JPH11163011A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH11163011A JPH11163011A JP32480697A JP32480697A JPH11163011A JP H11163011 A JPH11163011 A JP H11163011A JP 32480697 A JP32480697 A JP 32480697A JP 32480697 A JP32480697 A JP 32480697A JP H11163011 A JPH11163011 A JP H11163011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- frame
- lead frame
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボイドのない樹脂封止体を備えた樹脂封止型
半導体装置を製造する。 【解決手段】 交差フレーム部（２０）と固定型（３
５）又は交差フレーム部（２０）と可動型（３４）との
間に空気通路（３８）を形成して、固定型（３５）と可
動型（３４）とから成る成形型（３３）にリードフレー
ム組立体（１１）を取り付けた後成形型（３３）を型締
めし、成形型（３３）の成形空所（３６）内に流動化し
た溶融樹脂を充填すると共に、成形空所（３６）内に配
置された放熱板（１３）の側部の空気を空気通路（３
８）から排出する。交差フレーム部（２０）に沿う放熱
板（１３）の側面の空気を空気通路（３８）を通じて外
部に放出して、これにより成形空所（３６）内の未充填
部分の発生を回避する。
半導体装置を製造する。 【解決手段】 交差フレーム部（２０）と固定型（３
５）又は交差フレーム部（２０）と可動型（３４）との
間に空気通路（３８）を形成して、固定型（３５）と可
動型（３４）とから成る成形型（３３）にリードフレー
ム組立体（１１）を取り付けた後成形型（３３）を型締
めし、成形型（３３）の成形空所（３６）内に流動化し
た溶融樹脂を充填すると共に、成形空所（３６）内に配
置された放熱板（１３）の側部の空気を空気通路（３
８）から排出する。交差フレーム部（２０）に沿う放熱
板（１３）の側面の空気を空気通路（３８）を通じて外
部に放出して、これにより成形空所（３６）内の未充填
部分の発生を回避する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法、特に樹脂封止体を形成する流動化樹脂を成形型内
に注入する際に未充填部分の発生を防止できる樹脂封止
型半導体装置の製造方法に関する。
方法、特に樹脂封止体を形成する流動化樹脂を成形型内
に注入する際に未充填部分の発生を防止できる樹脂封止
型半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、特許第２５７６９０７号公報に
示されるように、半導体素子又は回路基板を固着した支
持板と、外部リードの一端側とを樹脂封止体によって被
覆したた半導体装置は公知である。図８及び図９に示す
ように、この半導体装置では、支持板（２）上に半導体
素子又は回路基板（１）を固着し、半導体素子又は回路
基板（１）の電極と外部リード（３）とをリード細線
（６）により接続してリードフレーム組立体を形成した
後、リードフレーム組立体を成形型内に配置して周知の
トランスファモールド方法によって樹脂封止体（４）を
形成する。この半導体装置では半導体素子又は回路基板
（１）を樹脂封止体（４）により封止するため、半導体
素子又は回路基板（１）が保護されて電気的特性が保持
される。
示されるように、半導体素子又は回路基板を固着した支
持板と、外部リードの一端側とを樹脂封止体によって被
覆したた半導体装置は公知である。図８及び図９に示す
ように、この半導体装置では、支持板（２）上に半導体
素子又は回路基板（１）を固着し、半導体素子又は回路
基板（１）の電極と外部リード（３）とをリード細線
（６）により接続してリードフレーム組立体を形成した
後、リードフレーム組立体を成形型内に配置して周知の
トランスファモールド方法によって樹脂封止体（４）を
形成する。この半導体装置では半導体素子又は回路基板
（１）を樹脂封止体（４）により封止するため、半導体
素子又は回路基板（１）が保護されて電気的特性が保持
される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図９に示す
ように、支持板（２）の下面に段差部（５）を有する半
導体装置では、段差部（５）の両側から図８に示すよう
に樹脂が注入され、段差部（５）に空気が封入されて閉
じ込められ易い。このため、樹脂封止体（４）に樹脂の
未充填部分（ボイド）が形成されることがあった。
ように、支持板（２）の下面に段差部（５）を有する半
導体装置では、段差部（５）の両側から図８に示すよう
に樹脂が注入され、段差部（５）に空気が封入されて閉
じ込められ易い。このため、樹脂封止体（４）に樹脂の
未充填部分（ボイド）が形成されることがあった。
【０００４】本発明は、ボイドのない樹脂封止体を備え
た樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
た樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による樹脂封止型
半導体装置の製造方法は、一定間隔毎に互いに離間して
