KR100487464B1 - 리드프레임을이용한반도체칩패키지 - Google Patents

Abstract

본 발명은 리드 프레임 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지에 관한 것으로, 패키지의 크기를 줄여 기판에 대한 실장 면적을 축소하기 위하여 다이 패드의 상부면에 반도체 칩이 도전성 접착제에 의해 부착되며, 반도체 칩과 전기적으로 연결된 리드부의 접속 리드의 말단의 하부면이 다이 패드의 하부면과 동일면에 위치하며, 성형 공정에 의해 반도체 칩, 다이 패드 및 접속 리드의 말단을 포함한 리드부의 일부분이 성형 수지에 의해 봉지되어 패키지 몸체가 형성되며, 패키지 몸체의 하부면에 다이 패드의 하부면과 접속 리드의 말단의 하부면이 노출된 리드 프레임 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지를 제공한다. 특히, 패키지 몸체의 하부면에 노출된 다이 패드의 하부면과 접속 리드 말단의 하부면이 외부 접속 단자로 사용되는 것을 특징으로 한다.

Description

리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지{Semiconductor chip package using lead frame}

본 발명은 리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 칩 패키지의 크기를 줄여 기판에 대한 실장 면적을 줄일 수 있는 리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지에 관한 것이다.

전자제품의 경박단소화 추세에 따라 전자제품에 탑재되는 반도체 제품과 같은 부품의 소형화 및 실장면적 감소에 대한 필요는 현재의 일반적인 패키지구조를 뛰어 넘어 새로운 구조의 제품 창출을 요구하고 있다. 이와 같은 요구에 따라 기판 상에 반도체 제품을 실장할 수 있는 표면 실장형 제품(SMD; Surface Mounting Device)이 개발되었다.

표면 실장형 제품의 반도체 칩이 내장된 반도체 칩 패키지 및 반도체 칩 패키지의 제조에 사용되는 리드 프레임을 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명하겠다.

도 1을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체 칩 패키지용 리드 프레임(10; 이하, "리드 프레임"이라 한다)을 설명하면, 리드 프레임(10)은 반도체 칩이 부착되는 다이 패드(12)와, 다이 패드(12)의 일측에 대향하여 형성된 리드부(13, 14)와, 다이 패드(12)의 일측에 반대되는 다이 패드(12)의 타측과 일체로 형성된 히트 싱크(16; heat sink)를 포함하며, 다이 패드(12)와 히트 싱크(16) 사이에 제조될 반도체 칩 패키지의 기계적인 스트레스를 저하시키기 위한 완충 구멍(17)이 형성되어 있다.

리드 프레임(10)은 스트립(Strip) 형태로 제작되는데, 히트 싱크(16)와 리드부(13, 14)의 외측에 사이드 레일(15; side rail)이 설치되며, 사이드 레일(15)의 일측은 히트 싱크(16)와 복수의 타이 바(18; tie-bar)에 의해 연결되며, 사이드 레일(15)의 타측은 리드부(13, 14)의 말단에 연결된다. 그리고, 리드부(13, 14)의 말단과 연결된 사이드 레일(15) 부분에 이송용 구멍(19)이 소정의 간격을 두고 복수개가 형성되어 있다.

여기서, 리드부(13, 14)는 다이 패드(12)의 일측과 연결된 연결 리드(14)와, 다이 패드(12)의 일측에 근접하게 위치하며, 연결 리드(14)의 양측에 위치하는 접속 리드(13)를 포함한다. 그리고, 리드부(13, 14)는 다이 패드(12)의 일측과 반대되는 말단은 사이드 레일(15)에 연결되며, 리드부(13, 14)를 수직으로 서로 연결하는 지지바(11)에 의해 지지되며, 지지바(11)는 다이 패드(12)에 근접한 부분에 형성된다. 그리고, 다이 패드(12)의 상부면에 대하여 리드부(13, 14)는 상부에 위치하기 때문에 다이 패드(12)와 연결된 연결 리드(14)는 절곡된 부분을 갖는다.

한편, 지지바(11)로 리드부(13, 14)를 지지하는 이유는 리드부(13, 14)가 성형 공정 이후에 패키지 몸체에 대하여 종방향으로 돌출된 접속 리드(13)를 다이 패드(12)의 하부면에 대응되게 면실장 형태로 절곡하기 위해서 길게 형성되기 때문이다.

