JP2596247B2 - 半導体装置の成形用金型 - Google Patents
半導体装置の成形用金型Info
- Publication number
- JP2596247B2 JP2596247B2 JP3073775A JP7377591A JP2596247B2 JP 2596247 B2 JP2596247 B2 JP 2596247B2 JP 3073775 A JP3073775 A JP 3073775A JP 7377591 A JP7377591 A JP 7377591A JP 2596247 B2 JP2596247 B2 JP 2596247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- heat sink
- resin
- molding
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置を製造するた
めの装置に関し、特に樹脂封止型半導体装置のモールド
成形工程で使用する成形金型に関する。
めの装置に関し、特に樹脂封止型半導体装置のモールド
成形工程で使用する成形金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、許容損失の大きなパワートランジ
スタ等の半導体チップを搭載する半導体装置では、半導
体チップで発生される熱を放熱するために、１〜２mm程
度の厚さの金属製放熱板上に半導体チップを搭載してい
る。更に、近年では、この金属製放熱板を用いた半導体
装置の全体を高熱伝導タイプのエポキシ樹脂により樹脂
封止した半導体装置も提案されている。このため、この
種の半導体装置の製造に際しては、半導体チップを搭載
した金属性放熱板を成形用金型のキャビティ内に支持さ
せ、ゲート口からキャビティ内に樹脂を圧入することで
モールド成形を行っている。
スタ等の半導体チップを搭載する半導体装置では、半導
体チップで発生される熱を放熱するために、１〜２mm程
度の厚さの金属製放熱板上に半導体チップを搭載してい
る。更に、近年では、この金属製放熱板を用いた半導体
装置の全体を高熱伝導タイプのエポキシ樹脂により樹脂
封止した半導体装置も提案されている。このため、この
種の半導体装置の製造に際しては、半導体チップを搭載
した金属性放熱板を成形用金型のキャビティ内に支持さ
せ、ゲート口からキャビティ内に樹脂を圧入することで
モールド成形を行っている。
【０００３】しかし、金属製放熱板は銅等で構成されて
大質量であるため、自重によって成形用金型内で重力方
向に撓み易く、キャビティ内での位置精度が確保できな
いという問題がある。このため、従来では図４に示す成
形用金型が用いられている。図４（ａ）は成形前の状
態、図４（ｂ）は成形時の状態を夫々示す断面図であ
る。即ち、上金型１１と下金型１２でキャビティ１３を
画成し、半導体チップ２を搭載した金属性放熱板１をこ
れら金型１１，１２間に挟むように支持させる。このと
き、各金型１１，１２には突起１７，１８を設けてお
き、これらの突起１７，１８で金属製放熱板１を上下か
ら支持することでその撓みを防止させている。３はアル
ミニウムワイヤ、４はリードであり、又１５はキャビテ
ィ１３内に樹脂を注入するためのゲート口である。
大質量であるため、自重によって成形用金型内で重力方
向に撓み易く、キャビティ内での位置精度が確保できな
いという問題がある。このため、従来では図４に示す成
形用金型が用いられている。図４（ａ）は成形前の状
態、図４（ｂ）は成形時の状態を夫々示す断面図であ
る。即ち、上金型１１と下金型１２でキャビティ１３を
画成し、半導体チップ２を搭載した金属性放熱板１をこ
れら金型１１，１２間に挟むように支持させる。このと
き、各金型１１，１２には突起１７，１８を設けてお
き、これらの突起１７，１８で金属製放熱板１を上下か
ら支持することでその撓みを防止させている。３はアル
ミニウムワイヤ、４はリードであり、又１５はキャビテ
ィ１３内に樹脂を注入するためのゲート口である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の成形
用金型では、金属製放熱板１を上下の金型１１，１２に
設けた突起１７，１８によって支持するため、キャビテ
ィ１３内での金属製放熱板１の位置精度を向上すること
ができる。しかしながら、この突起１７，１８が存在す
る部分には樹脂が注入されないため、成形後の製半導体
装置にはこの部分に穴が生じ、この穴を通して金属性放
熱板１が露呈され、半導体装置の耐水性が劣化される。
特に、この種の半導体装置では、半導体チップ２を保護
する上で金属性放熱板１の上側の樹脂厚を厚く形成する
ために下側の樹脂厚が薄くなり、この下側における穴の
沿面距離が短くなり、半導体装置の絶縁耐圧が低下され
るという問題がある。本発明の目的は、このような絶縁
耐圧の低下を防止した半導体装置をモールド成形するこ
とができる成形用金型を提供することにある。
用金型では、金属製放熱板１を上下の金型１１，１２に
設けた突起１７，１８によって支持するため、キャビテ
ィ１３内での金属製放熱板１の位置精度を向上すること
ができる。しかしながら、この突起１７，１８が存在す
る部分には樹脂が注入されないため、成形後の製半導体
装置にはこの部分に穴が生じ、この穴を通して金属性放
熱板１が露呈され、半導体装置の耐水性が劣化される。
特に、この種の半導体装置では、半導体チップ２を保護
する上で金属性放熱板１の上側の樹脂厚を厚く形成する
ために下側の樹脂厚が薄くなり、この下側における穴の
沿面距離が短くなり、半導体装置の絶縁耐圧が低下され
るという問題がある。本発明の目的は、このような絶縁
耐圧の低下を防止した半導体装置をモールド成形するこ
とができる成形用金型を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の成形用金型は、
金属性放熱板の表面側に位置される金型には、金属性放
熱板の表面に当接される突起を形成し、反対側に位置さ
れる金型にはキャビティ内に樹脂を注入させるためのゲ
ート口と、注入される樹脂の流れを整流して金属性放熱
板に対する注入圧力を発生させる整流ブロックとを設け
ている。この場合、整流ブロックはゲート口の両側に配
置することができる。
金属性放熱板の表面側に位置される金型には、金属性放
熱板の表面に当接される突起を形成し、反対側に位置さ
れる金型にはキャビティ内に樹脂を注入させるためのゲ
ート口と、注入される樹脂の流れを整流して金属性放熱
板に対する注入圧力を発生させる整流ブロックとを設け
ている。この場合、整流ブロックはゲート口の両側に配
置することができる。
【０００６】
【作用】本発明によれば、樹脂の注入圧力と突起とで金
属性放熱板をキャビティ内に支持させるとともに、金属
性放熱板の裏面側の樹脂に穴が生じることを防止してそ
の絶縁耐圧を向上させる。
属性放熱板をキャビティ内に支持させるとともに、金属
性放熱板の裏面側の樹脂に穴が生じることを防止してそ
の絶縁耐圧を向上させる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１実施例の成形用金型を示す断面
図であり、（ａ）は成形前の状態、（ｂ）は成形時の状
態を夫々示す図である。又、図２（ａ）及び（ｂ）は夫
々上金型、下金型の斜視図である。これらの図におい
て、金属製放熱板１の表面に半導体チップ２が半田等で
接着され、アルミニウムワイヤ３で相互に電気接続を行
っている。又、金属製放熱板１には外部電極となるリー
ド４が導出されている。そして、この金属性放熱板１は
上金型１１と下金型１２とで画成されるキャビティ１３
内に配置される。上金型１１には金属性放熱板１の表面
に当接される突起１４が一体に設けられる。この突起１
４の下側先端は円錐状に形成される。又、下金型１２に
はキャビティ１３内に樹脂を注入するためのゲート口１
５が設けられるとともに、このゲート口の両側には注入
される樹脂の流れを規制して注入圧力を増大させるため
の整流ブロック１６が設けられる。
る。図１は本発明の第１実施例の成形用金型を示す断面
図であり、（ａ）は成形前の状態、（ｂ）は成形時の状
態を夫々示す図である。又、図２（ａ）及び（ｂ）は夫
々上金型、下金型の斜視図である。これらの図におい
て、金属製放熱板１の表面に半導体チップ２が半田等で
接着され、アルミニウムワイヤ３で相互に電気接続を行
っている。又、金属製放熱板１には外部電極となるリー
ド４が導出されている。そして、この金属性放熱板１は
上金型１１と下金型１２とで画成されるキャビティ１３
内に配置される。上金型１１には金属性放熱板１の表面
に当接される突起１４が一体に設けられる。この突起１
４の下側先端は円錐状に形成される。又、下金型１２に
はキャビティ１３内に樹脂を注入するためのゲート口１
５が設けられるとともに、このゲート口の両側には注入
される樹脂の流れを規制して注入圧力を増大させるため
の整流ブロック１６が設けられる。
【０００８】したがって、この成形用金型により樹脂モ
ールドを行うと、ゲート口１５からキャビティ内に注入
されるエポキシ樹脂は、整流ブロック１６により流れが
整流されることで注入圧力が増大されながらキャビティ
１３内の金属性放熱板１の裏面側に注入される。これに
より、金属製放熱板１にはエポキシ樹脂によって上方に
押し上げる力が発生し、その表面が上金型１１に設けら
れた突起１４に押し付けられる。これにより、金属性放
熱板１は裏面側からの注入圧力と突起１４との間に挟ま
れた状態でその姿勢が保持され、その状態でエポキシ樹
脂によりモールド成形されることになる。したがって、
下金型１２に突起を設けなくとも金属性放熱板１をキャ
ビティ１３内に安定に支持させた状態で成形を行うこと
ができる。又、成形された半導体装置では、表面側に比
較して樹脂厚が小さく形成される裏面側の樹脂に突起に
よる穴が生じることがなく、沿面距離が小さくなること
が回避でき、半導体装置の絶縁耐圧の低下が防止され
る。
ールドを行うと、ゲート口１５からキャビティ内に注入
されるエポキシ樹脂は、整流ブロック１６により流れが
整流されることで注入圧力が増大されながらキャビティ
１３内の金属性放熱板１の裏面側に注入される。これに
より、金属製放熱板１にはエポキシ樹脂によって上方に
押し上げる力が発生し、その表面が上金型１１に設けら
れた突起１４に押し付けられる。これにより、金属性放
熱板１は裏面側からの注入圧力と突起１４との間に挟ま
れた状態でその姿勢が保持され、その状態でエポキシ樹
脂によりモールド成形されることになる。したがって、
下金型１２に突起を設けなくとも金属性放熱板１をキャ
ビティ１３内に安定に支持させた状態で成形を行うこと
ができる。又、成形された半導体装置では、表面側に比
較して樹脂厚が小さく形成される裏面側の樹脂に突起に
よる穴が生じることがなく、沿面距離が小さくなること
が回避でき、半導体装置の絶縁耐圧の低下が防止され
る。
【０００９】図３（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施
例の成形用金型の上金型と下金型の斜視図である。この
実施例では、下金型１２に設ける整流ブロック１６Ａが
三角柱状となっており、ゲート口１５から注入されるエ
ポキシ樹脂を滑らかに金属性放熱板１の下側に導入さ
せ、金属性放熱板１の裏面側に加えられる注入圧力を効
果的に発生させることが可能となる。
例の成形用金型の上金型と下金型の斜視図である。この
実施例では、下金型１２に設ける整流ブロック１６Ａが
三角柱状となっており、ゲート口１５から注入されるエ
ポキシ樹脂を滑らかに金属性放熱板１の下側に導入さ
せ、金属性放熱板１の裏面側に加えられる注入圧力を効
果的に発生させることが可能となる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、金属性放
熱板の表面側の金型に突起を形成し、反対側の金型にゲ
ート口と整流ブロックとを設け、整流ブロックにより樹
脂の流れを整流して注入圧力を生じることで、この圧力
と突起とで金属性放熱板をキャビティ内に安定に支持さ
せ、かつ金属性放熱板の裏面側の樹脂に穴が生じること
が防止できるので、金属性放熱板を精度良く樹脂内にモ
ールド成形できるとともに、沿面距離が小さくなること
を防止して半導体装置の絶縁耐圧を向上することができ
る効果がある。
熱板の表面側の金型に突起を形成し、反対側の金型にゲ
ート口と整流ブロックとを設け、整流ブロックにより樹
脂の流れを整流して注入圧力を生じることで、この圧力
と突起とで金属性放熱板をキャビティ内に安定に支持さ
せ、かつ金属性放熱板の裏面側の樹脂に穴が生じること
が防止できるので、金属性放熱板を精度良く樹脂内にモ
ールド成形できるとともに、沿面距離が小さくなること
を防止して半導体装置の絶縁耐圧を向上することができ
る効果がある。
【図１】本発明の第１実施例を示し、（ａ）は成形前の
状態を示す断面図、（ｂ）は成形時の状態を示す断面図
である。
状態を示す断面図、（ｂ）は成形時の状態を示す断面図
である。
【図２】本発明の第１実施例の成形用金型を示し、
（ａ）は上金型の斜視図、（ｂ）は下金型の斜視図であ
る。
（ａ）は上金型の斜視図、（ｂ）は下金型の斜視図であ
る。
【図３】本発明の第２実施例の成形用金型を示し、
（ａ）は上金型の斜視図、（ｂ）は下金型の斜視図であ
る。
（ａ）は上金型の斜視図、（ｂ）は下金型の斜視図であ
る。
【図４】従来の成形用金型を示し、（ａ）は成形前の状
態を示す断面図、（ｂ）は成形時の状態を示す断面図で
ある。
態を示す断面図、（ｂ）は成形時の状態を示す断面図で
ある。
１ 金属性放熱板 ２ 半導体チップ １１ 上金型 １２ 下金型 １３ キャビティ １４ 突起 １５ ゲート口 １６，１６Ａ 整流ブロック
Claims (2)
- 【請求項１】 表面上に半導体チップを搭載した金属性
放熱板を、上金型と下金型の間に画成されるキャビティ
内に配設して樹脂のモールド成形を行うようにした半導
体装置の成形用金型において、前記金属性放熱板の表面
側に位置される金型には、前記金属性放熱板の表面に当
接される突起を形成し、反対側に位置される金型にはキ
ャビティ内に樹脂を注入させるためのゲート口と、注入
される樹脂の流れを整流して金属性放熱板に対する注入
圧力を発生させる整流ブロックとを設けたことを特徴と
する半導体装置の成形用金型。 - 【請求項２】 整流ブロックはゲート口の両側に配置し
てなる請求項１の半導体装置の成形用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3073775A JP2596247B2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 半導体装置の成形用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3073775A JP2596247B2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 半導体装置の成形用金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286135A JPH04286135A (ja) | 1992-10-12 |
| JP2596247B2 true JP2596247B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=13527921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3073775A Expired - Fee Related JP2596247B2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 半導体装置の成形用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2596247B2 (ja) |
-
1991
- 1991-03-14 JP JP3073775A patent/JP2596247B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04286135A (ja) | 1992-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0059926B1 (en) | A method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor | |
| US4868349A (en) | Plastic molded pin-grid-array power package | |
| US7781262B2 (en) | Method for producing semiconductor device and semiconductor device | |
| US7495323B2 (en) | Semiconductor package structure having multiple heat dissipation paths and method of manufacture | |
| US6566164B1 (en) | Exposed copper strap in a semiconductor package | |
| JP4899481B2 (ja) | 外部に露出する放熱体を上部に有する樹脂封止型半導体装置の製法 | |
| JP2007165425A (ja) | 半導体装置 | |
| US4503452A (en) | Plastic encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| EP0069390B1 (en) | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device | |
| JP2596247B2 (ja) | 半導体装置の成形用金型 | |
| JPH0548955B2 (ja) | ||
| JP2525555Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム組立体 | |
| JP2665172B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2007258435A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004095965A (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| JP2552887Y2 (ja) | 絶縁物被覆電子部品 | |
| JP2601033B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2626619B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000068430A (ja) | ヒートシンクを備えた樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6350863B2 (ja) | ||
| JPS6288347A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS61194861A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0555410A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH065687B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS647496B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080109 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100109 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |