JP2580803B2 - 電力変換装置用トランジスタモジュール - Google Patents
電力変換装置用トランジスタモジュールInfo
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- JP2580803B2 JP2580803B2 JP1284027A JP28402789A JP2580803B2 JP 2580803 B2 JP2580803 B2 JP 2580803B2 JP 1284027 A JP1284027 A JP 1284027A JP 28402789 A JP28402789 A JP 28402789A JP 2580803 B2 JP2580803 B2 JP 2580803B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、トランジスタと、それらを保護するための
非対称素子およびコンデンサからなるスナバ回路とによ
って構成させた電力変換装置に使用されるトランジスタ
モジュールに関する。
非対称素子およびコンデンサからなるスナバ回路とによ
って構成させた電力変換装置に使用されるトランジスタ
モジュールに関する。
電力変換装置に用いられるトランジスタモジュール
は、トランジスタだけあるいはトランジスタと並列また
は直列に接続され、トランジスタと逆方向または同方向
に電流を流すダイオードとからなり、これらトランジス
タとダイオードは同一の基板上に固着され、さらに一つ
の容器に納められ、かつ主たる電流を流すための外部端
子とトランジスタを駆動するための端子とが容器の外周
部に設けられていた。更に、トランジスタのターンオフ
時あるいはダイオードの逆回復時に回路の浮遊インダク
タンスによって発生するサージ電圧が素子に印加され、
素子が破壊するのを防止するために、特願平1-8311号に
よりトランジスタの端子間に順方向電圧降下ガ小で逆方
向電圧降下が大である非対称素子、例えば、定電圧ダイ
オードとコンデンサの直列回路からなるスナバ回路を並
列接続する方法が提案されている。第３図はこの回路を
示す。このようなトランジスタモジュールでは、トラン
ジスタ21のコレクタと定電圧ダイオード23のアノードを
導体で接続し、さらに定電圧ダイオード23のカソードと
トランジスタ21のエミッタとの間にコンデンサ24を接続
していた。しかし、このような構成においては以下の問
題点があった。
は、トランジスタだけあるいはトランジスタと並列また
は直列に接続され、トランジスタと逆方向または同方向
に電流を流すダイオードとからなり、これらトランジス
タとダイオードは同一の基板上に固着され、さらに一つ
の容器に納められ、かつ主たる電流を流すための外部端
子とトランジスタを駆動するための端子とが容器の外周
部に設けられていた。更に、トランジスタのターンオフ
時あるいはダイオードの逆回復時に回路の浮遊インダク
タンスによって発生するサージ電圧が素子に印加され、
素子が破壊するのを防止するために、特願平1-8311号に
よりトランジスタの端子間に順方向電圧降下ガ小で逆方
向電圧降下が大である非対称素子、例えば、定電圧ダイ
オードとコンデンサの直列回路からなるスナバ回路を並
列接続する方法が提案されている。第３図はこの回路を
示す。このようなトランジスタモジュールでは、トラン
ジスタ21のコレクタと定電圧ダイオード23のアノードを
導体で接続し、さらに定電圧ダイオード23のカソードと
トランジスタ21のエミッタとの間にコンデンサ24を接続
していた。しかし、このような構成においては以下の問
題点があった。
（１） 定電圧ダイオードが発熱するためこれを放熱さ
せなければならないが、一般にスナバ回路はトランジス
タ素子の容器の上部に設置される配線用導体に取り付け
られるため充分に放熱できず、大きなチップサイズの定
電圧ダイオード素子を必要とする。
せなければならないが、一般にスナバ回路はトランジス
タ素子の容器の上部に設置される配線用導体に取り付け
られるため充分に放熱できず、大きなチップサイズの定
電圧ダイオード素子を必要とする。
（２） 前記の問題を解決するため、トランジスタ素子
と同一冷却体上に定電圧ダイオード素子を取り付けた場
合、トランジスタ素子の端子との距離が長くなり、接続
のために別の配線用導体が必要となる。さらにコンデン
サとトランジスタの端子との間の配線が長くなり、これ
ら配線のもつインダクタンス分によりスナバ回路のサー
ジ電圧吸収効果が小さくなる。