配置された複数の交差フレーム部（２０）を有し且つ帯
状に形成されたリードフレーム（１２）と、隣合う交差
フレーム部（２０）の間に形成される複数の開口部（２
３）の各々内に配置された複数の放熱板（１３）と、放
熱板（１３）上に接着された電子部品（３２）と、各電
子部品（３２）の電極とリード（１６）とを接続する金
属細線（１５）とを備えたリードフレーム組立体（１
１）を用意する工程と、交差フレーム部（２０）と固定
型（３５）又は交差フレーム部（２０）と可動型（３
４）との間に空気通路（３８）を形成して、固定型（３
５）と可動型（３４）とから成る成形型（３３）にリー
ドフレーム組立体（１１）を配置した後成形型（３３）
を型締めする工程と、成形型（３３）の成形空所（３
６）内に流動化した溶融樹脂を充填すると共に、成形空
所（３６）内に配置された放熱板（１３）の側部の空気
を空気通路（３８）から排出する工程と、放熱板（１
３）の上面及び側面並びに電子部品（３２）、金属細線
（１５）及びリード（１６）の端部を樹脂封止体により
被覆したリードフレーム組立体（１１）を成形型（３
３）から取り出す工程と、交差フレーム部（２０）及び
リードフレーム（１２）の不要な部分をリードフレーム
組立体（１１）から除去する工程とを含む。
半導体装置の製造方法は、一定間隔毎に互いに離間して
配置された複数の交差フレーム部（２０）を有し且つ帯
状に形成されたリードフレーム（１２）と、隣合う交差
フレーム部（２０）の間に形成される複数の開口部（２
３）の各々内に配置された複数の放熱板（１３）と、放
熱板（１３）上に接着された電子部品（３２）と、各電
子部品（３２）の電極とリード（１６）とを接続する金
属細線（１５）とを備えたリードフレーム組立体（１
１）を用意する工程と、交差フレーム部（２０）と固定
型（３５）又は交差フレーム部（２０）と可動型（３
４）との間に空気通路（３８）を形成して、固定型（３
５）と可動型（３４）とから成る成形型（３３）にリー
ドフレーム組立体（１１）を配置した後成形型（３３）
を型締めする工程と、成形型（３３）の成形空所（３
６）内に流動化した溶融樹脂を充填すると共に、成形空
所（３６）内に配置された放熱板（１３）の側部の空気
を空気通路（３８）から排出する工程と、放熱板（１
３）の上面及び側面並びに電子部品（３２）、金属細線
（１５）及びリード（１６）の端部を樹脂封止体により
被覆したリードフレーム組立体（１１）を成形型（３
３）から取り出す工程と、交差フレーム部（２０）及び
リードフレーム（１２）の不要な部分をリードフレーム
組立体（１１）から除去する工程とを含む。
【０００６】交差フレーム部（２０）と固定型（３５）
又は交差フレーム部（２０）と可動型（３４）との間に
空気通路（３８）を形成したので、流動化した樹脂を成
形空所（３６）内に充填したとき、交差フレーム部（２
０）に沿う放熱板（１３）の側面の空気を空気通路（３
８）を通じて外部に放出することができ、これにより成
形空所（３６）内の未充填部分の発生を回避することが
できる。
又は交差フレーム部（２０）と可動型（３４）との間に
空気通路（３８）を形成したので、流動化した樹脂を成
形空所（３６）内に充填したとき、交差フレーム部（２
０）に沿う放熱板（１３）の側面の空気を空気通路（３
８）を通じて外部に放出することができ、これにより成
形空所（３６）内の未充填部分の発生を回避することが
できる。
【０００７】本発明の実施の形態では、空気通路（２
８）は、交差フレーム部（２０）と並行な放熱板（１
３）の側部に隣接する成形空所（３６）に連絡して交差
フレーム部（２０）と可動型（３４）又は固定型（３
５）との間の適当な箇所、例えば放熱板（１３）の幅の
略中間部に隣接して形成される。空気通路（２８）は、
例えば、交差フレーム部（２０）に形成された横溝（２
４）と、横溝（２４）に接続され且つ隣合う開口部（２
３）を連絡する縦溝（２５）とにより形成されるが、交
差フレーム部（２０）に溝を形成せずに、可動型（３
４）又は固定型（３５）に溝を形成することにより空気
通路（２８）を形成してもよい。交差フレーム部（２
０）に横溝（２４）と縦溝（２５）とを形成すれば、従
来の成形型（３３）を加工せずにそのまま使用すること
ができる。
８）は、交差フレーム部（２０）と並行な放熱板（１
３）の側部に隣接する成形空所（３６）に連絡して交差
フレーム部（２０）と可動型（３４）又は固定型（３
５）との間の適当な箇所、例えば放熱板（１３）の幅の
略中間部に隣接して形成される。空気通路（２８）は、
例えば、交差フレーム部（２０）に形成された横溝（２
４）と、横溝（２４）に接続され且つ隣合う開口部（２
３）を連絡する縦溝（２５）とにより形成されるが、交
差フレーム部（２０）に溝を形成せずに、可動型（３
４）又は固定型（３５）に溝を形成することにより空気
通路（２８）を形成してもよい。交差フレーム部（２
０）に横溝（２４）と縦溝（２５）とを形成すれば、従
来の成形型（３３）を加工せずにそのまま使用すること
ができる。
【０００８】放熱板（１３）の交差フレーム部（２０）
と並行な側部に段差部（２９）を形成し、放熱板（１
３）の下面は成形空所（３６）の底面に密着する。放熱
板（１３）の下面が固定型（３５）に密着するため、放
熱板（１３）の側面に存在する空気が密閉されやすい。
従って、放熱板（１３）に段差部（２９）を形成した樹
脂封止型半導体装置の製造に本発明は特に有効である。
成形型（３３）の成形空所（３６）内に流動化した溶融
