１３Ａ，１
３Ｂは直流出力端子となり、リード部１３Ｃ，１３Ｅ，
１３Ｇは交流入力端子となる。また、リード部１３Ｄ，
１３Ｆ，１３Ｈは、後工程で樹脂モールドする前に１点
鎖線部からカットされる。上記リードフレーム１１のみ
の全体形状を図４及び図５に示す。
複合半導体装置を示す平面図である。図において、１１
はリードフレームであり、このリードフレーム１１の連
結部１２から直角方向に延在するように複数のリード部
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆ，１
３Ｇ及び１３Ｈが形成されている。リード部１３Ａ，１
３Ｂは直流出力端子となり、リード部１３Ｃ，１３Ｅ，
１３Ｇは交流入力端子となる。また、リード部１３Ｄ，
１３Ｆ，１３Ｈは、後工程で樹脂モールドする前に１点
鎖線部からカットされる。上記リードフレーム１１のみ
の全体形状を図４及び図５に示す。
【００１５】上記各リード部１３Ａ〜１３Ｈの先端に
は、該リード部１３Ａ〜１３Ｈと一体的に該リード部１
３Ａ〜１３Ｈの板厚よりも厚さの厚い肉厚部１４が形成
されている。また、図５において、リード部１３Ａ〜１
３Ｈの板厚をｔとした場合、肉厚部１４の厚さＴは、Ｔ
＞ｔであり、かつ、Ｔは従来のヒートスプレッダ４（図
１０参照）の板厚と同等若しくはそれよりも厚くなるよ
うに形成されている。
は、該リード部１３Ａ〜１３Ｈと一体的に該リード部１
３Ａ〜１３Ｈの板厚よりも厚さの厚い肉厚部１４が形成
されている。また、図５において、リード部１３Ａ〜１
３Ｈの板厚をｔとした場合、肉厚部１４の厚さＴは、Ｔ
＞ｔであり、かつ、Ｔは従来のヒートスプレッダ４（図
１０参照）の板厚と同等若しくはそれよりも厚くなるよ
うに形成されている。
【００１６】上記のリード部１３Ａ〜１３Ｈのうち、リ
ード部１３Ｄ，１３Ｆ，１３Ｈの略中間部には折曲部１
５が形成されている(図６，図７参照)。この折曲部１５
は、他のリード部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｇより
も相対的に長さを短くして、後に半田付けする導体パタ
ーン３の位置に先端の肉厚部１４を位置決めする役目を
果たすものである。
ード部１３Ｄ，１３Ｆ，１３Ｈの略中間部には折曲部１
５が形成されている(図６，図７参照)。この折曲部１５
は、他のリード部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｇより
も相対的に長さを短くして、後に半田付けする導体パタ
ーン３の位置に先端の肉厚部１４を位置決めする役目を
果たすものである。
【００１７】上記ように構成のリードフレーム１１を用
いて複合半導体装置１を組み立てる。かかる場合にリー
ド部１３Ａ〜１３Ｈの先端、厚部１４が、絶縁金属基板
２上に形成された導体パターン３の所定の位置に半田固
着される。すなわち、リード部１３Ｄ，１３Ｆ，１３Ｈ
は、曲部１５によりリード部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，
１３Ｅ，１３Ｇよりも絶縁金属基板２の右縁よりに配置
された導体パターン３上に半田固着される。
いて複合半導体装置１を組み立てる。かかる場合にリー
ド部１３Ａ〜１３Ｈの先端、厚部１４が、絶縁金属基板
２上に形成された導体パターン３の所定の位置に半田固
着される。すなわち、リード部１３Ｄ，１３Ｆ，１３Ｈ
は、曲部１５によりリード部１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，
１３Ｅ，１３Ｇよりも絶縁金属基板２の右縁よりに配置
された導体パターン３上に半田固着される。
【００１８】また、リード部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｇ
は、れぞれ下方に配置した導体パターン３Ａを直角に跨
ぐことになるが、該リード部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｇの
先端肉厚部１４が存在するために、肉厚部１４の板厚
（Ｔ）―リード部の板厚（ｔ）だけ、導体パターン３Ａ
とリード部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｇの下面との間に間隔
が形成されることになる。従って、従来のようにヒート
スプレッダ４を用いることなく、また、リードをフォー
ミングすることもなく当該交叉部での接触を回避しつ
つ、所定の配線が可能となる。
は、れぞれ下方に配置した導体パターン３Ａを直角に跨
ぐことになるが、該リード部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｇの
先端肉厚部１４が存在するために、肉厚部１４の板厚
（Ｔ）―リード部の板厚（ｔ）だけ、導体パターン３Ａ
とリード部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｇの下面との間に間隔
が形成されることになる。従って、従来のようにヒート
スプレッダ４を用いることなく、また、リードをフォー
ミングすることもなく当該交叉部での接触を回避しつ
つ、所定の配線が可能となる。
【００１９】上記各肉厚部１４の上面には、半導体チッ
プ５が半田固着される（図２，図３参照）。また、絶縁
