JP2005019680A - 樹脂モールド型半導体装置及びモールド成型用金型 - Google Patents

樹脂モールド型半導体装置及びモールド成型用金型 Download PDF

Info

Publication number
JP2005019680A
JP2005019680A JP2003182488A JP2003182488A JP2005019680A JP 2005019680 A JP2005019680 A JP 2005019680A JP 2003182488 A JP2003182488 A JP 2003182488A JP 2003182488 A JP2003182488 A JP 2003182488A JP 2005019680 A JP2005019680 A JP 2005019680A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
resin mold
mold
semiconductor device
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003182488A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4519424B2 (ja
Inventor
Masahiro Koike
昌弘 小池
Hiroshi Narita
博史 成田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Electronics Corp
Original Assignee
NEC Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Electronics Corp filed Critical NEC Electronics Corp
Priority to JP2003182488A priority Critical patent/JP4519424B2/ja
Priority to US10/870,023 priority patent/US7265444B2/en
Priority to TW095125618A priority patent/TW200721467A/zh
Priority to TW093118560A priority patent/TWI270980B/zh
Priority to KR1020040048376A priority patent/KR100573387B1/ko
Publication of JP2005019680A publication Critical patent/JP2005019680A/ja
Priority to US11/235,182 priority patent/US7448861B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4519424B2 publication Critical patent/JP4519424B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14825—Linear CCD imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/047—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】一次元ＣＣＤ素子を搭載するＣＣＤデバイスについて、温度変動に起因する反りを低減して良好な画像を得る。
【解決手段】一次元ＣＣＤ素子１４を搭載するヒートシンク１１の材料には、黒化処理した鉄又は鉄系合金を使用する。ヒートシンク１１の熱膨張係数と、ヒートシンク１１及びリードフレーム２０を一体的にモールド成型する中空モールドケース１２の熱膨張係数とを整合させる。中空モールドケース１２の上部開口を閉止するガラスキャップ１３と中空モールドケース１２の側壁との間の接着界面には、中空モールドケース１２側に形成した複数の突起２１が配設される。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂モールド型半導体装置及びモールド成型金型に関し、特に、一次元ＣＣＤデバイスとして好適な構造を有する樹脂モールド型半導体装置、及び、そのモールド成型にあたって使用されるモールド成型金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一次元ＣＣＤデバイス（ＣＣＤ半導体装置）は、直線状に配列された例えば５０００〜１００００個のフォトトランジスタから構成され、主にコピー機やファクシミリ等の画像形成装置として利用される。この一次元ＣＣＤデバイスでは、原稿又はＣＣＤデバイス自体を、フォトトランジスタの配列方向と直交方向に走査し、１枚の原稿全体の画像を取り込む。
【０００３】
従来の一次元ＣＣＤデバイスの構成について図面を参照して説明する。図１０は、特開２００２−３３４９７５号公報に記載された、従来のセラミックパッケージ型ＣＣＤデバイスの縦断面図である。セラミックパッケージは、平坦化研磨されたセラミックベース３１に、リード３３を含むリードフレームを低融点ガラス接着剤３２で固着し、更にこのリードフレームの上に、平坦化研磨されたセラミック枠３４を低融点ガラス接着剤３２で固着することによって製造する。
【０００４】
ＣＣＤ素子から成る半導体チップ１４は、上記セラミックパッケージの内部空間に収容され、セラミックベース３１の支持面にマウント材３６を用いて接着される。セラミックベース３１内側のインナーリードと、ＣＣＤ素子１４のボンディングパッドとをワイヤボンドした後に、ガラスキャップ１３を熱硬化性接着剤３５で接着し、セラミックパッケージの上部開口を封止する。
【０００５】