樹脂を充填する際に、空気通路（３８）に樹脂バリが形
成されるが、樹脂バリは交差フレーム部（２０）と共に
除去できるので、トランスファモールドにおいてバリ取
りに伴う工程数が増加しない。
と並行な側部に段差部（２９）を形成し、放熱板（１
３）の下面は成形空所（３６）の底面に密着する。放熱
板（１３）の下面が固定型（３５）に密着するため、放
熱板（１３）の側面に存在する空気が密閉されやすい。
従って、放熱板（１３）に段差部（２９）を形成した樹
脂封止型半導体装置の製造に本発明は特に有効である。
成形型（３３）の成形空所（３６）内に流動化した溶融
樹脂を充填する際に、空気通路（３８）に樹脂バリが形
成されるが、樹脂バリは交差フレーム部（２０）と共に
除去できるので、トランスファモールドにおいてバリ取
りに伴う工程数が増加しない。
【０００９】電子部品（３２）は回路基板（１４）を介
して又は介さずに放熱板（１３）上に接着される。リー
ドフレーム（１２）は、交差フレーム部（２０）及びリ
ード（１６）に連結され且つリードフレーム（１２）の
長さ方向に配置された支持フレーム部（２１）と、支持
フレーム部（２１）に対して並行に且つリードフレーム
（１２）の幅方向に一定距離離間して配置された分離フ
レーム部（２２）とを備えた枠体（１９）を有する。一
対の交差フレーム部（２０）は、リードフレーム（１
２）の長さ方向に離間して且つリードフレーム（１２）
の幅方向に配置される。分離フレーム（２２）の下方の
固定型（３５）にゲート（３７）が形成される。
して又は介さずに放熱板（１３）上に接着される。リー
ドフレーム（１２）は、交差フレーム部（２０）及びリ
ード（１６）に連結され且つリードフレーム（１２）の
長さ方向に配置された支持フレーム部（２１）と、支持
フレーム部（２１）に対して並行に且つリードフレーム
（１２）の幅方向に一定距離離間して配置された分離フ
レーム部（２２）とを備えた枠体（１９）を有する。一
対の交差フレーム部（２０）は、リードフレーム（１
２）の長さ方向に離間して且つリードフレーム（１２）
の幅方向に配置される。分離フレーム（２２）の下方の
固定型（３５）にゲート（３７）が形成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】ハイブリッドＩＣの製造に適用し
た本発明による樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施
の形態を図１〜図７について以下説明する。
た本発明による樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施
の形態を図１〜図７について以下説明する。
【００１１】図１〜図６は本発明の第１の実施の形態を
示す。第１の実施の形態では、図３に示すリードフレー
ム組立体（１１）を用意する。図２及び図３に示すよう
に、リードフレーム組立体（１１）は、相対的に肉薄の
金属板により帯状に形成されたリードフレーム（１２）
と、相対的に肉厚の金属板から成りリードフレーム（１
２）の長さ方向に並置された複数の放熱板（１３）と、
各放熱板（１３）上に接着剤（３１）により接着された
回路基板（１４）と、回路基板（１４）上に接着された
複数の電子部品（３２）と、各電子部品（３２）の電極
とリード（１６）とを接続する金属細線（１５）とを備
えている。説明の便宜上、図１は、回路基板（１４）と
金属細線（１５）を除去したリードフレーム（１２）を
示す。複数の放熱板（１３）は、隣合う交差フレーム部
（２０）の間に形成される複数の開口部（２３）の各々
内に配置される。細長いリードフレーム（１２）は、リ
ードフレーム（１２）の長さ方向に繰り返し設けられた
複数の枠体（１９）を有する。各枠体（１９）は、リー
ドフレーム（１２）の長さ方向に相互に離間して且つリ
ードフレーム（１２）の幅方向に配置された一対の交差
フレーム部（セクションバー）（２０）と、交差フレー
ム部（２０）に端部で連結され且つリードフレーム（１
２）の長さ方向に配置された支持フレーム部（２１）
と、支持フレーム部（２１）に対して並行に且つリード
フレーム（１２）の幅方向に支持フレーム部（２１）か
ら一定距離離間して配置された分離ブレーム部（２２）
とを備えている。複数の交差フレーム部（２０）は一定
間隔毎に互いに離間して配置される。一対の交差フレー
ム部（２０）、支持フレーム部（２１）及び分離フレー
ム部（２２）は矩形の枠体（１９）を構成する。支持フ
レーム部（２１）の内側には外端部（１６ａ）が支持フ
レーム部（２１）に直角に接続された複数のリード（１
６）が配置され、各リード（１６）は支持フレーム部
（２１）により支持される。
示す。第１の実施の形態では、図３に示すリードフレー
ム組立体（１１）を用意する。図２及び図３に示すよう
に、リードフレーム組立体（１１）は、相対的に肉薄の
金属板により帯状に形成されたリードフレーム（１２）
と、相対的に肉厚の金属板から成りリードフレーム（１
２）の長さ方向に並置された複数の放熱板（１３）と、
各放熱板（１３）上に接着剤（３１）により接着された
回路基板（１４）と、回路基板（１４）上に接着された
複数の電子部品（３２）と、各電子部品（３２）の電極
とリード（１６）とを接続する金属細線（１５）とを備
えている。説明の便宜上、図１は、回路基板（１４）と
金属細線（１５）を除去したリードフレーム（１２）を
示す。複数の放熱板（１３）は、隣合う交差フレーム部
（２０）の間に形成される複数の開口部（２３）の各々