金属基板２の図示左縁近傍に形成した導体パターン３上
には導体バー１７が半田固着され、この導体バー１７の
上面と半導体チップ５の上面電極とがボンディングワイ
ヤ１６により結線される。
プ５が半田固着される（図２，図３参照）。また、絶縁
金属基板２の図示左縁近傍に形成した導体パターン３上
には導体バー１７が半田固着され、この導体バー１７の
上面と半導体チップ５の上面電極とがボンディングワイ
ヤ１６により結線される。
【００２０】さらに、リード部１３Ｃ，１３Ｅ，１３Ｇ
の肉厚部１４とリード部１３Ｄ，１３Ｆ，１３Ｈの肉厚
部１４上に半田固着した半導体チップ５の上面電極とが
ボンディングワイヤ１６にて結線される。次いで、図１
に示す１点鎖線部からリード１３Ｄ，１３Ｆ，１３Ｈは
カットされる。
の肉厚部１４とリード部１３Ｄ，１３Ｆ，１３Ｈの肉厚
部１４上に半田固着した半導体チップ５の上面電極とが
ボンディングワイヤ１６にて結線される。次いで、図１
に示す１点鎖線部からリード１３Ｄ，１３Ｆ，１３Ｈは
カットされる。
【００２１】以上の状態のリードフレーム１１を、図示
を省略した金型に納め、封止用樹脂を充填して図２及び
図３に示すように、絶縁金属基板２の下面を外部に露出
させた樹脂モールド部１０を形成する。その後、図１に
示すリードフレーム１１のラインＬ−Ｌから連結部１２
を切り離し所定の複合半導体装置１を完成させる。
を省略した金型に納め、封止用樹脂を充填して図２及び
図３に示すように、絶縁金属基板２の下面を外部に露出
させた樹脂モールド部１０を形成する。その後、図１に
示すリードフレーム１１のラインＬ−Ｌから連結部１２
を切り離し所定の複合半導体装置１を完成させる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、別体とし
てのヒートスプレッダを使用することなく、リードフレ
ームのリード部の先端に該ヒートスプレッダに代わる肉
厚部を形成するようにしたので、概略次のような効果が
ある。部品点数、組立工数の削減により複合半導体装置
を安価に製作することができる。ヒートスプレッダを用
いないために、半田付工程が1回で良く煩雑な半田付け
作業の労力が軽減される。外部端子としてのリード部
と、その直下に配置される導体パターンとの間には先
端、肉厚部により所定の間隙が形成されるので、特に該
導体パターンとの接触を回避するための折り曲げ加工が
不要となる。
てのヒートスプレッダを使用することなく、リードフレ
ームのリード部の先端に該ヒートスプレッダに代わる肉
厚部を形成するようにしたので、概略次のような効果が
ある。部品点数、組立工数の削減により複合半導体装置
を安価に製作することができる。ヒートスプレッダを用
いないために、半田付工程が1回で良く煩雑な半田付け
作業の労力が軽減される。外部端子としてのリード部
と、その直下に配置される導体パターンとの間には先
端、肉厚部により所定の間隙が形成されるので、特に該
導体パターンとの接触を回避するための折り曲げ加工が
不要となる。
【図１】本発明の複合半導体装置の製作工程を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図４】本発明の複合半導体装置に使用するリードフレ
ームの平面図である。
ームの平面図である。
【図５】上記リードフレームの側面図である。
【図６】所定数のリード部に対して折り曲げ加工を施し
た状態の上記リードフレームの平面図である。
た状態の上記リードフレームの平面図である。
【図７】上記図６のリードフレームの側面図である。
【図８】従来の複合半導体装置における樹脂モールド部
を除いた状態の平面図である。
を除いた状態の平面図である。
【図９】上記複合半導体装置の等価回路図である。
【図１０】図８のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
１ 複合半導体装置 ２ 絶縁金属基板 ３ 導体パターン ３Ａ リード部との交叉部の導体パターン ４ ヒートスプレッダ ５ 半導体チップ ６、７，８，９ 外部端子 １０ 樹脂モールド部 １１ リードフレーム １２ 連結部 １３Ａ〜１３Ｈ リード部 １４ 肉厚部 １５ 折曲部 １６ ボンディングワイヤ １７ 導体バー
Claims (4)
- 【請求項１】リードフレームの連結部から直角方向に延
在する複数のリード部と、 該リード部の先端に該リード部と一体的に形成され、該
リード部の板厚よりも厚さの厚い肉厚部とを有し、該肉
厚部の上面には半導体チップが搭載・固着され、該肉厚
部の下面は絶縁金属基板の導体パターン上に半田付けさ
れ、前記複数のリード部のうち、所定数のリード部の一
部が、該導体パターンの表面と前記肉厚部の厚さから前
記リード部の板厚だけ差引いた寸法だけの間隔を隔てて
該導体パターンを跨いで配置されたことを特徴とする複
合半導体装置。 - 【請求項２】リードフレームの連結部から直角方向に延
在する複数のリード部と、 該リード部の先端に該リード部と一体的に形成され、該
リード部の板厚よりも厚さの厚い肉厚部とを有し、上記
複数のリード部のうち、所定数のリード部に対して該リ
ード部の途中に少なくとも１箇所以上の折曲部が形成さ
れ、かつ、該リード部は、残りの複数のリード部よりも
前記リードフレームの連結部から前記肉厚部までの長さ
が短くなるように形成したことを特徴とする請求項１に
