JPH0992757A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0992757A
JPH0992757A JP7242749A JP24274995A JPH0992757A JP H0992757 A JPH0992757 A JP H0992757A JP 7242749 A JP7242749 A JP 7242749A JP 24274995 A JP24274995 A JP 24274995A JP H0992757 A JPH0992757 A JP H0992757A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die pad
semiconductor device
semiconductor chip
resin
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7242749A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiharu Takahashi
義治 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP7242749A priority Critical patent/JPH0992757A/ja
Publication of JPH0992757A publication Critical patent/JPH0992757A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂注入時においてダイパッドを安定させた
状態で保持でき、放熱性を高めることができるとともに
薄型化も図れ、しかも、パッケージとの密着性も向上さ
せることができる半導体装置を得る。 【解決手段】 半導体チップ２７の搭載されたダイパッ
ド２３が樹脂封止される半導体装置２１において、半導
体チップ２７が搭載され樹脂パッケージ３３の下面に半
導体チップ２７の搭載面と反対側の面が露出される矩形
状のダイパッド２３と、このダイパッド２３の長辺側の
縁部を半導体チップ２７の搭載面側へ折り曲げた折曲部
３５とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型の半導
体装置に関し、更に詳しくは、半導体チップを固定する
ダイパッド部分の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用リードフレーム（リードフ
レーム）の中央には、半導体チップをボンディングする
平坦な板状のダイパッドが形成される。図６は従来の薄
型半導体装置の断面図、図７は図６のダイパッド部分の
拡大斜視図である。半導体チップ１は、銀ペースト３を
介してダイパッド５上に固定される。このダイパッド５
は、吊り部６により、図示しない外枠（ステイ）に保持
される。半導体チップ１の複数の電極部には電極パッド
が設けられ、これらの電極パッドは金線ワイヤー７によ
りインナーリード９と接続される。ダイパッド５に固定
された半導体チップ１は、樹脂パッケージ１１により封
止される。樹脂パッケージ１１からはインナーリード９
に延設された外部リード１３が外部へ導出される。
【０００３】このように構成される薄型半導体装置１５
は、半導体チップ１が搭載されたダイパッド５を、吊り
部６を介してリードフレームに保持させた状態で成形金
型内にセッティングし、その後、金型内に樹脂を注入す
ることで樹脂パッケージ１１を成形する。この際、半導
体チップ１を搭載したダイパッド５は、金型内の中央に
位置させる。これは、パッケージ１１の上面から金線ワ
イヤー７までの距離と、パッケージ１１の下面からダイ
パッド５の下面までの距離とを略同等に管理するためで
あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置１５では、半導体チップ１の搭載さ
れたダイパッド５を吊り部６のみで保持した不安定な状
態で樹脂封止を行っていたので、樹脂注入時、注入圧力
によって半導体チップ１及びダイパッド５がモールド金
型内で上下左右に移動し、金線ワイヤー７の露出或いは
ショート等の不具合の生じる場合があった。また、従来
の半導体装置１５では、半導体チップ１及びダイパッド
５がパッケージ１１内に完全に埋入状態となるため、パ
ッケージ１１が熱抵抗となり、放熱性は良好なものとは
言えなかった。そして、パッケージ１１の下面からダイ
パッド５の下面までの間にモールド樹脂が介在すること
となるため、その分、パッケージ１１の厚みが厚くなる
不都合もあった。更に、従来のダイパッド５は、平坦な
板状で形成されるのが一般的であったため、パッケージ
１１との密着性を十分に高めることが困難であり、パッ
ケージクラックの生じる場合があった。本発明は上記状
況に鑑みてなされたもので、樹脂注入時においてダイパ
ッドを安定させた状態で保持でき、放熱性を高めること
ができるとともに薄型化も図れ、しかも、パッケージと
の密着性も向上させることができる半導体装置を得るこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る半導体装置の構成は、半導体チップの搭
載されたダイパッドが樹脂封止される半導体装置におい
て、前記半導体チップが搭載され樹脂パッケージの下面
に前記半導体チップの搭載面と反対側の面が露出される
矩形状のダイパッドと、該ダイパッドの長辺側の縁部を
前記半導体チップの搭載面側へ折り曲げた折曲部とを具
備することを特徴とするものである。そして、このよう
