JP3028177B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP3028177B2 JP6156650A JP15665094A JP3028177B2 JP 3028177 B2 JP3028177 B2 JP 3028177B2 JP 6156650 A JP6156650 A JP 6156650A JP 15665094 A JP15665094 A JP 15665094A JP 3028177 B2 JP3028177 B2 JP 3028177B2
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係る、詳細
には、端子リード間を接続するテープの形状及び接続構
造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、図4に示すように、この種の半導
体装置20は、中央に設けた半導体素子搭載部21の周
辺に配列された複数の端子リード22を備えたリードフ
レーム22aの前記半導体素子搭載部21に半導体素子
23を搭載接着し、ボンディングワイヤ24の一端部を
前記半導体素子23の電極端子24に接続し、その他端
部を前記端子リード22のワイヤボンディング領域Wに
接続して電気導通回路が形成されている。また、前記端
子リード22には該端子リード間ピッチを保持するため
に、該端子リード22の上面及び下面側から接着剤25
を塗布したポリイミド等のテープ26、27を貼り付け
てある。これら前記半導体素子23、ボンディングワイ
ヤ24、テープ26、27及び端子リードの一端部側を
封止した樹脂封止体28を具備し、該樹脂封止体28か
ら露出した端子リード22の他端部を所定の形状に折り
曲げて形成せしめられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
半導体装置では、端子リードの上面及び下面側からポリ
イミド等のテープを貼着する際に、該テープに塗布した
接着剤の余剰部分がテープの接着領域Tからはみ出し、
ワイヤボンディング領域W、樹脂封止領域外P等の所要
部分に接着剤が付着し、ワイヤボンディング領域Wを縮
小するという問題が生じていた。さらに、樹脂封止の際
に用いる樹脂封止金型の上、下金型のパッティング面の
密着性が低下するという問題が生じていた。
【0004】また、後工程の熱履歴によって前記テープ
が伸縮し、端子リードの変形が生じるという問題が発生
していた。
【0005】
【発明の目的】本発明の目的とするところは、上記の従
来技術の問題点を解消するためになされたものであっ
て、長期信頼性の優れた高品質の半導体装置を提供する
ことにある。
【0006】
【問題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項1
記載の半導体装置は、端子リードの上面及び下面側から
前記端子リード間を高分子材料等のテープで接続し、こ
れを樹脂封止して成る半導体装置において、いずれか一
方の前記テープの内外周の周縁部を波状の平面形状と
し、且つ、前記波状の凹部が前記端子リード間に位置す
るように端子リードの上面及び下面側に粘着した構成と
されている。
【0007】また、請求項2記載の半導体装置は、端子
リードの上面及び下面側から前記端子リード間を高分子
材料等のテープで接続し、これを樹脂封止して成る半導
体装置において、前記テープの両方の内外周の周縁部を
波状の平面形状とし、且つ、その一方の前記波状の凹部
が他方の前記波状の凸部に対応する位置に位置するよう
に端子リードの上面及び下面側に粘着した構成とされて
いる。
【0008】
【作用】請求項1記載の半導体装置においては、一方の
テープの内外周縁部に形成された波状の凹部が前記リー
ド間に位置するように貼着されているので、前記テープ
の貼着の際に生じる接着剤の余剰部分を前記波状の平面
形状の凹部で吸収し、前記テープ貼着領域から接着剤が
はみ出ることが無くなる。
【0009】また、請求項2記載の半導体装置において
は、両方のテープの内外周縁部に波状の平面形状が形成
されているので、後工程の熱履歴によって生じる前記テ
ープの伸縮による端子リードの変形を防止すると共に、
接着剤の余剰部分の吸収領域を増加させる。
【0010】
【実施例】次に、添付した図面に基づき、本発明を具体
化した実施例の詳細について説明する。
【0011】ここで、図1は本発明の一実施例に係る半
導体装置を示す断面図、図2は本発明に係る半導体装置
に用いた波状テープを端子リードの上面側に貼着したリ
ードフレームの要部拡大平面図、図3は本発明の他の実
施例に係る半導体装置に用いた波状テープを端子リード
の両面に貼着したリードフレームの要部拡大平面図であ
る。
【0012】図1に示すように、本発明の半導体装置1
は、半導体装置用リードフレーム2の半導体素子搭載部
3に半導体素子4が搭載接着されており、前記半導体素
子4の電極端子4aと前記半導体素子搭載部3の周辺に
配列された端子リード5のワイヤボンディング領域6と
がボンディングワイヤ7で接続されている。さらに、端
子リード5には、図2に示すように、該端子リード間ピ
ッチを維持するためにその上面及び下面側から高分子材
料の一例であるポリイミド等のテープ8、9が前記ワイ