이와 같은 구조를 갖는 리드 프레임(10)을 이용한 반도체 칩 패키지(20)를 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면, 반도체 칩 패키지(20)는 복수의 본딩 패드(24)가 형성된 반도체 칩(23)이 도전성 접착제(26)에 의해 다이 패드(12)의 상부면에 부착된다. 반도체 칩의 본딩 패드(24)는 그들(24)에 각기 대응되는 접속 리드(13)와 본딩 와이어(25)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고, 반도체 칩(23)과, 다이 패드(12)와, 본딩 와이어(25) 및 반도체 칩(23)에 근접한 리드부(13, 14)의 일부분이 성형 수지에 의해 봉지되어 패키지 몸체(21)를 형성한다. 이때, 다이 패드(12)의 하부면(12a)은 패키지 몸체(21)의 하부면(21a)에 노출된 구조를 갖는다.

이와 같은 성형 공정 이후에 리드부(13, 14) 사이의 지지바(11)와, 히트 싱크(16)와 사이드 레일(15)을 연결하는 타이 바(18) 및 사이드 레일(15)에 연결된 리드부(13, 14)의 말단을 절단하는 절단 공정에 의해 각각의 단위 패키지로 분리되며, 패키지 몸체(21)에 대하여 외부로 돌출된 접속 리드(13)는 면실장 형태로 예를 들면, 걸 윙(gull wing) 타입으로 절곡되어 반도체 칩 패키지(20)의 제조가 완료된다. 이때, 접속 리드 말단(13a)의 하부면은 다이 패드의 하부면(12a)과 동일면에 올 수 있도록 절곡한다.

한편, 반도체 칩(23)이 MOSTFT(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)와 같은 트랜지스터 소자인 경우에, 다이 패드(12)에 솔더(solder)와 같은 전도성 접착제(26)에 부착되는 반도체 칩(23)의 하부면은 드레인(Drain) 단자로 형성되며, 반도체 칩(23)의 상부면의 본딩 패드(24)는 게이트(Gate)와 소스(Source) 단자이다. 반도체 칩(23)의 하부면이 부착된 다이 패드(12)와 연결된 연결 리드(14)는 별도로 본딩 와이어(25)와 같은 전기적 연결 수단이 필요하지 않다.

이와 같은 구조를 갖는 반도체 칩 패키지(20)가 기판(30)에 실장된 상태를 도 4를 참조하여 설명하면, 반도체 칩 패키지의 패키지 몸체(21)의 하부면(21a)에 노출된 다이 패드(12)의 하부면(12a)과, 접속 리드(13)의 말단(13a)이 기판의 기판 패드(32)에 솔더(27)를 이용한 납땜 공정에 의해 기판(30)에 실장된다. 즉, 패키지 몸체의 하부면(21a)에 노출된 다이 패드의 하부면(12a)과, 패키지 몸체(21)에 대하여 종방향으로부터 나온 2개의 접속 리드(13)가 외부 접속 단자의 역할을 하게 된다. 한편, 반도체 칩 패키지(20)의 실장 부분이 패키지 몸체(21)와, 접속 리드(13)이므로 전체적인 실장면적은 이 두 부분의 면적에 비례함을 알 수 있다.

그리고, 도 3에 도시된 반도체 칩 패키지(20)의 경우 반도체 칩 패키지(20)의 종방향의 전체 길이는 9.5±0.3mm 정도이며, 패키지 몸체(21)에 대하여 외부로 돌출된 히트 싱크(16)의 길이가 0.6±0.2mm이고, 패키지 몸체(21)의 길이가 6.1±0.2mm이고, 패키지 몸체(21)에 대하여 외부로 돌출된 2개의 접속 리드(13)의 길이가 2.7±0.2mm를 차지하기 때문에 패키지 몸체(21) 대한 접속 리드(13)의 길이가 약 1/2 정도로 기판(30)에 실장되는 면적이 크다. 그리고, 패키지 몸체(21)에 대하여 외부로 돌출된 연결 리드(14)의 길이는 0.8±0.2mm로, 패키지 몸체(21) 외부로 돌출된 연결 리드(14)는 외부 접속 단자가 아닌 테스트 단자로서 사용되며, 절곡하지 않는다. 물론, 다이 패드의 하부면이 패키지 몸체에 봉지되거나, 다이 패드의 하부면이 외부 접속 단자로서 사용되지 않는 경우에는 패키지 몸체 외부로 돌출된 연결 리드를 외부 접속 단자로 사용하는 반도체 칩 패키지 유형도 있다.

