KR20010070247A - 수지봉지형 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20010070247A
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아즈마고스께
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Abstract

수지봉지의 공정에 있어서, 수지유입중에 금형내의 히트 스프레더가 밀어올려져 내부 리드와 접촉하여 발생하는 쇼트불량을 방지한다.
봉지수지 (10) 내에, 반도체소자 (2), 반도체소자 (2) 가 탑재된 아일랜드 (6), 아일랜드를 지지하는 서스펜드핀 (8), 내부 리드 (3), 반도체소자와 내부 리드를 전기적으로 접속하는 전선 (5), 히트 스프레더 (8a) 를 갖는다. 아일랜드와 일체로 형성된 서스펜드핀에는 경사부 (8a) 가 형성되어 있다. 이 경사부를 봉지수지의 코너부 근방 (바깥둘레부 근방) 에 형성하여, 서스펜드핀의 대부분을 내부 리드의 하측에 위치시켜, 히트 스프레더와 내부 리드가 직접 접촉되는 일이 없는 구조를 얻는다.

Description

수지봉지형 반도체장치 및 그 제조방법{RESIN-MOLDING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME}
본 발명은, 수지봉지형 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 패키지내에 히트 스프레더가 매설되어 있는 수지봉지형 반도체장치와 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체소자는 그 동작시에 발열한다. 그 열에 의한 반도체장치의 특성열화를 방지하기 위해 패키지의 방열을 높이는 연구가 중복되어 왔다.
반도체소자의 동작시에 발생하는 열을 패키지전체에 퍼지도록 하여 효과적으로 열을 공기중에 방산시키기 위해 고열전도성재료로 형성된 금속방열판 (히트 스프레더) 를 리드프레임에 접착하는 수법은 널리 채용되고 있다. 그리고, 이 수법을 사용할 때에, 비용절감과 적용품종의 확대를 도모하기 위해, 히트 스프레더를 직접 수지봉지용 금형의 캐비티부에 낙하시켜 넣어, 반도체소자가 탑재된 리드프레임을 금형에 탑재한 후, 수지봉지를 실시하는 수법도 실시되고 있다. 이 수법에서 사용되는 금속방열판은 드롭인히트 스프레더라 불린다.
도 7(a) 는 종래의 드롭인히트 스프레더의 구조를 나타내는 사시도와 단면도로, 도 7(b) 는 드롭인히트 스프레더를 갖는 수지봉지형 반도체장치의 단면도이다. 드롭인히트 스프레더 (1) 는, 도 7(a) 에 나타낸 바와 같이, 방열판부 (1a) 의 주위에 족부 (leg; 1d) 를 갖고 있다. 또, 방열판부에 슬릿 (1b) 과 돌기부 (1c) 가 형성되어 있다. 그리고, 수지봉지형 반도체장치는, 도 7(b) 에 나타낸 바와 같이, 봉지수지 (10) 내에, 반도체소자 (2) 와, 반도체소자 (2) 가 탑재된 아일랜드 (6) 와, 내부 리드 (3) 와, 반도체소자와 내부 리드를 전기적으로 접속하는 전선 (5) 와, 아일랜드와 돌기부 (1c) 에서 접하는 히트 스프레더 (1) 를 갖고, 봉지수지 (10) 의 외부에 내부 리드 (3) 로부터 신장되는 외부 리드 (4) 를 갖고 있다.
슬릿 (1b) 은, 수지봉지형 반도체장치의 제조공정에서 봉지수지를 흘려넣을 때, 슬릿내를 수지가 유통가능한 것에 의해 히트 스프레더의 위치어긋남을 방지하는 기능을 갖는다. 또, 돌기부 (1c) 와 아일랜드 (6) 를 접촉시킴으로써 방열성을 높이고 있다. 또한, 돌기부를 갖지 않은 히트 스프레더도 있다. 그리고 히트 스프레더의 족부(1d) 의 높이는, 수지봉지용 금형의 캐비티부 (도시생략) 의 깊이보다 조금 작게 형성되어 있다.
도 8(a), (b) 는, 종래의 수지봉지형 반도체장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면으로, 이하 도면을 참조하여 제조방법을 설명한다.
반도체장치의 봉지공정에 있어서, 먼저 도 8(a) 에 나타낸 바와 같이, 히트 스프레더 (1) 를 수지봉지용하금형 (11) 의 캐비티부 (11a) 에 낙하시켜 넣어 캐비티내에 배치한다. 다음에, 반도체소자가 탑재된 리드프레임 (13) 을 수지봉지용 하금형상에 탑재한다. 그리고, 수지봉지용 상금형 (12) 을 도 8(b) 에 기록한 굵은 화살표방향으로 이동시켜, 상하의 수지봉지용 금형을 형체한다. 형체가 완료되면 수지를 플렌져 (도시생략) 로 캐비티내부에 흘려넣어 수지봉지를 실시한다. 봉지수지 경화후에 리드프레임의 절단·성형을 실시하면 도 7(b) 에 기록한 수지봉지형 반도체장치가 완성된다.
도 9 는, 종래의 히트 스프레더가 수지유입중에 수지의 유동으로 이동하여 리드프레임과 쇼트불량을 일으키는 일이 있는 것을 설명하는 도면이다. 종래의 히트 스프레더와 리드프레임을 사용하여, 수지봉지를 실시하는 방법에서는, 수지유입중에 수지의 유동으로 히트 스프레더가 상방으로 밀어올려져, 히트 스프레더와 내부 리드가 접촉하여, 쇼트를 일으키는 일이 있다. 그것은, 히트 스프레더 (1) 의 족부의 높이와, 히트 스프레더 상면으로부터 아일랜드까지의 거리를 비교하면, 히트 스프레더 족부의 높이의 것이 커, 봉지수지 (10) 를 유입한 경우에 수지는 유로가 넓은 히트 스프레더 하부로 많이 유입되기 때문에, 히트 스프레더가 슬릿을 갖고 있음에도 불구하고 상방으로 밀어올려져 버리기 때문이다. 반도체소자 (2) 를 탑재하는 아일랜드 (6) 가 큰 경우, 히트 스프레더에 대한 하방으로의 억지력이 강하기 때문에 쇼트불량을 일으키기 어렵지만, 반도체소자와 아일랜드가 작아진 경우, 억지력이 약해지면서 히트 스프레더의 돌기부가 내부 리드의 바로 아래에 위치하는 구조로 되기 때문에 쇼트불량을 일으키기 쉽다.
또, 수지봉입에 의해 히트 스프레더와 내부 리드가 접촉하지 않는 경우에서도, 수지유입중에 상방으로 밀러올려져 히트 스프레더가 기울어 장착되게 되면 방열효과가 떨어지거나 방열특성에 편차가 발생하는 문제가 일어난다.
본 발명의 과제는, 상술한 종래기술의 문제점을 해결하는 것으로, 그 목적은, 첫째, 히트 스프레더가 수지유입중에 상방으로 밀어올려져 발생하는 쇼트불량을 방지하는 것이고, 둘째, 히트 스프레더의 이동에 따른 방열효과의 열화를 방지하는 것이다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에서 사용되는 히트 스프레더의 사시도.
도 2 는 본 발명의 제 2 실시형태에서 사용되는 리드 프레임의 구조를 설명하기 위한 평면도와 이 리드 프레임을 장착하여 형성한 반도체장치의 단면도.
도 3 은 본 발명의 제 3 실시형태에서 사용되는 리드 프레임의 구조를 설명하기 위한 평면도와 이 리드 프레임을 장착하여 형성한 반도체장치의 단면도.
도 4 는 본 발명의 제 4 실시형태에서 사용되는 히트 스프레더의 사시도.
도 5 는 본 발명의 제 5 실시형태에서 사용되는 히트 스프레더의 사시도.
도 6 은 본 발명의 제 6 실시형태에서 사용되는 히트 스프레더의 사시도 및 단면도.
도 7 은 종래의 히트 스프레더의 사시도와 단면도 및 이 히트 스프레더를 사용하여 형성된 수지 봉지형 반도체장치의 단면도.
도 8 은 종래의 수지 봉지형 반도체장치의 제조방법을 공정순으로 나타낸 사시도.
도 9 는 종래의 수지 봉지형 반도체장치의 문제점을 설명하는 단면도이다.
부호의 설명
1 : 드럽 인 히트 스프레더 1a : 방열판부
1b : 슬릿 1c : 돌기부
2 : 반도체소자 3 : 내부 리드
6 : 아일랜드 7 : 내열성 테이프
8 : 서스펜드핀 8a : 경사부
11 : 수지 봉지용 하금형 11a : 캐비티부
본 발명의 수지봉지형 반도체장치는, 반도체소자와, 이 반도체소자가 탑재된 아일랜드와, 리드의 내부 리드부와, 상기 아일랜드의 하면에 그 방열판부가 위치하도록 상기 아일랜드의 하측에 배치된 히트 스프레더가 수지내에 봉지된 수지봉지형 반도체장치에 있어서, 상기 히트 스프레더의 방열판부의 상면의 주변부에 내열성을 갖는 테이프가 접착되어 있는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 수지봉지형 반도체장치는, 상기와 같이 봉지된 것으로, 상기 아일랜드를 매달고 있는 서스펜드핀의 경사부가 봉지수지의 바깥둘레부 근처에 형성되어, 이로써 아일랜드 및 서스펜드핀이 내부 리드보다 낮게 위치하고 있는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 수지봉지형 반도체장치는, 상기와 같이 봉지된 것으로, 상기 히트 스프레더가 족부의 선단에 열경화성의 접착제를 도포하고 있는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 수지봉지형 반도체장치는, 상기와 같이 봉지된 것으로, 상기 히트 스프레더의 방열판부에는 융기부가 형성되고, 아일랜드 바로아래의 부분이 내부 리드 바로아래의 부분보다 높게 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 수지봉지형 반도체장치의 제조방법은,
(1) 수지봉지용 하금형의 캐비티내에, 히드스프레더를 낙하시켜 넣는 공정,
(2) 반도체소자가 탑재된 리드프레임을 상기 수지봉지용 하금형상에 탑재하는 공정, 및
(3) 상하의 수지봉지용 금형을 합하여 형체하고, 수지봉지를 실시하는 공정을 구비하고, 상기 히트 스프레더가, 방열판부의 상면주변부에 내열성의 테이프를 접착하고 있거나, 또는, 그 족부의 선단에 열경화성의 접착제가 도포되어 있거나, 또는, 그 방열판부상에 열경화성의 접착제가 도포되어 있거나, 또는, 그 방열판부에 아일랜드 바로 아래의 부분이 높아지는 융기부를 갖고 있는 것을 특징으로 한다,
또, 본 발명의 수지봉지형 반도체장치의 제조방법은,
(1') 수지봉지용 하금형의 캐비티내에, 히드스프레더를 낙하시켜 넣는 공정,
(2') 반도체소자가 탑재된 리드프레임을 상기 수지봉지용 하금형상에 탑재하는 공정, 및
(3') 상하의 수지봉지용 금형을 합하여 형체하고, 수지봉지를 실시하는 공정을 구비하고, 상기 리드프레임이, 그 내부 리드 하면에 내열성을 갖는 테이프가 접착되어 있거나, 또는 아일랜드를 매다는 서스펜드핀의 구부림가공부가 봉지수지 바깥둘레부 근처에 형성된 것임을 특징으로 한다.
발명의 실시형태
다음으로, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태의 수지봉지형 반도체장치에서 사용되는 드롭인 히트 스프레더의 사시도이다.
도 1 에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 드롭인히트 스프레더 (1) 는, 방열판부 (1a) 상면의 주변부에 내열성 테이프 (7) 가 접착되어 있다. 그리고, 방열판부에는 슬릿 (1b) 이 형성되고, 방열판부 주위에는 족부 (1d) 가 형성되어 있다.
다음으로, 본 실시형태의 히트 스프레더를 사용한 수지봉지형 반도체장치의 제조방법을 설명한다. 먼저, 히트 스프레더의 방열판부의 상면에 내열성 테이프를 접착한 후, 이 히트 스프레더를 수지봉지용 하금형의 캐비티내에 낙하시켜 넣는다. 다음에, 반도체소자가 탑재된 리드프레임을 수지봉지용 하금형상에 탑재한다. 그리고, 상하의 수지봉지용 금형을 합하여 형체한 후, 수지봉지를 실시한다. 봉지수지가 경화된 후, 리드프레임을 금형에서 떼어내, 소정의 처리를 실시하여, 수지봉지형 반도체장치가 완성된다.
본 실시형태의 히트 스프레더를 사용하면, 수지봉입 중에 캐비티내부에서 히트 스프레더가 수지의 유동에 눌려 상방으로 이동한 경우에도, 히트 스프레더 상면에 내열성 테이프가 접착되어 있으므로 내부 리드와 히트 스프레더가 직접 접촉하지 않고, 전기적인 쇼트에 의한 불량의 발생이 방지된다.
도 2(a), (b) 는, 본 발명의 제 2 실시형태의 수지봉지형 반도체장치에 사용되는 리드프레임을 설명하는 평면도와 이 리드프레임을 형성한 패키지의 단면도이다. 또한, 도 2(a) 는, 패키지에서 봉지수지를 제거하여 나타낸 도면으로 도면중 일점쇄선은 패키지의 윤곽선을 나타낸다.
도 2 에 나타낸 바와 같이, 제 2 실시형태의 수지봉지형 반도체장치는, 봉지수지 (10) 내에, 히트 스프레더 (1), 반도체소자 (2), 반도체소자 (2) 가 탑재된 아일랜드 (6), 아일랜드를 지지하는 서스펜드핀 (8), 반도체소자와 내부 리드를 전기적으로 접속하는 전선 (5), 내부 리드 (3) 를 갖고, 내부 리드 (3) 로부터 신장되는 외부 리드 (4) 는 봉지수지로부터 외부로 도출되어 있다. 그리고, 본 실시형태에서는, 내부 리드 (3) 의 하면에 내열성 테이프 (7) 가 접착되어 있다. 본 실시형태의 리드프레임에서는, 수지봉지용 하금형상에 탑재하는 리드프레임의 리드를 고정하기 위해, 통상은 리드의 상면에 접착되는 열경화성의 테이프를, 내부 리드하면에 접착한 것이다.
제 2 실시형태의 리드프레임을 사용한 수지봉지형 반도체장치의 제조방법은, 상술의 제 1 실시형태의 경우와 동일하다. 본 실시형태에 의하면, 내부 리드하면에 내열성으로 비도전의 테이프가 접착되어 있기 때문에, 수지의 유동에 눌려 히트 스프레더가 상방으로 이동한 때에도, 내부 리드와 히트 스프레더가 직접 접촉하지 않고, 전기적인 쇼트에 의한 불량의 발생을 방지할 수 있다.
도 3(a), (b) 는, 본 발명의 제 3 실시형태의 수지봉지형 반도체장치에 사용되는 리드프레임을 설명하는 평면도와 이 리드프레임을 형성한 패키지의 단면도이다. 또한, 도 3(a) 은 패키지에서 봉지수지를 제거하여 나타낸 도면으로 도면중 일점쇄선은 패키지의 윤곽선을 나타낸다.
도 3 에 나타낸 바와 같이, 제 3 실시형태의 수지봉지형 반도체장치는, 봉지수지 (10) 내에, 히트 스프레더 (1), 반도체소자 (2), 반도체소자 (2) 가 탑재된 아일랜드 (6) 와, 아일랜드를 지지하는 서스펜드핀 (8), 내부 리드 (3), 반도체소자와 내부 리드를 전기적으로 접속하는 전선 (5) 을 갖고, 내부 리드 (3) 로부터 신장되는 외부 리드 (4) 는 봉지수지로부터 외부로 도출되어 있다. 그리고, 아일랜드를 지지하는 서스펜드핀에는 경사부 (8a) 가 형성되어 있다. 종래부터, 반도체소자를 패키지 중앙부에 위치시키기 때문에, 서스펜드핀에 경사부를 형성하는 일이 있으나, 통상의 경사부는, 아일랜드의 근방에 형성되어 있다. 제 3 실시형태의 서스펜드핀에서는, 이 경사부가 봉지수지 (10) 의 코너부 근방 (바깥둘레부 근방) 에 형성되어 있다.
본 실시형태의 서스펜드핀을 갖는 리드프레임을 사용한 수지봉지형 반도체장치의 제조방법은, 앞의 제 1, 제 2 실시형태의 경우와 동일하다. 본 실시형태에 따르면, 캐비티 내부에서 히트 스프레더가 수지 유동에 눌려 상방로 이동하고, 그럼으로써 히트 스프레더가 서스펜드핀과 접촉하는 일은 있어도 내부 리드와 직접 접촉하는 일이 없기 때문에, 쇼트에 의한 불량 발생이 방지된다. 또, 서스펜드핀은 아일랜드와 동 전위이기 때문에 히트 스프레더가 그과 접촉하여도 문제는 일어나지 않는다.
도 4 는 본 발명의 제 4 실시형태의 수지 봉지형 반도체장치에서 사용되는히트 스프레더의 사시도이다.
도 4 에 나타낸 바와 같이 제 4 실시형태의 히트 스프레더 (1) 는 그 족부 (1d) 의 선단에 열경화성 접착제 (9) 가 도포되어 있다. 또, 방열판부 (1a) 에는 슬릿 (1b) 이 형성되어 있다.
본 실시형태의 히트 스프레더를 사용한 수지 봉지형 반도체장치의 제조방법을 이하에 기술한다. 먼저, 히트 스프레더의 족부의 선단에 열경화성 접착제를 도포한 후, 이 히트 스프레더를 수지 봉지용 하금형의 캐비티 내에 떨어뜨린다. 이어서, 히트 스프레더가 움직이지 않을 정도로 열경화성 접착제가 경화된 후, 반도체소자가 탑재된 리드 프레임을 수지 봉지용 하금형 상에 탑재한다. 그리고, 상하 수지 봉지용 금형을 맞춰 조여서 수지를 봉지한다.
본 실시형태에 따르면 캐비티 내부에 수지가 유동하고 있을 때에 금형 캐비티부에 고정되어 있어 히트 스프레더가 수지 유동에 눌려 상방으로 이동되는 일이 없다. 즉, 내부 리드와 히트 스프레더가 접촉하는 일 없이 전기적인 쇼트에 의한 불량 및 히트 스프레더가 기울어져 부착되는 것에 따른 방열효과의 열화를 방지할 수 있다. 본 실시형태에서는 히트 스프레더의 고정에 열경화성 접착제를 사용하고 있어, 봉지된 후에 접착제가 봉지 수지 내에 들어가 금형의 캐비티부에 잔류하는 일은 없다.
도 5 는 본 발명의 제 5 실시형태의 수지 봉지형 반도체장치에서 사용되는 히트 스프레더의 사시도이다.
도 5 에 나타낸 바와 같이 본 실시형태의 히트 스프레더 (1) 는 그 방열판부(1a) 에 설치된 지붕형상 (∧자형상) 의 돌기부 (1c) 상에 열경화성 접착제 (9) 가 도포되어 있다. 그리고, 방열판부에는 슬릿 (1b) 이 형성되어 있고, 방열판부 주위에는 족부 (1d) 가 형성되어 있다. 도 5 는 돌기를 갖는 히트 스프레더이지만, 돌기를 갖지 않는 히트 스프레더의 경우 아일랜드와 접하는 방열판부 상에 열경화성 접착제를 도포하면 된다.
본 실시형태의 히트 스프레더를 사용한 수지 봉지형 반도체장치의 제조방법을 이하에 기술한다. 먼저, 히트 스프레더의 돌기부 상에 열경화성 접착제를 도포한 후, 이 히트 스프레더를 수지 봉지용 하금형의 캐비티 내에 떨어뜨린다. 이어서, 반도체소자가 탑재된 리드 프레임을 수지 봉지용 하금형 상에 탑재한다. 이 때 아일랜드의 하면은 히트 스프레더에 접착된다. 그리고, 열경화성 접착제가 어느 정도 경화시켜 히트 스프레더의 돌기부와 아일랜드가 고정된 후에 상하 수지 봉지용 금형을 맞춰 형체하여 수지를 봉지한다. 본 실시형태에 따르면, 캐비티 내부에 수지가 유동하여도 아일랜드와 히트 스프레더가 고정되어 있어, 내부 리드와 히트 스프레더가 접촉하는 일 없이 전기적인 쇼트에 의한 불량 발생을 방지할 수 있다. 또, 종래의 수지 봉지형 반도체장치와 비교하여 수지 유동에 눌려 발생하는 히트 스프레더의 이동도 작기 때문에 히트 스프레더의 부착 위치가 기울어지는 것에 의한 방열 효과의 열화도 어느 정도 방지할 수 있다.
도 6 은 본 발명의 제 6 실시형태의 수지 봉지형 반도체장치에서 사용되는 히트 스프레더의 사시도와 단면도이다.
도 6 에 나타낸 바와 같이 본 실시형태의 수지 봉지형 반도체장치의 히트 스프레더 (1) 의 방열판부 (1a) 의 중앙부에는 주변부보다 높게 이루어진 융기부 (1e) 가 형성되어 있다. 그리고, 융기부 (1e) 에는 슬릿 (1b) 과 돌기부 (1c) 가 형성되어 있고, 방열판부 주변에는 족부 (1d) 가 형성되어 있다. 본 실시형태의 히트 스프레더는 방열판부 (1a) 에 절곡 가공을 하여 융기부를 형성함으로써, 방열판부 바깥둘레부와 내부 리드간의 거리를 길게 한다.
본 실시형태의 히트 스프레더를 사용한 수지 봉지형 반도체장치의 재조방법은 제 1 실시형태의 경우와 동일하다.
본 실시형태에 따르면, 수지 봉지중에 캐비티 내부에서 히트 스프레더가 수지 유동에 눌려 상방으로 이동한 경우에도 히트 스프레더의 방열판부가 단차 형상을 가짐으로써 내부 리드와 크게 거리를 유지하고 있어, 내부 리드와 히트 스프레더가 직접 접촉하는 것이 억제되어 전기적인 쇼트에 의한 불량 발생이 방지된다.
이상 바람직한 실시형태에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이들 실시형태에 한정된 것이 아니라, 특허청구 범위에 기재된 범위 내에서 적절한 변경이 가능한 것이다. 예컨대, 제 1 실시형태에서는 돌기부가 없는 히트 스프레더에 대해 설명하였으나, 돌기부를 갖는 히트 스프레더에 적용하여도 발명의 효과를 갖는다. 또, 제 4 실시형태의 수지 봉지형 반도체장치의 제조방법은 족부의 선단에 열경화성의 접착제를 도포한 히트 스프레더를 수지 봉지용 하금형에 떨어뜨린 후, 접착제가 어느 정도 경화된 후 반도체소자가 탑재된 리드 프레임을 수지 봉지용 하금형에 탑재하는 방법을 나타냈으나, 반드시 그렇게 할 필요는 없고, 떨어뜨린 직후에 반도체소자가 탑재된 리드 프레임을 수지 봉지용 하금형에 탑재하고 접착제의 경화를기다리고서 봉지 수지를 유입시켜도 된다. 또, 실시형태에서의 히트 스프레더의 방열판부는 개략 원판형상의 것이였으나, 사각형상이어도 된다. 또, 히트 스프레더에 형성된 돌기부와 개구 (슬릿) 의 형상은 반드시 실시형태에 나타낸 형상일 필요는 없고 적절한 형상의 것을 채택할 수 있다. 또, 실시형태에서는 아일랜드를 지지하는 서스펜드핀은 아일랜드의 4 코너에 설치되었으나, 3 코너 또는 2 코너에 설치된 것이어도 되고, 또한 코너부 이외에 설치해도 된다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 수지 봉지형 반도체장치와 그 제조방법은,
(a) 히트 스프레더와 내부 리드간에 절연성 테이프를 개재시킨다,
(b) 히트 스프레더의 족부 또는 상면에 열경화성 접착제를 도포하여 수지 봉지 공정중에 히트 스프레더가 유입 수지에 의해 이동하는 것을 방지한다,
(c) 리드 프레임의 서스펜드핀의 높이가 내부 리드보다 낮아지게 한다,
(d) 히트 스프레더의 방열판부에 융기부를 형성하여 방열판부와 내부 리드의 거리를 크게 하는 것이기 때문에, 이하 효과를 발휘할 수 있다.
① 수지 봉지 공정중에 히트 스프레더가 밀어올려지는 움직임이 억제되거나 또는 밀어올려져도 히트 스프레더가 직후 내부 리드와 접촉하는 일이 없기 때문에, 쇼트 사고의 발생이 방지된다.
② 상기 (b) 의 대책을 강구한 경우에는 수지 봉지 공정중에 히트 스프레더 자체의 움직임이 억제되기 때문에, 히트 스프레더가 항상 소정 위치에 봉지되게 되고, 위치 편차에 따른 방열 기능의 열화와 방열 특성의 편차를 방지할 수 있다.

Claims (12)

  1. 반도체소자, 상기 반도체소자가 탑재된 아일랜드, 리드의 내부 리드부, 및 상기 아일랜드의 하면에 방열판부가 위치하도록 상기 아일랜드의 하측에 배치된 히트 스프레더가 수지내에 봉지된 수지봉지형 반도체장치에 있어서,
    상기 히트 스프레더의 상기 방열판부의 상면의 주변부에 내열성을 갖는 테이프가 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치.
  2. 반도체소자, 상기 반도체소자가 탑재된 아일랜드, 리드의 내부 리드부, 및 상기 아일랜드의 하면에 방열판부가 위치하도록 상기 아일랜드의 하측에 배치된 히트 스프레더가 수지내에 봉지된 수지봉지형 반도체장치에 있어서,
    상기 내부 리드부의 하측면에 내열성을 갖는 테이프가 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치.
  3. 반도체소자, 상기 반도체소자가 탑재된 아일랜드, 리드의 내부 리드부, 및 상기 아일랜드의 하면에 방열판부가 위치하도록 상기 아일랜드의 하측에 배치된 히트 스프레더가 수지내에 봉지된 수지봉지형 반도체장치에 있어서,
    상기 아일랜드를 매다는 서스펜드핀의 경사부가 봉지수지의 바깥둘레부 근처에 형성됨으로써, 상기 서스펜드핀의 대부분 및 상기 아일랜드가 상기 리드의 내부 리드부보다 하측에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치.
  4. 반도체소자, 상기 반도체소자가 탑재된 아일랜드, 리드의 내부 리드부, 및 상기 아일랜드의 하면에 방열판부가 위치하도록 상기 아일랜드의 하측에 배치된 히트 스프레더가 수지내에 봉지된 수지봉지형 반도체장치에 있어서,
    상기 히트 스프레더가 하측에 신장되는 족부를 가지며 상기 족부의 선단에 열경화성의 접착제가 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치.
  5. 반도체소자, 상기 반도체소자가 탑재된 아일랜드, 리드의 내부 리드부, 및 상기 아일랜드의 하면에 방열판부가 위치하도록 상기 아일랜드의 하측에 배치된 히트 스프레더가 수지내에 봉지된 수지봉지형 반도체장치에 있어서,
    상기 아일랜드의 아래에 위치하는 상기 히트 스프레더의 방열판부 상면에 열경화성의 접착제가 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치.
  6. 반도체소자, 상기 반도체소자가 탑재된 아일랜드, 리드의 내부 리드부, 및 상기 아일랜드의 하면에 방열판부가 위치하도록 상기 아일랜드의 하측에 배치된 히트 스프레더가 수지내에 봉지된 수지봉지형 반도체장치에 있어서,
    상기 히트 스프레더의 상기 방열판부는 아일랜드의 하측부에서 내부 리드부의 하측부보다 높아지는 융기부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 히트 스프레더의 상기 방열판부에는, 복수의 개구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 개구가 슬릿형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 히트 스프레더의 상기 방열판부에는, 복수의 돌기부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 돌기부가 지붕 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치.
  11. (1) 수지봉지용 하금형의 캐비티내에, 제 1 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항 중 어느 한 항에 기재의 히드스프레더를 낙하시켜 넣는 공정,
    (2) 반도체소자가 탑재된 리드프레임을 상기 수지봉지용 하금형상에 탑재하는 공정, 및
    (3) 상하의 수지봉지용 금형을 합하여 형체하고, 수지봉지를 실시하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치의 제조방법.
  12. (1') 수지봉지용 하금형의 캐비티내에, 히드스프레더를 낙하시켜 넣는 공정,
    (2') 반도체소자가 탑재된 제 2 항 또는 제 3 항에 기재된 특징을 갖는 리드프레임을 상기 수지봉지용 하금형상에 탑재하는 공정, 및
    (3') 상하의 수지봉지용 금형을 합하여 형체하고, 수지봉지를 실시하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체장치의 제조방법.
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