JPS5915386B2 - 半導体装置用ヘッダの製造方法 - Google Patents
半導体装置用ヘッダの製造方法Info
- Publication number
- JPS5915386B2 JPS5915386B2 JP14363378A JP14363378A JPS5915386B2 JP S5915386 B2 JPS5915386 B2 JP S5915386B2 JP 14363378 A JP14363378 A JP 14363378A JP 14363378 A JP14363378 A JP 14363378A JP S5915386 B2 JPS5915386 B2 JP S5915386B2
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- Japan
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- external lead
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- manufacturing
- metal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置用ヘッダ、殊に 。
樹脂封止型大電力半導体装置の製作にあたり使用される
金属ヘッダの製造方法に関する。樹脂封止型半導体装置
は、その封止コストが金属封上型半導体装置の封止コス
トにくらべて安価であるとともに、量産化に適しており
、従来金属封止構造とされていた半導体装置の多くが樹
脂封止構造に切り換えられている。
金属ヘッダの製造方法に関する。樹脂封止型半導体装置
は、その封止コストが金属封上型半導体装置の封止コス
トにくらべて安価であるとともに、量産化に適しており
、従来金属封止構造とされていた半導体装置の多くが樹
脂封止構造に切り換えられている。
ところで、樹脂封止構造には熱放散の面で金属封止構造
にくらべて劣る問題があり、このため、大電力用の半導
体装置の封止構造としては一般に金属封止構造が採用さ
れていた。しかしながら、近年、ヘッダ構造に； 配慮
を払うことによって大電力用半導体を樹脂封止構造とす
る方向の取り組みがなされている。ところで、樹脂封止
構造の下では半導体基板支持体（金属ヘッダ）として銅
板を適当な形状に加工したものが用いられるが、これが
大電力用半導体装置 置であるときには半導体基板の接
着される基板支持部の面積を十分に広く選定するととも
にその厚さも厚く選定することによつて、動作時に半導
体基板から発生する熱を効果的に放散する構造とされる
。一方、外部リード部にはプリント基板など５ への取
りつけの関係から基板支持部と同様の厚みを付与するこ
とはできない。第１図は上記の関係を成立させて形成し
た樹脂封止型大電力半導体装置用の金属ヘッダの中心部
を切断して示した断面図であり、図示するように！０
基板支持部１の厚みを、は外部リード２の厚みを２にく
らべて大である。
にくらべて劣る問題があり、このため、大電力用の半導
体装置の封止構造としては一般に金属封止構造が採用さ
れていた。しかしながら、近年、ヘッダ構造に； 配慮
を払うことによって大電力用半導体を樹脂封止構造とす
る方向の取り組みがなされている。ところで、樹脂封止
構造の下では半導体基板支持体（金属ヘッダ）として銅
板を適当な形状に加工したものが用いられるが、これが
大電力用半導体装置 置であるときには半導体基板の接
着される基板支持部の面積を十分に広く選定するととも
にその厚さも厚く選定することによつて、動作時に半導
体基板から発生する熱を効果的に放散する構造とされる
。一方、外部リード部にはプリント基板など５ への取
りつけの関係から基板支持部と同様の厚みを付与するこ
とはできない。第１図は上記の関係を成立させて形成し
た樹脂封止型大電力半導体装置用の金属ヘッダの中心部
を切断して示した断面図であり、図示するように！０
基板支持部１の厚みを、は外部リード２の厚みを２にく
らべて大である。
このように形成された金属ヘッダでは基板支持部１が放
熱板として効果的に作用する。しかしながら、このよう
に厚さの異る２部分をもつ金属ヘッダを１枚の銅板から
得よう’５ とする場合、素材となる銅板そのものの厚
みを部分的に異つたものとするための切削あるいは圧延