に構成された半導体装置では、樹脂モールド成形時、ダ
イパッドの下面が金型の底面に密着した状態でセッティ
ングされ、ダイパッドが安定して保持されることとな
り、樹脂の注入圧力でダイパッドが移動しにくくなる。
また、ダイパッドの下面が樹脂パッケージの下面に露出
状態となり、半導体チップからの発熱が外部へ容易に放
熱されることとなる。そして、ダイパッドの下面に樹脂
が介在しなくなり、その分、樹脂パッケージの厚みが薄
くなる。更に、ダイパッドに折曲部が設けられ、樹脂パ
ッケージとダイパッドとの密着面積が増大し、且つ折曲
面を有するダイパッドが埋入されることとなり、樹脂パ
ッケージとダイパッドとの密着力が高まることとなる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置の
好適な実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図
１は本発明による半導体装置の断面図である。本発明に
よる半導体装置２１は、ダイパッド２３上に銀ペースト
２５を介して半導体チップ２７を固定し、この半導体チ
ップ２７の電極とインナーリード２９とを金線ワイヤー
３１で接続し、樹脂パッケージ３３にて樹脂封止を行
い、外部リード３４を樹脂パッケージ３３から導出する
構造は、従来と同様のものとなっている。
【０００７】一方、半導体チップ２７を搭載したダイパ
ッド２３は、下面が樹脂パッケージ３３の下面で露出状
態となる。ダイパッド２３は、樹脂モールド成形時、図
示しない吊り部を介して金型内で保持され、且つ下面が
金型の底面に密着した状態でセッティングされる。従っ
て、このようにダイパッド２３のセッティングされた金
型に樹脂が注入されることにより、成形後の樹脂パッケ
ージ３３の下面にはダイパッド２３の下面が露出状態と
なる。
【０００８】また、長方形に形成されたダイパッド２３
の長辺側には、半導体チップ２７の搭載面側（図中、上
方側）へこの搭載面と鈍角をなして折り曲げられた折曲
部３５が形成されている。この折曲部３５は、例えば、
リードフレーム３７全体の打ち抜き後に形成される。即
ち、リードフレーム３７は、０．１〜０．２ｍｍ程度の
板厚の鉄板等にプレス加工を施すことで、中央に長方形
のダイパッド２３、その周囲にインナーリード２９が配
設された形状に打ち抜かれる。ダイパッド２３は、図示
しない吊り部を介して外枠（ステイ）に保持される。こ
の状態で、成形型等によってダイパッド２３の長辺側の
両端が上方へ折り曲げられることで、上述の折曲部３５
が形成される。
【０００９】このように構成される半導体装置２１で
は、ダイパッド２３の樹脂モールド成形時、ダイパッド
２３の下面が金型の底面に密着した状態でセッティング
され、ダイパッド２３が安定して保持されることとな
り、樹脂の注入圧力でダイパッド２３が移動しにくくな
る。
【００１０】また、樹脂パッケージ３３の成形後におい
ては、ダイパッド２３の下面が樹脂パッケージ３３の下
面に露出状態となることにより、半導体チップ２７から
の発熱がダイパッド２３の下面から容易に外部へ放熱さ
れることとなる。
【００１１】そして、ダイパッド２３の下面が樹脂パッ
ケージ３３の下面に露出状態となることで、ダイパッド
２３の下面と樹脂パッケージ３３の下面との間に樹脂が
介在しなくなり、その分、樹脂パッケージ３３の厚みが
薄くなる。
【００１２】更に、ダイパッド２３の長辺両端を折り曲
げた折曲部３５が設けられることにより、樹脂パッケー
ジ３３内に埋入されるダイパッド２３とパッケージ３３
との密着面積が増大するとともに、樹脂パッケージ３３
内に折曲面を有するダイパッド２３が埋入されることと
なり、樹脂パッケージ３３とダイパッド２３とが多面方
向で密着することとなる。
【００１３】上述の半導体装置２１によれば、樹脂成形
時、ダイパッド２３の下面が金型の底面に密着した状態
でセッティングされるので、樹脂の注入圧力でダイパッ
ド２３が移動しにくくなり、安定した状態で樹脂の注入
を行うことができる。また、半導体チップ２７からの発
熱をダイパッド２３の下面から外部へ放熱できるので、
放熱性を改善することができ、信頼性を向上させること
ができる。そして、ダイパッド２３の下面と樹脂パッケ
ージ３３の下面との間の樹脂が削除されるので、樹脂パ
ッケージ３３の薄厚化を図ることができる。更に、ダイ
パッド２３に折曲部３５を設けたので、ダイパッド２３
と樹脂パッケージ３３との密着面積が増大し、ダイパッ
ド２３と樹脂パッケージ３３とが多面方向で密着するこ
とから、密着性が向上し、パッケージクラックを防止す
ることができ、これによっても、半導体装置の信頼性を
向上させることができる。
【００１４】次に、本発明による半導体装置の第二の実
施の形態を図２、図３に基づき説明する。図２は第二の
実施の形態による半導体装置の断面図、図３は図２のダ
イパッド部の斜視図である。この半導体装置４１では、
半導体チップ２７の搭載面側へこの搭載面と鈍角をなし
て折り曲げられた折曲部が、スリット４３が切り込まれ
ることにより折り曲げ角度の異なる三つの折曲部３５
ａ、３５ｂ、３５ｃで形成されている。この例では、折
曲部３５ａ、３５ｃの折り曲げ角度が同一で、折曲部３
５ｂが折曲部３５ａ、３５ｃより起立した状態で折り曲
げられている。また、半導体チップ２７を搭載したダイ
パッド２３は、上述同様、下面が樹脂パッケージ３３の
下面で露出状態となる。他の部分、銀ペースト２５、イ
ンナーリード２９、金線ワイヤー３１、樹脂パッケージ
３３、外部リード３４、吊り部３６は、上述の半導体装
置２１と同様に構成されている。
【００１５】この半導体装置４１によれば、上述同様の