内に配置される。細長いリードフレーム（１２）は、リ
ードフレーム（１２）の長さ方向に繰り返し設けられた
複数の枠体（１９）を有する。各枠体（１９）は、リー
ドフレーム（１２）の長さ方向に相互に離間して且つリ
ードフレーム（１２）の幅方向に配置された一対の交差
フレーム部（セクションバー）（２０）と、交差フレー
ム部（２０）に端部で連結され且つリードフレーム（１
２）の長さ方向に配置された支持フレーム部（２１）
と、支持フレーム部（２１）に対して並行に且つリード
フレーム（１２）の幅方向に支持フレーム部（２１）か
ら一定距離離間して配置された分離ブレーム部（２２）
とを備えている。複数の交差フレーム部（２０）は一定
間隔毎に互いに離間して配置される。一対の交差フレー
ム部（２０）、支持フレーム部（２１）及び分離フレー
ム部（２２）は矩形の枠体（１９）を構成する。支持フ
レーム部（２１）の内側には外端部（１６ａ）が支持フ
レーム部（２１）に直角に接続された複数のリード（１
６）が配置され、各リード（１６）は支持フレーム部
（２１）により支持される。
【００１２】複数のリード（１６）は支持フレーム部
（２１）及び分離フレーム部（２２）に対して並行に配
置された連結条（１７）により互いに連結され、連結条
（１７）の両端部はそれぞれ交差フレーム部（２０）に
連結される。連結条（１７）と分離フレーム部（２２）
は開口部（２３）を形成し、各リード（１６）の内端部
（１６ｂ）は連結条（１７）から開口部（２３）内に突
出する。各開口部（２３）内には放熱板（１３）が配置
され、図２に示すように、放熱板（１３）上には接着剤
（３１）により回路基板（１４）が接着される。回路基
板（１４）の上面には、図示しない電極が形成された複
数の電子部品（３２）が接着され、図３に示すように電
子部品（３２）の電極は金属細線（１５）によって対応
するリード（１６）に電気的に接続される。
（２１）及び分離フレーム部（２２）に対して並行に配
置された連結条（１７）により互いに連結され、連結条
（１７）の両端部はそれぞれ交差フレーム部（２０）に
連結される。連結条（１７）と分離フレーム部（２２）
は開口部（２３）を形成し、各リード（１６）の内端部
（１６ｂ）は連結条（１７）から開口部（２３）内に突
出する。各開口部（２３）内には放熱板（１３）が配置
され、図２に示すように、放熱板（１３）上には接着剤
（３１）により回路基板（１４）が接着される。回路基
板（１４）の上面には、図示しない電極が形成された複
数の電子部品（３２）が接着され、図３に示すように電
子部品（３２）の電極は金属細線（１５）によって対応
するリード（１６）に電気的に接続される。
【００１３】交差フレーム部（２０）の主面には、リー
ドフレーム（１２）の全幅にわたり交差フレーム部（２
０）の中央部に形成された横溝（２４）と、隣合う開口
部（２３）を連絡する縦溝（２５）とが形成され、横溝
（２４）と縦溝（２５）は交差部（２６）で連絡する。
交差フレーム部（２０）に横溝（２４）と縦溝（２５）
とを形成してもリードフレームの全体形状は変わらない
ので、従来の成形型（３３）を加工せずにそのまま使用
することができる。本実施例のリードフレーム（１２）
では、縦溝（２５）は、連結条（１７）と分離フレーム
部（２２）とのほぼ中間に形成される。横溝（２４）
は、交差フレーム部（２０）の長さ方向の全体にわたっ
て交差フレーム部（２０）に並行して設けられ、その両
端は支持フレーム部（２１）と分離フレーム部（２２）
の縁部に達する。
ドフレーム（１２）の全幅にわたり交差フレーム部（２
０）の中央部に形成された横溝（２４）と、隣合う開口
部（２３）を連絡する縦溝（２５）とが形成され、横溝
（２４）と縦溝（２５）は交差部（２６）で連絡する。
交差フレーム部（２０）に横溝（２４）と縦溝（２５）
とを形成してもリードフレームの全体形状は変わらない
ので、従来の成形型（３３）を加工せずにそのまま使用
することができる。本実施例のリードフレーム（１２）
では、縦溝（２５）は、連結条（１７）と分離フレーム
部（２２）とのほぼ中間に形成される。横溝（２４）
は、交差フレーム部（２０）の長さ方向の全体にわたっ
て交差フレーム部（２０）に並行して設けられ、その両
端は支持フレーム部（２１）と分離フレーム部（２２）
の縁部に達する。
【００１４】交差フレーム部（２０）の両縁部には、隣
合う開口部（２３）内に反対方向に突出する略Ｕ字形の
２対の接続条（４１）が設けられる。各接続条（４１）
は、交差フレーム部（２０）に接続された一対の脚部
（４２）と、一対の脚部（４２）の先端に設けられた平
板部（４３）とを有し、平板部（４３）には貫通孔（４
４）が形成される。図２に示すように、脚部（４２）
は、折曲げ部（４５）が形成され、平板部（４３）は下
方に偏位し且つ交差フレーム部（２０）と並行に配置さ
れる。
合う開口部（２３）内に反対方向に突出する略Ｕ字形の
２対の接続条（４１）が設けられる。各接続条（４１）
は、交差フレーム部（２０）に接続された一対の脚部
（４２）と、一対の脚部（４２）の先端に設けられた平
板部（４３）とを有し、平板部（４３）には貫通孔（４
４）が形成される。図２に示すように、脚部（４２）
は、折曲げ部（４５）が形成され、平板部（４３）は下
方に偏位し且つ交差フレーム部（２０）と並行に配置さ
れる。
【００１５】長方形の平面形状を有する放熱板（１３）
の下面の両側には、交差フレーム部（２０）及び複数の
リード（１６）と略並行に一対の段差部（２９）が形成
される。段差部（２９）は、交差フレーム部（２０）と
並行な側部に形成される。図２に示すように、放熱板
（１３）の上面には４つの突起（３０）が形成され、各
突起（３０）は対応する平板部（４３）の貫通孔（４
４）に挿入される。各突起（３０）の頂部は加締められ
て、平板部（４３）に固定されるので、放熱板（１３）
はリードフレーム（１２）に一体に固定されるが、図３
に示すように、放熱板（１３）の上面は、各リード（１
６）に対し一定距離下方に離間して配置されて、各リー
ド（１６）は、放熱板（１３）の上面から浮いた状態に
保持される。
の下面の両側には、交差フレーム部（２０）及び複数の
リード（１６）と略並行に一対の段差部（２９）が形成
される。段差部（２９）は、交差フレーム部（２０）と
並行な側部に形成される。図２に示すように、放熱板
（１３）の上面には４つの突起（３０）が形成され、各
突起（３０）は対応する平板部（４３）の貫通孔（４
４）に挿入される。各突起（３０）の頂部は加締められ
て、平板部（４３）に固定されるので、放熱板（１３）
はリードフレーム（１２）に一体に固定されるが、図３
に示すように、放熱板（１３）の上面は、各リード（１
６）に対し一定距離下方に離間して配置されて、各リー
ド（１６）は、放熱板（１３）の上面から浮いた状態に
保持される。
【００１６】図１に示すリードフレーム組立体（１１）
に樹脂封止体を形成するとき、図４に示すように、上型
（可動型）（３４）と下型（固定型）（３５）とを備え
たトランスファモールド用金型（３３）を用意する。次
に、図４及び図５に示すように、成形金型（３３）にリ
ードフレーム組立体（１１）を配置して、上型（３４）
と下型（３５）を閉じると、金型（３３）内に成形空所
（３６）が形成されると共に、図５に示すように、成形
空所（３６）に通じるゲート（３７）が分離フレーム
（２２）の下方の固定型（３５）に形成される。このと
き、リードフレーム組立体（１１）のリード（１６）、
連結条（１７）、交差フレーム部（２０）、支持フレー
ム部（２１）及び分離フレーム部（２２）は、上型（３
４）と下型（３５）の界面で挟持される。また、放熱板
（１３）の下面は、成形空所（３６）の下面の固定型
（３５）に当接する。交差フレーム部（２０）に設けら
れた横溝（２４）及び縦溝（２５）は、図７に示すよう
に、上型（３４）の下面との間に空気通路（エアーベン
ト）（３８）を形成し、空気通路（３８）は隣合う成形
空所（３６）内の空気を金型（３３）の外部に導出す
る。
に樹脂封止体を形成するとき、図４に示すように、上型
（可動型）（３４）と下型（固定型）（３５）とを備え
たトランスファモールド用金型（３３）を用意する。次
に、図４及び図５に示すように、成形金型（３３）にリ
ードフレーム組立体（１１）を配置して、上型（３４）
と下型（３５）を閉じると、金型（３３）内に成形空所
（３６）が形成されると共に、図５に示すように、成形
空所（３６）に通じるゲート（３７）が分離フレーム
（２２）の下方の固定型（３５）に形成される。このと
き、リードフレーム組立体（１１）のリード（１６）、
連結条（１７）、交差フレーム部（２０）、支持フレー
ム部（２１）及び分離フレーム部（２２）は、上型（３
４）と下型（３５）の界面で挟持される。また、放熱板
（１３）の下面は、成形空所（３６）の下面の固定型
（３５）に当接する。交差フレーム部（２０）に設けら
れた横溝（２４）及び縦溝（２５）は、図７に示すよう
に、上型（３４）の下面との間に空気通路（エアーベン
ト）（３８）を形成し、空気通路（３８）は隣合う成形
空所（３６）内の空気を金型（３３）の外部に導出す
る。
【００１７】本実施例では、封止体に対応した成形空所
（３６）内に流動化した溶融樹脂をゲート（３７）から
注入したとき、放熱板（１３）の側部の空気及び段差部
（２９）内の空気を空気通路（３８）を通じて成形空所
（３６）の外部に排出できる。このため、段差部（２
９）に空気が封入されず、樹脂封止体にボイドが形成さ
れることを防止できる。
（３６）内に流動化した溶融樹脂をゲート（３７）から
注入したとき、放熱板（１３）の側部の空気及び段差部
（２９）内の空気を空気通路（３８）を通じて成形空所
（３６）の外部に排出できる。このため、段差部（２
９）に空気が封入されず、樹脂封止体にボイドが形成さ
れることを防止できる。
【００１８】その後、放熱板（１３）の上面及び側面並
びに電子部品（３２）、金属細線（１５）及びリード
（１６）の端部を樹脂封止体により被覆したリードフレ
ーム組立体（１１）を成形型（３３）から取り出す。更
に、交差フレーム部（２０）、支持フレーム部（２
１）、連結条（１７）及び分離フレーム部（２２）が切
除される。従って、樹脂封止体内の脚部（４２）は交差
フレーム部（２０）から分離されると共に、リード（１
６）が支持フレーム部（２１）及び連結条（１７）から
分離されることにより個々のハイブリッドＩＣに分離さ
れる。成形型（３３）の成形空所（３６）内に流動化し
た溶融樹脂を充填する際に、空気通路（３８）に樹脂バ
リが形成されるが、樹脂バリは交差フレーム部（２０）
と共に除去することができるので、樹脂バリの除去のた
めに工程数が増加しない。
びに電子部品（３２）、金属細線（１５）及びリード
（１６）の端部を樹脂封止体により被覆したリードフレ
ーム組立体（１１）を成形型（３３）から取り出す。更
に、交差フレーム部（２０）、支持フレーム部（２
１）、連結条（１７）及び分離フレーム部（２２）が切
除される。従って、樹脂封止体内の脚部（４２）は交差
