JPS5812452Y2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5812452Y2
JPS5812452Y2 JP1977013434U JP1343477U JPS5812452Y2 JP S5812452 Y2 JPS5812452 Y2 JP S5812452Y2 JP 1977013434 U JP1977013434 U JP 1977013434U JP 1343477 U JP1343477 U JP 1343477U JP S5812452 Y2 JPS5812452 Y2 JP S5812452Y2
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JP
Japan
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lead
heat sink
pieces
heat dissipation
semiconductor element
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Expired
Application number
JP1977013434U
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English (en)
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JPS53108868U (ja
Inventor
英機 宮永
耕二 山口
裕三郎 小川
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本案は半導体装置に関し、主として樹脂モールド型のり
ニアパワーICの改良に関するものである。
一般にこの種の半導体装置は例えば第1図〜第2図に示
すように放熱板Aの上面に複数のリード片b1〜b7を
点線の斜線で示すタイバーにて一体化してなるリードB
を、中央部分のリード片b4を除くすべてのリード片が
離隔位置するようにリード片b4の先端をL形に屈曲し
て放熱板Aにかしめ固定し、この放熱板Aの中央部上面
に半導体素子Cを半田部材を用いて固定すると共に、半
導体素子Cの電極とリード片b1〜b3及びb5〜b7
とを金属細線りにて接続し、然る後、放熱板A、リード
Bの主要部を樹脂材Eにてモールドすると共にタイバー
を除去して構成されている。
ところで、放熱板A、リードBはそれぞれ肉厚の異なる
金属板より所定形状に打抜いた後、放熱板Aの切欠き部
にリード片b4の先端におけるL形の屈曲部を、他のリ
ード片b1〜b3及びb5〜b7が放熱板Aの上面に離
隔位置するように位置決めした上でかしめ固定されてい
るのであるが、両部材の位置決めは半導体素子Cの電極
と、リードBとの金属細線りによる充分の接続性が得ら
れるように高い精度を以って位置決めする必要がある。
しかし乍ら、放熱板A、リードBは充分に満足しうる打
抜き精度が得られないために、この点をカバーしての位
置決めには作業内容の高度化された製造設備を要し、製
造コストが高くなる傾向にある。
その上、放熱板A、リードBは銅、アルミニウムなどの
ように熱体、導性良好なる金導部材にて構成されている
のであるが、通常これら金属部材は硬度が小さいことも
あって半導体装置の製造工程において放熱板A、リード
Bに作用する外力によってかしめ固定部にゆるみが生じ
易い。
このためにリード片b4と放熱板Aとの機械的接続は勿
論のこと、電気的接続をも劣化せしめ、半導体装置とし
ての特性、信頼性が著しく損なわれるという欠点がある
本案はこのような点に鑑み、放熱板とリードとの位置決
めを簡単かつ確実化して作業性を改善すると共に、製品
における信頼性をも著しく向上させうる半導体装置を提
供するもので、以下実施例について説明する。
第3図〜第5図において、1は熱伝導性良好でかつ肉厚
の厚い部分と薄い部分とを有する金属板から打抜き加工
によって形成した放熱板2及び複数のリード片3□〜3
8よりなるリード3にて構成されたリードフレームであ
って、放熱板2は肉厚の厚い部分を、リード3は肉厚の
薄い部分をそれぞれ所定形状に打抜いて形成されている
尚、リードフレーム1は打抜き加工による他、化学的処
理などによって形成することもできる。
リード3におけるリード片3□、38は放熱板2に連結
部31′、38′を介して一体的に連結されており、そ
の連結部31′。
38′はり−ド3の主要部が放熱板2の上面に離隔対向
するように例えばヘアピン状に屈曲されている。
4は放熱板2の中央部上面に半田部材を用いて固定され
た半導体素子で、その周辺部分にリード片3□〜37の
端部が位置している。
5は半導体素子4の電極とリード片3□〜37の端部と
を接続する金属細線で、例えば超音波ボンディング法に
よって接続される。
6はリードフレーム1の主要部を被覆する樹脂材で、例
えばモールド法によって外装される。
次にこの半導体装置の製造方法について第6図〜第9図
を参照して説明する。
尚、第6図及び第8図は平面図、第7図及び第9図はそ
れぞれの要部側断面図を示している。
まず、第6図〜第7図に示すように圧延ないし切削加工
によって一枚の金属板に肉厚の厚い部分と薄い部分とを
形成し、この金属板における肉厚の厚い部分からは放熱
板2をタイバー2aによって、肉厚の薄い部分からは複
数のリード片3□〜38よりなるリードをタイバー33
.3bによってそれぞれ連続的に打抜き加工してリード
フレーム1を形成する。
尚、放熱板2とリード3とはリード片3..3.におけ
る連結部3、′、38′によって連結支持されるように
打抜き加工されている。
そして、第8図〜第9図に示すようにリードフレーム1
におけるリード3が放熱板1の上面に離隔位置するよう
に、リード片30,3sの放熱板2との連結部3、′、
38′をヘアピン状に屈曲する。
次に放熱板2の中央部上面に半導体素子4を半田部材を
用いて固定すると共に、それの電極とリード片3□〜3
□とを金属細線5にて超音波ボンディングによって接続
する。
尚、この際、リード片32〜3□の端部はボンディング
ツールによって放熱板2に押し付けられるために変形す
るのであるが、リード片31.38の連結部3、′、3
8′をヘアピン状に屈曲することによってリード3に充
分の弾性が付与されている関係で、ボンディングツール
の離脱と同時に原位置に復帰する。
然る後、リードフレーム1の主要部を樹脂材6にてモー
ルドし、放熱板2のタイバー2a並びにリード3のタイ
バー3 a 、3 bを切断除去して第3図に示す半導
体装置を得る。
このようにリードフレームにおける放熱板2とノード3
は熱伝導性良好なる一枚の金属板より同時に所定形状に
一体的に打抜き加−王することによって形成されている
ので、放熱板2における半導体素子4の装着位置に対す
るリード3の位置決めをリード片31.38の屈曲操作
によって簡単がつ確実に行うことができる。
このために、従来のように位置決めに複雑な設備を一切
使用しなくてもよい上、半導体素子4の電極とリード片
32〜37の端部とを金属細線5によって接続するボン
ディング性をも著しく改善できる。
しかも放熱板2とり・=−ド3とはリード片3t、3g
における連結部3□′、38′にて連結一体化されてい
るので、製造工程において放熱板2.リード3に外力が
作用しても連結部3□/、38/の機械的、電気的接続
関係に何ら支障は生じない。
このために、半導体装置としての特性、信頼性を著しく
改善することができる。
特に、放熱板2とリード片3□、38の連結部3□/、
38/をヘアピン状に屈曲すれば、リード3に効果的に
弾性を付与できるために、ボンディング時にリード片3
□〜3□の端部をボンディングツール或いは押え板にて
放熱板2に押し付けたとしても、これらの離脱後にはリ
ード片3□〜3□はほぼ原位置に復帰させることができ
る。
従って、リード片3□〜37と放熱板2との短絡事故を
確実に防止できる。
尚、連結部3□′、38′の屈曲時に、屈曲部が鋭角に
なると、折損し易くなる傾向にあるので、これを防止す
る必要のある場合には連結部31’、38’の屈曲部に
円形の棒状体を介在させればよく、特に絶縁材で構成す
れば除去する必要はない。
さらには放熱板2.リード3は同一金属板より一体的に
打抜き加工されているので、同一部材でメッキする場合
には従来のように放熱板、リードを別々にメッキ操作す
る必要がなく一回の処理操作でよい関係で、作業性を著
しく向上できる。
第10図は本案に係るリードフレームの他の実施例を示
す平面図で、肉厚の厚い部分より打抜き成形された放熱
板2は互いに独立し、リード3はそれぞれタイバー3
a 、3 bにて連結されている。
又、放熱板2とリード3は連結部3、′、38′にて一
体化されている。
通常、金属板において放熱板2を構成する肉厚の厚い部
分は半導体素子の高出力化によって、その肉厚を例えば
2〜5mmと厚くしなければならないのであるが、タイ
バーが存在する場合には樹脂モールドした後における切
断除去操作の際に半導体素子に悪影響を及ばず恐れがあ
る。
しかし乍ら、この実施例にあっては放熱板2を連結する
タイバーが存在しないので、放熱板2の肉厚が半導体素
子の高出力化によって著しく厚くなっても何らトラブル
は生じない。
尚、本案は何ら上記実施例にのみ制約されることなく、
