JP2008112928A - 回路装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】耐圧性が向上された回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路装置の製造方法では、モールド用の金型２２の上金型２２Ａに第２側面２８を設けている。この構成により、封止樹脂１４に含まれるボイド２４の殆どは、エアベント３０から外部に放出される。また、キャビティ２３の内部にボイド２４が残留したとしても、これらのボイド２４の大部分は、回路素子や導電パターンが設けられない第２領域３２に位置している。従って、第２領域３２に位置するボイドは、回路素子と外部とのショートを誘発しないので、このボイドに起因した装置全体の耐圧の低下は抑制される。
【選択図】図５

Description

本発明は回路装置の製造方法に関し、特に、半導体素子等の多数の回路素子から成る混成集積回路が組み込まれる回路装置に関するものである。
図６（Ａ）を参照して、従来の混成集積回路装置１００の構成を説明する（下記特許文献１を参照）。先ず、矩形の基板１０１の表面には、絶縁層１０２を介して導電パターン１０３が形成され、この導電パターン１０３の所望の箇所に回路素子が固着されて、所定の電気回路が形成される。ここでは、回路素子として半導体素子１０５Ａおよびチップ素子１０５Ｂが、導電パターン１０３に接続されている。リード１０４は、基板１０１の周辺部に形成された導電パターン１０３から成るパッド１０９に接続され、外部端子として機能している。封止樹脂１０８は、基板１０１の表面に形成された電気回路を封止する機能を有する。
以上の構成の混成集積回路装置１００の製造方法は、概略的に、回路基板１０１の上面に導電パターン１０３および半導体素子１０５Ａ等の回路素子から成る電気回路を組み込む工程と、回路基板１０１の上面に位置するパッド１０９にリード１０４を固着する工程と、回路基板１０１が被覆されるように封止樹脂１０８を形成する工程とを有する。
図６（Ｂ）を参照して、トランスファーモールドにより回路基板１０１を封止する工程を説明する。先ず、モールド用の金型１２０の内部に、上面に混成集積回路が組み込まれた基板１０１を収納させる。次に、基板１０１が収納された金型のキャビティに熱硬化性樹脂を注入して、回路１０１を樹脂封止する。ここで、液状の熱硬化性樹脂は、金型１２０に設けた不図示のゲートから金型の内部に注入される。樹脂の注入が終了した後は、樹脂を加熱して硬化させる。
特開平５−１０２６４５号公報
しかしながら、上述した回路装置の製造方法では、封止樹脂１０８に発生するボイド（気泡が残留する領域）により、混成集積回路装置１００の耐圧性が低下してしまう問題があった。具体的には、液状の熱硬化性樹脂を金型の内部に注入する際に、微小なボイドが封止樹脂１０８に発生する。樹脂の注入方法等を工夫することによりボイドの発生をある程度は抑制できるものの、封止樹脂１０８から完全にボイドを除去するのは非常に困難である。このことから、特に、半導体素子１０５Ａ等の回路素子に接触する部分の封止樹脂１０８にボイドが含まれると、このボイドを経由して電流が通過して、回路素子が外部とショートを引き起こす恐れがある。即ち、混成集積回路装置１００の耐圧性が充分で無くなる。更には、モールド時の封止樹脂の流れを好適に制御できないことから、回路素子と導電パターンとを接続する金属細線が断線してしまう問題が発生してしまう恐れもある。また、モールド時に於いて、キャビティに流入する樹脂を好適に制御できていなかったので、素子の接続に用いられる金属細線が倒れてショートが発生する問題もあった。
本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、耐圧性が向上された回路装置の製造方法を提供することにある。
本発明の回路装置の製造方法は、導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板の少なくとも上面および側面を、金型を用いて封止樹脂にて被覆する回路装置の製造方法であり、前記金型には、前記回路基板が収納されるキャビティの最外周部に位置する第１側面と、前記第１側面よりも内側であり且つ前記回路素子が配置される領域よりも外側に位置する第２側面が設けられ、前記回路基板を前記封止樹脂により被覆する工程では、前記第２側面よりも内側の領域である第１領域に前記封止樹脂を充填させた後に、前記第２側面よりも外側であり且つ前記第１側面に囲まれる第２領域に前記封止樹脂を充填させ、前記封止樹脂に含まれるボイドを前記第１領域から前記第２領域に移動させることを特徴とする。
本発明によれば、樹脂封止を行う金型に、キャビティの最外周部に位置する第１側面と、この第１側面よりも内側に位置する第２側面とを設けた。このことにより、封止樹脂を形成する工程に於いて、発生したボイドを第２側面に囲まれる領域よりも外側に位置させることが可能となる。従って、回路素子を被覆する部分の封止樹脂に含まれるボイドを低減させることが可能となり、ボイドを経由した回路素子と外部とのショートが抑止され、装置全体の耐圧性を向上できる。
＜第１の実施の形態＞
本形態では、図１および図２を参照して、回路装置の一例として混成集積回路装置１０の構造を説明する。
図１（Ａ）は混成集積回路装置１０を斜め上方から見た斜視図である。図１（Ｂ）は全体を封止する封止樹脂１４を省いた混成集積回路装置１０の斜視図である。
図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、混成集積回路装置１０は、回路基板１１の上面に、導電パターン１３および回路素子から成る所定の機能を有する混成集積回路が構成されている。具体的には、先ず、矩形（長方形）の回路基板１１の上面は絶縁層１２により被覆され、絶縁層１２の上面に形成された導電パターン１３の所定の箇所には、半導体素子やチップ素子等の回路素子が電気的に接続されている。更に、回路基板１１の表面に形成された導電パターン１３および回路素子は封止樹脂１４により被覆されている。また、リード２５は封止樹脂１４から外部に導出している。
回路基板１１は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属を主材料とする金属基板である。回路基板１１の具体的な大きさは、例えば、縦×横×厚さ＝３０ｍｍ×１５ｍｍ×１．５ｍｍ程度である。回路基板１１としてアルミニウムより成る基板を採用した場合は、回路基板１１の両主面は酸化膜が形成されてアルマイト処理される。
絶縁層１２は、回路基板１１の上面全域を覆うように形成されている。絶縁層１２は、ＡＬ２Ｏ３等のフィラーが例えば６０重量％〜８０重量％程度に高充填されたエポキシ樹脂等から成る。フィラーが混入されることにより、絶縁層１２の熱抵抗が低減されるので、内蔵される回路素子から発生した熱を、絶縁層１２および回路基板１１を介して積極的に外部に放出することができる。絶縁層１２の具体的な厚みは、例えば５０μｍ程度である。また、図１（Ｂ）では、回路基板１１の上面のみが絶縁層１２により被覆されているが、回路基板１１の裏面も絶縁層１２により被覆しても良い。このようにすることで、回路基板１１の裏面を封止樹脂１４から外部に露出させても、回路基板１１の裏面を外部と絶縁させることができる。
導電パターン１３は銅等の金属から成り、所定の電気回路が形成されるように絶縁層１２の表面に形成される。また、リード２５が導出する辺に、ランド状の導電パターン１３からなるパッド１３Ａが形成される。更に、制御素子１５Ａの周囲にも多数個のパッド１３Ａが形成され、パッド１３Ａと制御素子１５Ａとは金属細線１７により接続される。ここでは単層の導電パターン１３が図示されているが、絶縁層を介して積層された多層の導電パターン１３が回路基板１１の上面に形成されても良い。
導電パターン１３は、絶縁層１２の上面に設けた厚みが５０μｍ〜１００μｍ程度の薄い導電膜をパターニングして形成される。従って、導電パターン１３の幅は５０μｍ〜１００μｍ程度に狭く形成することができる。また、導電パターン１３同士が離間する距離も５０μｍ〜１００μｍ程度に狭くすることもできる。従って、制御素子１５Ａが数百個の電極を有する素子であっても、電極の数に応じたパッド１３Ａを制御素子１５Ａの周囲に形成することができる。更に、微細に形成される導電パターン１３により複雑な電気回路を回路基板１１の上面に形成することもできる。
導電パターン１３に電気的に接続される回路素子としては、能動素子や受動素子を全般的に採用することができる。具体的には、トランジスタ、ＬＳＩチップ、ダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、インダクタンス、サーミスタ、アンテナ、発振器などを回路素子として採用することができる。更にまた、樹脂封止型のパッケージ等も、回路素子として導電パターン１３に固着することができる。
図１（Ｂ）を参照すると、回路基板１１の上面には、回路素子として制御素子１５Ａ、パワー素子１５Ｂ、１５Ｃおよびチップ素子１５Ｄが配置されている。
制御素子１５Ａは、所定の電気回路が表面に形成された半導体素子であり、パワー素子１５Ｂの制御電極に電気信号を供給している。制御素子１５Ａは、例えば１アンペア未満の電流が流れる半導体素子である。
パワー素子１５Ｂ、１５Ｃは、例えば１アンペア以上の大電流が主電極を通過する素子であり、制御素子１５Ａによりその動作が制御される。具体的には、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＩＣ（Integrated Circuit）、バイポーラ型トランジスタ等をパワー素子１５Ｂとして採用可能である。更に、パワー素子１５Ｃは、ヒートシンク２６の上面に実装されている。
封止樹脂１４は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドまたは熱可塑性樹脂を用いるインジェクションモールドにより形成される。ここでは、封止樹脂１４により、導電パターン１３、回路素子、金属細線１７等が封止されている。また、回路基板１１の裏面も含む回路基板１１全体が封止樹脂１４により被覆されても良いし、回路基板１１の裏面を封止樹脂１４から露出させても良い。更に、封止樹脂１４には、熱伝導性の向上等を目的として酸化シリコン等のフィラーが混入され、例えばフィラーが１０％〜２０％程度混入された熱硬化性樹脂から封止樹脂１４は構成される。ここで、熱抵抗を低減させることを考慮すると、封止樹脂１４には多量のフィラーが含まれた方が良いが、樹脂封止の工程に於けるボイドの出現を防止するために、封止樹脂１４の流動性が一定程度以上確保できる範囲でフィラーの混入量が決定される。
リード２５は、一端が回路基板１１上のパッド１３Ａと電気的に接続され、他端が封止樹脂１４から外部に導出している。即ち、リード２５は、回路基板１１の上面に形成された導電パターン１３を経由して回路素子と電気的に接続されている。リード２５は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）またはＦｅ−Ｎｉの合金等などを主成分とした金属から成る。ここでは、回路基板１１の１つの側辺に沿って設けたパッド１３Ａにリード２５を接続している。しかしながら、回路基板１１の対向する２つの側辺または４つの側辺に沿ってパッド１３Ａを設けて、このパッド１３Ａにリード２５を接続しても良い。
また、金属が露出している回路基板１１の側面とリード２５とのショートを防止するために、リード２５は曲折されたガルウイング形状と成っている。即ち、リード２５の途中に於いて、回路基板１１の外周端部よりも内側の領域で、上方に向かって傾斜する傾斜部が設けられ、他の部分のリード２５は回路基板１１の上面に対して平行に延在している。
本形態の混成集積回路装置１０では、封止樹脂１４の両端には、リブ２０Ａ、２０Ｂが設けられている。これらのリブ２０Ａ、２０Ｂは、混成集積回路装置１０の長手方向（内蔵される回路基板１１の長手方向）の両端部に設けられており、中央部付近と比較すると薄く形成されている。例えば、混成集積回路装置１０の中央部付近に於ける封止樹脂１４の厚みが５ｍｍ程度であるのに対して、リブ２０Ａ、２０Ｂの厚みは例えば３ｍｍ程度である。また、リブ２０Ａ、２０Ｂは封止樹脂１４のみから成り、これらの領域には回路基板１１、導電パターン１３、回路素子が内蔵されていない。更に、リブ２０Ａ、２０Ｂの中央部付近にはビス穴３３が設けられており、不図示のビスをビス穴３３に挿入して混成集積回路装置１０はヒートシンクや実装基板に固着される。ビス穴３３を囲む部分の封止樹脂１４の厚みは、回路基板１１を被覆する部分の厚みと略同等であり、リブ２０Ａ、２０Ｂの他の領域よりも厚く形成されている。このことにより、ビス穴３３を囲む部分の封止樹脂１４の機械的強度が充分に確保され、この部分にビスによる押圧力が作用しても、封止樹脂１４のクラックの発生や割れを防止することができる。
