JPH0777228B2 - テ−プキヤリア - Google Patents

テ−プキヤリア

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JPH0777228B2
JPH0777228B2 JP62157078A JP15707887A JPH0777228B2 JP H0777228 B2 JPH0777228 B2 JP H0777228B2 JP 62157078 A JP62157078 A JP 62157078A JP 15707887 A JP15707887 A JP 15707887A JP H0777228 B2 JPH0777228 B2 JP H0777228B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、可撓性フィルム表面にリード端子等の導体部
を形成してなる可撓性リードフィルム基板としてのいわ
ゆるテープキャリアの改良に関する。
〔従来の技術〕
集積回路素子の電極接合材料として、従来から最も多く
用いられているワイヤボンデイング法に代ってテープキ
ャリアを用いた、いわゆるTAB（Tape automated bondin
g）法が採用されるようになってきている。これを第４
図（ａ），（ｂ）を用いて簡単に説明すると、図中符号
１はテープキャリア基材となるテープで、ポリイミド等
を可撓性を有する絶縁材料により長尺フィルム状に形成
されている。２はこのテープ１の幅方向中央部に突設さ
れ後述する半導体素子３が設置されるセンタデバイス
孔、４は前記テープの１幅方向側縁部分に所定間隔おい
て突設され前記半導体素子３との接合時に粗い位置決め
を行なうためのパーフォレーション孔、５は前記センタ
デバイス孔２の周囲を取囲むように突設され後述するア
ウタリードボンディング時において使用される複数のア
ウタリード孔で、これらアウタリード孔５はセンタデバ
イス孔２の四隅部に該当する部分に形成されている架橋
部を介して連接されている。７はテープ１表面の所定個
所に形成された銅等の導電性金属材料からなる複数の本
のリードで、前記センタデバイス孔２内に内方端が臨む
インナリード部7aと前記アウタリード孔５を介して外方
に延設されたアウタリード部7bとから構成され、また7c
はテストパッド部である。８はこのリード７のリードサ
ポート部である。なお、図中3aは半導体素子３の表面に
形成された突起電極（バンプ）である。
このような構成によるテープキャリアに対して半導体素
子３は、第５図に示すように、そのバンプ3aと前記リー
ド７のインナリード7aとを熱圧着することによりボンデ
ィング接合され、これにより半導体素子３を搭載したテ
ープキャリアが形成される。そして、このようにして得
られたテープキャリアを、第６図に示されるように、
上、下一対をなす金型9A,9Bに挟み込み、エポキシ樹脂
材等を注入して硬化させることにより、低圧トランスフ
ァ法で封止型ICが製造されるものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、上述したような封止型ICを製造するために用
いられる従来のテープキャリアは、以上のような構成と
されているため、樹脂封止時において金型9A,9Bを型締
めする際の力が微小なリード７に加わることになり、リ
ード７が変形し易い等の問題があった。
本発明は上述した問題点を解決するためになれたもの
で、樹脂封止時においてテープ（テープキャリア基材）
の表面上であって封止装置からの型締めの力が加わる部
分の面積を大きくすることにより、リードに加わる圧力
を減少させ、リードの変形を防止し得るようにしたテー
プキャリアを得ることを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係るテープキャリアは、導電材料からなる導体
部を表面に有する可撓性材料からなるテープの表面上で
あって導体部以外の部分に、金属材等の硬質材料による
補強部を設けたたものである。
〔作用〕
本発明によれば、テープの表面上に設けた金属材等によ
る補強部により、樹脂封止時において、封止装置からの
加圧力を受圧する部分の面積が増え、またテープ表面に
高い強度をもつ部分が形成されて、導体部（リード）に
加わる力を軽減できるため、従来のような型締め時の導
体部（リード）の変形等の問題点を一掃することができ
る。
〔実施例〕
以下、本発明を図面に示した実施例を用いて詳細に説明
する。
第１図は本発明に係るテープキャリアの一実施例を示す
ものであり、図において前述した第４図以下と同一また
は相当する部分には同一番号を付してその説明は省略す
る。
さて、本発明によれば、可撓性絶縁材料からなるテープ
１とその表面に形成された導電材料からなる導体部（リ
ーダ７）により構成されているテープキャリアにおい
て、前記テープ１の表面上であってリーダ７が形成され
ている以外の適宜に部分に、金属材等の高い強度をもつ
硬質材料による補強部10を設けたところに特徴を有して
いる。
ここで、この実施例では、アウタリード孔５の周囲でリ
ード７が形成されていない部分（四個所）と、センタデ
バイス孔２とアウタリード孔５との間のリードサポート
部８の空いている個所（五個所）に、たとえばリード７
と同一の金属材料から補強部10を、同時に形成した場合
を示している。しかし、これに限定されず、テープ１の
表面上で適宜の個所に設けるとよいもので、たとえば第
２図に示すようにリードサポート部８部分のみに設けた
り、あるいはアウタリード孔５の周囲にのみ設けるよう
にしてもよいもので、また第３図に示すように、一部の
補強部10を、リード７の一部に一連に形成し、このリー
ド７の面積を大きくするようにしてもよいことも、容易
に理解されよう。特に、上述した補強部10を、リード７
と同一材料で同時に形成するようにすれば、加工性等の
面で優れているが、これに限定されず、適宜の硬質材料
により別工程で形成してもよいことも勿論である。
そして、このような構成による本発明によれば、テープ
１の表面上に設けた金属材等による補強部10により、樹
脂封止時において、封止装置（金型9A,9B側）からの加
圧力を受圧する部分の面積が増大し、またテープ１の表
面上に高い強度をもつ部分（補強部10）が形成されてリ
ード７に加わる力を軽減できるため、従来のような型締
め時のリードの変形等の問題を一掃し得るもので、その
利点は大きい。
なお、本発明は上述した実施例構造に限定されず、テー
プキャリアやこれを用いて形成される封止型ICにおける
各部の形状、構造等を、適宜変形、変更することは自由
である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明に係るテープキャリアによ
れば、導電材料からなる導体部を表面に有する可撓性材
料からなるテープの表面上で前記導体部以外の部分に、
金属材等の硬質材料による補強部を設けるようにしたの
で、簡単かつ安価な構成にもかかわらず、樹脂封止時に
おいて封止装置側からの加圧力を受圧する部分の面積が
増え、またテープの表面上に高い強度をもつ部分を形成
して導体部（リード）に加わる力を軽減できるため、従
来のような型締め時のリードの変形等の問題を解決し得
る等の種々の優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るテープキャリアの一実施例を示す
平面図、第２図および第３図はそれぞれ本発明の別の実
施例を示す平面図、第４図（ａ），（ｂ）は従来のテー
プキャリアを説明するための平面図および断面図、第５
図はテープキャリアに半導体素子を接合する場合を説明
するための概略分解斜視図、第６図は樹脂封止時のテー
プキャリアを説明するための概略断面図である。 １……テープ（テープキャリア基材）、２……センタデ
バイス孔、３……半導体素子、５……アウタリード孔、
７……リード、7a……インナリード部、7b……アウタリ
ード部、7c……テストパッド部、８……リードサポート
部、9A,9B……樹脂封止用金型、10……補強部。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】可撓性材料からなるテープとその表面に形
    成された導電材料からなる導体部により構成されている
    テープキャリアにおいて、 前記テープの表面上であって前記導体部以外の部分に、
    硬質材料により補強部を設けたことを特徴とするテープ
    キャリア。
  2. 【請求項２】テープの表面上に形成される導体部と補強
    部とを同一材料により同時に形成したことを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載のテープキャリア。
JP62157078A 1987-06-23 1987-06-23 テ−プキヤリア Expired - Lifetime JPH0777228B2 (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62157078A JPH0777228B2 (ja) 1987-06-23 1987-06-23 テ−プキヤリア
US07/210,086 US4865193A (en) 1987-06-23 1988-06-22 Tape carrier for tape automated bonding process and a method of producing the same

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JP62157078A JPH0777228B2 (ja) 1987-06-23 1987-06-23 テ−プキヤリア

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPH011247A JPH011247A (ja) 1989-01-05
JPS641247A JPS641247A (en) 1989-01-05
JPH0777228B2 true JPH0777228B2 (ja) 1995-08-16

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ID=15641763

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2546431B2 (ja) * 1990-10-29 1996-10-23 日本電気株式会社 フィルムキャリアテープ
US5133119A (en) * 1991-02-28 1992-07-28 Hewlett-Packard Company Shearing stress interconnection apparatus and method
JPH0752744B2 (ja) * 1991-04-04 1995-06-05 チッソ株式会社 リ−ド強度のすぐれたフィルムキャリアの製造方法
US5289032A (en) * 1991-08-16 1994-02-22 Motorola, Inc. Tape automated bonding(tab)semiconductor device and method for making the same
US5471077A (en) * 1991-10-10 1995-11-28 Hughes Aircraft Company High electron mobility transistor and methode of making
JP2636761B2 (ja) * 1994-12-09 1997-07-30 日本電気株式会社 フィルムキャリアテープ
US6740962B1 (en) * 2000-02-24 2004-05-25 Micron Technology, Inc. Tape stiffener, semiconductor device component assemblies including same, and stereolithographic methods for fabricating same
US7057273B2 (en) * 2001-05-15 2006-06-06 Gem Services, Inc. Surface mount package
US20070023877A1 (en) * 2003-09-10 2007-02-01 Hideo Yamazaki Chip on flex tape with dimension retention pattern
JP2005086098A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Three M Innovative Properties Co チップオンフレックス（ｃｏｆ）テープ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53103659U (ja) * 1977-01-25 1978-08-21
JPS558274U (ja) * 1978-07-03 1980-01-19
JPS6113402Y2 (ja) * 1980-07-23 1986-04-25
EP0087796B1 (de) * 1982-03-02 1989-05-17 Siemens Aktiengesellschaft Filmträger für ein elektrisches Leiterbild
JPS5942985A (ja) * 1982-09-06 1984-03-09 Sato :Kk プリンタ−におけるマ−ク検知装置
US4812421A (en) * 1987-10-26 1989-03-14 Motorola, Inc. Tab-type semiconductor process

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US4865193A (en) 1989-09-12
JPS641247A (en) 1989-01-05

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