ヤボンデング領域6に近接して貼り付けされ、そのいず
れか一方(本実施例では上面側)のテープは波状の平面
形状の周縁部を有するテープ8であり、しかも該テープ
8の凹部が前記端子リード5間に位置するように貼り付
けてある。これによって前記テープ8、9に塗布された
接着剤10の余剰部分を前記波状の平面形状の凹部領域
11に吸収することができ、接着剤10のはみ出しを防
ぐことができる。そうして、これら前記半導体素子4、
ボンディングワイヤ7、テープ8、9及び端子リード5
の一端部側を封止した樹脂封止体12を具備し、該樹脂
封止体12から露出した端子リード5の他端部を所定の
形状に折り曲げて形成せしめられる。
【0013】また、図3に示すように、本発明の他の実
施例に係る半導体装置1は、前記端子リード5の上面側
及び下面側の両面に波状の平面形状の周縁部を有するテ
ープ13a、13bを粘着した構成としている。しか
も、前記端子リード5の上面側の前記テープ13aの凹
部に対応する位置に下面側の前記テープ13bの凸部が
位置する様に粘着されている。これによって、熱履歴に
よるテープ13a、13bの波状の平面形状の相互作用
によりテープ13a、13bの伸縮を吸収し端子リード
5の寄りなどの変形を防ぐと共に、余剰の接着剤14の
吸収領域15が増加し、接着剤14のはみ出した余剰の
接着剤14を完全に吸収することができる。
【0014】
【発明の効果】以上、説明したように本発明は、テープ
貼り付け領域からの接着剤のはみ出しや熱履歴によるテ
ープの伸縮を吸収し端子リートの寄りなどの変形を防止
することができるので、前記テープの伸縮によって生じ
る部材中の残留応力を減少させることができると共に、
前記端子リードのワイヤボンディング領域に隣接してテ
ープを貼着することができ、ワイヤボンディング領域を
確保し、その位置関係が安定しワイヤボンディングの際
の的中率が向上し半導体装置の歩留率を著しく向上し、
長期信頼性の高い品質の優れた半導体装置を低コストで
得ることができるなどの効果が期待できる。
【0015】本実施例では、テープの内外周縁部の波状
に円形波状のものを用いて説明したがこれに限らず、三
角波状のもの、方形波状のものなどを適宣採用できる。
さらに、本実施例では、前記テープの粘着をワイヤボン
ディング領域に隣接した位置として説明したが樹脂封止
体の境界線に隣接した位置に粘着し、封止樹脂の流出を
防止するタイバーの形成に用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る半導体装置を示す断面
図である。
【図2】本発明の実施例に係る半導体装置に用いた端子
リードの上面に波状テープを貼着したリードフレームを
示す要部拡大平面図である。
【図3】本発明の他の実施例に係る半導体装置に用いた
端子リードの両面に波状テープを貼着したリードフレー
ムを示す要部拡大平面図である。
【図4】従来の一実施例に係る端子リードの両面にテー
プを貼着した状態を示す要部拡大平面図である。
【符号の説明】
1 半導体装置 2 半導体装置用リードフレーム 3 半導体素子搭載部 4 半導体素子 4a 電極端子 5 端子リード 6 ワイヤボンディング領域 7 ボンディングワイヤ 8 上面側に粘着したポリイミドの波状テープ 9 下面側に粘着したポリイミドのテープ 10 接着剤 11 凹部領域 12 樹脂封止体 13a 上面側に粘着したポリイミドの波状テープ 13b 下面側に粘着したポリイミドの波状テープ 14 接着剤 15 吸収領域 20 半導体装置 21 半導体素子搭載部 22 端子リード 22a リードフレーム 23 半導体素子 24 ボンディングワイヤ 25 接着剤 26 上面側のポリイミドのテープ 27 下面側のポリイミドのテープ 28 樹脂封止体 T テープの接着領域 W ワイヤボンディング領域 P 樹脂封止領域外

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 端子リードの上面及び下面側から前記端
    子リード間を高分子材料の絶縁性テープで接続し、集積
    回路チップを搭載したのち、これを樹脂封止して成る半
    導体装置において、 いずれか一方の前記絶縁性テープの内外周の周縁部を凹
    部を有する形状とし、 且つ前記絶縁性テープの凹部が前記端子リード間に位置
    して接着剤の余剰部を吸収する領域を形成するように、 前記絶縁性テープが前記端子リードの上面側及び下面側
    に相互に対向した状態で粘着することを特徴とする半導
    体装置。
  2. 【請求項2】 端子リードの上面及び下面側から前記端
    子リード間を高分子材料の絶縁性テープで接続し、集積
    回路チップを搭載したのち、これを樹脂封止して成る半
    導体装置において、 前記両方の絶縁性テープの内外周の周縁部を凹部又は凸
    部を有する形状とし、 且つその一方の前記絶縁性テープの凹部が他方の前記絶
    縁性テープの凸部に対向すると共に前記端子リード間に
    位置して接着剤の余剰部を吸収する領域を形成するよう
    に、 前記絶縁性テープが前記端子リードの上面側及び下面側
    に相互に対向した状態で粘着することを特徴とする半導
    体装置。
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