JPS6332269B2 - - Google Patents
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- JPS6332269B2 JPS6332269B2 JP12472282A JP12472282A JPS6332269B2 JP S6332269 B2 JPS6332269 B2 JP S6332269B2 JP 12472282 A JP12472282 A JP 12472282A JP 12472282 A JP12472282 A JP 12472282A JP S6332269 B2 JPS6332269 B2 JP S6332269B2
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- Japan
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- heat sink
- semiconductor element
- insulating substrate
- positioning
- conductor
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- Expired
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013070 direct material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はヒートシンクを小形化することがで
きる半導体装置に関するものである。
きる半導体装置に関するものである。
第１図は従来の半導体装置を示す断面図であ
る。同図において、１は絶縁基板、２および２ａ
はそれぞれこの絶縁基板１上に第２図に示すよう
に形成した導電体、３はこの導電体２上に重ねて
配置した第３図に示す半田ペレツト、４はこの半
田ペレツト３上に重ねて配置し、第４図に示すよ
うに下記の半導体素子の位置決め用凹部４ａを設
けたヒートシンク、５は第５図に示すように配線
電極部５ａを備え、このヒートシンク４の凹部４
ａに半田ペレツト３によりロー付けした半導体素
子、６は絶縁基板１上に形成した導電体２ａと半
導体素子５の配線電極部５ａとを電気的に接続す
るAlのワイヤである。
る。同図において、１は絶縁基板、２および２ａ
はそれぞれこの絶縁基板１上に第２図に示すよう
に形成した導電体、３はこの導電体２上に重ねて
配置した第３図に示す半田ペレツト、４はこの半
田ペレツト３上に重ねて配置し、第４図に示すよ
うに下記の半導体素子の位置決め用凹部４ａを設
けたヒートシンク、５は第５図に示すように配線
電極部５ａを備え、このヒートシンク４の凹部４
ａに半田ペレツト３によりロー付けした半導体素
子、６は絶縁基板１上に形成した導電体２ａと半
導体素子５の配線電極部５ａとを電気的に接続す
るAlのワイヤである。
次に、上記構成による半導体装置の製造工程に
ついて簡単に説明する。まず、絶縁基板１の導電
体２上に半田ペレツト３を介してヒートシンク４
を重ねる。そして、このヒートシンク４の位置決
め用凹部４ａに半田ペレツト３を介して半導体素
子５を重ねる。そして、この重ね合わせた半導体
装置を水素炉を通し、リフローし、絶縁基板１と
ヒートシンク４、ヒートシンク４と半導体素子５
をロー付して固着する。そして、超音波ワイヤボ
ンド工程により、Alのワイヤ６を絶縁基板１の
導電体２ａと半導体素子５の配線電極部５ａを電
気的に接続し、半導体装置を完成することができ
る。
ついて簡単に説明する。まず、絶縁基板１の導電
体２上に半田ペレツト３を介してヒートシンク４
を重ねる。そして、このヒートシンク４の位置決
め用凹部４ａに半田ペレツト３を介して半導体素
子５を重ねる。そして、この重ね合わせた半導体
装置を水素炉を通し、リフローし、絶縁基板１と
ヒートシンク４、ヒートシンク４と半導体素子５
をロー付して固着する。そして、超音波ワイヤボ
ンド工程により、Alのワイヤ６を絶縁基板１の
導電体２ａと半導体素子５の配線電極部５ａを電
気的に接続し、半導体装置を完成することができ
る。
しかしながら、従来の半導体装置では水素炉工
程時の振動または傾きにより、半導体素子５がヒ
ートシンク４の端面よりはみ出さないように、ヒ
ートシンク４の半導体素子５の取付面に位置決め
用凹部４ａを設ける必要がある。このため、この
ヒートシンク４の位置決め用凹部４ａの幅w1は
第４図に示すように、ヒートシンク４の幅Ｗに対
して数mm以上小さくしなければならず、半導体装
置を小形化することが困難な欠点があつた。
程時の振動または傾きにより、半導体素子５がヒ
ートシンク４の端面よりはみ出さないように、ヒ
ートシンク４の半導体素子５の取付面に位置決め
用凹部４ａを設ける必要がある。このため、この
ヒートシンク４の位置決め用凹部４ａの幅w1は
第４図に示すように、ヒートシンク４の幅Ｗに対
して数mm以上小さくしなければならず、半導体装
置を小形化することが困難な欠点があつた。
したがつて、この発明の目的はヒートシンクの
位置決め用凹部の幅W1を維持したまま、幅Ｗを
狭くして、ヒートシンクを小形化にすることがで
きる半導体装置を提供するものである。
位置決め用凹部の幅W1を維持したまま、幅Ｗを
狭くして、ヒートシンクを小形化にすることがで
きる半導体装置を提供するものである。
このような目的を達成するため、この発明は表
面上に導電体を形成した絶縁基板と、半導体素子
を固定する面の端部にプレス工程で生ずるかえり
を所望の高さに形成した位置決め用かえりとする
ヒートシンクと、配線電極部を形成した半導体素
子と、前記絶縁基板の導電体と前記半導体素子の
配線電極部とを電気的に接続するワイヤとを備
え、前記絶縁基板と前記ヒートシンク、前記ヒー
トシンクと前記半導体素子をそれぞれ固着するも
のであり、以下実施例を用いて詳細に説明する。
面上に導電体を形成した絶縁基板と、半導体素子
を固定する面の端部にプレス工程で生ずるかえり
を所望の高さに形成した位置決め用かえりとする
ヒートシンクと、配線電極部を形成した半導体素
子と、前記絶縁基板の導電体と前記半導体素子の
配線電極部とを電気的に接続するワイヤとを備
え、前記絶縁基板と前記ヒートシンク、前記ヒー
トシンクと前記半導体素子をそれぞれ固着するも
のであり、以下実施例を用いて詳細に説明する。
第６図はこの発明に係る半導体装置の一実施例
を示す断面図である。同図において、７はその詳
細を第７図に示すように、端面に所定高さ以上の
位置決め用かえり７ａを形成したヒートシンクで
ある。
を示す断面図である。同図において、７はその詳
細を第７図に示すように、端面に所定高さ以上の
位置決め用かえり７ａを形成したヒートシンクで
ある。
なお、この位置決め用かえり７ａはヒートシン
ク４のプレス工程にて生ずる端面のかえりを所定
寸法以上の高さに形成したものである。
ク４のプレス工程にて生ずる端面のかえりを所定
寸法以上の高さに形成したものである。
次に、上記構成による半導体装置の製造工程に
ついて簡単に説明する。まず、絶縁基板１の導電
体２上に半田ペレツト３を介してヒートシンク７
を重ねる。そして、このヒートシンク７の位置決
め用かえり７ａに半田ペレツト３を介して半導体
素子５を重ねる。そして、この重ね合わせた半導
体素子を水素炉を通し、リフローし、絶縁基板１
とヒートシンク７、ヒートシンク７と半導体素子
５をロー付けして固着する。そして、超音波ワイ
ヤボンデンド工程により、Alのワイヤ６を絶縁
基板１の導電体２ａと半導体素子５の配線電極部
５ａを電気的に接続して、半導体装置を完成する
ことができる。
ついて簡単に説明する。まず、絶縁基板１の導電
体２上に半田ペレツト３を介してヒートシンク７
を重ねる。そして、このヒートシンク７の位置決
め用かえり７ａに半田ペレツト３を介して半導体
素子５を重ねる。そして、この重ね合わせた半導
体素子を水素炉を通し、リフローし、絶縁基板１
とヒートシンク７、ヒートシンク７と半導体素子
５をロー付けして固着する。そして、超音波ワイ
ヤボンデンド工程により、Alのワイヤ６を絶縁
基板１の導電体２ａと半導体素子５の配線電極部
５ａを電気的に接続して、半導体装置を完成する
ことができる。
なお、前記水素炉工程において、振動または傾
きが生じても、ヒートシンク７の端面に設けた位
置決め用かえり７ａにより、半導体素子５がヒー
トシンク７の端面よりはみ出すことはない。しか
も、この位置決め用かえり７ａの幅が小さいた
め、ヒートシンク全体の幅も、第１図に示すヒー
トシンク４に対し数mmも縮少されるため、絶縁基
板１および導電体２も縮少することができるの
で、半導体装置を小形化することができる。
きが生じても、ヒートシンク７の端面に設けた位
置決め用かえり７ａにより、半導体素子５がヒー
トシンク７の端面よりはみ出すことはない。しか
も、この位置決め用かえり７ａの幅が小さいた
め、ヒートシンク全体の幅も、第１図に示すヒー
トシンク４に対し数mmも縮少されるため、絶縁基
板１および導電体２も縮少することができるの
で、半導体装置を小形化することができる。
なお、以上の実施例においては、ヒートシンク
７の材料として厚さmmの銅を使用し、これを20ト
ンのプレス加工機にてプレスしたところ、位置決
め用かえり７ａは高さ0.2mm、根本の部分の厚さ
（幅）0.2mmの寸法のものが得られた。半導体素子
５がヒートシンク７の端面よりはみ出さないため
には、位置決め用かえり７ａの高さは通常は数
10μｍ以上あればよいので、上記実施例の位置決
め用かえり７ａは十分な高さが得られたことにな
る。
７の材料として厚さmmの銅を使用し、これを20ト
ンのプレス加工機にてプレスしたところ、位置決
め用かえり７ａは高さ0.2mm、根本の部分の厚さ
（幅）0.2mmの寸法のものが得られた。半導体素子
５がヒートシンク７の端面よりはみ出さないため
には、位置決め用かえり７ａの高さは通常は数
10μｍ以上あればよいので、上記実施例の位置決
め用かえり７ａは十分な高さが得られたことにな
る。
以上詳細に説明したように、この発明に係る半
導体装置によればヒートシンクの端面に形成する
位置決め用かえりの幅を狭くすることができるの
で、ヒートシンクを小さくすることができるの
で、半導体装置を小形化することができるうえ、
直材費の原低も可能になるなどの効果がある。
導体装置によればヒートシンクの端面に形成する
位置決め用かえりの幅を狭くすることができるの
で、ヒートシンクを小さくすることができるの
で、半導体装置を小形化することができるうえ、
直材費の原低も可能になるなどの効果がある。
第１図は従来の半導体装置を示す断面図、第２
図は第１図の導電体を形成した絶縁基板の斜視
図、第３図は第１図の半田ペレツトを示す斜視
図、第４図は第１図のヒートシンクを示す斜視
図、第５図は第１図の半導体素子を示す斜視図、
第６図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を
示す断面図、第７図は第６図のヒートシンクを示
す斜視図である。 １……絶縁基板、２および２ａ……導電体、３
……半田ペレツト、４……ヒートシンク、４ａ…
…位置決め用凹部、５……半導体素子、６……ワ
イヤ、７……ヒートシンク、７ａ……位置決め用
かえり。なお、図中、同一符号は同一または相当
部分を示す。
図は第１図の導電体を形成した絶縁基板の斜視
図、第３図は第１図の半田ペレツトを示す斜視
図、第４図は第１図のヒートシンクを示す斜視
図、第５図は第１図の半導体素子を示す斜視図、
第６図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を
示す断面図、第７図は第６図のヒートシンクを示
す斜視図である。 １……絶縁基板、２および２ａ……導電体、３
……半田ペレツト、４……ヒートシンク、４ａ…
…位置決め用凹部、５……半導体素子、６……ワ
イヤ、７……ヒートシンク、７ａ……位置決め用
かえり。なお、図中、同一符号は同一または相当
部分を示す。
Claims (1)
- １ 表面上に導電体を形成した絶縁基板と、半導
体素子を固定する面の端部にプレス工程で生ずる
かえりを所望の高さに形成して位置決め用かえり
とするヒートシンクと、配線電極部を形成した半
導体素子と、前記絶縁基板の導電体と前記半導体
素子の配線電極部とを電気的に接続するワイヤと
を備え、前記絶縁基板と前記ヒートシンク、前記
ヒートシンクと前記半導体素子をそれぞれ固着し
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12472282A JPS5914654A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12472282A JPS5914654A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914654A JPS5914654A (ja) | 1984-01-25 |
| JPS6332269B2 true JPS6332269B2 (ja) | 1988-06-29 |
Family
ID=14892479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12472282A Granted JPS5914654A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914654A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4820659A (en) * | 1986-07-16 | 1989-04-11 | General Electric Company | Method of making a semiconductor device assembly |
| US4797728A (en) * | 1986-07-16 | 1989-01-10 | General Electric Company | Semiconductor device assembly and method of making same |
| JPH0267150U (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-21 | ||
| JP2529785Y2 (ja) * | 1989-01-31 | 1997-03-19 | アイシン精機株式会社 | トルクコンバータの油路構成 |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP12472282A patent/JPS5914654A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5914654A (ja) | 1984-01-25 |
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