フレーム部（２０）から分離されると共に、リード（１
６）が支持フレーム部（２１）及び連結条（１７）から
分離されることにより個々のハイブリッドＩＣに分離さ
れる。成形型（３３）の成形空所（３６）内に流動化し
た溶融樹脂を充填する際に、空気通路（３８）に樹脂バ
リが形成されるが、樹脂バリは交差フレーム部（２０）
と共に除去することができるので、樹脂バリの除去のた
めに工程数が増加しない。
【００１９】次に、図６及び図７に示す本発明の第２の
実施の形態について説明する。図６では、リードフレー
ム組立体（３９）の交差フレーム部（４０）に横溝（２
４）及び縦溝（２５）を形成する代わりに、図７に示す
ように、交差フレーム部（４０）を挟持する成形金型
（３３）の上型（４１）に縦溝（２５）を形成する点で
図１〜図５に示すリードフレーム組立体（１１）と異な
る。図示しないが、縦溝（２５）に連絡する横溝が上型
（４１）に形成される。リードフレーム組立体（３９）
を金型（３３）に配置したときに、上型（４１）と交差
フレーム部（４０）との間に、上型（４１）に形成され
た縦溝（２５）及び横溝によって空気通路（３８）が形
成される。空気通路（３８）は樹脂封止体を形成する際
に成形空所（３６）内に封入される空気を排気する機能
を有する。
実施の形態について説明する。図６では、リードフレー
ム組立体（３９）の交差フレーム部（４０）に横溝（２
４）及び縦溝（２５）を形成する代わりに、図７に示す
ように、交差フレーム部（４０）を挟持する成形金型
（３３）の上型（４１）に縦溝（２５）を形成する点で
図１〜図５に示すリードフレーム組立体（１１）と異な
る。図示しないが、縦溝（２５）に連絡する横溝が上型
（４１）に形成される。リードフレーム組立体（３９）
を金型（３３）に配置したときに、上型（４１）と交差
フレーム部（４０）との間に、上型（４１）に形成され
た縦溝（２５）及び横溝によって空気通路（３８）が形
成される。空気通路（３８）は樹脂封止体を形成する際
に成形空所（３６）内に封入される空気を排気する機能
を有する。
【００２０】本実施の形態では、交差フレーム部（２
０）と固定型（３５）又は交差フレーム部（２０）と可
動型（３４）との間に空気通路（３８）を形成したの
で、流動化した樹脂を成形空所（３６）内に充填したと
き、交差フレーム部（２０）に沿う放熱板（１３）の側
面の空気を空気通路（３８）を通じて外部に放出して、
成形空所（３６）内の未充填部分の発生を回避すること
ができる。
０）と固定型（３５）又は交差フレーム部（２０）と可
動型（３４）との間に空気通路（３８）を形成したの
で、流動化した樹脂を成形空所（３６）内に充填したと
き、交差フレーム部（２０）に沿う放熱板（１３）の側
面の空気を空気通路（３８）を通じて外部に放出して、
成形空所（３６）内の未充填部分の発生を回避すること
ができる。
【００２１】本発明の実施の形態は前記の例に限定され
ず、変更が可能である。例えば、交差フレーム部（２
０）と可動型（３４）との間に空気通路（３８）を形成
する代わりに、交差フレーム部（２０）と固定型（３
５）との間に空気通路（３８）を形成してもよい。空気
通路（２８）は、例えば放熱板（１３）の幅の略中間部
に隣接して形成されるが、交差フレーム部（２０）と並
行な放熱板（１３）の側部に隣接する成形空所（３６）
に連絡して交差フレーム部（２０）と可動型（３４）又
は固定型（３５）との間の適当な箇所に形成することが
できる。電子部品（３２）は回路基板（１４）を介して
又は介さずに放熱板（１３）上に接着することができ
る。
ず、変更が可能である。例えば、交差フレーム部（２
０）と可動型（３４）との間に空気通路（３８）を形成
する代わりに、交差フレーム部（２０）と固定型（３
５）との間に空気通路（３８）を形成してもよい。空気
通路（２８）は、例えば放熱板（１３）の幅の略中間部
に隣接して形成されるが、交差フレーム部（２０）と並
行な放熱板（１３）の側部に隣接する成形空所（３６）
に連絡して交差フレーム部（２０）と可動型（３４）又
は固定型（３５）との間の適当な箇所に形成することが
できる。電子部品（３２）は回路基板（１４）を介して
又は介さずに放熱板（１３）上に接着することができ
る。
【００２２】
【発明の効果】前記のように、本発明では、ボイドのな
い樹脂封止体を備えた信頼性の高い樹脂封止型半導体装
置を製造することができる。
い樹脂封止体を備えた信頼性の高い樹脂封止型半導体装
置を製造することができる。
【図１】 本発明による樹脂封止型半導体装置の製造方
法に使用するリードフレーム組立体の平面図
法に使用するリードフレーム組立体の平面図
【図２】 図１のII−II線に沿う断面図
【図３】 図１のIII−III線に沿う断面図
【図４】 成形型に取り付けた状態を示す図２のII−II
線に沿う断面図
線に沿う断面図
【図５】 成形型に取り付けた状態を示す図３のIII−I
II線に沿う断面図
II線に沿う断面図
【図６】 本発明の他の実施の形態による樹脂封止型半
導体装置の製造方法に使用するリードフレーム組立体の
平面図
導体装置の製造方法に使用するリードフレーム組立体の
平面図
【図７】 成形型に取り付けた状態を示す図６のVII−V
II線に沿う断面図
II線に沿う断面図
【図８】 従来の半導体装置の断面図
【図９】 図８のIX−IX線に沿う断面図
１１・・リードフレーム組立体、 １２・・リードフレ
ーム、 １３・・放熱板、 １４・・回路基板、 １５
・・金属細線、 １６・・リード、 １７・・連結条、