여기서, 반도체 칩 패키지(20)의 실장면적을 줄일 수 있는 방안을 생각해보면, 반도체 칩 패키지(20)의 구조에서 알 수 있듯이 패키지 몸체(21)의 크기를 줄이거나 접속 리드(13)의 길이를 줄이는 방법을 생각해 볼 수 있다.

첫째, 패키지 몸체(21)의 길이를 줄이는 방법은 다이 패드(12)에 실장되는 반도체 칩(23)의 크기를 줄여 전체적인 패키지 몸체(21)의 길이를 줄이는 것이다. 그러나, 현재의 기술 수준에서 반도체 칩(23)의 크기를 줄이는데는 한계가 있으며, 패키지 몸체(21)의 크기는 변화는 크지 않기 때문에 실장면적을 줄이는데는 효과적이지 못한 것으로 생각된다.

둘째, 접속 리드(13)의 길이를 줄이는 방법으로 패키지 몸체(21)에 대하여 종방향으로 돌출된 접속 리드(13)의 절곡을 패키지 몸체(21)에 근접하게 형성하여 전체적인 패키지 몸체(21)의 길이를 주일 수 있는 방법을 생각해 볼 수 있다. 그러나, 패키지 몸체(21)에 대하여 종방향으로 돌출된 접속 리드(13)를 갖는 반도체 칩 패키지(20)에 있어서, 다이 패드의 하부면(12a)에 대응되게 접속 리드의 말단(13a)을 절곡하기 위하여 절곡에 필요한 최소한의 리드 길이가 확보되어야 하기 때문에 반도체 칩 패키지(20)에서 패키지 몸체(21)에 대하여 외부로 돌출된 접속 리드(13)의 부분을 줄이는 데는 한계가 있다. 즉, 패키지 몸체(21)에 외측면에서 접속 리드(13)를 절곡할 경우에는 절곡하는 과정에서 패키지 몸체(21)의 외측면에 기계적인 스트레스에 의한 패키지 몸체(21)가 파괴되는 불량이 발생될 수 있다.

따라서, 본 발명은 반도체 칩 패키지의 실장 면적을 패키지 몸체 수준으로 줄일 수 있는 리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 리드부의 길이를 줄여 리드 프레임의 제조 원가를 낮출 수 있는 리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지를 제공하는 데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 칩이 부착되는 다이 패드와, 상기 다이 패드와 연결된 연결리드와, 다이 패드에서 이격되어 상기 연결 리드가 연결된 방향으로 배열되며, 다이 패드에 근접한 말단의 하부면이 다이 패드의 하부면과 동일면에 위치하는 복수의 접속 리드를 갖는 리드부를 포함하며, 성형 공정시 다이 패드와 접속 리드의 말단의 하부면에 외부에 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지용 리드 프레임을 제공한다. 특히, 본 발명의 접속 리드의 말단의 하부면과 다이 패드의 하부면은 외부 전자 장치에 접속되는 외부 접속 단자인 것을 특징으로 한다.

그리고, 리드부의 연결 리드는 다이 패드의 일측의 중심 부분에 연결되며, 접속 리드는 연결 리드의 양측의 대칭된 위치에 형성되며, 접속 리드의 말단과 다이 패드와 연결된 연결 리드의 부분에 대하여 접속 리드와 연결 리드의 타측은 상향 단차지게 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 따른 리드 프레임은 성형 공정이후에 접속 리드의 접속부가 패키지 몸체의 하부면에 위치하기 때문에 패키지 몸체의 외측으로 돌출되어 절곡된 접속부를 형성할 필요가 없기 때문에 종래와 같이 리드 절곡을 위하여 길게 형성했던 리드의 길이를 단축할 수 있다.

