JPS5914654A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5914654A JPS5914654A JP12472282A JP12472282A JPS5914654A JP S5914654 A JPS5914654 A JP S5914654A JP 12472282 A JP12472282 A JP 12472282A JP 12472282 A JP12472282 A JP 12472282A JP S5914654 A JPS5914654 A JP S5914654A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- burr
- semiconductor element
- semiconductor device
- positioning
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はヒートシンクを小形化することができる半導
体装置に関するものである。
体装置に関するものである。
第１図は従来の半導体装置を示す断面図である。
同図において、（１）は絶縁基板、（２）および（２ａ
）はそれぞれこの絶縁基板（１）上に第２図に示すよう
に形成した導電体、（３）はこの導電体（２）上に重ね
て配置した第３図に示す半田ペレッ）、（４）はこの半
田ペレット（３）上に重ねて配置し、第４図に示すよう
に下記の半導体素子の位置決め用凹部（４ａ） ’ｔ−
設けたヒートシンク、（５）は第５図に示すように配線
ｔｉ部（５＆）を備え、このヒートシンク（４）の四部
（４ａ）に半田ペレット（３）によ）ロー付けした半導
体素子、（６）は絶縁基板（１）上に形成した導電体（
２ａ）と半導体素子（５）の配線電極部（５ａ）とを電
気的に接続するＡ４のワイヤである。
）はそれぞれこの絶縁基板（１）上に第２図に示すよう
に形成した導電体、（３）はこの導電体（２）上に重ね
て配置した第３図に示す半田ペレッ）、（４）はこの半
田ペレット（３）上に重ねて配置し、第４図に示すよう
に下記の半導体素子の位置決め用凹部（４ａ） ’ｔ−
設けたヒートシンク、（５）は第５図に示すように配線
ｔｉ部（５＆）を備え、このヒートシンク（４）の四部
（４ａ）に半田ペレット（３）によ）ロー付けした半導
体素子、（６）は絶縁基板（１）上に形成した導電体（
２ａ）と半導体素子（５）の配線電極部（５ａ）とを電
気的に接続するＡ４のワイヤである。
次に、上記構成による半導体装置の製造工程について簡
単に説明する。まず、絶縁基板（１）の導電体（２）上
に半田二レット（３）を介してヒートシンク（４）を重
ねる。そして１．このヒートシンク（４）の位置決め用
凹部（４ａ）に半田ペレット（３）を介して半導体素子
６）を重ねる。そして、仁の重ね合わせた半導体装置を
水素炉を通し、リフロ、−シ、絶縁基板（１）とヒート
シンク（４）、ヒートシンク（４）と半導体素子（５）
をロー付して固着する。そして、超音波ワイヤボンド工
程によ、９、Ａｔのワイヤ（６）を絶縁基板（１）の導
電体（２ａ）と半導体素子（５）の配線電極部（５８）
を電気的に接続し、半導体装置を完成することができる
。
単に説明する。まず、絶縁基板（１）の導電体（２）上
に半田二レット（３）を介してヒートシンク（４）を重
ねる。そして１．このヒートシンク（４）の位置決め用
凹部（４ａ）に半田ペレット（３）を介して半導体素子
６）を重ねる。そして、仁の重ね合わせた半導体装置を
水素炉を通し、リフロ、−シ、絶縁基板（１）とヒート
シンク（４）、ヒートシンク（４）と半導体素子（５）
をロー付して固着する。そして、超音波ワイヤボンド工
程によ、９、Ａｔのワイヤ（６）を絶縁基板（１）の導
電体（２ａ）と半導体素子（５）の配線電極部（５８）
を電気的に接続し、半導体装置を完成することができる
。
しかしながら、従来の半導体装置では水素炉工程時の振
動または傾きによシ、半導体素子（５）がヒートシンク
（４）の端面よりはみ出さないように、ヒートシンク（
４）の半導体素子６）の取付面に位置決め用四部（４３
）を設ける必要がある。このため、このヒートシンク（
４）の位置決め用凹部（４□）の幅司は第４図に示すよ
うに、ヒートシンク（４）の幅Ｗに対して数■以上小さ
くしなければならず、半導体装置を小形化することが困
難な欠点があった。
動または傾きによシ、半導体素子（５）がヒートシンク
（４）の端面よりはみ出さないように、ヒートシンク（
４）の半導体素子６）の取付面に位置決め用四部（４３
）を設ける必要がある。このため、このヒートシンク（
４）の位置決め用凹部（４□）の幅司は第４図に示すよ
うに、ヒートシンク（４）の幅Ｗに対して数■以上小さ
くしなければならず、半導体装置を小形化することが困
難な欠点があった。
したがって、この発明の目的はヒートシンクの位置決め
用凹部の幅Ｗ１を維持したまま、幅Ｗを狭くして、ヒー
トシンクを小形化にすることができる半導体装置を提供
するものである。
用凹部の幅Ｗ１を維持したまま、幅Ｗを狭くして、ヒー
トシンクを小形化にすることができる半導体装置を提供
するものである。
とのような目的を達成するため、この発明は表面上に導
電体を形成した絶縁基板と、半導体素子を固定する面の
端部にプレス工程で生ずるかえルを所望の高さに形成し
た位置決め用がえシとするヒートシンクと、配線電極部
を形成した半導体素子と、前記絶縁基板の導電体と前記
半導体素子の配線電極部とを電気的に接続するワイヤと
を備え、前記絶縁基板と前記ヒートシンク、前記ヒート
シンクと前記半導体素子をそれぞれ固着するものでアシ
、以下実施例を用いて詳細に説明する。
電体を形成した絶縁基板と、半導体素子を固定する面の
端部にプレス工程で生ずるかえルを所望の高さに形成し
た位置決め用がえシとするヒートシンクと、配線電極部
を形成した半導体素子と、前記絶縁基板の導電体と前記
半導体素子の配線電極部とを電気的に接続するワイヤと
を備え、前記絶縁基板と前記ヒートシンク、前記ヒート
シンクと前記半導体素子をそれぞれ固着するものでアシ
、以下実施例を用いて詳細に説明する。
第６図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を示す断
面図である。同図において、（７）はその詳細を第７図
に示すように、端面に例えば高さ数１０μｍ以上の位置
決め用かえ’） （７ａ）を形成したヒートシンクであ
る。
面図である。同図において、（７）はその詳細を第７図
に示すように、端面に例えば高さ数１０μｍ以上の位置
決め用かえ’） （７ａ）を形成したヒートシンクであ
る。
なお、この位置決め用かえシ（７ａ）はヒートシンク（
４）のプレス工程にて生ずる端面のかえシを故意に数１
０μ０以上の高さに形成したものである。
４）のプレス工程にて生ずる端面のかえシを故意に数１
０μ０以上の高さに形成したものである。
次に、上記構成による半導体装置の製造工程について簡
単に説明する。まず、絶縁基板（１）の導電体Ｃ２）上
に半田ペレット（３）ヲ介してヒートシンク（７）を重
ねる。そして、このヒートシンク（１）の位置決め用か
えＪ） （７ａ）に半田ペレット（３）を介して半導体
素子５）を重ねる。そして、この重ね合わせた半導体装
置を水素炉を通し、リフローし、絶縁基板（１）とヒー
トシンク（７）、ヒートシンクＣＩ）と半導体素子６）
ヲロー付けして固着する。そして、超音波ワイヤボンデ
ンド工程によ？＞、ｈｔのワイヤ（６）を絶縁基板（１
）の導′１住体（２ａ）と半導体素子（５）の配線室！
ｊ部（５ａ）全電気的に接続して、半導体装置を完成す
ることができる。
単に説明する。まず、絶縁基板（１）の導電体Ｃ２）上
に半田ペレット（３）ヲ介してヒートシンク（７）を重
ねる。そして、このヒートシンク（１）の位置決め用か
えＪ） （７ａ）に半田ペレット（３）を介して半導体
素子５）を重ねる。そして、この重ね合わせた半導体装
置を水素炉を通し、リフローし、絶縁基板（１）とヒー
トシンク（７）、ヒートシンクＣＩ）と半導体素子６）
ヲロー付けして固着する。そして、超音波ワイヤボンデ
ンド工程によ？＞、ｈｔのワイヤ（６）を絶縁基板（１
）の導′１住体（２ａ）と半導体素子（５）の配線室！
ｊ部（５ａ）全電気的に接続して、半導体装置を完成す
ることができる。
なお、前記水素炉工程において、振動または傾きが生じ
ても、ヒートシンク（７）の端面に設けた位置決め用か
、えり（７ａ）により、半導体素子（５）がヒートシン
クａ）の端面よりはみ出すことはない。しかも、この位
置決め用□かえり（７ａ）の幅が小さいため、ヒートシ
ンク全体の幅も、第１図に示すヒートシンク（４）に対
し数層も縮少されるため、絶縁基板（１μ・よび導電体
（２）も縮少することができるので、半導体装置を小形
化することができる。
ても、ヒートシンク（７）の端面に設けた位置決め用か
、えり（７ａ）により、半導体素子（５）がヒートシン
クａ）の端面よりはみ出すことはない。しかも、この位
置決め用□かえり（７ａ）の幅が小さいため、ヒートシ
ンク全体の幅も、第１図に示すヒートシンク（４）に対
し数層も縮少されるため、絶縁基板（１μ・よび導電体
（２）も縮少することができるので、半導体装置を小形
化することができる。
以上詳細に説明したように、この発明に係る半導体装け
によれＩばヒートシンクの端部に形成する位置決め用か
えりの幅を狭くすることができるので、ヒートシンクを
小さくすることができるので、半導体装置も小形化する
ことができるうえ、直材費の原低も可能に外るなどの効
果がある。
によれＩばヒートシンクの端部に形成する位置決め用か
えりの幅を狭くすることができるので、ヒートシンクを
小さくすることができるので、半導体装置も小形化する
ことができるうえ、直材費の原低も可能に外るなどの効
果がある。
第１図は従来の半導体装置を示す断面図、第２図は第１
図の導電体を形成した絶縁基板の斜視図、第゛３図は第
１図の半田ペレットを示す斜視図、第４図は第１図のヒ
ートシンクを示す斜視図１第５図は第１図の半導体素子
を示す斜視図、第６図はこの発明に係る半導体装置の一
実施例を示す断面図、第７図は第６図のヒートシンクを