１９・・枠体、 ２０・・交差フレーム部、 ２１・
・支持フレーム部、 ２２・・分離フレーム部、 ２３
・・開口部、 ２４・・横溝、 ２５・・縦溝、 ２６
・・幅広部、 ２７・・孔、 ２８・・折り曲げ部、
２９・・段差部、 ３０・・突起、 ３１・・接着剤、
３２・・電子部品、 ３３・・成形型、 ３４・・可
動型、 ３５・・固定型、 ３６・・成形空所、 ３７
・・ゲート、 ３８・・空気通路、
ーム、 １３・・放熱板、 １４・・回路基板、 １５
・・金属細線、 １６・・リード、 １７・・連結条、
１９・・枠体、 ２０・・交差フレーム部、 ２１・
・支持フレーム部、 ２２・・分離フレーム部、 ２３
・・開口部、 ２４・・横溝、 ２５・・縦溝、 ２６
・・幅広部、 ２７・・孔、 ２８・・折り曲げ部、
２９・・段差部、 ３０・・突起、 ３１・・接着剤、
３２・・電子部品、 ３３・・成形型、 ３４・・可
動型、 ３５・・固定型、 ３６・・成形空所、 ３７
・・ゲート、 ３８・・空気通路、
Claims (8)
- 【請求項１】 一定間隔毎に互いに離間して配置された
複数の交差フレーム部（２０）を有し且つ帯状に形成さ
れたリードフレーム（１２）と、隣合う前記交差フレー
ム部（２０）の間に形成される複数の開口部（２３）の
各々内に配置された複数の放熱板（１３）と、該放熱板
（１３）上に接着された電子部品（３２）と、各電子部
品（３２）の電極とリード（１６）とを接続する金属細
線（１５）とを備えたリードフレーム組立体（１１）を
用意する工程と、 前記交差フレーム部（２０）と固定型（３５）又は前記
交差フレーム部（２０）と可動型（３４）との間に空気
通路（３８）を形成して、前記固定型（３５）と可動型
（３４）とから成る成形型（３３）に前記リードフレー
ム組立体（１１）を配置した後前記成形型（３３）を型
締めする工程と、 前記成形型（３３）の成形空所（３６）内に流動化した
溶融樹脂を充填すると共に、前記成形空所（３６）内に
配置された前記放熱板（１３）の側部の空気を前記空気
通路（３８）から排出する工程と、 前記放熱板（１３）の上面及び側面並びに前記電子部品
（３２）、金属細線（１５）及びリード（１６）の端部
を樹脂封止体により被覆した前記リードフレーム組立体
（１１）を成形型（３３）から取り出す工程と、 前記交差フレーム部（２０）及び前記リードフレーム
（１２）の不要な部分を前記リードフレーム組立体（１
１）から除去する工程と、 を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 前記空気通路（２８）は、前記交差フレ
ーム部（２０）と並行な前記放熱板（１３）の側部に隣
接する前記成形空所（３６）に連絡して前記交差フレー
ム部（２０）と前記可動型（３４）又は固定型（３５）
との間に形成される請求項１に記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記空気通路（２８）は前記交差フレー
ム部（２０）に形成された横溝（２４）と、該横溝（２
４）に接続され且つ隣合う開口部（２３）を連絡する縦
溝（２５）とにより形成される請求項２に記載の樹脂封
止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記放熱板（１３）の前記交差フレーム
部（２０）と並行な側部に段差部（２９）を形成し、前
記放熱板（１３）の下面は前記成形空所（３６）の底面
に密着する請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製
造方法。 - 【請求項５】 前記成形型（３３）の成形空所（３６）
内に流動化した溶融樹脂を充填する際に、前記空気通路
（３８）に形成される樹脂バリを前記交差フレーム部
（２０）と共に除去する工程を含む請求項１に記載の樹
脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記電子部品（３２）は回路基板（１
４）を介して又は介さずに前記放熱板（１３）上に接着
された請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項７】 前記リードフレーム（１２）は、前記交
差フレーム部（２０）及び前記リード（１６）に連結さ
れ且つ前記リードフレーム（１２）の長さ方向に配置さ
れた支持フレーム部（２１）と、該支持フレーム部（２
１）に対して並行に且つ前記リードフレーム（１２）の
幅方向に一定距離離間して配置された分離フレーム部
（２２）とを備えた枠体（１９）を有し、一対の前記交
差フレーム部（２０）は、前記リードフレーム（１２）
の長さ方向に離間して且つ前記リードフレーム（１２）
の幅方向に配置された請求項１に記載の樹脂封止型半導
体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記分離フレーム（２２）の下方の前記
固定型（３５）にゲート（３７）が形成された請求項７
