JP2552887Y2 - 絶縁物被覆電子部品 - Google Patents
絶縁物被覆電子部品Info
- Publication number
- JP2552887Y2 JP2552887Y2 JP1991028768U JP2876891U JP2552887Y2 JP 2552887 Y2 JP2552887 Y2 JP 2552887Y2 JP 1991028768 U JP1991028768 U JP 1991028768U JP 2876891 U JP2876891 U JP 2876891U JP 2552887 Y2 JP2552887 Y2 JP 2552887Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support plate
- grooves
- main surface
- groove
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は支持板と電子素子とこれ
等を被覆する絶縁被覆体とを備えたトランジスタ、ＩＣ
等の絶縁物被覆電子部品に関する。
等を被覆する絶縁被覆体とを備えたトランジスタ、ＩＣ
等の絶縁物被覆電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術及び考案が解決しようとする課題】半導体
素子の放熱板を兼ねる支持板の裏面側にも樹脂封止体が
形成された半導体装置は公知である。この種の半導体装
置では放熱性向上のために裏面側の樹脂層を極力薄く形
成する。この結果、樹脂層が支持板から剥離し易い。こ
れを解決するために支持板の裏面に溝を形成することが
実開昭５７−１７５４４８号公報に開示されている。し
かしながら、単に溝を形成しても十分な剥離防止効果は
得られなかった。
素子の放熱板を兼ねる支持板の裏面側にも樹脂封止体が
形成された半導体装置は公知である。この種の半導体装
置では放熱性向上のために裏面側の樹脂層を極力薄く形
成する。この結果、樹脂層が支持板から剥離し易い。こ
れを解決するために支持板の裏面に溝を形成することが
実開昭５７−１７５４４８号公報に開示されている。し
かしながら、単に溝を形成しても十分な剥離防止効果は
得られなかった。
【０００３】そこで本考案は絶縁被覆体と支持板との密
着性を向上させた絶縁物被覆電子部品を提供することに
ある。
着性を向上させた絶縁物被覆電子部品を提供することに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本考案は、支持板と、この支持板の一方の主面に固着
された電子素子と、この電子素子を含むように前記支持
板を被覆する絶縁被覆体とを備えた絶縁物被覆電子部品
において、前記支持板の他方の主面の中央を基準にして
一方の側及び他方の側に複数の溝がそれぞれ形成され、
前記一方の側の複数の溝は前記支持板の他方の主面に対
して第１の方向に傾斜している壁面を有する傾斜溝であ
り、前記他方の側の複数の溝は前記支持板の他方の主面
に対して前記第１の方向と反対の第２の方向に傾斜して
いる壁面を有する傾斜溝であり、前記一方の側の複数の
溝は前記他方の側の複数の溝に対して前記支持板の前記
他方の主面の中央を基準にして実質的に対称に配置さ
れ、前記一方及び他方の側の複数の溝は前記絶縁被覆体
によって被覆されていることを特徴とする絶縁物被覆電
子部品に係わるものである。なお、請求項２に示すよう
に支持板の他方の主面の電子素子に対向する中央領域に
は溝を形成しない方が望ましい。
の本考案は、支持板と、この支持板の一方の主面に固着
された電子素子と、この電子素子を含むように前記支持
板を被覆する絶縁被覆体とを備えた絶縁物被覆電子部品
において、前記支持板の他方の主面の中央を基準にして
一方の側及び他方の側に複数の溝がそれぞれ形成され、
前記一方の側の複数の溝は前記支持板の他方の主面に対
して第１の方向に傾斜している壁面を有する傾斜溝であ
り、前記他方の側の複数の溝は前記支持板の他方の主面
に対して前記第１の方向と反対の第２の方向に傾斜して
いる壁面を有する傾斜溝であり、前記一方の側の複数の
溝は前記他方の側の複数の溝に対して前記支持板の前記
他方の主面の中央を基準にして実質的に対称に配置さ
れ、前記一方及び他方の側の複数の溝は前記絶縁被覆体
によって被覆されていることを特徴とする絶縁物被覆電
子部品に係わるものである。なお、請求項２に示すよう
に支持板の他方の主面の電子素子に対向する中央領域に
は溝を形成しない方が望ましい。
【０００５】
【考案の作用及び効果】各請求項の考案は次の作用効果
を有する。 （イ） 支持板の他方の主面の一方及び他方の側に複数
の傾斜溝が形成されているので、支持板と絶縁被覆体と
の強固な噛合状態を容易に得ることができる。 （ロ） 一方の側の傾斜溝の壁面の傾斜方向は他方の側
の傾斜溝の壁面の傾斜方向と逆になっており、更に、一
方の側の傾斜溝と他方の側の傾斜溝は支持板の主面の中
央を基準にして対称に配置されているので、支持板の機
械的及び熱的バ ランスが良いばかりでなく、絶縁被覆体
による被覆バランスも良くなる。 また、請求項２の考案
によれば、支持板の電子素子が配置されている部分には
溝が形成されていないので、この部分の厚さを厚く保っ
て放熱特性の低下を抑えることができる。
を有する。 （イ） 支持板の他方の主面の一方及び他方の側に複数
の傾斜溝が形成されているので、支持板と絶縁被覆体と
の強固な噛合状態を容易に得ることができる。 （ロ） 一方の側の傾斜溝の壁面の傾斜方向は他方の側
の傾斜溝の壁面の傾斜方向と逆になっており、更に、一
方の側の傾斜溝と他方の側の傾斜溝は支持板の主面の中
央を基準にして対称に配置されているので、支持板の機
械的及び熱的バ ランスが良いばかりでなく、絶縁被覆体
による被覆バランスも良くなる。 また、請求項２の考案
によれば、支持板の電子素子が配置されている部分には
溝が形成されていないので、この部分の厚さを厚く保っ
て放熱特性の低下を抑えることができる。
【０００６】
【実施例】図１〜図５に示す本実施例の樹脂封止形半導
体装置は、比較的に厚い金属板から成る支持板１と、支
持板１の一方の端部側に支持板１よりも薄く形成された
外部リード２と、支持板１の一方の主面に半田３を介し
て固着された電子素子としての半導体チップ４と、半導
体チップ４と外部リード２とを電気的に接続するリード
細線５と、半導体チップ４を被覆する保護樹脂６と、半
導体チップ４を含むように支持板１を被覆する絶縁被覆
体としての樹脂封止体７とを備えている。
体装置は、比較的に厚い金属板から成る支持板１と、支
持板１の一方の端部側に支持板１よりも薄く形成された
外部リード２と、支持板１の一方の主面に半田３を介し
て固着された電子素子としての半導体チップ４と、半導
体チップ４と外部リード２とを電気的に接続するリード
細線５と、半導体チップ４を被覆する保護樹脂６と、半
導体チップ４を含むように支持板１を被覆する絶縁被覆
体としての樹脂封止体７とを備えている。
【０００７】本実施例の樹脂封止形半導体装置の特徴
は、支持板１の他方の主面（裏面）に特定の断面形状を
有する第１及び第２の溝８、９が複数本形成されている
ことにある。第１及び第２の溝８、９は半導体チップ４
に対向する中央領域１ａの両側において支持板１の一方
の端部側から他方の端部側に向ってのびるように形成さ
れている。第１の溝８は半導体チップ４に対向する領域
側から奇数番目に配設されており、対向する２つの壁面
が同一方向に傾斜している。従って、第１の溝８の外側
壁面と支持板１の主面との間の角度は９０度よりも小さ
い鋭角になっている。半導体チップ４に対向する領域１
ａ側から偶数番目に配設された第２の溝９の一方の壁面
は第１の溝８の壁面と同一方向に傾斜しているが、他方
の壁面は支持板１の他方の主面に対してほぼ垂直になっ
ている。図１から明らかなように中央領域１ａの左側に
おける溝８、９の壁面の傾斜方向は中央領域１ａの右側
における溝８、９の壁面の傾斜方向と逆である。
は、支持板１の他方の主面（裏面）に特定の断面形状を
有する第１及び第２の溝８、９が複数本形成されている
ことにある。第１及び第２の溝８、９は半導体チップ４
に対向する中央領域１ａの両側において支持板１の一方
の端部側から他方の端部側に向ってのびるように形成さ
れている。第１の溝８は半導体チップ４に対向する領域
側から奇数番目に配設されており、対向する２つの壁面
が同一方向に傾斜している。従って、第１の溝８の外側
壁面と支持板１の主面との間の角度は９０度よりも小さ
い鋭角になっている。半導体チップ４に対向する領域１
ａ側から偶数番目に配設された第２の溝９の一方の壁面
は第１の溝８の壁面と同一方向に傾斜しているが、他方
の壁面は支持板１の他方の主面に対してほぼ垂直になっ
ている。図１から明らかなように中央領域１ａの左側に
おける溝８、９の壁面の傾斜方向は中央領域１ａの右側
における溝８、９の壁面の傾斜方向と逆である。
【０００８】第１の溝８と第２の溝９は、図４に示すよ
うに形成される。即ち、まず傾斜面を備えた板状の金型
１０を支持板１の裏面の第１の溝８の形成予定領域に打
込むことによって、図示のように一方の壁面のみが傾斜
した溝１１を形成する。続いて、上記の金型１０を溝１
１の近傍において溝１１の垂直な壁面側に金型１０の傾
斜面が対面するように打込む。これによって、第２の溝
９が形成されると共に、溝１１の垂直な壁面が金型１０
の傾斜面に押圧されてすでに傾斜した壁面側に向って傾
斜させられ第１の溝８が得られる。
うに形成される。即ち、まず傾斜面を備えた板状の金型
１０を支持板１の裏面の第１の溝８の形成予定領域に打
込むことによって、図示のように一方の壁面のみが傾斜
した溝１１を形成する。続いて、上記の金型１０を溝１
１の近傍において溝１１の垂直な壁面側に金型１０の傾
斜面が対面するように打込む。これによって、第２の溝
９が形成されると共に、溝１１の垂直な壁面が金型１０
の傾斜面に押圧されてすでに傾斜した壁面側に向って傾
斜させられ第１の溝８が得られる。
【０００９】樹脂封止体７は周知のトランスファーモー
ルド法によって形成される。即ち、形成すべき樹脂封止
体７に対応する成形空所を備えた成形用型を用意し、支
持板１と外部リード２と半導体チップ４とリード細線５
と保護樹脂６とから成る組立体をこの成形用型に配置す
る。このとき、支持板１をその他方の端部を成形空所に
形成されたゲートに対向させて樹脂成形することで、封
止用樹脂の流れが溝８、９の方向と一致し、溝８、９内
に封止用樹脂を良好に注入することができる。
ルド法によって形成される。即ち、形成すべき樹脂封止
体７に対応する成形空所を備えた成形用型を用意し、支
持板１と外部リード２と半導体チップ４とリード細線５
と保護樹脂６とから成る組立体をこの成形用型に配置す
る。このとき、支持板１をその他方の端部を成形空所に
形成されたゲートに対向させて樹脂成形することで、封
止用樹脂の流れが溝８、９の方向と一致し、溝８、９内
に封止用樹脂を良好に注入することができる。
【００１０】本施例の樹脂封止形半導体装置は次の効果
を有する。 （イ） 第１の溝８の一方の壁面があり溝の壁面と同様
に傾斜し、鋭角となっているので、樹脂封止体７と支持
板１とが強固に噛合する。従って、支持板１の他方の主
面側に形成された極薄の樹脂層が支持板１から剥離する
ことがない。 （ロ） 半導体ップ４の対向する領域１ａには溝８、９
が形成されていない。このため、放熱性及び放熱応答性
が良好に得られる。 （ハ） 第１及び第２の溝８、９はモールド樹脂の注入
方向（流れ方向）にそって延びているので、これ等に樹
脂が良好に入り込む。 （ニ）支持板１の裏面の中央の左側に形成された第１及
び第２の溝８、９と、中央の右側に形成された第１及び
第２の溝８、９は互いに反対方向に傾斜しているので、
左右の対称性の良い半導体装置を提供することができ
る。
を有する。 （イ） 第１の溝８の一方の壁面があり溝の壁面と同様
に傾斜し、鋭角となっているので、樹脂封止体７と支持
板１とが強固に噛合する。従って、支持板１の他方の主
面側に形成された極薄の樹脂層が支持板１から剥離する
ことがない。 （ロ） 半導体ップ４の対向する領域１ａには溝８、９
が形成されていない。このため、放熱性及び放熱応答性
が良好に得られる。 （ハ） 第１及び第２の溝８、９はモールド樹脂の注入
方向（流れ方向）にそって延びているので、これ等に樹
脂が良好に入り込む。 （ニ）支持板１の裏面の中央の左側に形成された第１及
び第２の溝８、９と、中央の右側に形成された第１及び
第２の溝８、９は互いに反対方向に傾斜しているので、
左右の対称性の良い半導体装置を提供することができ
る。
【００１１】
【変形例】本願考案は上述の実施例に限定されるもので
はなく、変形が可能なものであって、例えば支持板１の
上面にも溝を形成することができる。
はなく、変形が可能なものであって、例えば支持板１の
上面にも溝を形成することができる。
【図１】本考案の実施例に係わる樹脂封止形半導体装置
を図２のＡ−Ａ線に対応する部分で示す拡大断面図であ
る。
を図２のＡ−Ａ線に対応する部分で示す拡大断面図であ
る。
【図２】樹脂封止前の支持板、半導体チップ、保護樹
脂、及びワイヤを示す平面図である。
脂、及びワイヤを示す平面図である。
【図３】図２の支持板の底面図である。
【図４】支持板に第１及び第２の溝を形成する方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図５】樹脂封止形半導体装置の図２のＢ−Ｂ線に対応
する部分を示す拡大断面図である。
する部分を示す拡大断面図である。
１ 支持板 ４ 半導体チップ ８ 第１の溝 ９ 第２の溝
Claims (2)
- 【請求項１】 支持板と、この支持板の一方の主面に固
着された電子素子と、この電子素子を含むように前記支
持板を被覆する絶縁被覆体とを備えた絶縁物被覆電子部
品において、前記支持板の他方の主面の中央を基準にして一方の側及
び他方の側に複数の溝がそれぞれ形成され、 前記一方の側の複数の溝は前記支持板の他方の主面に対
して第１の方向に傾斜している壁面を有する傾斜溝であ
り、前記他方の側の複数の溝は前記支持板の他方の主面
に対して前記第１の方向と反対の第２の方向に傾斜して
いる壁面を有する傾斜溝であり、 前記一方の側の複数の溝は前記他方の側の複数の溝に対
して前記支持板の前記他方の主面の中央を基準にして実
質的に対称に配置され、 前記一方及び他方の側の複数の溝は前記絶縁被覆体によ
って被覆されているこ とを特徴とする絶縁物被覆電子部
品。 - 【請求項２】 前記支持板の他方の主面における前記一
方の主面の前記電子素子に対向している中央領域には前
記一方及び他方の側の複数の溝が形成されていないこと
を特徴とする請求項１記載の絶縁物被覆電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991028768U JP2552887Y2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 絶縁物被覆電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991028768U JP2552887Y2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 絶縁物被覆電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04117454U JPH04117454U (ja) | 1992-10-21 |
| JP2552887Y2 true JP2552887Y2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=31912800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991028768U Expired - Lifetime JP2552887Y2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 絶縁物被覆電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2552887Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5833459B2 (ja) * | 2012-01-31 | 2015-12-16 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法と半導体装置及びその製造方法 |
| JP6301602B2 (ja) * | 2013-07-22 | 2018-03-28 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378558A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
| JP2525555Y2 (ja) * | 1990-11-19 | 1997-02-12 | サンケン電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム組立体 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP1991028768U patent/JP2552887Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04117454U (ja) | 1992-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100428271B1 (ko) | 집적회로패키지와그제조방법 | |
| JPH06140563A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0815165B2 (ja) | 樹脂絶縁型半導体装置の製造方法 | |
| JP2552887Y2 (ja) | 絶縁物被覆電子部品 | |
| JPH07130915A (ja) | 半導体装置用放熱板及びその製造方法 | |
| JPH04363031A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2525555Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム組立体 | |
| JPH0548955B2 (ja) | ||
| JP2577639Y2 (ja) | 回路基板を有する半導体装置 | |
| JP2836219B2 (ja) | 樹脂封止型半導体パッケージ | |
| JPS6331147A (ja) | 半導体装置のリ−ドフレ−ム | |
| JPH06507276A (ja) | リードフレームに接合された介在ダイ取付基板を有する集積回路パッケージ設計 | |
| JPS63120431A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JP2568752B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0992757A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2943769B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JP3185354B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置 | |
| JP2508567B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02144946A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0254567A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62185340A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01273339A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS647496B2 (ja) | ||
| US4918512A (en) | Semiconductor package having an outwardly arced die cavity | |
| JPH0246054Y2 (ja) |