JP2002372473A - 半導体センサ収納容器およびその製造方法、並びに半導体センサ装置 - Google Patents

半導体センサ収納容器およびその製造方法、並びに半導体センサ装置

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JP2002372473A JP2002093505A JP2002093505A JP2002372473A JP 2002372473 A JP2002372473 A JP 2002372473A JP 2002093505 A JP2002093505 A JP 2002093505A JP 2002093505 A JP2002093505 A JP 2002093505A JP 2002372473 A JP2002372473 A JP 2002372473A
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Kazunori Saito
和典 斉藤
Kimiyasu Ashino
仁泰 芦野
Katsumichi Kamiyanagi
勝道 上▲柳▼
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲル状保護部材の溢れ出し等による蓋体の接
着不良を防ぎ、容器本体とリード端子との間の隙間をな
くし、半導体センサ素子を固定した台座への接着剤のは
い上がりを抑制すること。 【解決手段】 容器本体31の表面の、圧力検出室40
の外側に、圧力検出室40から溢れ出したゲル状保護部
材37を溜める溝42を設け、溝42内にゲル状保護部
材37を溜める。容器本体31、蓋体34にそれぞれ互
いに係合する凹部43、凸部44を設け、それらを係合
させて容器本体31に蓋体34を確実に接着する。容器
本体31とリード端子35との間の隙間を、ポリイミド
樹脂等を塗布、硬化させてなる充填部45,46で埋め
る。センサマウント部32に、台座38を接着するため
の接着剤39の過剰な分を溜める逃げ部47を設け、そ
こに余分な接着剤39を溜めることで、接着剤39のは
い上がりを抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体センサ収納
容器およびその製造方法、並びに半導体センサ装置に関
し、特に自動車等の圧力センサに適用して好適な技術に
関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、自動車用の圧力センサ装置で
は、センサ素子としてピエゾ抵抗効果を利用した半導体
圧力センサチップが用いられる。この半導体圧力センサ
は、単結晶シリコン等のダイヤフラム上にピエゾ抵抗効
果を有する材料でできた複数個の半導体歪ゲージをブリ
ッジ接続した構成となっている。圧力変化によりダイヤ
フラムが変形すると、その変形量に応じて半導体歪ゲー
ジのゲージ抵抗が変化し、その変化量が電圧信号として
ブリッジ回路から取り出される。
【0003】図16は、上述した従来の半導体圧力セン
サ装置を示す断面図である。この圧力センサ装置は、容
器本体11に形成された凹状のセンサマウント部12内
に半導体圧力センサチップ13を収納し、容器本体11
に蓋体14をかぶせた構成となっている。半導体圧力セ
ンサチップ13は、容器本体11を貫通して一体にイン
サート成型された外部導出用のリード端子(リードフレ
ーム)15にボンディングワイヤ16を介して電気的に
接続される。半導体圧力センサチップ13の表面とボン
ディングワイヤ16は、ゲル状保護部材17により、被
測定圧力媒体に含まれる汚染物質などの付着から保護さ
れている。
【0004】また、半導体圧力センサチップ13はガラ
ス製の台座18に固定されている。台座18は、容器本
体11の熱膨張の影響が半導体圧力センサチップ13に
及ぶのを抑制するために設けられており、ある程度の厚
さが必要となる。台座18はセンサマウント部12の底
面に接着剤19により接着される。また、蓋体14は、
容器本体11との間の圧力検出室20と、圧力の被測定
空間とを連通接続する圧力導入孔21を有する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の構成の圧力センサ装置では、蓋体14の取り付
け前に、ゲル状保護部材17が圧力検出室20から溢れ
出したり、染み出すことがある。その溢れ出し等によっ
て、蓋体14が容器本体11に対して接着不良となり、
十分な接着強度や気密が得られないという問題点があ
る。
【0006】また、樹脂製の容器本体11とリード端子
15との熱膨張差が大きいため、インサート成型後の収
縮により、容器本体11とリード端子15との間にわず
かに隙間が生じることがある。この隙間ができると、圧
力センサ装置の製造工程において検出圧力値の校正をお
こなう際に、圧力漏れが生じてしまい、正確な校正をお
こなうことができないという不具合が生じる。また、隙
間からゲル状保護部材17が漏れ出ると製品の品質低下
を招くことになる。
【0007】さらには、半導体圧力センサチップ13お
よび台座18からなるセンサユニットのマウントを容易
にするため、センサマウント部12は底にいくにしたが
ってすぼまるようにテーパー形状となっている。そのた
め、接着剤19が、センサマウント部12と台座18と
の間の狭い隙間を毛細管現象やチクソ性などによっては
い上がる場合がある。接着剤19がはい上がると、台座
18の実質的な厚さ寸法が小さくなるので、十分な応力
緩和効果が得られなくなり、容器本体11の熱膨張の影
響によって圧力測定の特性低下を招くという問題点があ
る。
【0008】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、ゲル状保護部材の溢れ出し等による蓋体の
接着不良を防ぐことを目的とする。また、本発明の他の
目的は、容器本体とリード端子との間の隙間をなくすこ
とにある。さらに、本発明は、半導体センサ素子を固定
した台座への接着剤のはい上がりを抑制することを目的
とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、容器本体の表面の、蓋体との当接部位よ
りも内側で、かつ収納部の外側に、溢れ出したゲル状保
護部材を溜める溝を、収納部を囲むように設けることを
特徴とする。この発明によれば、溢れ出したゲル状保護
部材は容器本体の溝内に溜まる。
【0010】また、本発明は、容器本体の、蓋体との当
接部位に、収納部の外側を囲む凹部または凸部を設ける
とともに、蓋体に、容器本体の凹部または凸部と係合す
る凸部または凹部を設けることを特徴とする。この発明
によれば、容器本体に蓋体を接着すると、容器本体の凹
部または凸部と、蓋体の凸部または凹部とが係合する。
【0011】また、本発明は、容器本体の表面とリード
端子との間の隙間を樹脂等の充填部で埋めるか、または
リード端子の、容器本体の内部に接触する部位を樹脂等
の充填部で被覆し、容器本体との間の隙間を埋めること
を特徴とする。この発明によれば、容器本体とリード端
子との間の隙間が充填部により埋められる。また、本発
明は、センサ素子を収納部に固定するための接着剤の過
剰な分を逃がす逃げ部を設けることを特徴とする。この
発明によれば、センサ素子を固定する際の余分な接着剤
は逃げ部に逃げる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を圧力センサ装置
に適用した実施の形態について図面を参照しつつ詳細に
説明する。 実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかる
半導体センサ装置の構成を示す断面図である。この圧力
センサ装置は、樹脂でできた容器本体31の収納部の一
部をなすセンサマウント部32に、センサ素子である半
導体圧力センサチップ33を固定したたとえばガラス製
の台座38を接着剤39により固定し、センサチップ3
3とリード端子(リードフレーム)35とをボンディン
グワイヤ36によって電気的に接続し、ゲル状保護部材
37でセンサチップ33の表面およびボンディングワイ
ヤ36を保護し、容器本体31に蓋体34を接着して圧
力検出室40を構成したものである。収納部の一部をな
す圧力検出室40は、蓋体34を貫通する圧力導入孔4
1によって圧力の被測定空間に連通接続する。半導体セ
ンサ収納容器は容器本体31および蓋体34により構成
される。
