JP2008235559A - 中空パッケージおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の中空パッケージ10は、上方向に開口した凹部12を有し凹部12内の底面に半導体素子搭載面14を有する函体形状の成形体16と、成形体16内に埋設された金属板からなるアイランド20と、を備える。アイランド20は、第1の平板部分22と、第1の平板部分22の対向する両縁部において下方向に曲折した一対の第2の平板部分24,24とを備える。
【選択図】図1
Description
また、半導体素子が高温となることで、パッケージ材が熱膨張を起こし、結果としてパッケージに撓みや反りを発生させる場合があるため、同様にパッケージの放熱性を向上させる必要がある。
第1実施形態における中空パッケージを、図1の概略断面図を参照しながら具体的に説明する。
成形体16内に埋設された金属板からなるアイランド20と、さらに半導体素子の通電用リード30を備える。このアイランド20は、第1の平板部分22と、第1の平板部分22の対向する両縁部において下方向に曲折した一対の第2の平板部分24,24とを備える。
第1の平板部分22と第2の平板部分24との角度を上記範囲とすることにより、アイランド20の強度を向上させることができるとともに、半導体素子の放熱性を向上させることができる。
上記の範囲内であれば、中空部への水分の浸入を効果的に防止でき、樹脂充填性を悪化させずに成形することが出来る。アイランドが小さい場合は、強度面や耐湿性で明らかな効果が見られない場合がある。
第1実施形態の中空パッケージ10に用いられるアイランド20は第1の平板部分22と、第1の平板部分22の対向する両縁部において下方向に曲折した一対の第2の平板部分24,24とを備える。
そのため、中空パッケージ10の裏面18から水が浸入したとしても、凹部12内への移行を抑制することができる。
これにより、半導体素子からの放熱を効果的に行うことができ、半導体装置の使用時において成形体16の収縮による撓みや反りを低減することができる。そのため、第1実施形態の中空パッケージ10を用いた半導体装置は、半導体素子の受光面の撓みや反りの発生や、半導体素子のエラーを抑制することができ、優れた撮像機能を維持することができる。このように、第1実施形態の中空パッケージ10を用いることにより、半導体装置の製品信頼性が向上する。
第1実施形態における中空パッケージ10のアイランド20は、図2に示すように、第1の平板部分22と、第1の平板部分22の対向する両縁部において上方向に曲折した一対の第2の平板部分24,24とを備えていてもよい。
第2実施形態における中空パッケージを、図3の概略断面図を参照しながら具体的に説明する。第1実施形態の中空パッケージとの相違点のみについて図面を参照しながら説明し、その他の部分については適宜説明を省略する。
これにより、上記の効果にさらに優れた中空パッケージ10とすることができる。
例えば、図4に示すように、一対の第2の平板部分24,24は、第1の平板部分22の対向する両縁部において上方向に曲折している。一対の第3の平板部分26,26は、一対の前記第2の平板部分24,24の両縁部において内方向に曲折していてもよい。
第3実施形態における中空パッケージを、図8の概略断面図を参照しながら具体的に説明する。第1および第2実施形態の中空パッケージとの相違点について図面を参照しながら説明し、その他の部分については適宜説明を省略する。
例えば、図9に示すように、一対の第2の平板部分24,24は、第1の平板部分22の対向する両縁部において上方向に曲折し、一対の第3の平板部分26,26は、一対の前記第2の平板部分24,24の各縁部において内方向に曲折する構成としてもよい。さらに、第1の平板部分22は裏面18に露出し、一対の第3の平板部分26,26は半導体素子搭載面14に一部が露出する。
本実施形態の中空パッケージ10の製造方法を、図面を参照しながら説明する。
本実施形態の中空パッケージ10を用いた半導体装置を、例えばラインセンサー(リニアセンサ)に用いた場合、中空パッケージ10は放熱性が良好で反りが少なく、高強度であるため、低コスト且つ信頼性の高いラインセンサモジュールを製造することができる。そのため、スキャナやファックスの用途に好適に使用することができる。本実施形態の中空パッケージ10を例えば一眼レフカメラ用撮像モジュールに用いれば、撮影画像の周辺画質低下の少ない、デジタル一眼レフカメラを製造することができる。
第2の実施の形態(図3)で説明したものと同様の構造を有する中空パッケージを作製した。
この中空パッケージ10は、以下のような構造を有する。すなわち、上方向に開口した凹部12を有し、凹部12内の底面に半導体素子搭載面14を有する函体形状の成形体16と、アイランド20と、さらに半導体素子の通電用リード30を備える。アイランド20は、第1の平板部分22と、一対の第2の平板部分24,24と、一対の第3の平板部分26,26とから構成されている。
次に、このパッケージを作製した手順について説明する。
はじめに、図15に示すような電気導通用のリード32を備えるリードフレーム38(42アロイ製、厚さ0.25mm)及び、図16に示すようなアイランド20を備えるリードフレーム42(A194の銅合金製、厚さ0.25mm)を準備した。なお、アイランド20は図3に示すような所定の形状に曲げ加工されている。
また、本実施例で得られた中空パッケージは、耐湿性に優れているものであった。そのため、この中空パッケージ10を用いた半導体装置は、中空部への湿気の浸入が抑制され固体撮像素子の読み取り機能等に影響を及ぼすことがないことが確認された。
図10に示す中空パッケージ10を、プラスチックパッケージの計算モデルとして用いた。実施例2の計算モデルは、以下の条件を充たすものとした。
・サイズ:長手方向53.6mm、幅方向9.8mm、パッケージ厚み3.85mm、裏面18から半導体素子搭載面14までの高さは1.8mm
・材質:材質を表1に示し、各材料の物性値を表2に示す。
図19に示す中空パッケージ10を、プラスチックパッケージの計算モデルとして用いた。なお、図19に示す中空パッケージ10は、図18のリードフレームを用いたものであり、図19(a)は、中空パッケージ10の長手方向の略中央部の断面構造を示し、図19(b)は搭載される半導体素子の端部における直下部分の断面構造を示す。実施例3における計算モデルのサイズおよび材質は、実施例2と同様なものとした。
図20に示すように、アイランドを用いない以外は実施例2と同様な中空パッケージを、プラスチックパッケージの計算モデルとして用いた。
なお、本シミュレーションにおいては、パッケージ上面から大気への放熱は考慮せず、それ以外の領域において放熱されると仮定して計算を行った。
また、リニアセンサのチップは、増幅部を備える部分から発熱する。そのため、今回の計算モデルにおいては、端部から2mmまでの両端部領域において増幅部を備えるモデルとした。
シミュレーションの結果を、表3に示した。
12 凹部
14 半導体素子搭載面
16 成形体
18 裏面
20 アイランド
22 第1の平板部分
24 第2の平板部分
26 第3の平板部分
30 通電用リード
32 インナーリード
34 アウターリード
36、40 外枠部
38、42,46 リードフレーム
Claims (15)
- 上方向に開口した凹部を有し、該凹部内の底面に半導体素子搭載面を有する函体形状の成形体と、
前記成形体内に埋設された金属板からなるアイランドと、を備え、
前記アイランドは、
第1の平板部分と、前記第1の平板部分の対向する両縁部において上方向または下方向に曲折した一対の第2の平板部分とを備えることを特徴とする中空パッケージ。 - 前記アイランドは、
前記半導体素子搭載面に露出する前記第1の平板部分と、前記第1の平板部分の対向する両縁部において下方向に曲折した一対の前記第2の平板部分とを備えることを特徴とする請求項1に記載の中空パッケージ。 - 前記アイランドは、
前記成形体の裏面に露出する前記第1の平板部分と、前記第1の平板部分の両縁部において上方向に曲折した一対の前記第2の平板部分とを備えることを特徴とする請求項1に記載の中空パッケージ。 - 前記アイランドは、一対の前記第2の平板部分の各縁部において上下方向と交差する方向に曲折した一対の第3の平板部分をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の中空パッケージ。
- 前記アイランドは、一対の前記第2の平板部分の各縁部において上下方向と交差する方向に曲折した一対の第3の平板部分をさらに備え、
一対の前記第3の平板部分が前記成形体の裏面に露出することを特徴とする請求項2に記載の中空パッケージ。 - 前記アイランドは、一対の前記第2の平板部分の各縁部において上下方向と交差する方向に曲折した一対の第3の平板部分をさらに備え、
一対の前記第3の平板部分が前記凹部内の前記半導体素子搭載面に露出することを特徴とする請求項3に記載の中空パッケージ。 - 一対の前記第3の平板部分は、外方向に張り出すように設けられていることを特徴とする請求項4乃至6のいずれかに記載の中空パッケージ。
- 前記第1の平板部分および一対の前記第3の平板部分が平行であることを特徴とする請求項4乃至7のいずれかに記載の中空パッケージ。
- 前記成形体の裏面に露出している前記アイランドの面積が、前記半導体素子搭載面に露出している前記アイランドの面積より大きいことを特徴とする請求項5乃至8のいずれかに記載の中空パッケージ。
- 上方向に開口した凹部を有し、該凹部内の底面に半導体素子搭載面を有する函体形状の成形体を備える請求項1乃至9のいずれかに記載の中空パッケージと、
前記半導体素子搭載面に搭載された半導体素子と、
前記凹部内を封止する透明板と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 第1の平板部分と、前記第1の平板部分の両縁部において上方向または下方向に曲折した一対の第2の平板部分とを有する金属板からなるアイランドと半導体素子の通電用リードとを備えるリードフレームを成形金型内に収容する工程と、
前記成形金型内に樹脂を注入し、前記アイランドおよび前記通電用リードが埋設された成形体を形成する工程と、
を含むことを特徴とする中空パッケージの製造方法。 - 前記リードフレームを成形金型内に収容する前記工程の前に、
前記アイランドに、前記第2の平板部分の各縁部において上下方向と交差する方向に曲折した一対の第3の平板部分を形成する工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の中空パッケージの製造方法。 - 前記リードフレームを成形金型内に収容する前記工程の前に、
前記アイランドと前記通電用リードとが一体に成形されたリードフレームを形成する工程を含むことを特徴とする請求項11または12に記載の中空パッケージの製造方法。 - 前記リードフレームを成形金型内に収容する前記工程の前に、
前記アイランドを備える第1のリードフレームと、前記通電用リードを備える第2のリードフレームを形成する工程を有し、
前記リードフレームを成形金型内に収容する前記工程において、
前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームとを前記成形金型内に収容することを特徴とする請求項11または12に記載の中空パッケージの製造方法。 - 前記リードフレームを成形金型内に収容する前記工程の前に、
前記第1のリードフレームと前記通第2のリードフレームとを接続する工程を有し、
前記リードフレームを前記成形金型内に収容する前記工程において、
接続された前記第1のリードフレームと前記通第2のリードフレームを前記成形金型内に収容することを特徴とする請求項14に記載の中空パッケージの製造方法。
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