に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32480697A JP3097842B2 (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32480697A JP3097842B2 (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163011A true JPH11163011A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3097842B2 JP3097842B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=18169894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32480697A Expired - Fee Related JP3097842B2 (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3097842B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017518A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置の製造方法 |
| JP2008112928A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102150493B1 (ko) * | 2018-04-27 | 2020-09-01 | 주식회사 골프존 | 레이더 센서 및 그 제어방법 |
-
1997
- 1997-11-26 JP JP32480697A patent/JP3097842B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017518A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置の製造方法 |
| JP4614586B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置の製造方法 |
| JP2008112928A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3097842B2 (ja) | 2000-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6627976B1 (en) | Leadframe for semiconductor package and mold for molding the same | |
| US6611047B2 (en) | Semiconductor package with singulation crease | |
| US5808359A (en) | Semiconductor device having a heat sink with bumpers for protecting outer leads | |
| US6566164B1 (en) | Exposed copper strap in a semiconductor package | |
| US6798047B1 (en) | Pre-molded leadframe | |
| JPS60227457A (ja) | 集積回路パツケ−ジ | |
| KR20080027920A (ko) | 반도체 디바이스 | |
| US5185653A (en) | O-ring package | |
| US5445995A (en) | Method for manufacturing plastic-encapsulated semiconductor devices with exposed metal heat sink | |
| JP3097842B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム | |
| JP2525555Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム組立体 | |
| JP3934079B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN218867096U (zh) | 衬底和半导体器件 | |
| KR100321149B1 (ko) | 칩사이즈 패키지 | |
| JP2538412B2 (ja) | リ―ドフレ―ムおよび半導体装置 | |
| JP3284604B2 (ja) | 放熱板付樹脂封止半導体装置の製造方法 | |
| KR100819794B1 (ko) | 리드프레임 및, 그것을 이용한 반도체 패키지 제조 방법 | |
| KR100391124B1 (ko) | 반도체 패키지의 베이스, 이를 이용한 반도체 패키지 및그 제조방법 | |
| JP2008034602A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0661380A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100575859B1 (ko) | 볼 그리드 어레이 패키지 | |
| KR200328473Y1 (ko) | Bga형반도체패키지 | |
| JP2965028B1 (ja) | 放熱板を有するリードフレーム | |
| KR200334397Y1 (ko) | 핀이 없는 반도체 부품 패키지 구조개선 | |
| JPH0341476Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |