JPH03109755A - 樹脂封止型ｉｃ - Google Patents
樹脂封止型ｉｃInfo
- Publication number
- JPH03109755A JPH03109755A JP24631189A JP24631189A JPH03109755A JP H03109755 A JPH03109755 A JP H03109755A JP 24631189 A JP24631189 A JP 24631189A JP 24631189 A JP24631189 A JP 24631189A JP H03109755 A JPH03109755 A JP H03109755A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- sealed
- lead
- thickness
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型ＩＣ，特に放熱特性が良好で樹脂ク
ラックの発生を防止できる樹脂封止型ＩＣ並びにその製
造方法に関する。
ラックの発生を防止できる樹脂封止型ＩＣ並びにその製
造方法に関する。
（従来の技術〕
従来の樹脂封止型ＩＣは第８図に示すように。
厚さが０．１ｍｍ乃至０．３ｍであり、この厚さに対し
非常に薄いリードフレームの中央部に半導体素子１を搭
載し、これらを封止用樹脂５で封止し、外周部を折り曲
げてその先端を基板に接触させたものである。この樹脂
封止型ＩＣの放熱効果を高める対策としてこれにヒート
シンク６を貼りつけるか、または内蔵させた構造のもの
が特開昭６１−１２３５４８号や特開昭６１−１６６０
５１号等に記載されている。また、内部リード４や外部
リード４Ｇからの放熱効果を狙ったものが特開昭６１−
１２８５４８号に記載されている。
非常に薄いリードフレームの中央部に半導体素子１を搭
載し、これらを封止用樹脂５で封止し、外周部を折り曲
げてその先端を基板に接触させたものである。この樹脂
封止型ＩＣの放熱効果を高める対策としてこれにヒート
シンク６を貼りつけるか、または内蔵させた構造のもの
が特開昭６１−１２３５４８号や特開昭６１−１６６０
５１号等に記載されている。また、内部リード４や外部
リード４Ｇからの放熱効果を狙ったものが特開昭６１−
１２８５４８号に記載されている。
半導体素子の高集積化や大型化が進むにつれて、それ自
身の発熱量の増加、あるいは半導体素子を封止する樹脂
の信頼性の低下が問題化してきた。
身の発熱量の増加、あるいは半導体素子を封止する樹脂
の信頼性の低下が問題化してきた。
発熱量の増大に伴う半導体素子の温度上昇を防ぐ方法と
して第３図に示すようにフィン６Ｆを取付けることが知
られている。しかし、従来の樹脂封止型ＩＣにおいては
その半導体素子１が熱を逃がしにくい欠点がある。すな
わち、熱伝導率の小さい樹脂で周囲を封止してしまう構
造であるため、半導体素子より発生熱の放散について問
題があった。
して第３図に示すようにフィン６Ｆを取付けることが知
られている。しかし、従来の樹脂封止型ＩＣにおいては
その半導体素子１が熱を逃がしにくい欠点がある。すな
わち、熱伝導率の小さい樹脂で周囲を封止してしまう構
造であるため、半導体素子より発生熱の放散について問
題があった。
また、樹脂封止型ＩＣを基板に半田付は作業する際、該
樹脂封止型ＩＣ全体が高温の赤外線中にさらされるため
、絶縁フィルム２の中の水分が気化膨張するが、その圧
力に対して絶縁フィルム側面の近傍における樹脂の変位
拘束力が弱く、その結果回部に樹脂クラッチ５Ｃを生ず
る欠点があった。
樹脂封止型ＩＣ全体が高温の赤外線中にさらされるため
、絶縁フィルム２の中の水分が気化膨張するが、その圧
力に対して絶縁フィルム側面の近傍における樹脂の変位
拘束力が弱く、その結果回部に樹脂クラッチ５Ｃを生ず
る欠点があった。
さらに、放熱性を向上させるために上下面に銅やアルミ
ニウム等のヒートシンク６を設けた樹脂封止型ＩＣにお
いては外形の大型化が避けられない場合が多く、しかも
フィン６Ｆの高さＨが大きくなると、外部から荷重Ｆが
作用するとき接合部６Ｈに剥＠現象を生じた。
ニウム等のヒートシンク６を設けた樹脂封止型ＩＣにお
いては外形の大型化が避けられない場合が多く、しかも
フィン６Ｆの高さＨが大きくなると、外部から荷重Ｆが
作用するとき接合部６Ｈに剥＠現象を生じた。
本発明の目的はこれらの欠点を克服し、放熱特性がすぐ
れ且つ強度上の信頼性の大きい樹脂封止型ＩＣを提供す
ることである。
れ且つ強度上の信頼性の大きい樹脂封止型ＩＣを提供す
ることである。
上記目的は前述のヒートシンクを除去し、リードの厚み
を増加させる考えにより、達成される。
を増加させる考えにより、達成される。
すなわち上記目的は半導体素子と、前記半導体素子と外
部との電気接続を果たすためのリードの集合体と、前記
半導体素子と前記リードとの電気接続を果たすための接
続手段を偉え、これらを樹脂で封止することにより成形
しプリント基板の表面に装着するための構造を有する樹
脂封止型ＩＣにおいて；樹脂外形寸法内の内部リードの
全域にわたり樹脂封止型ＩＣの厚さと同一方向のリード
厚さが樹脂封止型ＩＣの厚さに直交する方向のリード幅
より大なる樹脂封止型ＩＣにより得られる。
部との電気接続を果たすためのリードの集合体と、前記
半導体素子と前記リードとの電気接続を果たすための接
続手段を偉え、これらを樹脂で封止することにより成形
しプリント基板の表面に装着するための構造を有する樹
脂封止型ＩＣにおいて；樹脂外形寸法内の内部リードの
全域にわたり樹脂封止型ＩＣの厚さと同一方向のリード
厚さが樹脂封止型ＩＣの厚さに直交する方向のリード幅
より大なる樹脂封止型ＩＣにより得られる。