効果、即ち、樹脂成形時におけるダイパッド２３の安定
保持、放熱性の改善、樹脂パッケージ３３の薄厚化、密
着性の向上が図れることに加え、折り曲げ角度の異なる
三つの折曲部３５ａ、３５ｂ、３５ｃを形成したので、
ダイパッド２３と樹脂パッケージ３３とが更に多面方向
で密着することとなり、ダイパッド２３と樹脂パッケー
ジ３３との密着性をより強固なものとすることができ
る。
【００１６】次に、本発明による半導体装置の第三の実
施の形態を図４に基づき説明する。図４は第三の実施の
形態による半導体装置の断面図である。この半導体装置
５１では、半導体チップ２７の搭載面側へダイパッド２
３の折曲部３５が垂直に起立した状態で折り曲げられて
いる。また、半導体チップ２７を搭載したダイパッド２
３は、上述同様、下面が樹脂パッケージ３３の下面で露
出状態となる。他の部分、銀ペースト２５、インナーリ
ード２９、金線ワイヤー３１、樹脂パッケージ３３、外
部リード３４、吊り部は、上述の半導体装置２１と同様
に構成されている。
【００１７】この半導体装置５１によれば、上述同様の
効果、即ち、樹脂成形時におけるダイパッド２３の安定
保持、放熱性の改善、樹脂パッケージ３３の薄厚化、密
着性の向上が図れることに加え、折曲部３５を垂直に起
立した状態で折り曲げることができるので、折曲部３５
の形成が容易なものとなる。
【００１８】次に、本発明による半導体装置の第四の実
施の形態を図５に基づき説明する。図５は第四の実施の
形態による半導体装置の断面図である。この半導体装置
６１では、半導体チップ２７の搭載面側へ折り曲げられ
た折曲部６３が、内側面が凹面となる湾曲片（カール
片）で形成されている。また、半導体チップ２７を搭載
したダイパッド２３は、上述同様、下面が樹脂パッケー
ジ３３の下面で露出状態となる。他の部分、銀ペースト
２５、インナーリード２９、金線ワイヤー３１、樹脂パ
ッケージ３３、外部リード３４、吊り部は、上述の半導
体装置２１と同様に構成されている。
【００１９】この半導体装置６１によれば、上述同様の
効果、即ち、樹脂成形時におけるダイパッド２３の安定
保持、放熱性の改善、樹脂パッケージ３３の薄厚化、密
着性の向上が図れることに加え、折曲部６３を湾曲片と
したので、折曲部６３の先端が樹脂パッケージ３３に掛
止した状態となり、樹脂パッケージ３３の下面側からの
ダイパッド２３の抜けに対する保持力を大きなものとす
ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る半導体装置によれば、樹脂成形時、ダイパッドの下面
が金型の底面に密着した状態でセッティングされるの
で、樹脂の注入圧力でダイパッドが移動しにくくなり、
安定した状態で樹脂の注入を行うことができる。また、
半導体チップからの発熱をダイパッドの下面から外部へ
放熱できるので、放熱性を改善することができ、信頼性
を向上させることができる。そして、ダイパッドの下面
の樹脂が削除されるので、樹脂パッケージの薄厚化を図
ることができる。更に、ダイパッドに折曲部を設けたの
で、ダイパッドとパッケージとの密着面積が増大し、ダ
イパッドと樹脂パッケージとが多面方向で密着すること
から、密着性が向上し、パッケージクラックを防止する
ことができ、これによっても、半導体装置の信頼性を向
上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の断面図である。
【図２】第二の実施の形態による半導体装置の断面図で
ある。
【図３】図２のダイパッド部の斜視図である。
【図４】第三の実施の形態による半導体装置の断面図で
ある。
【図５】第四の実施の形態による半導体装置の断面図で
ある。
【図６】従来の薄型半導体装置の断面図である。
【図７】図６のダイパッド部分の拡大斜視図である。
【符号の説明】
２１、４１、５１、６１ 半導体装置 ２３ ダイパッド ２７ 半導体チップ ３３ 樹脂パッケージ ３５、３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、６３ 折曲部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの搭載されたダイパッドが
    樹脂封止される半導体装置において、 前記半導体チップが搭載され樹脂パッケージの下面に前
    記半導体チップの搭載面と反対側の面が露出される矩形
    状のダイパッドと、 該ダイパッドの長辺側の縁部を前記半導体チップの搭載
    面側へ折り曲げた折曲部とを具備することを特徴とする
    半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記折曲部を切り込みを入れることで複
    数に分割し、 且つ該分割された複数の折曲部を異なる角度で折り曲げ
    たことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記折曲部を半導体チップの搭載面に対
    して垂直に起立した状態で折り曲げたことを特徴とする
    請求項１記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記折曲部を湾曲片で形成したことを特
    徴とする請求項１記載の半導体装置。
JP7242749A 1995-09-21 1995-09-21 半導体装置 Pending JPH0992757A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7242749A JPH0992757A (ja) 1995-09-21 1995-09-21 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7242749A JPH0992757A (ja) 1995-09-21 1995-09-21 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0992757A true JPH0992757A (ja) 1997-04-04

Family

ID=17093700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7242749A Pending JPH0992757A (ja) 1995-09-21 1995-09-21 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0992757A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100304922B1 (ko) * 1998-12-29 2001-11-02 마이클 디. 오브라이언 리드프레임및이를이용한반도체패키지
US6608369B2 (en) 2000-06-01 2003-08-19 Seiko Epson Corporation Lead frame, semiconductor device and manufacturing method thereof, circuit board and electronic equipment
JP2008034601A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2015041684A (ja) * 2013-08-21 2015-03-02 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置及びリードフレーム

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100304922B1 (ko) * 1998-12-29 2001-11-02 마이클 디. 오브라이언 리드프레임및이를이용한반도체패키지
US6608369B2 (en) 2000-06-01 2003-08-19 Seiko Epson Corporation Lead frame, semiconductor device and manufacturing method thereof, circuit board and electronic equipment
JP2008034601A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2015041684A (ja) * 2013-08-21 2015-03-02 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置及びリードフレーム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3964590B2 (ja) 光半導体パッケージ
US5521428A (en) Flagless semiconductor device
JP2004179253A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR100428271B1 (ko) 집적회로패키지와그제조방법
JP3054576B2 (ja) 半導体装置
US6645792B2 (en) Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device
KR100364978B1 (ko) 반도체패키지의 와이어 본딩용 클램프 및 히트블록
KR100782225B1 (ko) 함몰부가 형성된 다이패드를 구비한 리드프레임 및반도체 패키지
JPH0992757A (ja) 半導体装置
JP3655338B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
KR20010070247A (ko) 수지봉지형 반도체장치 및 그 제조방법
JP3565114B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3317951B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2943769B2 (ja) 樹脂封止半導体装置
JP2679848B2 (ja) 半導体装置
JPH06188333A (ja) 半導体装置
JP2000036556A (ja) 半導体装置の製造方法とその半導体装置
JP2001015669A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2552887Y2 (ja) 絶縁物被覆電子部品
JP2002203935A (ja) リードフレーム及びこれを用いた半導体装置
JPH08162596A (ja) リードフレーム及び半導体装置
JPH10335544A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH05211250A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH1168016A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH05226393A (ja) 樹脂封止型半導体装置