と同一冷却体上に定電圧ダイオード素子を取り付けた場
合、トランジスタ素子の端子との距離が長くなり、接続
のために別の配線用導体が必要となる。さらにコンデン
サとトランジスタの端子との間の配線が長くなり、これ
ら配線のもつインダクタンス分によりスナバ回路のサー
ジ電圧吸収効果が小さくなる。
これに対して、特願平1-161339号によって、第４図〜
第６図に示されるトランジスタモジュールが提案されて
いる。第４図は前記の提案における各素子および部品の
配置を示す図で、例えば、銅からなる容器底部11の上に
絶縁基板２を介して銅からなる接続導体31,32,33,34が
固定されている。接続導体32の上には、トランジスタチ
ップ41が下面のコレクタ電極により、ダイオードチップ
42が下面のカソード電極により、定電圧ダイオードチッ
プ43が下面のアノード電極により固着されている。トラ
ンジスタチップ41の上面のエミッタ電極は接続導体31
と、ベース電極は接続導体33と、ダイオードチップ42の
上面のアノード電極は接続導体31と、また定電圧ダイオ
ードチップ43の上面のカソード電極は接続導体34とそれ
ぞれ金属細線５によって接続されている。第５図は第４
図に示した底板11上に側壁12および上蓋13を組立ててな
るトランジスタモジュール容器の外観で、上蓋13上に
は、外部端子、すなわちエミッタ（Ｂ）端子61,コレク
タ（Ｃ）端子62,ベース（Ｂ）端子63およびカソード
（Ｋ）端子64が設けられている。図示されない立上り部
を介して、エミッタ端子61は接続導体31と、コレクタ端
子62は接続導体32と、ベース端子63は接続導体33と、カ
ソード端子64は接続導体34とそれぞれ接続されている。
スナバ用のコンデンサ７はエミッタ端子61とカソード端
子64との間に接続する。第６図はその回路を示す。
第６図に示されるトランジスタモジュールが提案されて
いる。第４図は前記の提案における各素子および部品の
配置を示す図で、例えば、銅からなる容器底部11の上に
絶縁基板２を介して銅からなる接続導体31,32,33,34が
固定されている。接続導体32の上には、トランジスタチ
ップ41が下面のコレクタ電極により、ダイオードチップ
42が下面のカソード電極により、定電圧ダイオードチッ
プ43が下面のアノード電極により固着されている。トラ
ンジスタチップ41の上面のエミッタ電極は接続導体31
と、ベース電極は接続導体33と、ダイオードチップ42の
上面のアノード電極は接続導体31と、また定電圧ダイオ
ードチップ43の上面のカソード電極は接続導体34とそれ
ぞれ金属細線５によって接続されている。第５図は第４
図に示した底板11上に側壁12および上蓋13を組立ててな
るトランジスタモジュール容器の外観で、上蓋13上に
は、外部端子、すなわちエミッタ（Ｂ）端子61,コレク
タ（Ｃ）端子62,ベース（Ｂ）端子63およびカソード
（Ｋ）端子64が設けられている。図示されない立上り部
を介して、エミッタ端子61は接続導体31と、コレクタ端
子62は接続導体32と、ベース端子63は接続導体33と、カ
ソード端子64は接続導体34とそれぞれ接続されている。
スナバ用のコンデンサ７はエミッタ端子61とカソード端
子64との間に接続する。第６図はその回路を示す。
本トランジスタモジュールにおいて、同一容器内に複
数個のトランジスタを収容し、これらを並列に接続する
には、第７図に示すように複数のトランジスタを、この
例では、２個のトランジスタ41A及び41Bを並列に接続
し、これらに対して１個の定電圧ダイオード43を接続す
る。
数個のトランジスタを収容し、これらを並列に接続する
には、第７図に示すように複数のトランジスタを、この
例では、２個のトランジスタ41A及び41Bを並列に接続
し、これらに対して１個の定電圧ダイオード43を接続す
る。
前述のトランジスタモジュールにおいては、同一容器
内に複数個のトランジスタを収容しこれを並列に接続す
る場合、並列に接続された複数個のトランジスタに対し
てスナバ回路用の１個の非対称素子が接続されていた。
しかし、トランジスタのターンオフ時あるいはダイオー
ドの逆回復時に発生するサージ電圧に対し、非対称素子
とトランジスタを接続する導線の持つインダクタンスに
より、非対称素子から遠い個所のトランジスタに対する
サージ電圧吸収効果が小さく、場合によってはこのトラ
ンジスタが破壊する問題があった。
内に複数個のトランジスタを収容しこれを並列に接続す
る場合、並列に接続された複数個のトランジスタに対し
てスナバ回路用の１個の非対称素子が接続されていた。
しかし、トランジスタのターンオフ時あるいはダイオー
ドの逆回復時に発生するサージ電圧に対し、非対称素子
とトランジスタを接続する導線の持つインダクタンスに
より、非対称素子から遠い個所のトランジスタに対する
サージ電圧吸収効果が小さく、場合によってはこのトラ
ンジスタが破壊する問題があった。
本発明の課題は前述の問題点を解決して、同一容器内
に収納され、並列に接続された各トランジスタに対し、
スナバ回路のサージ吸収効果が大きく、かつ、均等な電
力変換装置用トランジスタモジュールを提供することに
ある。
に収納され、並列に接続された各トランジスタに対し、
スナバ回路のサージ吸収効果が大きく、かつ、均等な電
力変換装置用トランジスタモジュールを提供することに
ある。
前述の課題を解決するために、本発明の電力変換装置
用トランジスタモジュールにおいては、電力変換装置の
ブリッジ回路の１アームのスイッチング手段としてのト
ランジスタと、該トランジスタのコレクタとエミッタに
逆並列に接続されるフリーホイリングダイオードと、前
記トランジスタのコレクタに接続されるスナバ用の定電
圧ダイオードとからなるものにおいて、少なくとも前記
トランジスタが複数個の並列接続からなり、該並列接続
のトランジスタと同じ数の定電圧ダイオードを用い、該
定電圧ダイオードの各カソードを共通に接続してコンデ
ンサを介してトランジスタのエミッタに接続し、各アノ
ードを前記トランジスタの各コレクタに接続するように
する。
用トランジスタモジュールにおいては、電力変換装置の
ブリッジ回路の１アームのスイッチング手段としてのト
ランジスタと、該トランジスタのコレクタとエミッタに
逆並列に接続されるフリーホイリングダイオードと、前
記トランジスタのコレクタに接続されるスナバ用の定電
圧ダイオードとからなるものにおいて、少なくとも前記
トランジスタが複数個の並列接続からなり、該並列接続
のトランジスタと同じ数の定電圧ダイオードを用い、該
定電圧ダイオードの各カソードを共通に接続してコンデ
ンサを介してトランジスタのエミッタに接続し、各アノ
ードを前記トランジスタの各コレクタに接続するように
する。
本発明の電力変換装置用トランジスタモジュールにお
いては、複数個のトランジスタを並列に接続する場合、
トランジスタと同じ数の定電圧ダイオードを用い、定電
圧ダイオードの各カソードを共通に接続してコンデンサ
を介してトランジスタのエミッタに接続し、各アノード
をトランジスタの各コレクタに接続するようにしたの
で、定電圧ダイオードとトランジスタを接続する導体の
距離は極めて短く、かつ、並列に接続される各トランジ
スタともその距離は同一になる。従って、その導体のも
つインダクタンスは小さく、かつ、各トランジスタとも
同じ値であり、各トランジスタに対し、サージ吸収効果
は大きく、かつ、均等となる。
いては、複数個のトランジスタを並列に接続する場合、
トランジスタと同じ数の定電圧ダイオードを用い、定電
圧ダイオードの各カソードを共通に接続してコンデンサ
を介してトランジスタのエミッタに接続し、各アノード
をトランジスタの各コレクタに接続するようにしたの
で、定電圧ダイオードとトランジスタを接続する導体の
距離は極めて短く、かつ、並列に接続される各トランジ
スタともその距離は同一になる。従って、その導体のも
つインダクタンスは小さく、かつ、各トランジスタとも
同じ値であり、各トランジスタに対し、サージ吸収効果
は大きく、かつ、均等となる。
第１図は本発明の一実施例として、トランジスタが２
個並列に接続された場合の各素子および部品の配置を示
す。例えば、銅からなる容器底板11の上に絶縁基板２を
介して銅からなる接続導体31,32,33,34が固定されてい
る。接続導体32は左右に分かれ、各々の導体上には、ト
ランジスタチップ41A及び41Bが下面のコレクタ電極によ
り、ダイオードチップ42A及び42Bが下面のカソード電極
により、定電圧ダイオードチップ43A及び43Bが下面のア
ノード電極により固着されている。詳細な図示は省略し
たが、トランジスタチップ41A及び41Bの上面のエミッタ
電極は接続導体31と、ベース電極は接続導体33と、ダイ
オードチップ42A及び42Bの上面のアノード電極は接続導
体31と、また定電圧ダイオードチップ43A及び43Bの上面
のカソード電極は接続導体34とそれぞれ金属細線５によ
って接続されている。
個並列に接続された場合の各素子および部品の配置を示
す。例えば、銅からなる容器底板11の上に絶縁基板２を
介して銅からなる接続導体31,32,33,34が固定されてい
る。接続導体32は左右に分かれ、各々の導体上には、ト
ランジスタチップ41A及び41Bが下面のコレクタ電極によ
り、ダイオードチップ42A及び42Bが下面のカソード電極
により、定電圧ダイオードチップ43A及び43Bが下面のア
ノード電極により固着されている。詳細な図示は省略し
たが、トランジスタチップ41A及び41Bの上面のエミッタ
電極は接続導体31と、ベース電極は接続導体33と、ダイ
オードチップ42A及び42Bの上面のアノード電極は接続導
体31と、また定電圧ダイオードチップ43A及び43Bの上面
のカソード電極は接続導体34とそれぞれ金属細線５によ
って接続されている。
このように、並列に接続したトランジスタチップに対
しスナバ回路の定電圧ダイオードチップを同じ数だけ設
けることにより、スナバ回路でのエネルギ損失を低減で
きる。つまり、第７図における定電圧ダイオード43に流
れる順電流をＩ0、順電圧をＶ0とし、第１図における一
方の定電圧ダイオードチップ43Aに流れる順電流をＩ1、
順電圧をＶ1とし、他方の定電圧ダイオードチップ43Aに
流れる順電流をＩ2、順電圧をＶ2とする。ここで、定電
圧ダイオードチップ43Aは同等なものを使用しているの
で、Ｉ1≒Ｉ2であり、Ｖ1≒Ｖ2である。そして、第７図
では１つの定電圧ダイオードチップを用いているのに対
し第１図では２つの定電圧ダイオードチップが並列接続
であるので、1/2I0＝Ｉ1（Ｉ2）となる。さらにダイオ
ードの順方向特性が非線形であるので、電圧−電流特性
によりＩ1が1/2I0であるのでＶ0＞Ｖ1（Ｖ2）となる。
この両者の電力消費を考えると、まず、第７図の定電圧
ダイオードチップ43ではＩ0＝Ｉ1＋Ｉ2であるので、Ｐ
ZD7＝（Ｉ1＋Ｉ2）×Ｖ0となる。ここで、Ｉ1≒Ｉ2であ
るのでＰZD7≒2I1×Ｖ0であり、≒Ｉ1（Ｖ0＋Ｖ0）と置
き換えられる。一方、第１図の２つの定電圧ダイオード
43AではＰZD1＝Ｉ1×Ｖ1＋Ｉ2×Ｖ2となる。ここで、Ｉ
1≒Ｉ2であるのでＰZD1≒Ｉ1（Ｖ1＋Ｖ2）と置き換えら
れる。この結果、Ｖ0＞Ｖ1（Ｖ2）であるので、ＰZD7＞
ＰZD1となり、定電圧ダイオードチップが１つのものに
対してエネルギ損失を低減できる。
しスナバ回路の定電圧ダイオードチップを同じ数だけ設
けることにより、スナバ回路でのエネルギ損失を低減で
きる。つまり、第７図における定電圧ダイオード43に流
れる順電流をＩ0、順電圧をＶ0とし、第１図における一
方の定電圧ダイオードチップ43Aに流れる順電流をＩ1、
順電圧をＶ1とし、他方の定電圧ダイオードチップ43Aに
流れる順電流をＩ2、順電圧をＶ2とする。ここで、定電
圧ダイオードチップ43Aは同等なものを使用しているの
で、Ｉ1≒Ｉ2であり、Ｖ1≒Ｖ2である。そして、第７図
では１つの定電圧ダイオードチップを用いているのに対
し第１図では２つの定電圧ダイオードチップが並列接続
であるので、1/2I0＝Ｉ1（Ｉ2）となる。さらにダイオ
ードの順方向特性が非線形であるので、電圧−電流特性
によりＩ1が1/2I0であるのでＶ0＞Ｖ1（Ｖ2）となる。
この両者の電力消費を考えると、まず、第７図の定電圧
ダイオードチップ43ではＩ0＝Ｉ1＋Ｉ2であるので、Ｐ
ZD7＝（Ｉ1＋Ｉ2）×Ｖ0となる。ここで、Ｉ1≒Ｉ2であ
るのでＰZD7≒2I1×Ｖ0であり、≒Ｉ1（Ｖ0＋Ｖ0）と置
き換えられる。一方、第１図の２つの定電圧ダイオード
43AではＰZD1＝Ｉ1×Ｖ1＋Ｉ2×Ｖ2となる。ここで、Ｉ
1≒Ｉ2であるのでＰZD1≒Ｉ1（Ｖ1＋Ｖ2）と置き換えら
れる。この結果、Ｖ0＞Ｖ1（Ｖ2）であるので、ＰZD7＞
ＰZD1となり、定電圧ダイオードチップが１つのものに
対してエネルギ損失を低減できる。
第１図に示した底板11上に側壁12および上蓋13を組み
立ててなるトランジスタモジュールの外観は第５図に示
す従来のトランジスタモジュールの外観と同様であり、
第５図において、上蓋13上には、外部端子、すなわちエ
ミッタ（Ｅ）端子61,コレクタ（Ｃ）端子62,ベース
（Ｂ）端子63およびカソード（Ｋ）端子64が設けられて
いる。図示されない立上り部を介して、エミッタ端子61
は接続導体31と、コレクタ端子62は接続導体32と、ベー
ス端子63は接続導体33と、そしてカソード端子64は接続