【0013】容器本体31は、図2および図3に示すよ
うに、圧力検出室40の外側で、かつ蓋体34との当接
部位よりも内側に、圧力検出室40を囲む溝42を有す
る。この溝42は、圧力検出室40から溢れ出したり、
染み出したりしたゲル状保護部材37を溜めるためのも
のである。溝42の幅および深さは、溢れ出したり染み
出したりすると推測されるゲル状保護部材37の量に応
じて適宜選択される。したがって、蓋体34をかぶせる
前にゲル状保護部材37が圧力検出室40から溢れ出し
たり染み出しても、そのゲル状保護部材37は溝42に
溜まるので、蓋体34との当接部位に付着することはな
い。なお、溢れ出したり染み出したゲル状保護部材37
を溜める溝42を、二重以上に設けてもよい。
【0014】また、容器本体31は、圧力検出室40を
囲むように形成された凹部43を有する。一方、蓋体3
4は、容器本体31にかぶせられたときに圧力検出室4
0を囲むように容器本体31の凹部43と係合する凸部
44を有する。したがって、容器本体31の凹部43に
接着剤を塗布して、蓋体34を容器本体31にかぶせる
と、蓋体34の凸部44が容器本体31の凹部43に係
合して接着されることになる。凹部43と凸部44との
大小関係は、凹部43に凸部44が遊びのある状態で入
る程度でもよいし、隙間なく丁度入る程度でもよい。
【0015】また、容器本体31において、各リード端
子35が容器本体31から外向きに突出する部位にポリ
イミドのような流動性を具えた樹脂が塗布されており、
これが硬化して充填部45となっている。同様に、各リ
ード端子35がセンサチップ33とのワイヤボンディン
グのためにセンサマウント部32に向かって突出する部
位にも、充填部46としてポリイミドのような流動性を
具えた樹脂を塗布し、硬化させている。
【0016】ポリイミド樹脂のような接着剤等は、化学
反応により金属と結合するため、金属との密着強度が非
常に強く、金属表面に固着する。また、ポリイミド樹脂
のような接着剤等は成型樹脂との密着強度も非常に強
い。したがって、ポリイミド樹脂のような接着剤等は、
成型樹脂と金属とを密着させる中間材として作用するた
め、充填部45,46は、容器本体31とリード端子3
5との間にできた隙間を埋めている。
【0017】充填部45,46は、容器本体31の形成
時、即ち、センサユニット33を接着する前に塗布・硬
化させて図2および図3に示す構成としてもよい。ある
いは、容器本体31の形成時には充填部45,46の塗
布・硬化を行わず、センサユニット33を容器本体に接
着し、センサユニットとリード端子とをワイヤボンディ
ングした後に、ポリイミド樹脂等を塗布・硬化させて図
1に示す構成としてもよい。
【0018】ここで、充填部45,46は、いずれか一
方を形成することにより所望の密封度が得られるのであ
れば、他方の形成を省略してもよい。特に、図1の充填
部46のようにワイヤボンディングも覆うように塗布・
硬化させれば、ワイヤボンディング部の強度が高くな
る。なお、図2および図3に示す容器本体を用いて図1
の如くワイヤボンディングも充填部46で覆うために
は、センサユニット33の容器本体への接着、ワイヤボ
ンディング工程の後で再度ポリイミド等の樹脂を塗布・
硬化させればよい。
【0019】また、容器本体31は、センサマウント部
32に、台座38に半導体圧力センサチップ33を固定
したセンサユニットを接着するための接着剤39の過剰
な分を逃がす逃げ部47を有する。センサマウント部3
2は、従来同様、底にいくにしたがってすぼまるように
テーパー形状となっている。つまり、センサマウント部
32の側面は傾斜していることになる。その傾斜した側
面の一部は、傾斜しないように成型されており、その側
面の、傾斜していない部位と台座38との間の隙間が逃
げ部47を構成する。
【0020】図2および図3に示す例では、センサマウ
ント部32の側面のうち、逃げ部47は四方の側面の中
央部分に設けられており、四隅部はテーパー形状となっ
ている。なお、センサマウント部32の内周面の四隅部
を逃げ部とし、四方の側面の中央部分をテーパー部とし
てもよい。また、逃げ部47を必ずしも4箇所設ける必
要はなく、逃げ部47に溜まる接着剤の量に応じて1箇
所以上設ければよい。
【0021】図4は、容器本体31の製造手順を示すフ
ローチャートである。まず、プレス加工によりリード端
子(リードフレーム)35を作製し(ステップS4
1)、それを脱脂処理(ステップS42)、メッキ前処
理(ステップS43)、メッキ処理(ステップS44)
および洗浄、乾燥(ステップS45)した後、金型にセ
ットする(ステップS46)。乾燥させておいた成型樹
脂(ステップS47)を金型に注入し、成型する(ステ
ップS48)。
【0022】脱型後、容器本体31とリード端子(リー
ドフレーム)35との間にできた隙間にポリイミド等の
流動性を有する樹脂を塗布し(ステップS49)、それ
を硬化させて(ステップS50)、容器本体31が完成
する(ステップS51)。このようにして製造された容
器本体31に、台座38に半導体圧力センサチップ33
を固定したセンサユニットを接着し、ワイヤボンディン
グをおこなった後、ゲル状保護部材37を充填し、別途
作製しておいた蓋体34をかぶせれば、圧力センサ装置
ができあがる。
【0023】図4に示すフローチャートでは、容器本体
31の形成時、即ち、センサユニット33を容器本体3
1への接着する前にポリイミドの塗布・硬化を行ってい
る。容器本体31に形成時に、ポリイミドの塗布・硬化
の工程(ステップS49,S50)行わず、センサユニ
ット33を容器本体31へ接着し、センサユニット31
とリード端子35とのワイヤボンディングの後にポリイ
ミドを塗布・硬化させてもよい。
【0024】このように、ワイヤボンディングの後にポ
リイミドの塗布・硬化を行えば、図1に示すように、ボ
ンディング部もポリイミド樹脂で覆うことができる。上
述した実施の形態1によれば、容器本体31に溝42が
設けられているため、圧力検出室40からゲル状保護部
材37が溢れ出したり染み出しても、それは溝42内に
溜まるので、容器本体31の、蓋体34との当接部位に
ゲル状保護部材37が付着するのを防ぐことができる。
したがって、ゲル状保護部材37の溢れ出し等による蓋
体34の接着不良を防ぐことができる。
【0025】また、上述した実施の形態1によれば、容
器本体31および蓋体34にそれぞれ互いに係合する凹
部43および凸部44が設けられているため、容器本体
31に蓋体34を接着すると、それら凹部43と凸部4
4とが係合するため、容器本体31に蓋体34を確実に
接着することができる。したがって、容器本体31と蓋
体34との気密不良を防ぐことができる。
【0026】また、上述した実施の形態1によれば、容
器本体31とリード端子(リードフレーム)35との間
の隙間が充填部45,46により埋められており、容器
本体31とリード端子(リードフレーム)35との間に
隙間がない。そのため、圧力センサ装置の製造工程にお
いて検出圧力値の校正をおこなう際に、圧力漏れが発生
するのを防ぐことができるので、正確な校正をおこなう
ことができる。
【0027】本発明者らが、15個のセンサ装置につい
て、容器本体とリードフレームとの間の隙間を埋める前
と埋めた後で圧力漏れ量を測定し比較した結果を図5に
示す。この測定は、前記センサ装置に所定の圧力(13.3
kPaの負圧)を印加した状態で供給圧力側のバルブを閉
じ、所定時間(30秒)経過後の圧力の増加量を測定し
たものである。すべてのセンサ装置において隙間を埋め
たことによって圧力漏れ量が著しく減少したことがわか
る。また、容器本体31とリード端子(リードフレー
ム)35との間の隙間を埋めたことによって、ゲル状保
護部材37の漏出も防ぐことができるので、品質低下を
防ぐことができる。
【0028】また、上述した実施の形態1によれば、セ
ンサマウント部32に、台座38に半導体圧力センサチ
ップ33を固定したセンサユニットを接着するための接
着剤39の過剰な分を溜める逃げ部47が設けられてお
り、その逃げ部47に接着剤39のはみ出た分が溜まる
ため、台座38に沿って余分な接着剤39がはい上がる
のを抑制することができる。したがって、台座38によ
る熱応力の緩和効果が十分に得られる。また、接着剤3
9のはい上がりが従来よりも少なくなることによって、
従来よりも台座38を薄くすることができるので、台座
のコスト低減を図ることができる。また、台座38が薄
くなれば容器本体31を薄くすることができるので、使