図２を参照して、混成集積回路装置１０の構成を更に説明する。図２（Ａ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ’線に於ける断面図であり、図２（Ｂ）は図１（Ａ）に於けるＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。
図２（Ａ）を参照して、混成集積回路装置１０の長手方向（回路基板１１の長手方向）の両端部には、リブ２０Ａおよびリブ２０Ｂが設けられている。また、リブ２０Ａ、２０Ｂは、回路基板１１上の回路素子１９が封止樹脂１４に封止される領域である封止領域２１よりも外側に位置している。リブ２０Ａ、２０Ｂは、樹脂封止の工程に於いて発生するボイドが、封止領域２１から移動させられる領域である。このようにボイド２４をリブ２０Ａ、２０Ｂが設けられた領域に移動させることにより、封止領域２１に残留するボイドが減少して、封止領域２１に位置する回路素子１９と外部とがショートしにくくなり、結果的に混成集積回路装置１０全体の耐圧性が向上される。ボイドのリブ２０Ａ等への移動に関する詳細は後述する。
図２（Ｂ）を参照して、混成集積回路装置１０の短手方向（回路基板１１の短手方向）の端部にも、リブ２０Ｃが設けられている。このリブ２０Ｃにもボイド２４を移動させて、封止領域２１に残留するボイドを減少させることができる。
上記のように、リード２５が導出される辺を除く３辺に沿ってリブ２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃを設けることで、封止樹脂１４を形成する工程に於いてこれらのリブ２０Ａ等にボイドを封止領域２１から移動させることが可能となる。従って、封止領域２１に残存するボイドの量を低減させて、回路素子１９と外部とのショートを抑制する効果を更に大きくすることができる。
＜第２の実施の形態＞
本形態では、図３から図５を参照して、上述した構成の混成集積回路装置の製造方法を説明する。
図３を参照して、先ず、多数個のリード２５から成るリードフレーム４０を回路基板１１に固着する。図３（Ａ）はリードフレーム４０が固着された回路基板１１を示す平面図であり、図３（Ｂ）はこの状態の断面図である。
回路基板１１の上面は絶縁層１２により被覆されており、この絶縁層１２の上面には所定の形状の導電パターン１３が形成されている。そして、導電パターン１３の所定の箇所には、回路素子１９が固着されている。この回路素子１９としては、上述したように能動素子および受動素子を複数個全般的に採用することができる。
回路基板１１の一つの側辺に沿って、導電パターン１３の一部から成るパッド１３Ａが設けられており、これらのパッド１３Ａにはリード２５の端部の下面が半田等の接合材を介して接合されている。ここでは、回路基板１１の１つの側辺に沿ってパッド１３Ａが設けられているが、回路基板１１の対向する２つの側辺または４つの側辺に沿ってパッド１３Ａを設け、これらのパッド１３Ａにリード２５を固着しても良い。
本工程では、リード２５は、複数本が一体的に連結されたリードフレーム４０の状態で提供されている。図３（Ａ）を参照すると、複数本のリード２５が紙面上にて縦方向に延在し、これらのリード２５が延在する方向とは直角な方向に延在する２つのタイバー４４により複数個のリード２５が一体的に支持されてリードフレーム４０が構成されている。
更に、図３（Ｂ）を参照して、リード２５は部分的に傾斜部が設けられた形状と成っている。具体的には、紙面上にて左端部は平坦形状となっており、この部分の裏面が半田を介してパッド１３Ａに接合される。また、リード２５の中間部付近は、右側に向かって上方に傾斜する傾斜部となっており、このような傾斜部を回路基板１１の終端部の上方に設けることで、回路基板１１とリード２５とのショートが防止されている。
図４および図５を参照して、次に、回路基板１１の少なくとも上面および側面を封止樹脂により封止する。本工程では、熱硬化性樹脂が使用されるトランスファーモールドを行うが、熱可塑性樹脂が使用されるインジェクションモールドが行われても良い。
図４を参照して、先ず、モールド用の金型２２の内部に設けられるキャビティ２３に、回路基板１１を収納させる。図４（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の縦方向に於ける断面図であり、図４（Ｃ）は図４（Ａ）の横方向に於ける断面図である。
図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照して、下金型２２Ｂに回路基板１１を載置し、上金型２２Ａを下金型２２Ｂに当接させて、金型２２のキャビティ２３の内部に回路基板１１を配置させる。本工程では、一端が回路基板１１に固着されたリード２５が上金型２２Ａおよび下金型２２Ｂに押圧固定されることで、キャビティ２３の内部に於ける回路基板１１の平面的な位置決めが成されている。
図４（Ａ）を参照して、金型２２の形状を説明する。先ず、製造される混成集積回路装置の平面的な外周端部に沿って、第１側面２７が設けられている。ここでは、紙面上にて横方向に細長な形状の混成集積回路装置が製造されるので、この細長な形状に第１側面２７が金型２２に形成されている。また、第１側面２７は、回路基板１１よりも外側に設けられ、図１に示したビス穴に対応した湾曲した部分も有している。
更に図４（Ａ）を参照して、上記した第１側面よりも内側であり、且つ回路基板１１の上面に回路素子が配置される領域よりも外側の位置に、第２側面２８が設けられている。この第２側面２８は、リード２５が導出される側面以外の３つの側辺（紙面上では、上側辺および左右側辺）に於いて、上述した第１側面２７よりも内側に位置している。特に、左右両側辺に於いては、図１に示したリブが設けられることから、上側辺と比較すると、第１側面２７と第２側面２８とが離間する距離は長くなっている。そして、リード２５が導出される側辺においては、第１側面２７と第２側面２８とは同一側辺上に位置している。
金型２２には、ゲート２９およびエアベント３０が設けられている。ゲート２９は、金型２２のキャビティ２３に液状の封止樹脂が注入される部分であり、エアベント３０は、ゲート２９から注入された封止樹脂に相当する量のキャビティ２３内部の空気が外部に放出される部分である。
ゲート２９は、図４（Ａ）に示すように、平面的にはリード２５が接続される辺に対向する長手方向の第１側面２７の中央部付近に設けられている。更に、図４（Ｂ）を参照すると、ゲート２９は、回路基板１１の側方に位置している。即ち、回路基板１１の厚み方向に於いて、ゲート２９の高さは、回路基板１１の下面よりも高く且つ上面よりも低い位置にある。
エアベント３０は、図４（Ａ）を参照して、短手方向の第１側面２７に複数個が設けられており、具体的には、左側の第１側面に２つのエアベント３０が設けられ、右側の第１側面２７に２つのエアベント３０が設けられ、合計で４つのエアベント３０が形成されている。このように、左右両方の第１側面２７に均等に複数のエアベント３０を設けることにより、ゲート２９から注入される液状の封止樹脂を、左右均等に広がらせてボイドの形成を抑止することができる。
図４（Ｃ）を参照して、金型２２に設けられるキャビティ２３は、第１領域３１と第２領域３２に大別することができる。第１領域３１は上述した第２側面２８に平面的に囲まれる領域であり、この第１領域３１の内部に、回路基板１１の上面に実装される回路素子が位置している。また、第２領域３２は、平面的に第１側面２７と第２側面２８とで囲まれる領域であり、紙面上では、第１領域３１の両側（外側）に２つの第２領域３２が設けられている。樹脂封止を行う際には、ゲート２９から第１領域３１に封止樹脂が注入され、この第１領域３１から両側の第２領域３２に封止樹脂が流入する。
更に本形態では、上金型２２Ａに当接ピン３４を設け、この当接ピン３４を回路基板１１の上面に当接させることで、回路基板１１の厚み方向の位置を固定している。具体的には、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）を参照して、回路基板１１の周辺部（導電パターンが設けられない領域）に対応する箇所の上金型２２Ａの内壁に、内側（下方）に向かって突出する当接ピン３４を２つ設けている。当接ピン３４の下端は、キャビティ２３の内部に回路基板１１を収納させてリード２５を固定すると、回路基板１１の上面に当接する位置に調節されている。このようにすることで、樹脂封止の工程に於いて、当接ピン３４により上方から回路基板１１を下方に押圧することが可能となり、回路基板１１を厚み方向に固定することができる。更には、回路基板１１の周辺部に於いて、上金型２２Ａの内壁と回路基板１１の上面との間隙を所定の厚みに規定することが可能となる。
図５を参照して、次に、キャビティ２３の内部に封止樹脂１４を注入して、回路基板１１の上面、側面および下面を封止樹脂１４により被覆する。図５（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の縦方向に於ける断面図であり、図５（Ｃ）は図５（Ａ）の横方向に於ける断面図である。
図５（Ａ）を参照して、本工程では、先ず、ゲート２９から封止樹脂１４をキャビティ２３の第１領域３１に注入し、その後に、第１領域３１から両側の第２領域３２に封止樹脂１４を流入させている。この樹脂注入と同時に、注入された封止樹脂１４に応じた量のキャビティ２３の内部の空気が、エアベント３０を経由して外部に放出される。
図５（Ｂ）を参照して、ゲート２９から注入された液状または半固形状の封止樹脂１４は、回路基板１１の側面に当接した後に、回路基板の上方および下方の領域に分岐して充填される。ここでは、第２側面２８よりも外側の領域では、上金型２２Ａの内壁下端と回路基板１１上面との隙間が狭く成っていることで、回路基板１１の上方への封止樹脂１４の流入は若干制限されている。従って、ゲート２９から注入された封止樹脂１４は、回路基板１１の上方のみに注入されるのではなく、回路基板１１の下面と下金型２２Ｂとの間の間隙にも充填される。このようにすることで、回路基板１１の下面と下金型２２Ｂの内壁との間隙の厚みが例えば０．５ｍｍ程度に薄い場合でも、この間隙に封止樹脂１４を充填させることができる。
図５（Ｂ）を参照して、本工程では、上金型２２Ａに第２側面２８を設けることにより、第１領域３１を第２領域３２よりも優先的に封止樹脂１４で充填している。このことにより、第１領域３１にボイドが残留して、装置全体の耐圧性が低下してしまうことを防止できる利点がある。
具体的には、先ず、ゲート２９（図５（Ｂ）参照）から注入された液状の封止樹脂１４は、第１領域３１に流入する。流入された封止樹脂１４は、液状または半固形状であるので周囲に広がろうとするが、この広がりは、上金型２２Ａの内壁に設けた第２側面２８に封止樹脂１４が接触することで、若干妨げられる。また、第２側面２８よりも外側領域に於いて、上金型２２Ａの内壁（下端）と回路基板１１の上面との間隙が狭くなっている事によっても、第１領域３１から第２領域３２への封止樹脂１４の流入は制限されている。
更に、ゲート２９からの樹脂注入を続行すると、第１領域３１の大部分（あるいは全て）が封止樹脂１４により充填され、その後に、第１領域３１から第２領域３２に封止樹脂１４が流入する。この時、封止樹脂１４と共に、ボイド２４（気泡）も、第１領域３１から第２領域３２に移動する。更に、封止樹脂１４を注入すると、第１領域３１と共に、両端に位置する第２領域３２にも封止樹脂１４が充填される。更に、この充填が行われる際に、回路基板１１の下方の領域にも封止樹脂１４が充填される。即ち、ゲート２９から注入された封止樹脂１４の一部は、回路基板１１の下方にも回り込み、両側の第２領域３２に到達する。封止樹脂１４が注入された後には、封止樹脂１４を加熱して硬化させ、その後に上金型２２Ａと下金型２２Ｂとを分離させた後に、金型２２から樹脂封止された回路基板１１を取り出す。
上記充填が行われる際に、封止樹脂１４に含まれるボイド２４の殆どは、エアベント３０から外部に放出される。また、キャビティ２３の内部にボイド２４が残留したとしても、これらのボイド２４の殆どは、回路素子や導電パターンが設けられない第２領域３２（図１（Ａ）に示すリブ２０Ａ、２０Ｂ）に位置している。従って、第２領域３２に位置するボイドは、回路素子と外部とのショートを誘発しないので、このボイドに起因した装置全体の耐圧の低下は抑制される。更に、樹脂封止の途中段階に於いて、回路基板１１の下方にボイドが形成されたとしても、このボイドは第２領域３２まで移動してエアベント３０を経由して外部に放出されるので、回路基板１１の下面を被覆する封止樹脂１４にボイドが発生することも防止されている。
以上の工程により、回路基板１１は封止樹脂１４により封止される。この樹脂封止の工程が終了した後は、リードフレーム４０のタイバーを除去して個々のリード２５を分離する。更に、内蔵された電気回路をテストする工程、リード２５を所定の長さにカットして折り曲げ加工等を行う工程等を経て、例えば図１に示す形状の混成集積回路装置１０が製造される。
以上の説明では、回路基板１１の上面、側面および下面を封止樹脂により被覆しているが、回路基板１１の上面および側面のみを封止樹脂により封止して、下面を封止樹脂から外部に露出させても良い。この場合は、樹脂封止の工程に於いて回路基板１１の下面は金型の内壁に当接される。
本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は斜視図である。 本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は断面図である。 従来の混成集積回路装置およびその製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。
符号の説明
１０ 混成集積回路装置
１１ 回路基板
１２ 絶縁層
１３ 導電パターン
１３Ａ パッド
１４ 封止樹脂
１５Ａ 制御素子
１５Ｂ、１５Ｃ パワー素子
１５Ｄ チップ素子
１７ 金属細線
１９ 回路素子
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ リブ
２１ 封止領域
２２ 金型
２２Ａ 上金型
２２Ｂ 下金型
２３ キャビティ
２４ ボイド
２５ リード
２６ ヒートシンク
２７ 第１側面
２８ 第２側面
２９ ゲート
３０ エアベント
３１ 第１領域
３２ 第２領域
３３ ビス穴
３４ 当接ピン
４０ リードフレーム

Claims (4)

  1. 導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板の少なくとも上面および側面を、金型を用いて封止樹脂にて被覆する回路装置の製造方法であり、
    前記金型には、前記回路基板が収納されるキャビティの最外周部に位置する第１側面と、前記第１側面よりも内側であり且つ前記回路素子が配置される領域よりも外側に位置する第２側面が設けられ、
    前記回路基板を前記封止樹脂により被覆する工程では、前記第２側面よりも内側の領域である第１領域に前記封止樹脂を充填させた後に、前記第２側面よりも外側であり且つ前記第１側面に囲まれる第２領域に前記封止樹脂を充填させ、前記封止樹脂に含まれるボイドを前記第１領域から前記第２領域に移動させることを特徴とする回路装置の製造方法。
  2. 前記封止樹脂により、前記回路基板の上面、側面および下面を被覆することを特徴とする請求項１記載の回路装置の製造方法。
  3. 前記第２側面を前記回路基板の外周端部よりも内側に設けて、前記第１領域に注入されて前記第２領域に流入する前記封止樹脂の量を制限することを特徴とする請求項１記載の回路装置の製造方法。
  4. 前記回路基板は矩形形状であり、
    前記第２側面は、前記回路基板の長手方向に於いて前記第１側面よりも内側に位置し、
    前記第２領域は、前記回路基板の長手方向の外側に設けられることを特徴とする請求項１記載の回路装置の製造方法。
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