図１１は、従来のキャビティモールド型（中空モールド型）ＣＣＤデバイスの断面図である。この構造と同様な構造は、前記特許文献の従来技術として同特許文献に記載されている。本型式のＣＣＤデバイスでは、まず、アルミニウムや銅合金から成るヒートシンク４１に、銅リードフレーム２０を接合し、複合リードフレームを作製する。この複合リードフレームを金型内に収容し、金型内にモールド樹脂を流し込み、中空モールドケース４２を作製する。
【０００６】
中空モールドケース４２内部のヒートシンク４１の上面に、ＣＣＤ素子１４をダイボンドし、モールドケース４２内のインナーリード゛と、ＣＣＤ素子１４のボンディングパッドとをワイヤボンドした後に、中空モールドケース４２の上部開口をガラスキャップ１３で閉止し、紫外線硬化型接着剤４３を用いて上部開口を封止する。紫外線硬化型接着剤４３は、その硬化物硬度（ショアＤ）が８０以上の高弾性体樹脂材料から成る。
【０００７】
例えば特開昭５９−６３７３５号公報には、中実モールド型パッケージを形成するにあたって、図１２に示したモールド成型金型を記載している。モールド成形金型は、上金型４４及び下金型４５から構成され、ヒートシンク４１及び半導体チップ１４を金型内に収容してパッケージ内に埋め込んで成型する。この公報では、その成形を行う際に、半導体チップ１４を表面に取り付けたヒートシンク４１を下金型４５上に配置し、次いで、リードフレーム２２を所定位置に固定した後に上金型４４をセットし、樹脂封入を行っている。ヒートシンク４１と下金型４５との間の隙間を防止するために、バネ４７によって付勢された円錐型の押しピン４６によって、ヒートシンク４１を下金型４５の内面に押し付けている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３３４９７５号公報
【特許文献２】特開昭５９−６３７３５号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
図１０に示したセラミックパッケージは、低熱膨張係数のセラミック材料で構成しているので、広い温度範囲でＣＣＤ素子全体の反りが抑制される利点がある。しかし、セラミックパッケージの製造には、セラミック材料の焼成や、平坦化研磨、低融点ガラス接着剤による接着等、各製造工程段階で長時間を必要とし、このため、セラミックパッケージは非常に高価である。従って、これを利用するＣＣＤデバイスの価格を上昇させていた。
【００１０】
図１１に示した中空モールド型ＣＣＤデバイスは、安価な樹脂モールド材で作製できる利点がある。しかし、このＣＣＤデバイスでは、室内温度でのチップ反り変形は小さく抑えられるものの、ＣＣＤデバイスを搭載した電子機器動作時の機器内部の温度変化に依存して、パッケージに変形が生じ、ＣＣＤ素子の長手方向の反りが例えば１０〜１５０ミクロンの範囲で変動する。従って、原稿の読取りに際して、精緻な原稿を正確に再現することが困難であった。
【００１１】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、安価な樹脂モールド型パッケージを使用しながらも、温度変化に対して半導体チップの変形が小さく抑えられる樹脂モールド型半導体装置及びその製造のために使用できるモールド成型金型を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の樹脂モールド型半導体装置は、支持面を有するヒートシンクと、前記支持面にマウントされた半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されたリードフレームと、前記半導体チップを収容する収容空間を形成し且つ前記リードフレーム及びヒートシンクをモールドする樹脂モールドケースとを備える樹脂モールド型半導体装置において、
前記樹脂モールドケースの熱膨張係数と、前記ヒートシンクの熱膨張係数とを整合させたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の樹脂モールド型半導体装置では、樹脂モールドケースの熱膨張係数とヒートシンクの熱膨張係数とを整合させたことにより、樹脂モールドケース及びヒートシンクによって形成されるキャビティ内に収容され、ヒートシンクに搭載される半導体チップに生じる反りが小さく抑えられる。ここで、熱膨張係数が整合するとは、熱膨張係数が近い場合のみならず、樹脂モールドが硬化時に収縮する反応収縮量とその際の温度低下によって収縮する熱膨張係数に起因する熱収縮量の和と、ヒートシンクの温度低下によって収縮する熱膨張係数に起因する収縮量とがほぼ同等であることによっても得られるものである。
【００１４】
本発明の好適な樹脂モールド型半導体装置では、前記ヒートシンクが、表面が黒化処理された鉄又は鉄系合金から成る。この場合、錆や腐食に良好に耐え、且つ、光の乱反射を抑えることが出来る。
【００１５】
本発明の更に好ましい態様では、前記樹脂モールドケースが上面に開口を有し、該開口を閉止するガラスキャップと前記樹脂モールドケースとの間をショアＤ硬度が６０以下の接着剤層で固着する。ショアＤ硬度が６０以下の接着剤層を使用することによって、ガラスキャップと樹脂モールドケースとの間の熱膨張係数の違いに起因する反りを緩和する。また、前記樹脂モールドケースの前記キャップとの間の接着面に、複数の突起及び複数のくぼみの少なくとも一方を形成することも好ましい。このような構成を採用することにより、接着剤層の占める体積が大きくなり、ガラスキャップと樹脂モールドケースとの間の熱膨張係数の差に起因する反りが更に緩和され、反り防止の効果が増大する。
【００１６】
本発明は、前記半導体チップが一次元ＣＣＤ素子であるＣＣＤデバイスに適用すると特に顕著な効果が得られる。一次元ＣＣＤ素子では、反りの影響が他の半導体装置に比して特に大きいからである。
【００１７】
ヒートシンクの材料が黒化処理された鉄又は鉄系合金から成る場合には、前記樹脂モールドケースの熱膨張係数が８〜１４ｐｐｍの範囲であることが好ましい。双方の熱膨張係数が整合する。
【００１８】
本発明のモールド成型金型は、第１のキャビティを有する第１の半金型と、第２のキャビティを有する第２の半金型とを備え、半導体チップ収容部を形成する空間を形成するためのブロックを前記第１のキャビティ内に備えるモールド成型金型において、
前記ブロックを、前記第１のキャビティの底面に接する広幅部と該広幅部に搭載される狭幅部とから成る２段構造に形成し、半導体チップに接続されるリードフレームを前記広幅部に押し付ける押しピンを前記第２のキャビティ内から延長させたことを特徴とする。
【００１９】
本発明のモールド成型金型では、モールド成型に際してインナーリードへの樹脂の付着が防止できるので、モールド成型の後に半導体チップを収容空間内に収容して、半導体チップのボンディングパッドとリードフレームのインナーリードとをボンディングワイヤで接続する際の障害が除かれる。
【００２０】
本発明の好適な態様のモールド成型金型では、前記第２のキャビティに向かって前記狭幅部から突出する別の押しピンを、前記狭幅部の表面から伸縮自在となるように配設する。ヒートシンクの底面へのモールド樹脂の付着が防止できる。
【００２１】
【発明の実施形態】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態に基づいて本発明を更に詳細に説明する。なお、図全体において同様な要素には同様な符号を付して示す。図１は本発明の１実施例に係るＣＣＤデバイスの構造を示し、同図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、横断面図及び一部縦断面を含む側面図である。本実施形態例のＣＣＤデバイスは、鉄又は鉄系合金製のヒートシンク１１と、ヒートシンク１１の上部に半導体チップ収容空間（キャビティ）１９を形成する中空モールドケース（以下、単にモールドケースとも呼ぶ）１２と、ヒートシンク１１の支持面にマウントされキャビティ内部に収容されるＣＣＤ素子（半導体チップ）１４と、ＣＣＤ素子１４のボンディングパッドと接続されるインナーリード及びアウタリードを含む金属リード２０と、モールドケース１２の上部開口を閉止するガラスキャップ１３とを有する。
【００２２】
モールドケース１２は、ヒートシンク１１の側面及び中央の支持面を除くヒートシンク１１の上面をモールドし且つこれら面に固着されている。モールドケース１２の上部開口を区画する側壁の頂部には、複数個の樹脂突起２１が一列に並んで形成されている。ガラスキャップ１３は、モールドケース１２の側壁頂部に低弾性接着剤層１８を用いて固着される。金属リード２０は、ＣＣＤ素子１４のボンディングパッドとボンディングワイヤ２２を介して接続され、モールドケース１２の側壁を貫通して外部に延びている。金属リード２０は、銅合金から成る。
【００２３】
ＣＣＤ素子１４は、低弾性マウント材（接着剤）１６を介してヒートシンク１１の支持面に固定されており、ＣＣＤ素子１４の幅方向中心と、モールドケース１２の中心線とが一致するように、キャビティ１９内に収納される。モールドケース１２は、ヒートシンク１１及びガラスキャップ１３と共に、ＣＣＤ素子１４を収容するためのハウジングを構成する。金属リード２０は、図１（ｂ）に示すように、ＣＣＤデバイスの長手方向の両端に分割して配設されており、インナーリード部がボンディングワイヤ２２によってＣＣＤ素子１４のボンディングパッドと接続される。各金属リード２０はモールドケース１２を貫通した後に折り曲げられ、ＣＣＤデバイスのアウターリードとなる。
【００２４】
図２（ａ）〜（ｄ）及び図３（ｅ）〜（ｇ）は、本実施形態例のＣＣＤデバイスの各製造工程段階の平面を示している。ＣＣＤデバイスの製造にあたっては、まず、表面が黒化処理された鉄系合金から成り、長尺状の支持面を有するヒートシンク１１を用意する（図２（ａ））。黒化処理は、発錆防止及び光の乱反射防止を目的として行われる。ヒートシンク１１の両端部近傍に、銅合金から成る一対のリードフレーム２５（図２（ｂ））を夫々固定し、複合リードフレームとする（図２（ｃ））。
【００２５】
得られた複合リードフレームのアウターリードを除いた部分を、熱硬化性絶縁性樹脂で枠状に囲んでモールド成型し、内部にキャビティ１９を有するモールドケース１２とする（図２（ｄ））。熱硬化性絶縁性樹脂は、ヒートシンクを構成する鉄系合金と熱膨張係数が整合している。この工程では、中空モールドケース１２の上部開口を区画する側壁の頂部に複数の樹脂突起２１を形成する。次いで、熱硬化性低弾性マウント材１６を用いて、ヒートシンク１１の支持面にＣＣＤ素子１４を搭載し固定し（図３（ｅ））、リードフレーム２５のインナーリード部とＣＣＤ素子１４のボンディングパッドとをボンディングワイヤ２２で接続する。
【００２６】
引き続き、光硬化性低弾性接着剤１８を用い、中空モールドケース１２の上部開口にガラスキャップ１３を貼付し、ＣＣＤ素子１４が収納されたキャビティ１９を密封する（図３（ｆ））。次いで、リードフレーム２５の不要な部分を除去し、アウターリード部分を曲げ加工することによって、本実施形態例のＣＣＤデバイスが得られる（図３（ｇ））。
【００２７】
本実施形態例のＣＣＤデバイスでは、直線状に配列されたホトセンサーを有する一次元ＣＣＤ素子が用いられ、コピー機やスキャナー等の画像読取機能を有する電子機器に使用される。これら電子機器内部は、使用中に室温よりも約１００℃程度高い温度まで上昇する。搭載されたＣＣＤ素子の反りが大きいと、原稿の画像のピントがホトセンサー表面と合わなくなり、形成される画像品質が低下する。本実施形態例では、高価なセラミックパッケージではなく、中空モールドケースを使用し、また、従来は中空モールドケースと併用されていたアルミ製ヒートシンクではなく、鉄系合金製のヒートシンクを使用して、ＣＣＤ素子の反りを画像品質に影響がない±１０μ程度に抑えることを可能にしたものである。これは、主として、中空モールドケースの熱膨張係数を鉄系合金の熱膨張係数と整合させることにより得られる。
【００２８】
ＣＣＤ素子１４は、例えば長さが８０ｍｍで、幅が０．５ｍｍ、厚さが０．６ｍｍの非常に細長い形状のシリコン半導体チップである。ＣＣＤ素子１４は、モールドケース１２底部のヒートシンク１１の支持面を成す上面に固定されている。従ってヒートシンク１１上面の表面形状に倣ってＣＣＤ素子１４が変形する。例えば、ヒートシンク１１の表面が上に凸形状に反っていると（以下、この反りを＋反り、その逆を−反りと呼ぶ）、ＣＣＤ素子１４も上に凸形状に反るものである。中空モールドケース１２の成形は、鉄系合金製ヒートシンク１１とリードフレームとが接合された複合リードフレームを、約１７５℃に加熱されたモールド金型内に収容し、エポキシ樹脂コンパウンドでトランスファー成形することによって作製される。
【００２９】
作製された中空モールドケースが金型から取り出される際には、室温まで冷却される過程におけるヒートシンクの熱収縮量（熱膨張係数に基づく収縮量）と、エポキシ樹脂コンパウンドの熱膨張係数に基づく収縮量及び樹脂硬化反応に起因する反応収縮量の和から成る収縮量との差異によって、中空モールドケース１２に反りが発生する。ヒートシンク表面の反り方向及び反り量もこの反りに従う。そこで、本実施形態例では、鉄系合金製ヒートシンクの熱膨張係数（１３〜１４ｐｐｍ）に対し、熱膨張係数が９〜１３ｐｐｍでかつ反応収縮量が０．１％程度のモールド樹脂を用いることにより、双方の収縮量を整合させて、ヒートシンク表面の反り量を、例えばＣＣＤ素子の全長８０ｍｍに対し、反り量を±１０μ以下に抑える。つまり、そのパーセント反り率を、０．０１％程度にするものである。
【００３０】
中空モールドケース１２の開口部に接着されるガラスキャップ１３には、熱膨張係数が３〜６ｐｐｍ程度のものが使用される。本実施形態例では、中空モールドケース１２とこのガラスキャップ１３との間の接着界面では熱膨張係数が整合していないが、その接着界面には、中空モールドケースの側壁頂部の突起２１が存在する。低弾性接着剤層１８の厚みがその突起高さ以上となることにより、中空モールドケース１２とガラスキャップ１２の間で、双方の熱膨張係数の差に起因して発生するストレスは、低弾性接着剤の伸縮変形によって吸収される。このため、中空モールドケース１２の反り変形が緩和される。これによって、電子機器の動作時にもＣＣＤ素子の反りは緩和され、原稿イメージのピントがホトセンサー表面と一致する状態が維持され、良好な画像品質を保つことが出来る。
【００３１】
上記のように、本発明の樹脂モールド型半導体装置では、半導体チップ１４からの発生熱量を放散させるヒートシンク１１の熱膨張係数に整合した熱膨張係数を有する樹脂材料を用いて中空モールドケース１２を形成することにより、半導体チップ１４の反りの軽減を図るものである。また、この中空モールドケース１２の熱膨張係数とは整合が困難な熱膨張係数を有するガラスキャップ１３を用いて、中空モールドケース１２の上部開口を閉止する際に、その接着界面に充分な体積が確保された低弾性接着剤層１８を用いることにより、半導体チップ１４の反り変形を抑制するものである。
【００３２】
従って、鉄又は鉄系合金製のヒートシンク１１に代えて、熱膨張係数が６５ｐｐｍ程度のアルミナセラミック製の、低熱膨張係数のヒートシンクを用いる場合には、熱膨張係数を６５〜８０ｐｐｍに調整した樹脂材料を用いて中空モールドケースを作製することが出来る。
【００３３】
図４（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の第２の実施形態例に係る樹脂モールド型半導体装置のハウジングの横断面図及び水平方向の縦断面図である。本実施形態例では、モールドケース１２の上部開口を区画する側壁の頂部に複数のくぼみ２３を設け、そのくぼみ２３に低弾性接着剤を充填し、中空モールドケース１２とガラスキャップ（図示なし）の熱膨張係数の差に起因する反りを防止する。
【００３４】
図５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の第３の実施形態例に係る樹脂モールド型半導体装置のハウジングの横断面図及び水平方向の縦断面図である。本実施形態例では、モールドケース１２の上部開口を区画する側壁の頂部に複数のくぼみ２３及び複数の突起２４を設け、そのくぼみ２３に低弾性接着剤を充填してその体積を確保し、また、突起２４によっても低弾性接着剤層の体積を確保することで、モールドケース１２とガラスキャップ（図示なし）の双方の熱膨張係数の差に起因する反りを防止する。
【００３５】
図６は、本発明のモールド型半導体装置の中空モールドケースを製造する際に好適に使用されるモールド成型金型を、その金型で成形される中空モールドケース及びヒートシンク１１の状態と共に示している。また、図７は、このモールド成型金型のみを模式的斜視図で示している。モールド成型金型は、上キャビティ５１を有する上金型（半金型）５０と、下キャビティ６１を有する下金型（半金型）６０とから成る。上キャビティ６１内には、広幅部及び狭幅部を有する２段構造のランド部形成ブロック５４が収容されており、また、そのランド部形成ブロック５４の内部からは、バネ５３によって上キャビティ５４の底面から付勢されるヒートシンク押さえピン５２が下金型６０の方向に突出している。ランド部形成ブロック５４周囲の上キャビティ５１の底面には、突起形成用の複数の孔５５が形成される。なお、上金型と下金型とは互いに入れ替わってもよい。
【００３６】
下金型６０の下キャビティ６１内には、複数のリードフレーム押さえピン６２が配設されている。下金型６０には、下キャビティ６１に開口するゲート６３、ゲート６３から延びるランナー６４、及び、ポット６５が形成されており、これらは、下キャビティ６１からのモールドレジン流入部を構成している。
【００３７】