用樹脂量が減り、コストが低減する。
【0029】なお、上述した実施の形態1では、容器本
体31および蓋体34にそれぞれ互いに係合する凹部4
3および凸部44を設けた構成としたが、これに限ら
ず、図6に示すように、容器本体31および蓋体34に
それぞれ互いに係合する凸部48および凹部49を設け
た構成としてもよい。また、上述した実施の形態1で
は、容器本体31に蓋体34をかぶせる構成としたが、
これに限らず、図7に示すように、容器本体31に蓋体
として、自動車等のエンジンに直接実装するためのコネ
クタ51やターミナル52を備えた外装ケース5を接着
する構成としてもよい。この場合、図示例のように、容
器本体31および外装ケース5にそれぞれ互いに係合す
る凹部43および凸部54を設けてもよいし、その反対
に容器本体31および外装ケース5にそれぞれ互いに係
合する凸部および凹部を設けた構成としてもよい。
【0030】実施の形態2.図8は、本発明の実施の形
態2にかかる半導体センサ装置の構成を示す断面図であ
り、図9および図10は、それぞれ半導体センサ収納容
器の構成を示す正面図および断面図である。実施の形態
2が実施の形態1と異なるのはつぎの点である。すなわ
ち、実施の形態1では、容器本体31とリード端子(リ
ードフレーム)35との間の隙間を、リード端35が容
器本体31から露出している側からポリイミド樹脂等を
塗布、硬化させて埋めていた。即ち、リード端子が露出
している部分あるいは露出部の容器本体近傍にポリイミ
ド樹脂等を塗布し、硬化させていた。
【0031】それに対して、実施の形態2では、リード
端子(リードフレーム)35の、容器本体61内に埋め
込まれる部分をポリイミド膜よりなる充填部65で被覆
し、それによって容器本体61とリード端子(リードフ
レーム)35との間の隙間を埋めている。その他の構成
は実施の形態1と同様であるので、実施の形態1と同じ
構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【0032】図11は、容器本体61の製造手順を示す
フローチャートである。リードフレームのプレス加工
(ステップS111)、脱脂処理(ステップS11
2)、メッキ前処理(ステップS113)、メッキ処理
(ステップS114)および洗浄、乾燥(ステップS1
15)の工程までは実施の形態1と同じである。乾燥
後、リード端子(リードフレーム)35の、容器本体6
1内に埋め込まれる部分にポリイミド樹脂を塗布し(ス
テップS116)、それを硬化させる(ステップS11
7)。
【0033】充填部65となるポリイミド膜が被着した
リード端子(リードフレーム)35を金型にセットし
(ステップS118)、その金型に、乾燥させておいた
成型樹脂(ステップS119)を注入して成型し(ステ
ップS120)、脱型すれば容器本体61が完成する
(ステップS121)。このようにして製造された容器
本体61に、台座38に半導体圧力センサチップ33を
固定したセンサユニットを接着し、ワイヤボンディング
をおこなった後、ゲル状保護部材37を充填し、別途作
製しておいた蓋体34をかぶせれば、圧力センサ装置が
できあがる。
【0034】上述した実施の形態2によれば、実施の形
態1と同様に、容器本体61とリード端子(リードフレ
ーム)35との間に隙間ができないため、圧力センサ装
置の製造工程において検出圧力値の校正をおこなう際
に、圧力漏れが発生するのを防ぐことができる。したが
って、正確な校正をおこなうことができる。また、ゲル
状保護部材37の漏出による品質低下を防ぐことができ
る。
【0035】実施の形態3.図12は、本発明の実施の
形態3にかかる半導体センサ装置の構成を示す断面図で
あり、図13および図14は、それぞれ半導体センサ収
納容器の構成を示す正面図および断面図である。実施の
形態3が実施の形態1と異なるのはつぎの点である。す
なわち、実施の形態1では、容器本体31とリード端子
(リードフレーム)35との間の隙間を、外側からポリ
イミド樹脂等を塗布、硬化させて埋めていた。
【0036】それに対して、実施の形態3では、リード
端子(リードフレーム)35の、容器本体71内に埋め
込まれる部分を、あらかじめシリコーンゴム、エポキシ