例えばリードフレームにおける放熱板、リードは予め金
属板を圧延、切削加工によって肉厚の厚い部分と薄い部
分とに加工した状態で打抜き、エツチングなどによって
形成する他、同一肉厚の金属板を所望形状に打抜いた後
、リード部分をプレス、圧延などによって肉厚を薄くし
、さらに整形操作を加えて形成することもできる。
又リードフレームにおける放熱板とリード片の連結部は
2個所に設けられているが、一方のリード片の連結部を
省略することもできるし、その形成位置も放熱板の端部
以外とすることもできる。
又リード3の放熱板と連結されるリード片は放熱板の側
面における中央部分より延在するように圧延、切削加工
し、リードの放熱板上への屈曲操作時の方向性を除去す
ることもできる。
さらには放熱板の取付部が樹脂材より突出するように構
成する他、全く突出しないようにモールドすることもで
゛きる。
以上のように本案によれば、放熱板とリードが同一の金
属板より一体的に打抜き成形される関係で、リード端部
の放熱板に対する位置決めを簡単かつ確実化でき作業性
を著しく改善できるし、その上、両者を機械的、電気的
接続関係が製造工程において全く変化しないために半導
体装置としての特性、信頼性を向上させることができる
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の要部破断平面図、第2.図は第1図の
I−I断面図、第3図は本案の一実施例を示す要部破断
平面図、第4図は第3図のII −II断面図、第5図
は第j歯のIII−III断面図、第6図及び第8囚は
半導体装置の製造方法を説明するための平面図、第7図
は第′6′図のM−4v断面図、第9図は第8図のV−
■断面図ミ第10図は本案に係るリードフレームの他の
実施例を示す平面図である。 図中、1はリードフレーム、2は放熱板、3はリード、
3□〜38はリード片、3□′、38′は連結部、4は
半導体素子、5は金属細線、6は樹脂材である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 同一の金属板から放熱板と放熱板より肉厚の薄い複数の
    リード片よりなるリードとをリード片の一部が放熱板に
    連結支持されるように一体的に形成すると共に、リード
    の主要部が放熱板上に離隔して対向するようにリード片
    の放熱板との連結部分を折り返し状に屈曲してなるリー
    ドフレームと、リードフレームにおける放熱板に装着し
    た半導体素子と、半導体素子の電極とリードとを接続し
    た金属細線と、リードフレームの主要部を被覆した樹脂
    材とを具備したことを特徴とする半導体装置。
JP1977013434U 1977-02-07 1977-02-07 半導体装置 Expired JPS5812452Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1977013434U JPS5812452Y2 (ja) 1977-02-07 1977-02-07 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1977013434U JPS5812452Y2 (ja) 1977-02-07 1977-02-07 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS53108868U JPS53108868U (ja) 1978-08-31
JPS5812452Y2 true JPS5812452Y2 (ja) 1983-03-09

Family

ID=28831514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1977013434U Expired JPS5812452Y2 (ja) 1977-02-07 1977-02-07 半導体装置

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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5188178U (ja) * 1975-01-09 1976-07-14
JPS5625247Y2 (ja) * 1975-03-20 1981-06-15

Also Published As

Publication number Publication date
JPS53108868U (ja) 1978-08-31

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