図６において、中空モールドケース１２の成型時には、下金型６０にヒートシンク１１をセットし、上金型５０にリードフレーム２２をセットし、型締めを実施する。このとき、上金型５０に組み込まれたヒートシンク押さえピン５２がバネ５３の付勢によって、下金型５０にセットされたヒートシンク１１を下方に押し付けるので、ヒートシンク１１は下金型５０の下キャビティ６１の底面に密着させられる。また、下金型６０に形成されたリード押さえピン６２と上金型５０に形成されたランド形成ブロック５４の肩部との間でリードフレーム２２がクランプされる。その状態で、パッケージ形成用の封止樹脂を金型内に注入することにより、中空モールドケース１２が形成される。
【００３８】
図８（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、上記金型を利用して得られた中空モールドケースを含むハウジングの水平方向の縦断面を示しており、同図（ａ）はヒートシンクの支持面付近の断面、同図（ｂ）はヒートシンクの裏面近傍での断面をそれぞれ示している。上記構成の金型を使用することにより、ヒートシンク１１裏面のバリの発生が防止出来る。この場合、バネ５３でヒートシンク押さえピン５２を付勢する構成を採用したので、ヒートシンク１１における厚みのバラツキの影響を受けることなく、バリの低減が可能となる。また、インナーリードの露出面へのモールド樹脂の付着も防止される。
【００３９】
ヒートシンク１１裏面のバリが無くなることから、外観に優れ、且つ、放熱特性が向上したＣＣＤデバイスが得られる。また、インナーリードへのモールド樹脂の付着が防止できるので、ボンディングにあたって接続不良等の障害が除かれる。更に、ランド部形成ブロック５４によって、チップ搭載面が精度良く形成できるため、ＣＣＤ素子の表面とピント位置との間で良好な精度が得られる。ヒートシンク押さえピン５２によって形成されたピン痕７１は、ヒートシンク１１の支持面からの熱放散に寄与する。ヒートシンク１１には、リード押さえピン６２を通過させる孔７２が形成されており、その孔７２内には、リード押さえピン６２によってピン痕７３が形成される。
【００４０】
図９（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、上記金型を利用して製造されたＣＣＤデバイスの横断面図及び縦断面図である。同図に示したＣＣＤデバイスは、ヒートシンク１１の支持面を、中空モールドケース１２を構成する樹脂層が薄く覆っていること、リードフレーム２２の各リードに通ずるリードフレーム押さえピンのピン孔７３が形成されていること等において、図１（ａ）及び（ｂ）に示した第１の実施形態例に係るモールド型半導体装置の構成とは異なる。
【００４１】
以上、本発明をその好適な実施形態例に基づいて説明したが、本発明の樹脂モールド型半導体装置及びモールド成型金型は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の樹脂モールド型半導体装置は、ヒートシンクと中空モールドケースとの間で熱膨張係数を整合させたことにより、半導体チップに生ずる反りが低減できるので、特にＣＣＤデバイスとして利用する場合には、良好な画像が得られる効果がある。
また、本発明のモールド成型金型は、リードフレームへのモールド樹脂の付着が防止でき、半導体チップのボンディングパッドとインナーリードとの接続に際しての障害が除かれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の第１の実施形態例に係る樹脂モールド型半導体装置を構成するＣＣＤデバイスの横断面図及び縦断面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図１の半導体装置の製造工程段階を示す平面図。
【図３】（ｅ）〜（ｇ）はそれぞれ、図２に続く製造工程段階を示す平面図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の第２の実施形態例に係る樹脂モールド型半導体装置を構成するＣＣＤデバイスのハウジングの横断面図及び水平方向縦断面図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の第３の実施形態例に係る樹脂モールド型半導体装置を構成するＣＣＤデバイスのハウジングの横断面図及び水平方向縦断面図。
【図６】本発明方法で使用される金型及びそれによってモールドされるヒートシンク及びリードフレームを例示する展開断面図。
【図７】図６の金型の展開斜視図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、図６の金型で成型された中空モールドケースを含むハウジング示す縦断面図。
【図９】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、図６の金型を利用して製造されたＣＣＤデバイスの横断面図及び縦断面図。
【図１０】従来のセラミックパッケージを用いたＣＣＤデバイスの縦断面図。
【図１１】従来のモールド樹脂を用いたＣＣＤデバイスの縦断面図。
【図１２】従来のモールド成型金型の断面図。
【符号の説明】
１１：ヒートシンク
１２：中空モールドケース
１３：ガラスキャップ
１４：ＣＣＤ素子（半導体チップ）
１６：マウント材
１８：低弾性接着剤層
１９：キャビティ
２０：リード
２１：樹脂突起
２２：リードフレーム
２３：くぼみ
２４：樹脂突起
３１：セラミックベース
３２：低融点ガラス
３４：セラミック枠
３５：熱硬化性接着剤層
３６：マウント材
４１：アルミニウム製ヒートシンク
４２：中空モールドケース
４３：高弾性接着剤層
５０：上金型
５１：上キャビティ
５２：ヒートシンク押さえピン
５３：バネ
５４：ランド部形成ブロック
６０：下金型
６１：下キャビティ
６２：リード押さえピン
６３：ゲート
６４：ランナー
６５：ポット
７１：ピン痕
７２：ヒートシンクの孔
７３：ピン孔