樹脂、成型樹脂と同じ種類の樹脂(たとえばポリフェニ
レンサルファイド等の熱可塑性樹脂)、または別の種類
の樹脂中に封入(一次成型)することにより充填部75
を形成し、それを用いて容器本体71を成型(二次成
型)する。その他の構成は実施の形態1と同様であるの
で、実施の形態1と同じ構成については同一の符号を付
して説明を省略する。
【0037】図15は、容器本体71の製造手順を示す
フローチャートである。リードフレームのプレス加工
(ステップS151)、脱脂処理(ステップS15
2)、メッキ前処理(ステップS153)、メッキ処理
(ステップS154)、洗浄、乾燥(ステップS15
5)、金型へのリードフレームのセット(ステップS1
56)、一次成型用の樹脂の乾燥(ステップS157)
および成型樹脂の注入、成型(ステップS158)の工
程までは実施の形態1と同じである。ここで、ステップ
158の工程は一次成型工程である。
【0038】その後、二次成型をおこない(ステップS
159)、脱型すれば容器本体71が完成する(ステッ
プS160)。このようにして製造された容器本体71
に、台座38に半導体圧力センサチップ33を固定した
センサユニットを接着し、ワイヤボンディングをおこな
った後、ゲル状保護部材37を充填し、別途作製してお
いた蓋体34をかぶせれば、圧力センサ装置ができあが
る。
【0039】上述した実施の形態3によれば、実施の形
態1と同様に、容器本体71とリード端子(リードフレ
ーム)35との間に隙間ができないため、圧力センサ装
置の製造工程において検出圧力値の校正をおこなう際
に、圧力漏れが発生するのを防ぐことができる。したが
って、正確な校正をおこなうことができる。また、ゲル
状保護部材37の漏出による品質低下を防ぐことができ
る。さらに、シリコーンゴムのように高い弾性を有する
樹脂を用いて一次成型をおこなえば、容器本体71とリ
ード端子(リードフレーム)35との熱膨張差によって
生じる歪みを吸収することができるので、容器本体71
とリード端子(リードフレーム)35との間の隙間をよ
り完全に塞ぐことができる。
【0040】以上において本発明は、圧力センサ装置に
限らず、加速度センサ装置や温度センサ装置や物理量セ
ンサ装置など、種々のセンサ装置に適用することができ
る。
【0041】
【発明の効果】本発明によれば、溢れ出したゲル状保護
部材が溝内に溜まるので、容器本体の、蓋体との当接部
位にゲル状保護部材が付着するのを防ぐことができる。
したがって、ゲル状保護部材の溢れ出し等による蓋体の
接着不良を防ぐことができる。別の発明によれば、容器
本体に蓋体を接着すると、容器本体の凹部または凸部
と、蓋体の凸部または凹部とが係合するため、容器本体
に蓋体を確実に接着することができる。
【0042】したがって、気密不良を防ぐことができ
る。また、別の発明によれば、容器本体とリード端子と
の間の隙間が充填部により埋められるので、容器本体と
リード端子との間の隙間をなくすことができる。さらに
別の発明によれば、センサ素子を固定する際の余分な接
着剤が逃げ部に逃げるため、センサ素子を固定した台座
への接着剤のはい上がりを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1にかかる半導体センサ装
置の構成を示す断面図である。
【図2】本発明の実施の形態1にかかる半導体センサ収
納容器の構成を示す正面図である。
【図3】図2のA−Aにおける断面図である。
【図4】図2および図3に示す半導体センサ収納容器の
製造手順を示すフローチャートである。
【図5】本発明の実施の形態1にかかる半導体センサ収
納容器と従来の収納容器との圧力漏れ量を比較したグラ
フである。
【図6】本発明の実施の形態1にかかる半導体センサ装
置の他の構成を示す断面図である。
【図7】本発明の実施の形態1にかかる半導体センサ装
置のさらに他の構成を示す断面図である。
【図8】本発明の実施の形態2にかかる半導体センサ装
置の構成を示す断面図である。
【図9】本発明の実施の形態2にかかる半導体センサ収
納容器の構成を示す正面図である。
【図10】図9のB−Bにおける断面図である。
【図11】図9および図10に示す半導体センサ収納容
器の製造手順を示すフローチャートである。
【図12】本発明の実施の形態3にかかる半導体センサ
装置の構成を示す断面図である。
【図13】本発明の実施の形態3にかかる半導体センサ
収納容器の構成を示す正面図である。
【図14】図13のC−Cにおける断面図である。
【図15】図13および図14に示す半導体センサ収納
容器の製造手順を示すフローチャートである。
【図16】従来の半導体圧力センサ装置の構成を示す断
面図である。
【符号の説明】
31,61,71 容器本体 32 センサマウント部(収納部) 33 半導体圧力センサチップ(センサ素子) 34 蓋体 35 リード端子 38 台座 39 接着剤 40 圧力検出室(収納部) 42 溝 43,49 凹部 44,48 凸部 45,46,65,75 充填部 47 逃げ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上▲柳▼ 勝道 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 Fターム(参考) 2F055 AA40 BB20 CC02 DD04 EE13 FF38 FF49 GG12 GG25 4M112 AA01 BA01 CA01 CA07 DA18 DA20 EA03 EA11 EA13 EA14 GA01

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 センサ素子を収納する収納部を有する容
    器本体と、 前記収納部を塞ぐための蓋体と、 前記容器本体の、前記蓋体により塞がれる領域で、前記
    蓋体との当接部位よりも内側にて前記収納部の外側を囲
    む溝と、 を具備することを特徴とする半導体センサ収納容器。
  2. 【請求項2】 センサ素子を収納する収納部を有する容
    器本体と、 前記収納部を塞ぐための蓋体と、 前記容器本体の、前記蓋体との当接部位にて前記収納部
    の外側を囲む凹部または凸部と、 前記蓋体の、前記容器本体との当接部位にて容器本体の
    前記凹部または前記凸部と係合する凸部または凹部と、 を具備することを特徴とする半導体センサ収納容器。
  3. 【請求項3】 センサ素子を収納する収納部を有する容
    器本体と、 前記収納部を塞ぐための蓋体と、 前記容器本体の、前記蓋体により塞がれる領域で、前記
    蓋体との当接部位よりも内側にて前記収納部の外側を囲
    む溝と、 前記容器本体の、前記蓋体との当接部位にて前記収納部
    の外側を囲む凹部または凸部と、 前記蓋体の、前記容器本体との当接部位にて容器本体の
    前記凹部または前記凸部と係合する凸部または凹部と、 を具備することを特徴とする半導体センサ収納容器。
  4. 【請求項4】 センサ素子を収納する収納部を有する容
    器本体と、 前記容器本体の前記収納部側から前記容器本体の外側へ
    突出するリード端子と、 前記容器本体の表面と前記リード端子との境界に存在す
    る隙間を埋める充填部と、 を具備することを特徴とする半導体センサ収納容器。
  5. 【請求項5】 センサ素子を収納する収納部を有する容
    器本体と、 前記容器本体の前記収納部側から前記容器本体の外側へ
    突出するリード端子と、 前記リード端子の、前記容器本体の内部に埋まる所定部
    位を被覆して前記容器本体との境界に存在する隙間を埋
    める充填部と、 を具備することを特徴とする半導体センサ収納容器。
  6. 【請求項6】 請求項4または5のいずれかに記載の半
    導体センサ収納容器において、 前記収納部を塞ぐための蓋体と、 前記容器本体の、前記蓋体により塞がれる領域で、前記
    蓋体との当接部位よりも内側にて前記収納部の外側を囲
    む溝と、 前記容器本体の、前記蓋体との当接部位にて前記収納部
    の外側を囲む凹部または凸部と、 前記蓋体の、前記容器本体との当接部位にて容器本体の
    前記凹部または前記凸部と係合する凸部または凹部と、 をさらに具備することを特徴とする半導体センサ収納容
    器。
  7. 【請求項7】 センサ素子を収納する収納部を有する容
    器本体と、 前記収納部の底部に対する前記センサ素子の固定に供せ
    られる接着剤の過剰な分を前記収納部の内周面から逃が
    すための逃げ部と、 を具備することを特徴とする半導体センサ収納容器。
  8. 【請求項8】 請求項1〜6のいずれか一つに記載の半
    導体センサ収納容器において、 前記収納部の底部に対する前記センサ素子の固定に供せ
    られる接着剤の過剰な分を前記収納部の内周面から逃が
    すための逃げ部と、 をさらに具備することを特徴とする半導体センサ収納容
    器。
  9. 【請求項9】 請求項4に記載の半導体センサ収納容器
    を製造する方法において、 リード端子を容器本体とともにインサート成型する工程
    と、 成型後の前記容器本体の表面と前記リード端子との境界
    部分に樹脂を塗布して、その境界に存在する隙間を埋め
    る工程と、 を含むことを特徴とする半導体センサ収納容器の製造方
    法。
  10. 【請求項10】 請求項5に記載の半導体センサ収納容
    器を製造する方法において、 リード端子の、容器本体の内部に埋まる所定部位を樹脂
    膜で被覆する工程と、 前記リード端子を容器本体とともにインサート成型する
    工程と、 を含むことを特徴とする半導体センサ収納容器の製造方
    法。
  11. 【請求項11】 請求項5に記載の半導体センサ収納容
    器を製造するにあたり、 リード端子の、容器本体の内部に埋まる所定部位をあら
    かじめ一次成型して樹脂中に封入する工程と、 前記リード端子を容器本体とともに二次成型して最終形
    状に成型する工程と、 を含むことを特徴とする半導体センサ収納容器の製造方
    法。
  12. 【請求項12】 請求項1〜6のいずれか一つに記載の
    半導体センサ収納容器の収納部に半導体センサ素子が収
    納され、前記収納部が蓋体で塞がれてなることを特徴と
    する半導体センサ装置。
  13. 【請求項13】 請求項1〜3のいずれかに記載の半導
    体センサ収納容器を用いた半導体センサ装置において、
    前記容器本体の前記収納部側から前記容器本体の外側へ
    突出するリード端子と、前記収納部に固定したセンサ素
    子と、前記リード端子と前記センサ素子とを接続するボ
    ンディングワイヤと、前記リード端子の前記収納部側の
    露出部および該リード端子と前記ボンディングワイヤと
    の接続部位を覆うとともに、前記収納部側における前記
    リード端子と前記容器本体との境界に存在する隙間を埋
    める充填部を備えたことを特徴とする半導体センサ装
    置。
  14. 【請求項14】 センサ素子を収納する収納部を有する
    容器本体と、前記容器本体の前記収納部側から前記容器
    本体の外側へ突出するリード端子と、前記収納部に固定
    したセンサ素子と、前記リード端子と前記センサ素子と
    を接続するボンディングワイヤと、前記リード端子の前
    記収納部側の露出部および該リード端子と前記ボンディ
    ングワイヤとの接続部位を覆うとともに、前記収納部側
    における前記リード端子と前記容器本体との境界に存在
    する隙間を埋める充填部を備えたことを特徴とする半導
    体センサ装置。
  15. 【請求項15】請求項13または14のいずれかに記載
    の半導体センサ装置において、前記収納部の底部に対す
    る前記センサ素子の固定に供せられる接着剤の過剰な分
    を前記収納部の内周面から逃がすための逃げ部を具備す
    ることを特徴とする半導体センサ装置。
  16. 【請求項16】 請求項7または8のいずれかに記載の
    半導体センサ収納容器の収納部に、半導体センサ素子
    が、該半導体センサ素子と容器本体との熱膨張差によっ
    て生じる応力を緩和するための台座に固定された状態で
    収納され、前記収納部が蓋体で塞がれてなることを特徴
    とする半導体センサ装置。
  17. 【請求項17】 前記半導体センサ素子は、圧力を電気
    信号に変換する圧力センサ素子であることを特徴とする
    請求項12または16に記載の半導体センサ装置。
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