본 발명은 또한 전술된 리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지를 제공한다. 반도체 칩 패키지는 복수의 본딩 패드가 형성된 반도체 칩이 다이 패드의 상부면에 부착되며, 반도체 칩의 본딩 패드와 접속 리드가 본딩 와이어에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고, 반도체 칩, 본딩 와이어, 다이 패드 및 반도체 칩에 근접한 리드부의 일부가 봉지되어 패키지 몸체를 형성하며, 다이 패드의 하부면 및 접속 리드의 말단의 하부면이 패키지 몸체의 하부면에 노출된 구조를 갖는다. 특히, 패키지 몸체의 하부면에 대하여 외부에 노출된 다이 패드의 하부면 및 접속 리드 말단의 하부면은 외부 전자 장치와 연결되는 외부 접속 단자인 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 반도체 칩 패키지의 본딩 와이어는 반도체 칩의 본딩 패드와 접속 리드의 말단을 전기적으로 연결하는 것이 바람직하다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그리고, 본 발명의 실시예에 대한 설명에 있어서, 다이 패드에 근접한 접속 리드의 말단 부분을 접속부라 한다.

도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명에 따른 리드 프레임(40)을 설명하면, 리드 프레임(40)은 반도체 칩이 부착되는 다이 패드(42)와, 다이 패드(42)의 일측에 대향하여 형성된 리드부(43, 44)와, 다이 패드(42)의 일측에 반대되는 다이 패드(42)의 타측과 일체로 형성된 히트 싱크(46)를 포함하며, 다이 패드(42)와 히트 싱크(46) 사이에 제조될 반도체 칩 패키지의 기계적인 스트레스를 저하시키기 위한 완충 구멍(47)이 형성되어 있다.

그리고, 리드 프레임(40)은 스트립(Strip) 형태로 제작되는데, 히트 싱크(46)와 리드부(43, 44)의 외측에 사이드 레일(45)이 설치되며, 사이드 레일(45)의 일측은 히트 싱크(46)와 복수의 타이 바(48)에 의해 연결되며, 사이드 레일(45)의 타측은 리드부(43, 44)의 말단에 연결된다. 그리고, 리드부(43, 44)의 말단과 연결된 사이드 레일(45) 부분에 이송용 구멍(49)이 소정의 간격을 두고 복수개가 형성되어 있다.

여기서, 리드부(43, 44)는 다이 패드(42)의 일측과 연결된 연결 리드(44)와, 다이 패드(42)의 일측에 근접하게 위치하며, 연결 리드(44)의 양측에 위치하는 접속 리드(43)를 포함한다. 그리고, 리드부(43, 44)는 다이 패드(42)의 일측과 반대되는 말단은 사이드 레일(45)에 연결된다. 그리고, 다이 패드(42)의 상부면에 대하여 리드부(43, 44)는 상부에 위치하기 때문에 다이 패드(42)와 연결된 연결 리드(44)는 절곡된 부분을 갖는다. 그리고, 본 발명에서는 접속 리드(43)의 접속부(43a)의 하부면(43b)을 외부 접속 단자로 사용하기 위하여 다이 패드의 하부면(42a)과 동일면에 위치하도록 절곡된 구조를 갖는다. 이때, 접속부(43a) 타측의 접속 리드의 상부면(43c)은 연결 리드의 상부면(44c)과 동일면에 위치한다. 그리고, 본 발명에 따른 리드 프레임(40)은 지지부를 갖지 않으며, 리드부(43, 44)의 길이는 종래의 리드부에 비하여 길이가 짧게 형성된다. 이유는 후술하겠다.

이와 같은 리드 프레임(40)은 스탬핑(Stamping) 방법 또는 에칭(Etching) 방법으로 제작되며, 리드 프레임(50)의 재질로는 경제성, 전기 전도성 및 열 전도성이 우수한 구리(Cu)계 합금이 주로 사용되며, 철(Fe)계 합금을 사용할 수도 있다.

다음으로 본 발명에 따른 리드 프레임(도 5의 40)을 이용한 반도체 칩 패키지(50)를 도 7 및 도 8을 참조하여 설명하면, 반도체 칩 패키지(50)는 복수의 본딩 패드(54)가 형성된 반도체 칩(53)이 도전성 접착제(56)에 의해 다이 패드(42)의 상부면에 부착된다. 반도체 칩의 본딩 패드(54)는 그들(54)에 각기 대응되는 접속 리드(43)의 접속부(43a)와 본딩 와이어(55)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고, 반도체 칩(53)과, 다이 패드(42)와, 본딩 와이어(55) 및 반도체 칩(53)에 근접한 리드부(43, 44)의 일부분이 성형 수지에 의해 봉지되어 패키지 몸체(51)를 형성한다. 이때, 다이 패드(42)의 하부면(42a)과 접속부의 하부면(43b)은 패키지 몸체의 하부면(51a)에 노출된 구조를 갖는다.