記載の複合半導体装置。 - 【請求項３】前記肉厚部の上面には半導体チップが半田
付けされ、前記導体パターン上には導体バーが半田付け
され、該半導体チップの上面電極と、導体バー及び前記
肉厚部の上面とがそれぞれボンディングワイヤで結線さ
れていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
の複合半導体装置。 - 【請求項４】リードフレームの連結部から直角方向に延
在する複数のリード部と、該リード部の先端に一体的に
形成された該リード部の板厚よりも厚さの厚い肉厚部と
を有するリードフレームを打ち抜く工程と、 前記複数のリード部のうち、所定数のリード部に対して
該リード部の途中に少なくとも１箇所以上の折曲部を形
成し、前記リードフレームの連結部から前記肉厚部まで
の長さが異なる２種類のリード部を形成する工程と、 上面に所定の導体パターンが形成された絶縁金属基板を
備え、該絶縁金属基板の所定の導体パターン上に、前記
リード部先端の肉厚部下面及び導体バーと、前記リード
部先端の肉厚部上面に半導体チップを半田付けする工程
と、 前記半導体チップの上面電極と、前記導体バー及び前記
肉厚部の上面とをそれぞれボンディングワイヤで結線す
る工程と、 前記絶縁金属基板の下面を外部に露出させると共に、前
記リードフレームの連結部及びリード部の一部が外部に
露出するようにして前記半導体チップを含む絶縁金属基
板の周縁を樹脂封止する工程と、 前記リードフレームの連結部を切り離して所定の樹脂封
止型複合半導体装置を得る工程と、 を有することを特徴とする複合半導体装置の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23786099A JP4100483B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | 複合半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23786099A JP4100483B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | 複合半導体装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068622A true JP2001068622A (ja) | 2001-03-16 |
| JP4100483B2 JP4100483B2 (ja) | 2008-06-11 |
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ID=17021498
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP23786099A Expired - Fee Related JP4100483B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | 複合半導体装置及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP4100483B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142073A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | パワー半導体モジュール |
| JP2009278134A (ja) * | 2009-08-24 | 2009-11-26 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
| JP2012134566A (ja) * | 2012-04-09 | 2012-07-12 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2012138544A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Nippon Inter Electronics Corp | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-08-25 JP JP23786099A patent/JP4100483B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP4687414B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2011-05-25 | 富士電機システムズ株式会社 | パワー半導体モジュール |
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| JP2012138544A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Nippon Inter Electronics Corp | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
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