JPH0151058B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0151058B2 JPH0151058B2 JP58051492A JP5149283A JPH0151058B2 JP H0151058 B2 JPH0151058 B2 JP H0151058B2 JP 58051492 A JP58051492 A JP 58051492A JP 5149283 A JP5149283 A JP 5149283A JP H0151058 B2 JPH0151058 B2 JP H0151058B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- resin
- semiconductor device
- resin case
- view
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 7
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の外部接続用端子に弾力
性を付与するもので、比較的大電流を要するとと
もに弾力性を必要とするパワー用の半導体装置に
用いられるものである。
性を付与するもので、比較的大電流を要するとと
もに弾力性を必要とするパワー用の半導体装置に
用いられるものである。
従来、比較的大電流の外部接続用端子を備える
半導体装置、例えば混成集積回路で第１図に示さ
れる回路構成を内装する外囲器構造に第２図ない
し第４図によつて示されるものがある。すなわ
ち、第１図の回路は第１のトランジスタT1、第
２のトランジスタT2、第１のトランジスタT1の
Ｃ−Ｅ間にこれと逆方向に接続された第１のダイ
オードD1、第２のダイオードD2を設けた回路を
放熱板（第２図および第３図の１）上に組立て、
これをモールド形成された樹脂ケース２，２′で
封止して外囲器が形成されている。また、回路を
外部導出するための金属板の端子３，３…は、放
熱板１上にセラミツクスのような電気絶縁板を介
してこの電気絶縁板上面にパターン状に形成され
た銅層４にはんだ接合（はんだ層５）されて直立
する。さらに、板状端子は外囲器の側壁部を形成
する樹脂ケース２と、ふた部を形成する樹脂ケー
ス２′とで形成される空間を直上し後者の樹脂ケ
ース２′を貫通して一端に外部回路との接続手段
を設けている。なお、上記放熱板１と樹脂ケース
２，２′で構成される空間には、シリコーン樹脂
とエポキシ樹脂をこの順に注入したのち加熱固化
させてシリコーン樹脂層６とエポキシ樹脂層７と
の積層層を形成し、端子３，３′…をケースに固
定すると同時に封止を行なつている。
半導体装置、例えば混成集積回路で第１図に示さ
れる回路構成を内装する外囲器構造に第２図ない
し第４図によつて示されるものがある。すなわ
ち、第１図の回路は第１のトランジスタT1、第
２のトランジスタT2、第１のトランジスタT1の
Ｃ−Ｅ間にこれと逆方向に接続された第１のダイ
オードD1、第２のダイオードD2を設けた回路を
放熱板（第２図および第３図の１）上に組立て、
これをモールド形成された樹脂ケース２，２′で
封止して外囲器が形成されている。また、回路を
外部導出するための金属板の端子３，３…は、放
熱板１上にセラミツクスのような電気絶縁板を介
してこの電気絶縁板上面にパターン状に形成され
た銅層４にはんだ接合（はんだ層５）されて直立
する。さらに、板状端子は外囲器の側壁部を形成
する樹脂ケース２と、ふた部を形成する樹脂ケー
ス２′とで形成される空間を直上し後者の樹脂ケ
ース２′を貫通して一端に外部回路との接続手段
を設けている。なお、上記放熱板１と樹脂ケース
２，２′で構成される空間には、シリコーン樹脂
とエポキシ樹脂をこの順に注入したのち加熱固化
させてシリコーン樹脂層６とエポキシ樹脂層７と
の積層層を形成し、端子３，３′…をケースに固
定すると同時に封止を行なつている。
叙上の従来の構造では端子ははんだ接合部のは
んだ層５とエポキシ樹脂層７で固定されるので、
半導体素子等の動作による発熱で端子３、シリコ
ーン樹脂６、樹脂ケース２、エポキシ樹脂７が熱
膨張する。そして、端子３の伸び量と、シリコー
ン樹脂６、樹脂ケース２、エポキシ樹脂７による
伸び量との差が応力となつてはんだ層５に印加さ
れ、はんだ接合が破壊されるという重大な欠点が
ある。
んだ層５とエポキシ樹脂層７で固定されるので、
半導体素子等の動作による発熱で端子３、シリコ
ーン樹脂６、樹脂ケース２、エポキシ樹脂７が熱
膨張する。そして、端子３の伸び量と、シリコー
ン樹脂６、樹脂ケース２、エポキシ樹脂７による
伸び量との差が応力となつてはんだ層５に印加さ
れ、はんだ接合が破壊されるという重大な欠点が
ある。
この発明は叙上の従来の半導体装置の構造の欠
点を改良するためになされたもので、半導体装置
の動作に伴なう発熱によりケースおよび封入樹脂
と、端子との間に生ずる伸び量の差を弾性を備え
る形状の端子により吸収消去させるものである。
点を改良するためになされたもので、半導体装置
の動作に伴なう発熱によりケースおよび封入樹脂
と、端子との間に生ずる伸び量の差を弾性を備え
る形状の端子により吸収消去させるものである。
この発明にかかる半導体装置は放熱板と組み合
わされた樹脂ケース内のパターン配線上の接合部
に一端をはんだ接合し他端を樹脂ケースから突出
させた金属の板状端子を樹脂ケース内に樹脂を封
入して固定させたものにおいて、板状端子がその
両側縁に湾入させて形成された切欠部を有するこ
とを特徴とする。
わされた樹脂ケース内のパターン配線上の接合部
に一端をはんだ接合し他端を樹脂ケースから突出
させた金属の板状端子を樹脂ケース内に樹脂を封
入して固定させたものにおいて、板状端子がその
両側縁に湾入させて形成された切欠部を有するこ
とを特徴とする。
この発明の目的とする板状の端子に弾性を備え
させる形状として、一般にその板厚方向に折曲部
を設け、いわゆるアコーデイオン形に成形するこ
とが知られている。これを応用して第５図に示す
ように、端子８に板の幅方向からみてＣ字型の折
曲部８ａを形成し試みた。その結果、電流容量を
確保するためと、端子としての機械的強度を得る
ために0.8mmの板厚としたが、温度サイクルや熱
被労の試験に対し熱変型に追随できず、はんだ接
合部に剥離を生じた。そこで、Ｃを横方向に延長
し、あるいはＵ字を平面上で90度回転させて得ら
れるような形状にすれば相当な効果は生ずるとみ
られるが、ケース内で中央部では半導体を収める
ためにスペース的に障害あり、端部ではケースが
邪魔になるのでケースを大型にする必要があるな
どの問題がある。また、端子の製造に要する材料
が大量になるとともに折曲げ加工を加える必要な
どから高価につく欠点があつた。
させる形状として、一般にその板厚方向に折曲部
を設け、いわゆるアコーデイオン形に成形するこ
とが知られている。これを応用して第５図に示す
ように、端子８に板の幅方向からみてＣ字型の折
曲部８ａを形成し試みた。その結果、電流容量を
確保するためと、端子としての機械的強度を得る
ために0.8mmの板厚としたが、温度サイクルや熱
被労の試験に対し熱変型に追随できず、はんだ接
合部に剥離を生じた。そこで、Ｃを横方向に延長
し、あるいはＵ字を平面上で90度回転させて得ら
れるような形状にすれば相当な効果は生ずるとみ
られるが、ケース内で中央部では半導体を収める
ためにスペース的に障害あり、端部ではケースが
邪魔になるのでケースを大型にする必要があるな
どの問題がある。また、端子の製造に要する材料
が大量になるとともに折曲げ加工を加える必要な
どから高価につく欠点があつた。
この発明は従来の端子が占めるスペースと変わ
らない側面方向ないし垂直方向のスペースで充分
な弾性を備える端子形状の１例を第６図以降に示
す。なお、端子を除く他の部分は従来と変わらな
いので、図面に従来と同じ符号を付けて示し説明
を省略する。
らない側面方向ないし垂直方向のスペースで充分
な弾性を備える端子形状の１例を第６図以降に示
す。なお、端子を除く他の部分は従来と変わらな
いので、図面に従来と同じ符号を付けて示し説明
を省略する。
第６図ないし第８図に例示する半導体装置は１
実施例の端子１１を用いたものである。この端子
１１はシリコーン樹脂浸漬部分における両側縁に
湾入させて形成された切欠部１１ａ，１１a′，１
１a″…を備え、これらによつて端子のこの部分は
Ｓ字型のような蛇行部になつている。このように
して蛇行部分の断面積を所定の通過電流に適応し
たものにすれば従来の構造と変らない端子部分の
発熱にとどめることができる上に、あらゆる方向
に充分な弾性を備える構造である。
実施例の端子１１を用いたものである。この端子
１１はシリコーン樹脂浸漬部分における両側縁に
湾入させて形成された切欠部１１ａ，１１a′，１
１a″…を備え、これらによつて端子のこの部分は
Ｓ字型のような蛇行部になつている。このように
して蛇行部分の断面積を所定の通過電流に適応し
たものにすれば従来の構造と変らない端子部分の
発熱にとどめることができる上に、あらゆる方向
に充分な弾性を備える構造である。
次に別の１実施例の端子２１の構造を第９図に
示す。この構造は、端子のはんだ接合される側の
端部２１ａが端子の本体部の幅の延長上から外れ
た部分２１a′を有するという特徴がある。そし
て、上記端部２１ａの近傍でシリコーン樹脂中に
浸漬される部分の両側縁に湾入させて形成された
切欠部２１ｂ，２１b′，２１b″…を備え、所定幅
でＳ字型のような蛇行部になつている。
示す。この構造は、端子のはんだ接合される側の
端部２１ａが端子の本体部の幅の延長上から外れ
た部分２１a′を有するという特徴がある。そし
て、上記端部２１ａの近傍でシリコーン樹脂中に
浸漬される部分の両側縁に湾入させて形成された
切欠部２１ｂ，２１b′，２１b″…を備え、所定幅
でＳ字型のような蛇行部になつている。
さらに別の１実施例の端子３１の構造を第１０
図に示す。この構造は上記第９図に示した実施例
の特徴をさらに発展させて、端子のはんだ接合さ
れる側の端部３１ａが端子本体部の幅の延長上に
全くない程に外れて形成されている。なお、図に
おける３１ｂ，３１b′，３１b″はいずれも上記と
同様の切欠部である。
図に示す。この構造は上記第９図に示した実施例
の特徴をさらに発展させて、端子のはんだ接合さ
れる側の端部３１ａが端子本体部の幅の延長上に
全くない程に外れて形成されている。なお、図に
おける３１ｂ，３１b′，３１b″はいずれも上記と
同様の切欠部である。
上記第９図および第１０図によつて示される実
施例の端子２１，３１はいずれもはんだ接合され
る銅層のパターンの直上を外れた位置に端子のア
ウタ部分を設けるのに有効であり、しかも弾性を
備えてはんだ接合部を保護できる利点もある。
施例の端子２１，３１はいずれもはんだ接合され
る銅層のパターンの直上を外れた位置に端子のア
ウタ部分を設けるのに有効であり、しかも弾性を
備えてはんだ接合部を保護できる利点もある。
この発明によれば、半導体素子等の動作による
発熱で端子の伸び量と、シリコーン樹脂、樹脂ケ
ース、エポキシ樹脂による伸び量との差によつて
発生する応力のためにはんだ接合部が破壊される
ことがほとんど解消されるという顕著な利点があ
る。すなわち、上記を確認するための温度サイク
ル試験において、はんだ接合破壊によるオープン
不良が従来品は３〜５サイクルで発生をみたが、
この発明によるものは263サイクルに至るも発生
をみなかつた。
発熱で端子の伸び量と、シリコーン樹脂、樹脂ケ
ース、エポキシ樹脂による伸び量との差によつて
発生する応力のためにはんだ接合部が破壊される
ことがほとんど解消されるという顕著な利点があ
る。すなわち、上記を確認するための温度サイク
ル試験において、はんだ接合破壊によるオープン
不良が従来品は３〜５サイクルで発生をみたが、
この発明によるものは263サイクルに至るも発生
をみなかつた。
また、この発明によれば端子の長手方向に限ら
ず、すべての方向に対し自在で、印加される応力
を吸収することができる。
ず、すべての方向に対し自在で、印加される応力
を吸収することができる。
次に、この発明によれば叙上の充分な弾性を有
する上に取着けのスペースが従来と全く変わるこ
となく適用できるので、適用にあたり大幅な設計
変更を要しない利点もある。
する上に取着けのスペースが従来と全く変わるこ
となく適用できるので、適用にあたり大幅な設計
変更を要しない利点もある。
さらに、この発明は端子の製造にあたつて、特
に工程を延長されることもなく、また、材料の使
用量も変わらないなどの利点もある。
に工程を延長されることもなく、また、材料の使
用量も変わらないなどの利点もある。
第１図は半導体装置の回路図、第２図は半導体
装置の斜視図、第３図は従来の半導体装置の一部
断面図、第４図ａ，ｂは第３図の端子を示し、図
ａは正面図、図ｂは側面図、第５図はこの発明を
説明するための半導体装置の一部の断面図、第６
図ａ，ｂはこの発明の１実施例の端子を示し、図
ａは正面図、図ｂは側面図、第７図はこの発明の
１実施例の半導体装置の一部断面図、第８図は第
７図の一部を別の方向からみた断面図、第９図は
この発明にかかる端子の別の１実施例を示す正面
図、第１０図はさらに別の１実施例の端子を示す
正面図である。 １……放熱板、２，２′……樹脂ケース、５…
…はんだ層、６……シリコーン樹脂、７……エポ
キシ樹脂、１１，２１，３１……端子、１１ａ，
１１a′，１１a″…，２１ｂ，２１b′，２１b″…，
３１ｂ，３１b′，３１b″……端子の切欠部。
装置の斜視図、第３図は従来の半導体装置の一部
断面図、第４図ａ，ｂは第３図の端子を示し、図
ａは正面図、図ｂは側面図、第５図はこの発明を
説明するための半導体装置の一部の断面図、第６
図ａ，ｂはこの発明の１実施例の端子を示し、図
ａは正面図、図ｂは側面図、第７図はこの発明の
１実施例の半導体装置の一部断面図、第８図は第
７図の一部を別の方向からみた断面図、第９図は
この発明にかかる端子の別の１実施例を示す正面
図、第１０図はさらに別の１実施例の端子を示す
正面図である。 １……放熱板、２，２′……樹脂ケース、５…
…はんだ層、６……シリコーン樹脂、７……エポ
キシ樹脂、１１，２１，３１……端子、１１ａ，
１１a′，１１a″…，２１ｂ，２１b′，２１b″…，
３１ｂ，３１b′，３１b″……端子の切欠部。
Claims (1)
- １ 放熱板と組み合わされた樹脂ケース内のパタ
ーン配線上の接合部に一端をはんだ接合し他端を
樹脂ケースから突出させた金属板の端子を樹脂ケ
ース内に樹脂を封入して固定させた半導体装置に
おいて、板状端子がその両側縁に湾入させて形成
された切欠部を有して蛇行した形状であることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149283A JPS59177951A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149283A JPS59177951A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59177951A JPS59177951A (ja) | 1984-10-08 |
| JPH0151058B2 true JPH0151058B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=12888462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5149283A Granted JPS59177951A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59177951A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4907068A (en) * | 1987-01-21 | 1990-03-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor arrangement having at least one semiconductor body |
| JPH0783080B2 (ja) * | 1990-01-18 | 1995-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置用部品 |
| JPH0515450U (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-26 | 株式会社三社電機製作所 | 電力用半導体モジユール |
| JPH062714U (ja) * | 1992-06-03 | 1994-01-14 | 株式会社三社電機製作所 | 電力用半導体モジュール |
| EP1324391B1 (en) * | 2001-12-24 | 2007-06-27 | Abb Research Ltd. | Module housing and power semiconductor module |
| JP4726222B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-07-20 | 株式会社オリンピア | 遊技機用メモリチップソケット、メモリチップ接続システム、アダプタ |
| JP6288769B2 (ja) * | 2014-05-07 | 2018-03-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体パワーモジュール、電力変換装置、およびこれを用いた移動体 |
| WO2017208941A1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717156A (en) * | 1980-03-26 | 1982-01-28 | Thomson Csf | Sealing box for power module of hybrid circuit |
| JPS5758781U (ja) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 |
-
1983
- 1983-03-29 JP JP5149283A patent/JPS59177951A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717156A (en) * | 1980-03-26 | 1982-01-28 | Thomson Csf | Sealing box for power module of hybrid circuit |
| JPS5758781U (ja) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59177951A (ja) | 1984-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62202548A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0151058B2 (ja) | ||
| KR100526667B1 (ko) | 수지밀봉형반도체장치및그제조방법 | |
| JPS63296252A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2578530Y2 (ja) | 端子接続構造 | |
| KR19980070675A (ko) | 오프셋 다이 패드를 갖는 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| JPH06268086A (ja) | 半導体集積回路装置およびそれが装着されるプリント基板 | |
| JPH02271561A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS61242053A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03109755A (ja) | 樹脂封止型ｉｃ | |
| JP2502577Y2 (ja) | 電力用半導体モジュ―ル | |
| JPH0727639Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100321149B1 (ko) | 칩사이즈 패키지 | |
| JPS6329960A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JP3028177B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63181396A (ja) | 半導体の実装方法 | |
| JPH0448769A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005158835A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63160262A (ja) | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH0366150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0714021B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6234452Y2 (ja) | ||
| JP2533750B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62105456A (ja) | 樹脂封止ｉｃ | |
| JPH0138918Y2 (ja) |