JPS5844593Y2 - ビ−ム・リ−ド型半導体装置

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【考案の詳細な説明】本考案は、ビーム・リードに曲りやねじれが生じない構
造を有するビーム・リード型半導体装置に関する。

従来、信頼性の高い半導体装置としてビーム・リード型
半導体装置が知られている。

第１図は、この型式の半導体装置の要部平面図、第２図
は要部側断面図を表わしている。

図に於いて、１は半導体チップ、２はビーム・リード、
３は例えば二酸化シリコン絶縁膜、４は例えばシリコン
半導体基板をそれぞれ示す。

前記のような半導体装置は混成集積回路装置に実装され
ることが多い。

その場合、半導体装置は、所謂ハイブリッド基板にアッ
プ・サイドダウンの状態で載置され、ビーム・リード２
がハイブリッド基板上の電極配線にボンディングされる
。

この作業は所謂ボンダで行なわれ、その場合、ビーム・
リード２は全部或いは適当本数を一括し、１本の熱圧着
部材を用いて同時にボンディングするようにしている。

ところで、前記作業の円滑な実施を可能にする為には、
多数のビーム・リード２のそれぞれに曲りがあったり、
捩れがあってはならない。

しかしながら、ビーム・リード２は僅かな間隙を置いて
多数が突出していること、また、幅が５０〜１００μｍ
と細いものであること等から装置同志の一寸したからみ
合い、衝撃等で曲りや捩れを生ずることが多く、折角、
何段階もの工程を経て完成された装置をポンチ゛イング
の不良で無駄にしてしまう。

本考案は、多数のビーム・リードを有する半導体装置で
あっても、それ等ビーム・リードに曲りや捩れを発生す
ることがないように、また、装置同志のからみ合いが起
ないようにするものであり、以下これを詳細に説明する
。

一般に、ビーム・リード型半導体装置は、ウェハの状態
からチップ化する際、スクライビング・アンド・クラッ
キング法は採用することができず、ウェハ裏面、即ち、
半導体基板４側の一部をエツチングして除去することに
依りチップに分割している。

本考案ビーム・リード型半導体装置では、前記ウェハか
らチップに分断する際に、ウェハの一部を除去せずに残
留させ、その残留ウェハで各ビーム・リードを連結した
構成が基本になっている。

残留させるウェハの一部はビーム・リードに於けるボン
ディング部分の下側に存在する部分が好ましい。

第３図は本考案の一実施例の要部平面図、第４図はその
要部側断面図である。

尚、各図では、第１図及び第２図に関して説明した部分
と同部分を同記号で指示しである。

本実施例が前記従来例と相違する点は、ビーム・リード
２のボンディング部分下側にウェハの一部を残留させビ
ーム・リード連結部５としたことである。

尚、このような加工を行なうことは極めて容易であり、
半導体ウェハをチップ化する為のエツチング・マスクの
パターンを若干改変するのみで良い。

また、この装置をハイブリッド基板に実装するには、通
常のように、ハイブリッド基板の所定部分に装置をアッ
プ・サイド・ダウンにして載置し、ビーム・リード連結
部５にボンダの熱圧着部材を当接し、そのビーム・リー
ド連結部５を介してビーム・リード２の加熱、加圧を行
なってボンディングする。

以上の説明で判るように、本考案に依れば、多数のビー
ム・リードが、ビーム・リード連結部で連結されている
関係上、ビーム・リードが単独で曲つたり、捩れたりす
る惧れは皆無になり、ボンダに依るポンチ゛イングが失
敗することは殆んどなくなる。

また、ビーム・リード連結部で連結されたビーム・リー
ド全体が若干量ることはあっても、その曲りはボンダの
熱圧着部材の当接で容易に補正される。

更にまた、その熱圧着部材は比較的厚みのあるビーム・
リード連結部を介してビーム・リードを押圧するもので
あるから、圧力を均一に加えるのに有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来例の要部平面図及び要部側断面
図、第３図及び第４図は本考案−実施例の要部平面図及
び要部側断面図である。図に於いて、１はチップ、２はビーム・リード、３は絶
縁膜、４は基板、５はビーム・リード連結部である。

【実用新案登録請求の範囲】