などの加工を施す必要があり材料コストが上昇する不都
合を招く。また、かかる銅板をヘッダとするための打ち
抜き、あるいは折り曲げなどの加工１０精度を十分に高
めてヘッダを製作する必要もある。このため、基板支持
部と外部リード部とを別体物として予め形成しておき、
両者を機械的に結合して一体物とする金属ヘッダの製造
方法も提案されている。■５ 第２図ａ−ｃはかかる方
法によつて得られた金属ヘッダの要部構造を例示する断
面図であり、第２図ａは基板支持部１に形成した溝の中
へ外部リ−ドの１本２の先端を嵌入し、さらにかしめ加
工を施すことによつて得られた金属ヘツダ、第２図ｂは
基板支持部１と外部リード２を鑞材３によつて接着して
１体物とする方法によつて得られた金属ヘツダ、また、
第２図Ｃの構造をうるためのかしめ力旺のかわりに鑞材
３による鑞付けを採用した方法により得られた金属ヘツ
ダを示す。
熱板として効果的に作用する。しかしながら、このよう
に厚さの異る２部分をもつ金属ヘッダを１枚の銅板から
得よう’５ とする場合、素材となる銅板そのものの厚
みを部分的に異つたものとするための切削あるいは圧延
などの加工を施す必要があり材料コストが上昇する不都
合を招く。また、かかる銅板をヘッダとするための打ち
抜き、あるいは折り曲げなどの加工１０精度を十分に高
めてヘッダを製作する必要もある。このため、基板支持
部と外部リード部とを別体物として予め形成しておき、
両者を機械的に結合して一体物とする金属ヘッダの製造
方法も提案されている。■５ 第２図ａ−ｃはかかる方
法によつて得られた金属ヘッダの要部構造を例示する断
面図であり、第２図ａは基板支持部１に形成した溝の中
へ外部リ−ドの１本２の先端を嵌入し、さらにかしめ加
工を施すことによつて得られた金属ヘツダ、第２図ｂは
基板支持部１と外部リード２を鑞材３によつて接着して
１体物とする方法によつて得られた金属ヘツダ、また、
第２図Ｃの構造をうるためのかしめ力旺のかわりに鑞材
３による鑞付けを採用した方法により得られた金属ヘツ
ダを示す。
しかしながら、第２図ａの金属ヘツダをうる方法では基
板支持部１と外部リード２の接続がかしめ加工によつて
実質的になされ、この加工のために特別な装置とこれを
用いた高度の加工技術が必要とされることに加えて両者
の接続部に接触抵抗成分の生じるおそれがある。
板支持部１と外部リード２の接続がかしめ加工によつて
実質的になされ、この加工のために特別な装置とこれを
用いた高度の加工技術が必要とされることに加えて両者
の接続部に接触抵抗成分の生じるおそれがある。
また、第２図ｂならびに第２図Ｃの金属ヘツダをうる方
法では鑞材の使用が不可欠であり、このため、この鑞材
の融点を半導体基板接着用鑞材の融点と大きく異らせね
ばならない。勿論工程も複雑化する。本発明は以上説明
してきた従来の半導体装置用ヘツダの製造方法における
不都合を排除することのできる製造方法を提供するもの
であり、放熱板を兼ねる基板支持部構体の外部リード接
続部に少くとも２本のストライプ状突起を並設し、この
突上に外部リード構体中の外部リードの１本を電気溶接
することによつて両者を結合するところに本発明の製造
方法の特徴が存在する。
法では鑞材の使用が不可欠であり、このため、この鑞材
の融点を半導体基板接着用鑞材の融点と大きく異らせね
ばならない。勿論工程も複雑化する。本発明は以上説明
してきた従来の半導体装置用ヘツダの製造方法における
不都合を排除することのできる製造方法を提供するもの
であり、放熱板を兼ねる基板支持部構体の外部リード接
続部に少くとも２本のストライプ状突起を並設し、この
突上に外部リード構体中の外部リードの１本を電気溶接
することによつて両者を結合するところに本発明の製造
方法の特徴が存在する。
以下に図面を参照して本発明の半導体装置用ヘツダの製
造方法について詳しく説明する。第３図は本発明で使用
される基板支持部構体と外部リード構体の全体的な形状
を示す図であり、基板支持部構体４は複数個の基板支持
体部分１Ａ，１Ｂ，１Ｃを有し、しかも、それぞれの基
板支持部の外部リード接続部には、たとえば契形の断面
形状をもつストライプ状の突起５が並設されている。
造方法について詳しく説明する。第３図は本発明で使用
される基板支持部構体と外部リード構体の全体的な形状
を示す図であり、基板支持部構体４は複数個の基板支持
体部分１Ａ，１Ｂ，１Ｃを有し、しかも、それぞれの基
板支持部の外部リード接続部には、たとえば契形の断面
形状をもつストライプ状の突起５が並設されている。
一方、外部リード構体６は共通接続部７から複数本の外
部リードが同一方向に突出させられた所謂リードフレー
ムであり、３本の外部リード８，９，１０によつて１個
のトランジスタの外部り一ド部が構成される。また、外
部リード８，９，１０の中央に位置する外部リード９は
他の外部リードよりも長く突出され、その先端部１１は
基板支持部構体上に形成されているストラィブ状突起５
の形成域と同等の面積を有し、かつ、他の外部り−ドの
先端部とは異なる平面上に位置している。なお、基板支
持部構体に穿設された孔１２〜１４および外部リード構
体に穿設された孔１５はそれぞれ組立工程においてヘツ
ダの移送ピツ を決定するための孔である。以上の構成
からなる基板支持部構体４と外部リード構体とは異る厚
さの銅板に打ち抜き加工を施すことによつて各別に容易
に形成される。勿論外部リード構体に比較的熱伝導率の
低い鉄板などを用いてもよい。第４図はこのような形状
とされた基板支持部構体のストライブ状突起の形成域上
に外部リード構体の外部リード先端部を配置した状態を
第３図のＸ−Ｘ線に相当する線に沿つて切断して示した
図であり、外部リード９の先端部１１は基板支持体部分
１Ｂに形成された突起５の頂部によつて支承される関係
で基板支持体部分上に位置する。
部リードが同一方向に突出させられた所謂リードフレー
ムであり、３本の外部リード８，９，１０によつて１個
のトランジスタの外部り一ド部が構成される。また、外
部リード８，９，１０の中央に位置する外部リード９は
他の外部リードよりも長く突出され、その先端部１１は
基板支持部構体上に形成されているストラィブ状突起５
の形成域と同等の面積を有し、かつ、他の外部り−ドの
先端部とは異なる平面上に位置している。なお、基板支
持部構体に穿設された孔１２〜１４および外部リード構
体に穿設された孔１５はそれぞれ組立工程においてヘツ
ダの移送ピツ を決定するための孔である。以上の構成
からなる基板支持部構体４と外部リード構体とは異る厚
さの銅板に打ち抜き加工を施すことによつて各別に容易
に形成される。勿論外部リード構体に比較的熱伝導率の
低い鉄板などを用いてもよい。第４図はこのような形状
とされた基板支持部構体のストライブ状突起の形成域上
に外部リード構体の外部リード先端部を配置した状態を
第３図のＸ−Ｘ線に相当する線に沿つて切断して示した
図であり、外部リード９の先端部１１は基板支持体部分
１Ｂに形成された突起５の頂部によつて支承される関係
で基板支持体部分上に位置する。
この関係を成立させつつ両者を所定の圧接力で圧接する
とともに大電流を流して電気溶接することによつて本発
明の方法による半導体装置用ヘツダの形成がなされる。
なお、必要に応じてニツケルあるいは銀などの金属めつ
きを施してもよい。なお、Ｙ１−Ｙ１線〜Ｙ４−Ｙ４線
は基板支持部構体の切断線を示す。以上説明してきた本
発明の製造方法によれば、基板支持部構体と外部リード
構体との結合が電気溶接によつてなされるため、従来の
方法のように、かしめ加工あるいは鑞付けは全く不要と
なり、ヘツダの組立作業能率が大幅に向上するのみなら
ず、かしめ加工による場合の接触抵抗の問題あるいは鑞
付け方法による場合の使用鑞材の選択の問題などことご
とく排除される。
とともに大電流を流して電気溶接することによつて本発
明の方法による半導体装置用ヘツダの形成がなされる。
なお、必要に応じてニツケルあるいは銀などの金属めつ
きを施してもよい。なお、Ｙ１−Ｙ１線〜Ｙ４−Ｙ４線
は基板支持部構体の切断線を示す。以上説明してきた本
発明の製造方法によれば、基板支持部構体と外部リード
構体との結合が電気溶接によつてなされるため、従来の
方法のように、かしめ加工あるいは鑞付けは全く不要と
なり、ヘツダの組立作業能率が大幅に向上するのみなら
ず、かしめ加工による場合の接触抵抗の問題あるいは鑞
付け方法による場合の使用鑞材の選択の問題などことご
とく排除される。
なお、以上の説明ではトランジスタ用ヘツダの製造方法
を例示したが、本発明の方法は他の電力用半導体装置の
ためのヘツダの製作に広く適用して同等の効果が奏され
る。
を例示したが、本発明の方法は他の電力用半導体装置の
ためのヘツダの製作に広く適用して同等の効果が奏され
る。
第１図は樹脂封止型大電力半導体装置ヘツダの基本構造
を示す断面図、第２図ａ−ｃは第１図で示す構造のヘツ
ダの基板支持部と外部リード部を各別に作り両者を結合
して一体物とする従来の方法を示す図、第３図は本発明
の製造方法で使用される基板支持部構体と外部リード構
体の全体的な形状を示す平面図、第４図は本発明の製造
方法により基板支持部構体と外部リード構体との接続状
態を示す図である。 ５・・・・・・ストライプ状突起、６”゜゜・・・外部
リード構体、７・・・・・・共通接続部、８〜１０・・
・・・・外部リード、１１・・・・・・外部リード先端
部、１２〜１５・・・・・・移送 ピツチ決定用孔。
を示す断面図、第２図ａ−ｃは第１図で示す構造のヘツ
ダの基板支持部と外部リード部を各別に作り両者を結合
して一体物とする従来の方法を示す図、第３図は本発明
の製造方法で使用される基板支持部構体と外部リード構
体の全体的な形状を示す平面図、第４図は本発明の製造
方法により基板支持部構体と外部リード構体との接続状
態を示す図である。 ５・・・・・・ストライプ状突起、６”゜゜・・・外部
リード構体、７・・・・・・共通接続部、８〜１０・・
・・・・外部リード、１１・・・・・・外部リード先端
部、１２〜１５・・・・・・移送 ピツチ決定用孔。
Claims (1)
- １ 熱伝導性が良好で肉厚の金属板に打ち抜き加工を施
し形成された基板支持部構体の外部リード接続部に少く
とも２本のストライプ状突起を並設するとともに、同ス
トライプ状突起上に前記基板支持部構体より薄い金属板
よりなる外部リード構体中の外部リードの１本の先端部
を当接させるとともに、同当接部に通電して電気溶接し
、前記基板支持部構体と外部リード構体を１体化するこ
とを特徴とする半導体装置用ヘッダの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14363378A JPS5915386B2 (ja) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | 半導体装置用ヘッダの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14363378A JPS5915386B2 (ja) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | 半導体装置用ヘッダの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5570055A JPS5570055A (en) | 1980-05-27 |
| JPS5915386B2 true JPS5915386B2 (ja) | 1984-04-09 |
Family
ID=15343288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14363378A Expired JPS5915386B2 (ja) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | 半導体装置用ヘッダの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915386B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57146348U (ja) * | 1981-03-09 | 1982-09-14 | ||
| JPS57148855U (ja) * | 1981-03-12 | 1982-09-18 | ||
| FR2782573B1 (fr) * | 1998-08-24 | 2003-10-17 | Possehl Electronic France Sa | Support metallique, notamment pour composants electroniques de puissance |
-
1978
- 1978-11-20 JP JP14363378A patent/JPS5915386B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5570055A (en) | 1980-05-27 |
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