本発明によれば、素子より発生した熱の放散方向、すな
わち、素子から装置幅方向、及び高さ方向にかけて、樹
脂に比べ格段に高熱伝導率を有するリードが展開される
ことになる。例えば銅をベースとした合金をリード材と
して用いれば、その熱伝導率は３００〜４００Ｗ／ｍＫ
であれば、樹脂の０ 、６ Ｗ ／ ｍ Ｋ と比べ非
常に大きく、シかもその一部は、基板の銅プリント部と
接触するため、効率よく放熱を行うことができる。
わち、素子から装置幅方向、及び高さ方向にかけて、樹
脂に比べ格段に高熱伝導率を有するリードが展開される
ことになる。例えば銅をベースとした合金をリード材と
して用いれば、その熱伝導率は３００〜４００Ｗ／ｍＫ
であれば、樹脂の０ 、６ Ｗ ／ ｍ Ｋ と比べ非
常に大きく、シかもその一部は、基板の銅プリント部と
接触するため、効率よく放熱を行うことができる。
しかも、そのことにより、従来の樹脂封止型ＩＣに見ら
れたような樹脂封止型ヒートシンクが不要となるためそ
の接合部における強度的問題は解消される。
れたような樹脂封止型ヒートシンクが不要となるためそ
の接合部における強度的問題は解消される。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図は本発明の第１実施例の部分断面斜視図、第２図
は同幅方向断面図である。厚さを０．８〜１．０ｍｍ程
度と、従来に比べ数倍厚くした内部リード４上に、絶縁
フィルム２を添付し、その上に素子１を搭載、しかる後
にリードの下面形状と合致する形状の金型を用い、樹脂
５で封止、成形したものである。リードの下表面が樹脂
封止型ＩＣの下表面より露出しているため、外部との電
気接続は直接この部分にて行うことができる。また、そ
れと同時に、熱の放散が、基板の銅プリント部、側面、
底面へと効率的に行われる。
は同幅方向断面図である。厚さを０．８〜１．０ｍｍ程
度と、従来に比べ数倍厚くした内部リード４上に、絶縁
フィルム２を添付し、その上に素子１を搭載、しかる後
にリードの下面形状と合致する形状の金型を用い、樹脂
５で封止、成形したものである。リードの下表面が樹脂
封止型ＩＣの下表面より露出しているため、外部との電
気接続は直接この部分にて行うことができる。また、そ
れと同時に、熱の放散が、基板の銅プリント部、側面、
底面へと効率的に行われる。
ところで、本発明によれば、例えばＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ
０ｕｔｌｉｎｅ Ｊ−ｂｅｎｄ ｐａｃｋｃａｇｅ）
の場合、リード厚は約１ｒｍ程度必要となる。一般、エ
ツチング加工では、最低限、加工深さと同程度の加工が
必要であるので、この場合、ＩｎｆＴＩ程度リード間隔
をとらねばならないごとになるがリードピッチが１．２
７ｍ１であることから、０．３＋ｍ＋程度のリード幅は
十分確保でき、問題はない。
０ｕｔｌｉｎｅ Ｊ−ｂｅｎｄ ｐａｃｋｃａｇｅ）
の場合、リード厚は約１ｒｍ程度必要となる。一般、エ
ツチング加工では、最低限、加工深さと同程度の加工が
必要であるので、この場合、ＩｎｆＴＩ程度リード間隔
をとらねばならないごとになるがリードピッチが１．２
７ｍ１であることから、０．３＋ｍ＋程度のリード幅は
十分確保でき、問題はない。
第３図乃至７図にそれぞれ本発明の第２乃至第６実施例
を示す。第３図は樹脂封止する際の樹脂の流動性向上、
及びはんだ付は作業時の樹脂の変形拘束効果を高めるた
めにリード側面に貫通穴４Ａを設けた例である。尚これ
はスリット、あるいはデインプルであっても良し鳥 第４図はリード厚さを素子上面まで延長した例である。
を示す。第３図は樹脂封止する際の樹脂の流動性向上、
及びはんだ付は作業時の樹脂の変形拘束効果を高めるた
めにリード側面に貫通穴４Ａを設けた例である。尚これ
はスリット、あるいはデインプルであっても良し鳥 第４図はリード厚さを素子上面まで延長した例である。
こうすることにより、放熱面積が増加すると同時に、第
８図についてのべた樹脂クラックの発生位置までリード
が覆うことになるため、蒸気圧による引張力に対する樹
脂の変形を拘束することができ、従って樹脂クラックが
防止できる。
８図についてのべた樹脂クラックの発生位置までリード
が覆うことになるため、蒸気圧による引張力に対する樹
脂の変形を拘束することができ、従って樹脂クラックが
防止できる。
第５図は放熱部を樹脂封止型ＩＣの上面に設け、その裏
面に素子１を搭載した例である。第４図の例と同様の理
由により、樹脂クラックの発生も防止できる。
面に素子１を搭載した例である。第４図の例と同様の理
由により、樹脂クラックの発生も防止できる。
第６図は外部リード４Ｇは従来構造のままとし、内部リ
ード厚さを増加させた例である。
ード厚さを増加させた例である。
第７図は薄い金属片４Ｂ−Ｄをロウ材、もしくは導電性
の接着材７Ａ、Ｂを介して接合し、リードを厚くした場
合と同等の効果をもたせた例である。
の接着材７Ａ、Ｂを介して接合し、リードを厚くした場
合と同等の効果をもたせた例である。
上記実施例はいずれも樹脂封止型ＩＣの側面２方向から
のみリードが露出しているものについて述べたが、その
他、４方向からリードが露出しているものについても適
用できる。また、内部リードは、必ずしも樹脂封止型Ｉ
Ｃの表面に露出している必要はなく、封止用金型の精度
あるいは加工時の安全上、露出部リード表面に多少の樹
脂が付着していても大きな影響はない。
のみリードが露出しているものについて述べたが、その
他、４方向からリードが露出しているものについても適
用できる。また、内部リードは、必ずしも樹脂封止型Ｉ
Ｃの表面に露出している必要はなく、封止用金型の精度
あるいは加工時の安全上、露出部リード表面に多少の樹
脂が付着していても大きな影響はない。
本発明の樹脂封止型ＩＣによ九ば、素子内で発生した熱
の放散方向に沿ってリードが樹脂封止型ＩＣの長さ方向
、及び高さ方向に展開しており、その端部は樹脂封止型
ＩＣの表面に露出しているので、効率よく放熱を行うこ
とができる。また、樹脂クランクの発生位置までリード
厚さを延長することにより、樹脂クラックの発生を防止
することができる。
の放散方向に沿ってリードが樹脂封止型ＩＣの長さ方向
、及び高さ方向に展開しており、その端部は樹脂封止型
ＩＣの表面に露出しているので、効率よく放熱を行うこ
とができる。また、樹脂クランクの発生位置までリード
厚さを延長することにより、樹脂クラックの発生を防止
することができる。
第１図は本発明にかかる樹脂封止型ＩＣの第１実施例の
部分断面斜視図、第２図は第１図の幅方向の断面図、第
３図乃至第７図はそれぞれ本発明にかかる樹脂封止型Ｉ
Ｃの第２乃至第６実施例の幅方向断面図、第８図は従来
の樹脂封止型ＩＣの幅方向断面図である。 １・・・素子、２・・・絶縁フィルム、３・・・ボンデ
ィングワイヤ、４・・・内部リード、４Ａ・・・貫通穴
、４Ｇ・・・外部リード、５・・・封止樹脂、５Ｃ・・
・樹脂クラック、６・・・ヒートシンク、６Ｆ・・・フ
ィン高さ、Ｆ・・・荷重、４Ｂ−Ｄ・・・積層型内部リ
ード、７Ａ、Ｂ・・・ろう材。
部分断面斜視図、第２図は第１図の幅方向の断面図、第
３図乃至第７図はそれぞれ本発明にかかる樹脂封止型Ｉ
Ｃの第２乃至第６実施例の幅方向断面図、第８図は従来
の樹脂封止型ＩＣの幅方向断面図である。 １・・・素子、２・・・絶縁フィルム、３・・・ボンデ
ィングワイヤ、４・・・内部リード、４Ａ・・・貫通穴
、４Ｇ・・・外部リード、５・・・封止樹脂、５Ｃ・・
・樹脂クラック、６・・・ヒートシンク、６Ｆ・・・フ
ィン高さ、Ｆ・・・荷重、４Ｂ−Ｄ・・・積層型内部リ
ード、７Ａ、Ｂ・・・ろう材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子と、前記半導体素子と外部との電気接続
を果たすためのリードの集合体と、前記半導体素子と前
記リードとの電気接続を果たすための接続手段を備え、
これらを樹脂で封止することにより成形しプリント基板
の表面に装着するための構造を有する樹脂封止型ＩＣに
おいて；樹脂外形寸法内の内部リードの全域にわたり樹
脂封止型ＩＣの厚さと同一方向のリード厚さが樹脂封止
型ＩＣの厚さと直交する方向のリード幅より大なること
を特徴とする樹脂封止型ＩＣ。 ２、前記リードの少なくとも１表面と樹脂封止型ＩＣの
少なくとも１表面とが同一面で形成されていることを特
徴とする請求項１記載の樹脂封止型ＩＣ。 ３、内部リード厚さと樹脂封止型ＩＣの厚さが同一であ
ることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型ＩＣ。 ４、複数枚の金属片を積層し、これらをろう材または導
電性接着材にて接合することによりリードを構成したこ
とを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型ＩＣ。 ５、内部リードの表面に貫通穴を設けたことを特徴とす
る請求項１記載の樹脂封止型ＩＣ。 ６、内部リードの表面が凹凸形状を有することを特徴と
する請求項１記載の樹脂封止型ＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24631189A JPH03109755A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 樹脂封止型ｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24631189A JPH03109755A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 樹脂封止型ｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109755A true JPH03109755A (ja) | 1991-05-09 |
Family
ID=17146669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24631189A Pending JPH03109755A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 樹脂封止型ｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03109755A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5552632A (en) * | 1993-04-28 | 1996-09-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plate-shaped external storage device and method of producing the same |
| EP0700086A3 (en) * | 1994-08-29 | 1997-08-20 | Analog Devices Inc | Integrated circuit pack with improved heat sink |
| JP2007128018A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-05-24 | Takashi Koga | 音響発生装置及びこれを用いた音響発生用植物保持体 |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP24631189A patent/JPH03109755A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5552632A (en) * | 1993-04-28 | 1996-09-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plate-shaped external storage device and method of producing the same |
| US6201295B1 (en) | 1993-04-28 | 2001-03-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plate-shaped external storage device and method of producing the same |
| US6274926B1 (en) | 1993-04-28 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plate-shaped external storage device and method of producing the same |
| EP0700086A3 (en) * | 1994-08-29 | 1997-08-20 | Analog Devices Inc | Integrated circuit pack with improved heat sink |
| JP2007128018A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-05-24 | Takashi Koga | 音響発生装置及びこれを用いた音響発生用植物保持体 |
| JP4690901B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2011-06-01 | 敬司 古賀 | 音響発生装置及びこれを用いた音響発生用植物保持体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101391924B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| US7944044B2 (en) | Semiconductor package structure having enhanced thermal dissipation characteristics | |
| JPH08213536A (ja) | パッケージの一面に露出した半導体ダイ取付けパッドを有するダウンセットされたリードフレームおよびその製造方法 | |
| JP2003264265A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| US5299091A (en) | Packaged semiconductor device having heat dissipation/electrical connection bumps and method of manufacturing same | |
| JPH09260550A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03204965A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3094768B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000323593A (ja) | 半導体装置 | |
| JP6048238B2 (ja) | 電子装置 | |
| CN111373527B (zh) | 半导体装置 | |
| JP3615651B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR960039449A (ko) | 반도체 패키지, 리드프레임 및 제조방법 | |
| JP2501246B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3427492B2 (ja) | 凸型ヒートシンク付き半導体装置及びその凸型ヒートシンクの製造方法 | |
| JPH03109755A (ja) | 樹脂封止型ｉｃ | |
| US20010040300A1 (en) | Semiconductor package with heat dissipation opening | |
| JP5096812B2 (ja) | 複合リードフレームを用いた半導体装置 | |
| JPH0637217A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03174749A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0151058B2 (ja) | ||
| JP4992302B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
| JPS6329413B2 (ja) | ||
| JP2006294729A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2690248B2 (ja) | 表面実装型半導体装置 |