示す斜視図である。 （１）・・・・絶縁基板、（２）および（２ａ）・・・
・導電体、（３）・・・・半田ペレツｌ−１（４）・・
・・ヒートシンク、（４ａ）・・・・位置決め用四部、
（５）半導体素子、（６）・・・・ワイヤ、σ）・・・
・ヒートシンク、（Ｔａ）・・・噂位置決め用かえシ。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
図の導電体を形成した絶縁基板の斜視図、第゛３図は第
１図の半田ペレットを示す斜視図、第４図は第１図のヒ
ートシンクを示す斜視図１第５図は第１図の半導体素子
を示す斜視図、第６図はこの発明に係る半導体装置の一
実施例を示す断面図、第７図は第６図のヒートシンクを
示す斜視図である。 （１）・・・・絶縁基板、（２）および（２ａ）・・・
・導電体、（３）・・・・半田ペレツｌ−１（４）・・
・・ヒートシンク、（４ａ）・・・・位置決め用四部、
（５）半導体素子、（６）・・・・ワイヤ、σ）・・・
・ヒートシンク、（Ｔａ）・・・噂位置決め用かえシ。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 表面上に導電体を形成した絶縁基板と、半導体素子を固
定する面の端部にプレス工程で生ずるかえシを所望の高
さに形成して位置決め用かえりとするヒートシンクと、
配線電極部を形成した半導体素子と、前記絶縁基板の導
電体と前記半導体素子の配線電極部とを電気的に接続す
るワイヤとを備え、前記絶縁基板と前記ヒートシンク、
前記ヒートシンクと前記半導体素子をそれぞれ固着した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12472282A JPS5914654A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12472282A JPS5914654A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914654A true JPS5914654A (ja) | 1984-01-25 |
| JPS6332269B2 JPS6332269B2 (ja) | 1988-06-29 |
Family
ID=14892479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12472282A Granted JPS5914654A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914654A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4797728A (en) * | 1986-07-16 | 1989-01-10 | General Electric Company | Semiconductor device assembly and method of making same |
| US4820659A (en) * | 1986-07-16 | 1989-04-11 | General Electric Company | Method of making a semiconductor device assembly |
| JPH0267150U (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-21 | ||
| JPH02101161U (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-13 |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP12472282A patent/JPS5914654A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4797728A (en) * | 1986-07-16 | 1989-01-10 | General Electric Company | Semiconductor device assembly and method of making same |
| US4820659A (en) * | 1986-07-16 | 1989-04-11 | General Electric Company | Method of making a semiconductor device assembly |
| JPH0267150U (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-21 | ||
| JPH02101161U (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6332269B2 (ja) | 1988-06-29 |
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