JPH0318344B2 - - Google Patents

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JPH0318344B2
JPH0318344B2 JP58011162A JP1116283A JPH0318344B2 JP H0318344 B2 JPH0318344 B2 JP H0318344B2 JP 58011162 A JP58011162 A JP 58011162A JP 1116283 A JP1116283 A JP 1116283A JP H0318344 B2 JPH0318344 B2 JP H0318344B2
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JP
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insulating substrate
emitter
chip
collector
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Takayuki Kitamura
Shinobu Takahama
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体装置に関し、特に絶縁基板上
に複数の半導体素子を配設した樹脂封止形半導体
モジユールからなる半導体装置に係わるものであ
る。
〔従来技術〕
近年、電子機器の発達は著るしく、機器の高集
積化、小形軽量化が急速に進んでおり、その基本
的なものは半導体装置の小形化である。そしてな
かでも中容量の電力用半導体素子として、以前は
サイリスタが主力に使用されてきたが、トランジ
スタの大容量化に伴ない、周辺回路の簡略化、ス
イツチングタイムの短縮化などの特性上の利点か
ら、このトランジスタがサイリスタに換えられる
ようになつてきており、またパワー素子を複数個
組み合わせて単一パツケージ化した、いわゆるパ
ワーモジユールの分野においてもこのトランジス
タの進出が活発になつている。
こゝでこのようなパワーモジユールにあつて
は、機器への組み込みを容易にするために、半導
体装置内で電極を絶縁した、いわゆる絶縁タイプ
のモジユールが多くなつており、この絶縁タイプ
のパワーモジユールの大容量化については、複数
のチツプをパラ接続することによる電流分担の問
題もさること乍ら、電極下面の絶縁基板の大形化
に伴う種々の問題がある。
従来のこの種の半導体装置の概要構成を第１図
および第２図に示してある。これらの各図におい
て、放熱板１に固着された絶縁基板２上には、そ
れぞれにエミツタ電極３，コレクタ電極４、およ
びベース電極５が接着され、かつコレクタ電極４
上にこの場合、４個のトランジスタチツプ６が設
けられており、各トランジスタチツプ６の上面の
エミツタパツトおよびベースパツトと、それぞれ
対応するエミツタ電極３，ベース電極５とをアル
ミ配線７によりワイヤボンド接続して、各トラン
ジスタチツプ６のパラ接続をなしている。そして
この構成にあつて、前記エミツタ電極３とコレク
タ電極４とからは、それぞれに外部電極が立ち上
つているが、第１図には立ち上る以前の状態が示
されている。さらにこのように構成される半導体
モジユール組み立て体は、別の図示しない外装容
器に納められ、前記各外部電極の上端部を残し、
これを樹脂封止して完成される。
従つてこの従来装置の場合にあつては、各トラ
ンジスタチツプ６のサイズが大きくなつたり、あ
るいはその個数が多くなると、これに比例してコ
レクタ電極４の面積が大きくなり、かつ下面の絶
縁基板２も大形化せざるを得ず、これによつて絶
縁基板２自体に反りを生ずることになる。例えば
絶縁基板２が40×40mm程度の大きさになると、
0.3〜0.4mm程度の反りを生じて、下面放熱板１と
の間の固着が困難になり、また放熱板１への固着
の際の熱歪が大きくなつて、絶縁基板２に割れを
生ずることすらある。そしてまた同時に各トラン
ジスタチツプ６をエミツタ電極３とベース電極５
にアルミ配線７で接続するのに、配線相互が接触
し易く配線作業が困難になるほか、各アルミ配線
７の長さがチツプ毎に異なり（例えば第１図にあ
つて左側のチツプは右側のチツプに比較してエミ
ツタ配線長が２倍近くなる）、各トランジスタチ
ツプ６の電流バランスが悪くなるという問題を生
ずる。
このように従来の半導体装置にあつては、大容
量化のために絶縁基板が大形化して信頼性を損な
うと共に、チツプと電極間の配線作業の困難さ、
並びに特性上の問題があり、かつてこれを解消す
るために、単純に絶縁基板を分割したのでは、各
電極を倍近く必要とし、これに伴ないその間の接
続も必要となつて、徒らに部品点数が増し、組み
立て作業も複雑になるものであつた。
〔発明の概要〕
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、分割
した絶縁基板上にあつて、各ベース電極と共に、
各基板に共通のコレクタ、およびエミツタ各電極
を配した構成とし、これによつて組み立て並びに
配線作業の簡易化を図り、併せて信頼性、特性を
向上させるようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、この発明に係わる半導体装置の一実施例
につき、第３図および第４図を参照して詳細に説
明する。
第３図および第４図実施例は前記第１図および
第２図従来例にそれぞれ対応している。これらの
第３図および第４図において、放熱板８には１対
の絶縁基板９が固着されており、各絶縁基板９上
に各１個づゝのベース電極１２と、双方に共通の
エミツタ電極１０、およびコレクタ電極１１が接
着されている。そしてこの第３図でも前記第１図
と同様に各電極１０，１１の立ち上り以前の状態
を示している。またこゝで双方のコレクタ電極１
１上には、各々２個づゝのトランジスタチツプ１
３が接着されていて、前記ベース電極１２とエミ
ツタ電極１０とは、絶縁基板９上にあつてこのト
ランジスタチツプ１３、ひいてはコレクタ電極１
１を挾むように配置されると共に、各トランジス
タチツプ１３の上面のエミツタパツドおよびベー
スパツドと、それぞれに対応するエミツタ電極１
０およびベース電極１２とをアルミ配線１４によ
りワイヤボンド接続して、各トランジスタ１３の
パラ接続をなし、同様に樹脂封止（図示せず）し
て完成するものである。
従つてこの実施例の構成の場合には、分割した
２個の絶縁基板上に、共通のエミツタおよびコレ
クタ電極を配置するから、大容量化のためにチツ
プ面積が増加したとしても、絶縁基板の面積を特
に大きくしなくてすみ、これによつて絶縁基板の
反りによる放熱板との固着の困難さ、並びに熱歪
による割れを防止できると共に、各トランジスタ
チツプと配線対象電極とが対応しているために、
配線作業が容易となるばかりか複雑に絡み合うよ
うな惧れがなく、各配線長をも同一にできて電流
バランスがよく、特性を向上し得るのである。
なお前記実施例は絶縁基板を２個に分割した場
合であるがより以上の複数個に分割する場合にも
適用できることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上詳述したようにこの発明によれば、複数個
に分割された絶縁基板上に、それぞれベース電極
と共に、各基板に共通の外部接続端子と一体とな
つたエミツタおよびコレクタ電極を同一平面上に
設け、かつトランジスタチツプを接着するコレク
タ電極を挾むようにしてベース電極とエミツタ電
極とを配するようにしたから、従来構成に比較し
て、部品数を僅かに増すだけで、装置の信頼性、
組み立て作業性、ならびに特性を向上させ得るも
のである。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は従来例による半導体装置
の平面図および側面図、第３図および第４図はこ
の発明の一実施例による半導体装置の平面図およ
び側面図である。 ８……放熱板、９……絶縁基板、１０……エミ
ツタ電極、１１……コレクタ電極、１２……ベー
ス電極、１３……トランジスタチツプ、１４……
アルミ配線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 放熱板上に複数個の絶縁基板を固着させると
    共に、各絶縁基板上には個々のベース電極と共
    に、各基板共通の外部接続端子と一体となつたエ
    ミツタ電極、およびコレクタ電極を同一平面上に
    設け、且つトランジスタチツプを設けるコレクタ
    電極を挟むようにベース電極、エミツタ電極を配
    したことを特徴とする半導体装置。
JP58011162A 1983-01-24 1983-01-24 半導体装置 Granted JPS59135752A (ja)

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JP2580803B2 (ja) * 1989-10-31 1997-02-12 富士電機株式会社 電力変換装置用トランジスタモジュール
US6455925B1 (en) * 2001-03-27 2002-09-24 Ericsson Inc. Power transistor package with integrated flange for surface mount heat removal

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS6112690Y2 (ja) * 1979-11-20 1986-04-19

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