Claims (8)

  1. 支持面を有するヒートシンクと、前記支持面にマウントされた半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続されたリードフレームと、前記半導体チップを収容する収容空間を形成し且つ前記リードフレーム及びヒートシンクをモールドする樹脂モールドケースとを備える樹脂モールド型半導体装置において、
    前記樹脂モールドケースの熱膨張係数と、前記ヒートシンクの熱膨張係数とを整合させたことを特徴とする樹脂モールド型半導体装置。
  2. 前記ヒートシンクが、表面が黒化処理された鉄又は鉄系合金から成る、請求項１に記載の樹脂モールド型半導体装置。
  3. 前記樹脂モールドケースが上面に開口を有し、該開口を閉止するガラスキャップと前記樹脂モールドケースとの間をショアＤ硬度が６０以下の接着剤層で固着したことを特徴とする、請求項２に記載の樹脂モールド型半導体装置。
  4. 前記樹脂モールドケースの前記キャップとの間の接着面には、複数の突起及び複数のくぼみの少なくとも一方が形成される、請求項３に記載の樹脂モールド型半導体装置。
  5. 前記半導体チップが一次元ＣＣＤ素子である、請求項１〜４の何れかに記載の樹脂モールド型半導体装置。
  6. 前記樹脂モールドケースの熱膨張係数が８〜１４ｐｐｍの範囲である、請求項５に記載の樹脂モールド型半導体装置。
  7. 第１のキャビティを有する第１の半金型と、第２のキャビティを有する第２の半金型とを備え、半導体チップ収容部を形成する空間を形成するためのブロックを前記第１のキャビティ内に備えるモールド成型金型において、
    前記ブロックを、前記第１のキャビティの底面に接する広幅部と該広幅部に搭載される狭幅部とから成る２段構造に形成し、半導体チップに接続されるリードフレームを前記広幅部に押し付ける押しピンを前記第２のキャビティの底面から延長させたことを特徴とするモールド成型金型。
  8. 前記第２のキャビティに向かって前記狭幅部から突出する別の押しピンを、前記狭幅部の表面から伸縮自在となるように配設した、請求項７に記載のモールド成型金型。
JP2003182488A 2003-06-26 2003-06-26 樹脂モールド型半導体装置 Expired - Fee Related JP4519424B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003182488A JP4519424B2 (ja) 2003-06-26 2003-06-26 樹脂モールド型半導体装置
US10/870,023 US7265444B2 (en) 2003-06-26 2004-06-18 Resin molded semiconductor device
TW095125618A TW200721467A (en) 2003-06-26 2004-06-25 Resin mold type semiconductor device and die for molding
TW093118560A TWI270980B (en) 2003-06-26 2004-06-25 Resin mold type semiconductor device and die for molding
KR1020040048376A KR100573387B1 (ko) 2003-06-26 2004-06-25 수지몰드형 반도체장치 및 몰드성형용 금형
US11/235,182 US7448861B2 (en) 2003-06-26 2005-09-27 Resin molded semiconductor device and mold