導体34とそれぞれ接続される。スナバ回路用のコンデン
サ７はエミッタ端子61とカソード端子64の間に接続す
る。第２図はこのようにして得られたトランジスタモジ
ュールの回路図である。
立ててなるトランジスタモジュールの外観は第５図に示
す従来のトランジスタモジュールの外観と同様であり、
第５図において、上蓋13上には、外部端子、すなわちエ
ミッタ（Ｅ）端子61,コレクタ（Ｃ）端子62,ベース
（Ｂ）端子63およびカソード（Ｋ）端子64が設けられて
いる。図示されない立上り部を介して、エミッタ端子61
は接続導体31と、コレクタ端子62は接続導体32と、ベー
ス端子63は接続導体33と、そしてカソード端子64は接続
導体34とそれぞれ接続される。スナバ回路用のコンデン
サ７はエミッタ端子61とカソード端子64の間に接続す
る。第２図はこのようにして得られたトランジスタモジ
ュールの回路図である。
本発明によれば、並列に接続される各トランジスタに
対し、このトランジスタの個々に対して各定電圧ダイオ
ードを接続し、この接続する導体の距離を短く、かつ、
同一とし、各トランジスタに対し、サージ吸収効果は大
きく、かつ、均等となるようにしたので、トランジスタ
のターンオフ時あるいはダイオードの逆回復時に発生す
るサージ電圧によって並列接続した複数のトランジスタ
のうち定電圧ダイオードより遠い個所のトランジスタが
破壊する問題は全くなくなった。
対し、このトランジスタの個々に対して各定電圧ダイオ
ードを接続し、この接続する導体の距離を短く、かつ、
同一とし、各トランジスタに対し、サージ吸収効果は大
きく、かつ、均等となるようにしたので、トランジスタ
のターンオフ時あるいはダイオードの逆回復時に発生す
るサージ電圧によって並列接続した複数のトランジスタ
のうち定電圧ダイオードより遠い個所のトランジスタが
破壊する問題は全くなくなった。
また、スナバ回路のエネルギ損失の低減もできた。
第１図は本発明の一実施例の電力変換装置用トランジス
タモジュールにおける容器底板上の素子および部品の配
置を示す平面図、第２図は第１図の容器底板上に組み立
てられた電力変換装置用トランジスタモジュールの回路
図、第３図は特願平1-8311号に記載のスナバ回路の回路
図、第４図は特願平1-161339号に記載の従来技術にかか
る電力変換装置用トランジスタモジュールにおける容器
底板上の素子および部品の配置を示す斜視図、第５図は
第４図の容器底板上に組み立てられた従来の電力変換装
置用トランジスタモジュールの斜視図、第６図は第５図
に示した従来の電力変換装置用トランジスタモジュール
の回路図、第７図は同一容器用に複数個のトランジスタ
を収容し、これらを並列に接続した電力変換装置用トラ
ンジスタモジュールの従来の一例の回路図である。 11:容器底部、12:容器側壁、13:容器上蓋、2:絶縁基
板、31,32,33,34:接続導体、41A,41B:トランジスタチッ
プ、43:定電圧ダイオードチップ、5:金属細線、61:エミ
ッタ端子（外部端子）、62:コレクタ端子（外部端
子）、63:ベース端子（外部端子）、64:カソード端子
（外部端子）。
タモジュールにおける容器底板上の素子および部品の配
置を示す平面図、第２図は第１図の容器底板上に組み立
てられた電力変換装置用トランジスタモジュールの回路
図、第３図は特願平1-8311号に記載のスナバ回路の回路
図、第４図は特願平1-161339号に記載の従来技術にかか
る電力変換装置用トランジスタモジュールにおける容器
底板上の素子および部品の配置を示す斜視図、第５図は
第４図の容器底板上に組み立てられた従来の電力変換装
置用トランジスタモジュールの斜視図、第６図は第５図
に示した従来の電力変換装置用トランジスタモジュール
の回路図、第７図は同一容器用に複数個のトランジスタ
を収容し、これらを並列に接続した電力変換装置用トラ
ンジスタモジュールの従来の一例の回路図である。 11:容器底部、12:容器側壁、13:容器上蓋、2:絶縁基
板、31,32,33,34:接続導体、41A,41B:トランジスタチッ
プ、43:定電圧ダイオードチップ、5:金属細線、61:エミ
ッタ端子（外部端子）、62:コレクタ端子（外部端
子）、63:ベース端子（外部端子）、64:カソード端子
（外部端子）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−135752（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−202548（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−68958（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−132066（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−108749（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】電力変換装置のブリッジ回路の１アームの
スイッチング手段としてのトランジスタと、該トランジ
スタのコレクタとエミッタに逆並列に接続されるフリー
ホイリングダイオードと、前記トランジスタのコレクタ
に接続されるスナバ用の定電圧ダイオードとからなるも
のにおいて、少なくとも前記トランジスタが複数個の並
列接続からなり、該並列接続のトランジスタと同じ数の
定電圧ダイオードを用い、該定電圧ダイオードの各カソ
ードを共通に接続してコンデンサを介してトランジスタ
のエミッタに接続し、各アノードを前記トランジスタの
各コレクタに接続したことを特徴とする電力変換装置用
トランジスタモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284027A JP2580803B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 電力変換装置用トランジスタモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284027A JP2580803B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 電力変換装置用トランジスタモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145755A JPH03145755A (ja) | 1991-06-20 |
| JP2580803B2 true JP2580803B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=17673358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1284027A Expired - Lifetime JP2580803B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 電力変換装置用トランジスタモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580803B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04348555A (ja) * | 1991-05-27 | 1992-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP5899947B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2016-04-06 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュールおよび電力変換装置 |
| CN116529882A (zh) * | 2021-06-10 | 2023-08-01 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5968958A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体 |
| JPS59135752A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS62202548A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP1284027A patent/JP2580803B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03145755A (ja) | 1991-06-20 |
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