이와 같은 성형 공정 이후에 히트 싱크(46)와 사이드 레일(45)을 연결하는 타이 바(48) 및 사이드 레일(45)에 연결된 리드부(43, 44)의 말단을 절단하는 절단 공정에 의해 각각의 단위 패키지로 분리함으로써 반도체 칩 패키지(50)의 제조가 완료된다. 즉, 본 발명에서는 접속부의 하부면(43b)이 외부 접속 단자로서 사용되기 때문에 패키지 몸체(51)에서 외측으로 돌출되는 접속 리드(43)를 절곡할 필요가 없다. 따라서, 리드부(43, 44)를 사이드 레일(45)에 근접하게 짧게 형성하여 종래에 리드부를 지지하기 위해 필요했던 지지바를 형성하지 않았으며, 그로 인하여 지지바의 절단 공정과 접속 리드의 절곡 공정을 생략할 수 있다.

한편, 반도체 칩(53)이 MOSTFT와 같은 트랜지스터 소자인 경우에, 다이 패드(42)에 솔더와 같은 전도성 접착제(56)에 부착되는 반도체 칩(53)의 하부면은 드레인(Drain) 단자로 형성되며, 반도체 칩(53)의 상부면의 본딩 패드(54)는 게이트(Gate)와 소스(Source) 단자이다. 다이 패드(42)와 연결된 연결 리드(44)는 별도로 본딩 와이어(70)와 같은 전기적 연결 수단이 필요하지 않다. 즉, 본 발명에 따른 외부 접속 단자 즉, 다이 패드의 하부면(42a)과, 접속부의 하부면(43b)이 패키지 몸체의 하부면(51a)에 노출되어 형성된 구조를 갖는다.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 칩 패키지(50)의 경우 반도체 칩 패키지(50)의 종방향의 전체 길이는 7.5±0.3mm 정도이며, 패키지 몸체(51)에 대하여 외부로 돌출된 히트 싱크(46)의 길이가 0.6±0.2mm이고, 패키지 몸체(51)의 길이가 6.1±0.2mm이며, 접속 리드(43)와 연결 리드(44)의 길이가 0.8±0.2mm이다. 즉, 패키지 몸체(51)에 대하여 돌출된 접속 리드(43)는 외부 접속 단자로서의 구실보다는 반도체 칩 패키지(50)의 테스트를 위한 단자로서 사용되기 때문에 접속 리드(43)의 길이를 종래의 연결 리드(44)의 길이와 동일한 수준으로 줄일 수 있다.

이와 같은 구조를 갖는 반도체 칩 패키지(50)가 기판(60)에 실장된 상태를 도 9를 참조하여 설명하면, 패키지 몸체(51)의 하부면(51a)에 노출된 다이 패드(42)의 하부면(42a)과, 접속부(43a)의 하부면(43b)이 기판 패드(62)에 솔더(57)를 이용한 납땜 공정에 의해 기판(60)에 실장된다. 즉, 패키지 몸체의 하부면(51a)에 노출된 다이 패드의 하부면(42a)과, 접속부의 하부면(43b)이 외부 접속 단자의 역할을 하기 때문에 반도체 칩 패키지(50)의 실장 면적을 패키지 몸체(51)의 크기 수준으로 줄일 수 있다. 여기서, 패키지 몸체(51)의 내부에 점선으로 도시된 부분은 다이 패드(42)와 연결된 연결 리드(44)를 도시한 것이다.

그리고, 본 발명에 따른 리드 프레임(40) 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지(50)는 다이 패드(42)의 상부면에 하나의 반도체 칩(53)이 실장되며, 다이 패드(42)의 일측의 중심에 연결된 하나의 연결 리드(44)와, 연결 리드(44)를 중심으로 양측의 대칭된 위치에 각기 1개씩 형성된 접속 리드(43)를 갖고 있으며, 다이 패드의 하부면(42a)과 접속 리드의 접속부(43a)가 패키지 몸체의 하부면(51a)에 노출된 구조를 도시하였지만, 다이 패드의 하부면과 복수의 접속 리드의 접속부가 패키지 몸체의 하부면에 노출되는 다른 반도체 칩 패키지 유형에도 적용될 수 있다.

따라서, 본 발명의 구조를 따르면 외부 접속 단자인 다이 패드의 하부면과 접속 리드의 접속부가 패키지 몸체의 하부면에 형성되기 때문에 반도체 칩 패키지의 크기를 줄일 수 있으며, 그에 따라서 기판에 실장되는 반도체 칩 패키지의 실장 면적을 패키지 몸체 수준으로 줄일 수 있다.

그리고, 리드 프레임 지지바가 형성되지 않고, 외부 접속 단자인 다이 패드의 하부면과 접속 리드의 접속부가 패키지 몸체의 하부면에 위치하기 때문에 리드부의 길이 축소와, 지지바의 절단 공정 및 리드부의 절곡 공정이 생략할 수 있어 리드 프레임의 제조 원가와 더불어 반도체 칩 패키지의 제조 원가를 낮출 수 있다.

또한, 패키지 몸체에 대하여 종방향으로 돌출된 리드부는 반도체 칩 패키지를 테스트하기 위한 테스트 단자로서 사용할 수 있다.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 칩 패키지용 리드 프레임을 나타내는 평면도,

도 2는 도 1의 리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지를 나타내는 평면도,

도 3은 도 2의 반도체 칩 패키지를 나타내는 저면도,

도 4는 도 2의 반도체 칩 패키지가 기판에 실장된 상태를 나타내는 정면도,

도 5는 본 발명에 따른 반도체 칩 패키지용 리드 프레임을 나타내는 평면도,

도 6은 도 5의 리드 프레임의 다이 패드와 리드 부분을 확대하여 나타내는 사시도,

도 7은 도 5의 리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지를 나타내는 평면도,

도 8은 도 7의 반도체 칩 패키지를 나타내는 저면도,

도 9는 도 7의 반도체 칩 패키지가 기판에 실장된 상태를 나타내는 부분 단면도,

* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *

40 : 리드 프레임 42 : 다이 패드

43 : 접속 리드 43a : 접속부

44 : 연결 리드 45 : 사이드 레일

46 : 히트 싱크 47 : 완충 구멍

48 : 타이 바 49 : 이송용 구멍

50 : 반도체 칩 패키지 51 : 패키지 몸체

53 : 반도체 칩 54 : 본딩 패드

55 : 본딩 와이어 56 : 도전성 접착제

57 : 솔더

Claims (7)

1. 복수개의 본딩 패드를 갖는 반도체 칩과;

   상부면에 반도체 칩이 부착되는 다이 패드와;

   상기 다이 패드와 연결된 연결 리드와, 상기 다이 패드에서 이격되어 상기 연결 리드가 연결된 방향으로 배열되며, 상기 다이 패드에 근접한 말단의 하부면이 상기 다이 패드의 하부면과 동일면에 위치하는 복수의 접속 리드를 갖는 리드부와;

   상기 접속 리드와 반도체 칩의 본딩 패드를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어와;

   상기 반도체 칩, 본딩 와이어, 다이 패드 및 반도체 칩에 근접한 리드부의 일부분과, 상기 다이 패드 및 접속 리드의 말단의 하부면이 노출되게 봉지된 패키지 몸체;를 포함하며,

   상기 패키지 몸체의 하부면에 노출된 다이 패드 및 접속 리드의 말단이 외부 전자 장치에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
2. 제 1항에 있어서, 상기 리드부는 패키지 몸체의 외측으로 돌출된 부분을 갖고 있으며, 상기 돌출된 부분은 반도체 칩 패키지의 테스트 단자로서 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
3. 제 2항에 있어서, 상기 리드부의 돌출된 부분은 동일면에 위치하며, 상기 리드부의 접속 리드의 돌출된 부분은 상기 접속리드의 말단에 대하여 상향 단차지게 형성되며, 상기 리드부의 연결 리드는 상기 다이 패드에 대하여 상향 단차지게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
4. 제 1항에 있어서, 상기 연결 리드는 상기 다이 패드의 일측의 중심과 연결되며, 상기 접속 리드는 상기 연결 리드의 양측의 대칭된 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
5. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 칩은 상기 다이 패드의 상부면에 도전성 접착제에 의해 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
6. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 칩은 트랜지스터 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
7. 제 1항 내지 제 6항의 어느 한 항에 있어서, 상기 접속 리드의 말단과 상기 반도체 칩의 본딩 패드가 상기 본딩 와이어에 의해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.

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