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003182488A JP4519424B2 (ja) 2003-06-26 2003-06-26 樹脂モールド型半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008086793A Division JP2008211229A (ja) 2008-03-28 2008-03-28 モールド成型用金型

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005019680A true JP2005019680A (ja) 2005-01-20
JP4519424B2 JP4519424B2 (ja) 2010-08-04

Family

ID=33535264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003182488A Expired - Fee Related JP4519424B2 (ja) 2003-06-26 2003-06-26 樹脂モールド型半導体装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7265444B2 (ja)
JP (1) JP4519424B2 (ja)
KR (1) KR100573387B1 (ja)
TW (2) TW200721467A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324543A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Nec Electronics Corp 固体撮像装置
JP2007305733A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ装置
US7348532B2 (en) 2005-05-20 2008-03-25 Nec Electronics Corporation Method of manufacturing a solid-state image-sensing device including filling up a gap with insulating resin, and solid-state image-sensing device
JP2017188621A (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 クラスターテクノロジー株式会社 半導体素子実装パッケージおよびその製造方法、ならびに当該パッケージ製造のための基板プレート

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9034666B2 (en) 2003-12-29 2015-05-19 Vladimir Vaganov Method of testing of MEMS devices on a wafer level
US8350345B2 (en) * 2003-12-29 2013-01-08 Vladimir Vaganov Three-dimensional input control device
US7224047B2 (en) * 2004-12-18 2007-05-29 Lsi Corporation Semiconductor device package with reduced leakage
US7514672B2 (en) * 2005-02-15 2009-04-07 Sumitomo Chemical Company, Limited Case for accommodating solid-state imaging device and solid-state imaging apparatus
JP2006339291A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Fujifilm Holdings Corp 中空パッケージとこれを用いた半導体装置及び固体撮像装置
KR101038233B1 (ko) * 2008-07-31 2011-05-31 재단법인서울대학교산학협력재단 미세구조물 생성 및 처리 시스템 및 방법
US20100116970A1 (en) * 2008-11-12 2010-05-13 Wen-Long Chou Photo detection device
SG191479A1 (en) * 2011-12-27 2013-07-31 Apic Yamada Corp Method for resin molding and resin molding apparatus
US9269597B2 (en) * 2013-01-23 2016-02-23 Microchip Technology Incorporated Open cavity plastic package
JP2016174094A (ja) * 2015-03-17 2016-09-29 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体組立体
CN105047616B (zh) * 2015-08-31 2017-09-26 长乐芯聚电子科技研究所 钢化陶瓷玻璃封装
JP6319399B2 (ja) * 2016-10-28 2018-05-09 株式会社デンソー インサート成形用金型
WO2018092251A1 (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 三菱電機株式会社 半導体パッケージ
IT201700103511A1 (it) 2017-09-15 2019-03-15 St Microelectronics Srl Dispositivo microelettronico dotato di connessioni protette e relativo processo di fabbricazione
DE102017131110A1 (de) * 2017-12-22 2019-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum einbetten von optoelektronischen bauelementen in eine schicht
CN108649136B (zh) * 2018-04-27 2020-05-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled显示面板
FR3114676B1 (fr) * 2020-09-30 2023-02-10 St Microelectronics Grenoble 2 Boîtier électronique

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3981074A (en) * 1974-08-23 1976-09-21 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing plastic base caps for split cavity type package semi-conductor units
JPS5928361A (ja) * 1982-08-09 1984-02-15 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPS5963735A (ja) 1982-10-05 1984-04-11 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPS60239043A (ja) * 1984-05-14 1985-11-27 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置用パツケ−ジの製造方法
JPS6289160U (ja) 1985-11-26 1987-06-08
JPH0262743U (ja) 1988-10-28 1990-05-10
US5256901A (en) * 1988-12-26 1993-10-26 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic package for memory semiconductor
US5041902A (en) * 1989-12-14 1991-08-20 Motorola, Inc. Molded electronic package with compression structures
JP3074773B2 (ja) 1991-05-15 2000-08-07 日本電気株式会社 固体撮像素子
JPH04360576A (ja) 1991-06-07 1992-12-14 Nec Corp 固体撮像装置
JP3137358B2 (ja) 1991-06-18 2001-02-19 株式会社東芝 電子部品用部材
JPH05315461A (ja) 1992-05-14 1993-11-26 Toshiba Corp 封止型電子部品および封止型電子部品の製造方法
US5652461A (en) * 1992-06-03 1997-07-29 Seiko Epson Corporation Semiconductor device with a convex heat sink
TW332348B (en) * 1992-06-23 1998-05-21 Sony Co Ltd Manufacturing method for solid state motion picture device provides a highly accurate and low cost solid state motion picture device by use of empty package made of resin.
JPH06252281A (ja) 1992-12-28 1994-09-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置用キャップ及びその製造方法
JP3346858B2 (ja) 1993-01-06 2002-11-18 新光電気工業株式会社 半導体装置用キャップ
JPH06209050A (ja) 1993-01-12 1994-07-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体モジュールのシールドパッケージ
JPH06252277A (ja) 1993-02-26 1994-09-09 Nec Kansai Ltd フラットパッケージ
JPH06268085A (ja) 1993-03-12 1994-09-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 光透過用窓体付キャップ
KR970005706B1 (ko) * 1994-01-24 1997-04-19 금성일렉트론 주식회사 고체촬상소자 및 그 제조방법
US5458716A (en) * 1994-05-25 1995-10-17 Texas Instruments Incorporated Methods for manufacturing a thermally enhanced molded cavity package having a parallel lid
JPH0922954A (ja) 1995-07-04 1997-01-21 Toyota Autom Loom Works Ltd 半導体装置
NL1003315C2 (nl) * 1996-06-11 1997-12-17 Europ Semiconductor Assembly E Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake- ling.
JP3034814B2 (ja) * 1997-02-27 2000-04-17 沖電気工業株式会社 リードフレーム構造及び半導体装置の製造方法
JPH10247695A (ja) 1997-03-05 1998-09-14 Sony Corp 半導体装置
US5997798A (en) * 1997-06-27 1999-12-07 International Business Machines Corporation Biasing mold for integrated circuit chip assembly encapsulation
JP3017470B2 (ja) * 1997-07-11 2000-03-06 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
US5869883A (en) * 1997-09-26 1999-02-09 Stanley Wang, President Pantronix Corp. Packaging of semiconductor circuit in pre-molded plastic package
US6028354A (en) * 1997-10-14 2000-02-22 Amkor Technology, Inc. Microelectronic device package having a heat sink structure for increasing the thermal conductivity of the package
JP3492212B2 (ja) * 1998-08-26 2004-02-03 新光電気工業株式会社 半導体装置用パッケージ及びその製造方法
DE19929026B4 (de) * 1999-06-25 2011-02-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors
US6489178B2 (en) * 2000-01-26 2002-12-03 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating a molded package for micromechanical devices
US6525405B1 (en) * 2000-03-30 2003-02-25 Alphatec Holding Company Limited Leadless semiconductor product packaging apparatus having a window lid and method for packaging
JP2001326292A (ja) 2000-05-17 2001-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子
TW466720B (en) * 2000-05-22 2001-12-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with flash-prevention structure and manufacture method
JP3433732B2 (ja) 2000-11-22 2003-08-04 住友電気工業株式会社 光半導体気密封止容器及び光半導体モジュール並びに光ファイバー増幅器
TW458377U (en) * 2000-11-23 2001-10-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Sensor structure of quad flat package without external leads
TW473951B (en) * 2001-01-17 2002-01-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Non-leaded quad flat image sensor package
JP2002372473A (ja) * 2001-04-12 2002-12-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体センサ収納容器およびその製造方法、並びに半導体センサ装置
JP2002334975A (ja) 2001-05-08 2002-11-22 Nec Corp 半導体装置の支持構造、ｃｃｄ半導体装置、その製造方法、及び、ｃｃｄ半導体装置用パッケージ
US7135768B2 (en) * 2001-09-06 2006-11-14 Silicon Bandwidth Inc. Hermetic seal
NL1019042C2 (nl) * 2001-09-26 2003-03-27 Europ Semiconductor Assembly E Werkwijze voor het inkapselen van een chip en/of ander voorwerp.
TW521410B (en) * 2001-11-15 2003-02-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package article
US6700190B2 (en) * 2002-07-26 2004-03-02 Stmicroelectronics, Inc. Integrated circuit device with exposed upper and lower die surfaces
US6844621B2 (en) * 2002-08-13 2005-01-18 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of relaxing thermal stress
US6680525B1 (en) * 2003-01-09 2004-01-20 Kingpak Technology Inc. Stacked structure of an image sensor
KR100548554B1 (ko) * 2003-03-04 2006-02-02 주식회사 하이닉스반도체 테스트 비이클 볼 그리드 어레이 패키지

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324543A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Nec Electronics Corp 固体撮像装置
US7348532B2 (en) 2005-05-20 2008-03-25 Nec Electronics Corporation Method of manufacturing a solid-state image-sensing device including filling up a gap with insulating resin, and solid-state image-sensing device
US7435948B2 (en) 2005-05-20 2008-10-14 Nec Electronics Corporation Adherence of a solid-state image-sensing device to a substrate
JP2007305733A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ装置
JP2017188621A (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 クラスターテクノロジー株式会社 半導体素子実装パッケージおよびその製造方法、ならびに当該パッケージ製造のための基板プレート

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050001474A (ko) 2005-01-06
US7448861B2 (en) 2008-11-11
KR100573387B1 (ko) 2006-04-25
JP4519424B2 (ja) 2010-08-04
TW200721467A (en) 2007-06-01
TWI270980B (en) 2007-01-11
TW200509382A (en) 2005-03-01
US7265444B2 (en) 2007-09-04
US20040262741A1 (en) 2004-12-30
US20060071321A1 (en) 2006-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4519424B2 (ja) 樹脂モールド型半導体装置
JP3782405B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
CN100452380C (zh) 表面安装型半导体器件及其引线架结构
US7691678B2 (en) Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
JPH04291948A (ja) 半導体装置及びその製造方法及び放熱フィン
JP2005109100A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US6538321B2 (en) Heat sink with collapse structure and semiconductor package with heat sink
US6864117B2 (en) Method for producing solid-state imaging device
TW200826262A (en) Semiconductor device having improved heat dissipation capabilities
US20110244619A1 (en) Method of manufacturing solid-state imaging device
JP4219943B2 (ja) 固体撮像装置
JP2008211229A (ja) モールド成型用金型
JP4264444B2 (ja) 半導体素子収納用樹脂製中空パッケージの製造方法
JP4759314B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置
JP2004146530A (ja) 樹脂製中空パッケージ
JP2004193294A (ja) 半導体用中空樹脂パッケージ
JP4443503B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2008235559A (ja) 中空パッケージおよびその製造方法
JP2014072829A (ja) 中空パッケージ用容器及びその製造方法
JP4013780B2 (ja) 半導体装置の実装構造
JP7241962B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP3706074B2 (ja) 半導体素子装着用中空パッケージ
CN117321762A (zh) 半导体功率模块和用于制造半导体功率模块的方法
JPH0730016A (ja) 放熱板付き半導体装置及びその製造方法
JP2005142334A (ja) プリモールド型の半導体パッケージ及びこれを用いた半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060512

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080328

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080616

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20080716

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20080716

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080815

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080822

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20080919

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100324

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20100426

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100519

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140528

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees