DE10216019A1 - Behälter für Halbleitersensor, Verfahren zu dessen Herstellung und Halbleitersensorvorrichtung - Google Patents
Behälter für Halbleitersensor, Verfahren zu dessen Herstellung und HalbleitersensorvorrichtungInfo
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Abstract
Auf der Oberfläche eines einen Druckmeßraum (40) umgebenden Gehäuseteils (31) ist eine Nut (42) vorgesehen, um das Gelschutzmaterial (37) aufzufangen, das aus dem Druckmeßraum (40) überläuft. Der Gehäuseteil (31) und ein Deckel (34) sind mit einem Ausnehmungsabschnitt (43) bzw. einem Vorsprungsabschnitt (44) versehen, die in Eingriff miteinander stehen, um eine sichere Befestigung des Deckels (34) an dem Gehäuseteil (31) sicherzustellen. Die Zwischenräume zwischen dem Gehäuseteil (31) und Anschlußleitungen (35), die den Gehäuseteil durchsetzen, sind mit einem Füllstoff (45, 46) gefüllt, der durch Aufbringen und Aushärten von Polyimidharz gebildet wird. Eine im Gehäuseteil vorgesehene Sensormontagevertiefung (32) ist mit einem Entlastungsabschnitt (47) versehen, damit der überschüssige Teil des Klebstoffs, der zum Befestigen eines Sockels (38) für die Montage eines Sensors (33) verwendet wird, entweichen kann. Der überschüssige Teil des Klebstoffs wird in den Entlastungsabschnitt (47) geleitet, um das Hochkriechen des Klebstoffs zu vermeiden. Mit dieser Anordnung können eine nicht ausreichende Befestigung des Deckels aufgrund eines Überlaufens des Gelschutzmaterials verhindert, Zwischenräume zwischen dem Gehäuseteil und den Anschlußleitungen beseitig und das Hochkriechen des Klebstoffs an dem Sockel entlang verhindert werden.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Behälter für einen Halbleitersensor, ein Verfahren zu dessen
Herstellung und eine Halbleitersensorvorrichtung. Die vorliegende Erfindung betrifft insbesondere
Technologie, die vorzugsweise bei einem Drucksensor für beispielsweise Automobile eingesetzt
wird.
Eine Drucksensorvorrichtung für ein Automobil verwendet im allgemeinen einen Halbleiterdrucksen
sorchip, bei dem der Piezowiderstandseffekt ausgenützt wird. Der Halbleiterdrucksensor umfaßt eine
Mehrzahl brückenartig miteinander verbundener Halbleitermeßvorrichtungen für mechanische
Spannungen, die auf einer Membran aus beispielsweise einkristallinem Silizium angeordnet sind.
Diese Spannungsmeßvorrichtungen sind aus einem Material hergestellt, das den Piezowiderstands
effekt aufweist. Der Meßwiderstand dieser Halbleiterspannungsmeßvorrichtungen variiert mit der
Verformung der Membran aufgrund der Druckänderung. Die Widerstandsänderung wird aus der
Brückenschaltung als elektrisches Spannungssignal ausgegeben.
Fig. 16 ist eine Querschnittsansicht einer herkömmlichen Halbleiterdrucksensorvorrichtung. Diese
Drucksensorvorrichtung umfaßt einen Gehäuseteil 11, der einen Halbleiterdrucksensorchip 13 in
einer Sensormontagevertiefung 12 enthält, die ein wannenförmiger Abschnitt ist, der in dem
Gehäuseteil gebildet ist, und einen Deckel 14, der den Gehäuseteil verschließt. Der Drucksensor
chip 13 ist durch Verbindungsdrähte 16 mit Anschlußleitungen 15 für den Anschluß nach außen
elektrisch verbunden. Die Anschlußleitungen 15, die einen Leiterrahmen bilden, sind durch Einsatz
gießen einstückig mit dem Gehäuseteil 11 gebildet und durchsetzen diesen. Die Oberfläche des
Drucksensorchips 13 und die Verbindungsdrähte 16 werden durch Gelschutzmaterial 17 davor
bewahrt, daß Verunreinigungen, die sich in dem Medium für die Druckmessung befinden, darauf
anhaften.
Der Drucksensorchip 13 ist auf einem Sockel 18 befestigt, der aus Glas hergestellt ist. Der Sockel
18 ist vorgesehen, um zu verhindern, daß die Wärmeausdehnung des Gehäuseteils 11 den
Drucksensorchip 13 beeinträchtigt oder beschädigt. Demzufolge ist eine bestimmte Dicke für den
Sockel erforderlich. Der Sockel 18 ist mit einem Klebstoff 19 an den Boden der Sensormontagever
tiefung 12 angeklebt. Der Deckel 14 weist ein Druckzutrittsloch 21 auf, der einen Raum, dessen
Druck gemessen werden soll, und einen zwischen dem Gehäuseteil 11 und dem Deckel 14 befindli
chen Druckmeßraum 20 verbindet.
Bei der oben beschriebenen herkömmlichen Drucksensorvorrichtung kann jedoch das Gelschutz
material 17 überlaufen oder aus dem Druckmeßraum 20 heraussickern, bevor der Deckel 14 an dem
Gehäuseteil 11 befestigt wird. Das Überlaufen bewirkt ein schädliches Anhaften des Deckels 14 an
dem Gehäuseteil 11, was zu Problemen des nicht ausreichenden Anhaftens und einer unzureichen
den Gasdichtigkeit führt.
Aufgrund des großen Unterschieds der jeweiligen Wärmeausdehnung des Gehäuseteils 11 aus
Kunstharz und der Anschlußleitungen 15 können aufgrund des Schrumpfens nach dem Einsatz
gießen kleine Zwischenräume zwischen dem Gehäuseteil 11 und den Anschlußleitungen 15 gebildet
werden. Diese Zwischenräume verursachen ein Druckleck bei der Kalibrierung eines Meßdruckwerts
beim Herstellungsprozeß der Drucksensorvorrichtung. Dies ist eine Schwierigkeit, welche die
korrekte Kalibrierung stört. Außerdem bewirkt das Herauslecken des Gelschutzmaterials 17 durch
die Zwischenräume eine Beschädigung des Produkts.
Die Sensormontagevertiefung 12 weist eine schräge Form auf, wobei sie im Bereich des Bodens
schmäler ist, damit die Montage einer Sensoreinheit, die aus einem Drucksensorchip 13 und dem
Sockel 18 besteht, erleichtert wird. Längs des schmalen Spalts zwischen der Sensormontagevertie
fung 12 und dem Sockel 18 kann der Klebstoff 19 durch Kapillarwirkung oder Thixotropie hochkrie
chen. Das Hochkriechen des Klebstoffs 19 reduziert die effektive Dicke des Sockels 18, was eine
ausreichende Abschwächung mechanischer Spannungen behindert. Somit besteht das Problem, daß
die Leistungsfähigkeit der Druckmessung durch den Einfluß der Wärmeausdehnung des Gehäuseteils
11 verschlechtert wird.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein fehlerhaftes Anhaften des Deckels
aufgrund des Überlaufens des Gelschutzmaterials zu vermeiden. Eine weitere Aufgabe der
Erfindung besteht darin, Zwischenräume zwischen dem Gehäuseteil und den Anschlußleitungen zu
beseitigen. Außerdem soll das Hochkriechen des Klebstoffs an dem das Halbleitersensorelement
fixierenden Sockels entlang unterdrückt werden.
Diese Aufgaben werden mit einem Behälter für einen Halbleitersensor gemäß Anspruch 1, 2, 4, 5
bzw. 7, einem Verfahren zur Herstellung eines solchen Behälters gemäß Anspruch 9, 10 bzw. 11
sowie einer Halbleitersensorvorrichtung gemäß Anspruch 12, 13, 14 bzw. 16 gelöst. Vorteilhafte
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Erfindungsgemäß enthält ein Behälter für einen Halbleitersensor eine Nut auf einem Oberflächenab
schnitt eines Gehäuseteils innerhalb einer Position, die in Kontakt mit einem Deckel steht und
außerhalb eines Gehäusehohlraums liegt, so daß die Nut den Gehäusehohlraum umgibt und das
Gelschutzmaterial auffängt, das aus dem Gehäusehohlraum überläuft. Aufgrund des erfindungsge
mäßen Aufbaus wird das übergelaufene Gelschutzmaterial in der Nut des Gehäuseteils aufgefan
gen.
Ein Gehäuseteil eines Behälters für einen Halbleitersensor ist gemäß der vorliegenden Erfindung mit
einem Ausnehmungsabschnitt oder einem Vorsprungsabschnitt versehen, der den Gehäusehohl
raum auf einem Abschnitt des Gehäuseteils, der in Kontakt mit einem Deckel steht, umgibt, während
der Deckel mit einem Vorsprungsabschnitt oder einem Ausnehmungsabschnitt versehen ist, der in
Eingriff mit dem Ausnehmungsabschnitt bzw. dem Vorsprungsabschnitt des Gehäuseteils steht. Ge
mäß diesem Merkmal der vorliegenden Erfindung steht der Ausnehmungsabschnitt oder der
Vorsprungsabschnitt des Gehäuseteils in Eingriff mit dem Vorsprungsteil oder dem Ausnehmungsteil
des Deckels, wenn der Deckel an dem Gehäuseteil befestigt ist.
Bei einem Behälter für einen Halbleitersensor gemäß der vorliegenden Erfindung werden Zwischen
räume zwischen einer Außenfläche des Gehäuseteils und Anschlußleitungen mit einem Füllstoff wie
beispielsweise Harz gefüllt. Zwischenräume zwischen den Anschlußleitungen und dem Gehäuseteil
an der Innenseite des Gehäuseteils werden durch Umschließen jeweiliger Teile der Anschlußleitun
gen, die in Kontakt mit einem Innenteil des Gehäuseteils stehen, mit einem Füllstoff wie beispiels
weise Kunstharz gefüllt. Gemäß diesem Merkmal der Erfindung ist ein Spalt zwischen dem Gehäu
seteil und den Anschlußleitungen mit einem Füllstoff gefüllt.
Bei einem Behälter für einen Halbleitersensor ist gemäß der Erfindung der Innenabschnitt des
Gehäuseteils mit einem Aussparungs- bzw. Entlastungsabschnitt versehen, damit der überschüssige
Teil des Klebstoffs, der zum Befestigen eines Sensorelements in dem Gehäusehohlraum dient,
entweichen kann. Gemäß diesem Merkmal der Erfindung läuft beim Befestigen des Sensorelements
überschüssiger Klebstoff zu dem Aussparungsabschnitt aus.
Weitere Vorteile, Merkmale und Besonderheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden
Beschreibung vorteilhafter Ausführungsformen der Erfindung unter Bezug auf die Zeichnungen. Es
zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht des Aufbaus einer Halbleitersensorvorrichtung gemäß einer
ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht auf den Aufbau eines Behälters gemäß der ersten Ausführungsform;
Fig. 3 eine Querschnittsansicht längs der Linie A-A in Fig. 2;
Fig. 4 ein Flußdiagramm, das eine Herstellungsprozedur eines Gehäuseteils eines in den Fig. 2
und 3 dargestellten Behälters zeigt;
Fig. 5 einen Graphen, in dem Werte der Druckleckrate in einem Behälter gemäß der ersten
Ausführungsform der Erfindung und der Druckleckrate bei einem herkömmlichen Behälter
für einen Halbleitersensor verglichen werden;
Fig. 6 eine Querschnittsansicht eines anderen Aufbaus einer Halbleitersensorvorrichtung gemäß
der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 eine Querschnittsansicht eines weiteren Aufbaus einer Halbleitersensorvorrichtung
gemäß der ersten Ausführungsform;
Fig. 8 eine Querschnittsansicht einer Halbleitersensorvorrichtung gemäß der zweiten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 9 eine Draufsicht eines Aufbaus eines Behälters für einen Halbleitersensor gemäß der
zweiten Ausführungsform;
Fig. 10 eine Querschnittsansicht längs der Linie B-B in Fig. 9;
Fig. 11 ein Flußdiagramm, das eine Herstellungsprozedur eines Gehäuseteils eines in den Fig. 9
und 10 dargestellten Behälters zeigt;
Fig. 12 eine Querschnittsansicht eines Aufbaus einer Halbleitersensorvorrichtung gemäß der
dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 13 eine Draufsicht auf den Aufbau eines Behälters für einen Halbleitersensor gemäß der
dritten Ausführungsform;
Fig. 14 eine Querschnittsansicht längs der Linie C-C in Fig. 13;
Fig. 15 ein Flußdiagramm, das eine Herstellungsprozedur eines Gehäuseteils eines in den Fig.
13 und 14 gezeigten Behälters zeigt; und
Fig. 16 eine Querschnittsansicht eines Aufbaus einer herkömmlichen Halbleitersensorvorrichtung.
Die Erfindung wird nun in ihrer Anwendung auf Drucksensorvorrichtungen beschrieben.
Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer Halbleitersensorvorrichtung gemäß einer
ersten Ausführungsform der Erfindung zeigt. Diese Drucksensorvorrichtung umfaßt einen aus
Kunstharz bzw. Kunststoff gebildeten Gehäuseteil 31, der mit einem Gehäusehohlraum versehen ist.
Ein Halbleiterdrucksensorchip 33, der ein Sensorelement ist, ist auf einem aus beispielsweise Glas
gebildeten Sockel 38 montiert, der mit Klebstoff 39 in einer Sensormontagevertiefung 32 befestigt
ist, die ein Teil des Gehäusehohlraums ist. Der Sensorchip 33 ist mit Verbindungsdrähten 36 mit
Anschlußleitungen 35 elektrisch verbunden, die Leiterrahmen darstellen. Ein Gelschutzmaterial 37
schützt die Oberfläche des Sensorchips 33 und die Verbindungsdrähte 36. Ein Druckmeßraum 40 ist
durch Befestigen eines Deckels 34 am Gehäuseteil 31 gebildet. Der Druckmeßraum 40 ist über ein
in dem Deckel 34 vorgesehenes Druckzutrittsloch 41 mit einem Raum verbunden, dessen Druck
gemessen werden soll. Ein Behälter für den Halbleitersensor umfaßt den Gehäuseteil 31 und den
Deckel 34.
Wie in den Fig. 2 und 3 gezeigt, ist der Gehäuseteil 31 mit einer Nut 42 versehen, die den Druck
meßraum 40 umgibt, wobei die Nut radial bzw. in Richtung zum Außenrand hin außerhalb des
Druckmeßraums 40 und radial bzw. in Richtung zum Außenrand hin innerhalb eines den Deckel 34
berührenden Abschnitts angeordnet ist. Die Nut 42 ist vorgesehen, um Gelschutzmaterial 37
aufzufangen, das aus dem Druckmeßraum 40 herausfließt oder heraussickert. Die Breite und die
Tiefe der Nut 42 werden nach Maßgabe der geschätzten Menge an herausfließendem oder
heraussickerndem Gelschutzmaterial 37 in geeigneter Weise gewählt. Wenn das Gelschutzmaterial
37 aus dem Druckmeßraum 40 vor dem Aufsetzen des Deckels 34 überläuft oder heraussickert, wird
das Gelschutzmaterial 37 von der Nut 42 aufgefangen und davor bewahrt, an dem Abschnitt des
Gehäuseteils anzuhaften, mit dem der Deckel 34 in Berührung kommt. Zwei oder mehrere Nuten
können zum Auffangen des überlaufenden oder heraussickernden Gelschutzmaterials 37 vorgese
hen werden.
Der Gehäuseteil 31 ist mit einem Ausnehmungsabschnitt 43 versehen, der den Druckmeßraum 40
umgebend ausgebildet ist. Der Deckel 34 ist andererseits mit einem Vorsprungsabschnitt 44
versehen, der in den Ausnehmungsabschnitt 43 des Gehäuseteils 31 eingreift und den Druckmeß
raum 40 umgibt, wenn der Deckel 34 auf dem Gehäuseteil 31 aufgesetzt ist. Wenn Klebstoff in den
Ausnehmungsabschnitt 43 des Gehäuseteils 31 eingebracht und der Deckel 34 auf den Gehäuseteil
31 aufgesetzt wird, greift der Vorsprungsabschnitt 44 des Deckels 34 in den Ausnehmungsabschnitt
43 des Gehäuseteils 31 ein, und die zwei Teile werden aneinander befestigt. Die relative Größe der
Ausnehmung 43 und des Vorsprungs 44 können entweder so bemessen sein, daß der Vorsprung 44
mit einem gewissen Spiel in die Ausnehmung 43 eingesetzt ist oder daß diese beiden ohne
Toleranzen zusammengepaßt werden.
Ein Kunststoff, der Fluidität besitzt, wie beispielsweise Polyimid, wird als Füllstoff 45 an den Stellen
aufgebracht, an denen die einzelnen Anschlußleitungen 35 aus der äußeren Oberfläche des
Gehäuseteils 31 hervorragen. Durch Aushärten des Kunststoffs wird ein Füllstoff 45 gebildet. Der
Füllstoff 46 ist auch an den Stellen vorgesehen, an denen die einzelnen Anschlußleitungen 35 für
die Drahtverbindung mit dem Sensorchip 33 in die Sensormontagevertiefung 32 hineinragen. Der
Füllstoff 46 wird ebenfalls durch Auftragen flüssigen Kunststoffes wie beispielsweise Polyimid und
Aushärten des Kunststoffs gebildet.
Klebstoffe wie beispielsweise Polyimidharz haften mit sehr hoher Haftfestigkeit an einer Metallober
fläche an, da sich solche Klebstoffe durch chemische Reaktion mit dem Metall verbinden. Außerdem
weisen Klebstoffe wie beispielsweise Polyimidharz auch bei Gußharz eine große Haftstärke auf.
Demzufolge dient ein Klebstoff wie beispielsweise Polyimidharz als Zwischenmaterial, welches das
Metall mit dem Gußharz verbindet, und der Füllstoff 45 sowie der Füllstoff 46 füllen den Spalt
zwischen dem Gehäuseteil 31 und der Anschlußleitung 35.
Die Füllstoffe 45 und 46 können aufgetragen und ausgehärtet werden, um beim Prozeß der
Herstellung des Gehäuseteils 31 den in den Fig. 2 und 3 gezeigten Aufbau zu bilden, das heißt vor
dem Schritt des Befestigens einer Sensoreinheit, die aus dem Halbleiterdrucksensorchip 33 und
dem den Sensorchip 33 befestigenden Sockel 38 besteht. Alternativ können die Füllstoffe 45 und 46
nicht im Herstellungsprozeß des Gehäuseteils 31 gebildet werden, sondern sie können auf den
Aufbau von Fig. 1 nach einem Schritt der Drahtverbindung zwischen der Sensoreinheit und den
Anschlußleitungen, der dem Schritt der Befestigung der Sensoreinheit am Gehäuseteil folgt,
aufgebracht und ausgehärtet werden. Wenn bereits einer der Füllstoffe 45 und 46 ausreicht, um eine
Abdichtung zu erzielen, die dicht genug ist, braucht kein weiterer gebildet zu werden. Wenn der
Füllstoff 46 aufgetragen und ausgehärtet wird, um den in Fig. 1 gezeigten Drahtverbindungsab
schnitt zu überziehen, wird die Drahtverbindung sehr fest bzw. stabil. Um bei Verwendung des in
den Fig. 2 und 3 gezeigten Gehäuseteils den Drahtverbindungsabschnitt mit dem Füllstoff 46 gemäß
Darstellung in Fig. 1 zu überziehen, wird nach dem Schritt des Befestigens der Sensoreinheit auf
dem Gehäuseteil und dem Schritt der Drahtverbindung wieder ein Harz bzw. Kunststoff wie Polyimid
aufgetragen und ausgehärtet.
Der Gehäuseteil 31 weist in der Sensormontagevertiefung 32 einen Entlastungs- bzw. Aussparungs
abschnitt 47 auf, der überschüssigen Klebstoff 39 aufnehmen kann. Der Klebstoff wird zum
Befestigen einer Sensoreinheit, die aus einem Halbleiterdrucksensorchip 33 und einem Sockel 38
besteht, der den Sensorchip befestigt, verwendet. Die Sensormontagevertiefung 32 weist schräg
stehende Wände auf, so daß die Vertiefung zu ihrem Boden hin schmäler wird, wie eine herkömmli
che Sensormontagevertiefung. Das heißt, die Seitenwände der Sensormontagevertiefung 32 sind
geneigt. Ein Abschnitt jeder Seitenwand ist so ausgebildet, daß er nicht geneigt ist. Ein Spalt
zwischen dem nichtgeneigten Abschnitt der Seitenwand und dem Sockel 38 dient als Raum für den
Aussparungsabschnitt 47.
Bei dem in den Fig. 2 und 3 gezeigten Beispiel ist der Aussparungsabschnitt 47 im Bereich der Mitte
jeder der vier Seitenwände der Sensormontagevertiefung 32 gebildet, während die vier Eckbereiche
die schräge Form aufweisen. Der Aussparungsabschnitt kann aber auch in den vier Eckabschnitten
der inneren Seitenwände der Sensormontagevertiefung 32 gebildet sein, wobei dann die mittleren
Bereiche schräg sind. Der Aussparungsabschnitt 47 ist nicht notwendigerweise an vier Stellen
vorgesehen. Abhängig von der Menge des Klebstoffs, von der geschätzt wird, daß sie in dem
Aussparungsabschnitt aufgefangen wird, werden eine oder mehrere Hohlräume für den Ausspa
rungsabschnitt 47 gebildet.
Fig. 4 ist ein Flußdiagramm, das eine Prozedur zur Herstellung eines Gehäuseteils 31 zeigt. Zuerst
werden Anschlußleitungen 35, die Leiterrahmen sind, gebildet (Schritt S41). Dann werden die
Schritte des Entfettens (Schritt S42), der Vorplattierungsbehandlung (Schritt S43), der Plattierung
(Schritt S44) und des Reinigens sowie des Trocknens (Schritt S45) ausgeführt. Der resultierende
Leiterrahmen wird in einer Gußform angeordnet (Schritt S46). Gußharz, das vorab getrocknet
worden ist (Schritt S47), wird in die Gußform eingespritzt, und das Formen wird ausgeführt (Schritt
S48).
Nach dem Entfernen des Gußgegenstands aus der Gußform wird flüssiger Kunststoff wie beispiels
weise Polyimid in die Zwischenräume zwischen dem Gehäuseteil 31 und den Anschlußleitungen 35
eingebracht (Schritt S49) und ausgehärtet (Schritt S50), um den Gehäuseteil 31 fertigzustellen
(Schritt S51). An dem so hergestellten Gehäuseteil 31 wird eine Sensoreinheit befestigt, die aus
einem Halbleiterdrucksensorchip 33 und einem den Chip befestigenden Sockel 38 besteht. Nach
dem Ausführen der Drahtverbindung wird ein Gelschutzmaterial eingefüllt, und ein getrennt
hergestellter Deckel 34 wird aufgesetzt, um eine Drucksensorvorrichtung fertigzustellen.
In dem Flußdiagramm von Fig. 4 wird das Polyimidharz im Prozeß der Herstellung des Gehäuseteils
31 aufgetragen (Schritt S49) und ausgehärtet (Schritt S50), das heißt vor dem Schritt der Befesti
gung der Sensoreinheit an dem Gehäuseteil 31. Alternativ können die Schritte des Auftragens und
Aushärtens des Polyimidkunstharzes nicht im Herstellungsprozeß des Gehäuseteils 31 ausgeführt
werden, sondern das Polyimidkunstharz kann nach den Schritten der Befestigung der Sensoreinheit
an dem Gehäuseteil und der Drahtverbindung zwischen der Sensoreinheit und den Anschlußleitun
gen aufgetragen und ausgehärtet werden. Wenn das Polyimidkunstharz nach dem Drahtverbin
dungsschritt aufgetragen und ausgehärtet wird, kann der Verbindungsabschnitt mit dem Polyimid
harz überzogen werden.
Gemäß der oben beschriebenen ersten Ausführungsform fängt, falls das Gelschutzmaterial 37
überläuft oder aus dem Druckmeßraum 40 heraussickert, die im Gehäuseteil 31 vorgesehenen Nut
42 das Gelschutzmaterial auf. Somit wird verhindert, daß das Gelschutzmaterial an dem Abschnitt
des Gehäuseteils 31 anhaftet, an dem es in Kontakt mit dem Deckel 34 kommt. Daher wird nicht-
ausreichendes Anhaften des Deckels 34 aufgrund des Überlaufens des Gelschutzmaterials
vermieden.
Bei der oben beschriebenen ersten Ausführungsform sind der Gehäuseteil 31 und der Deckel 34 mit
einem Ausnehmungsabschnitt 43 bzw. einem Vorsprungsabschnitt 44 versehen, die ineinander
eingreifen. Da die Ausnehmung 43 in Eingriff mit dem Vorsprung 44 steht, wenn der Deckel 34 an
dem Gehäuseteil 31 befestigt wird, ist der Deckel 34 zuverlässig an dem Gehäuseteil 31 befestigt,
wodurch eine fehlerhafte Gasdichtigkeit zwischen dem Gehäuseteil 31 und dem Deckel 34 vermie
den wird.
Bei der oben beschriebenen ersten Ausführungsform sind die Zwischenräume zwischen dem
Gehäuseteil 31 und den Anschlußleitungen 35, die einen Leiterrahmen darstellen, mit dem Füllstoff
45 und 46 gefüllt, und somit werden diese Zwischenräume zwischen dem Gehäuseteil 31 und den
Anschlußleitungen 35 beseitigt. Daher werden Drucklecks vermieden, wenn eine Kalibrierung des
Meßdruckwerts beim Herstellungsprozeß einer Drucksensorvorrichtung ausgeführt wird, was eine
exakte Kalibrierung ermöglicht.
Fig. 5 zeigt das Ergebnis der Messung und des Vergleichs von Druckleckraten vor und nach dem
Auffüllen der Zwischenräume zwischen dem Gehäuseteil und den Anschlußleitungen, die von den
Erfindern bei 15 Sensorvorrichtungen gemessen wurden. Die Messung wurde durch Anlegen eines
Unterdrucks von 13,3 kPa, was einem Absolutdruck von 88 kPa entspricht, an die Sensorvorrichtung
und Schließen des Ventils auf der Druckquellenseite der Sensorvorrichtung ausgeführt. Danach
wurde der Druckanstieg in der Sensorvorrichtung während 30 Sekunden als Druckleckrate gemes
sen. Es ist ersichtlich, daß die Druckleckrate durch Auffüllen der Zwischenräume bei jedem
Sensorelement deutlich abnahm. Durch Füllen der Zwischenräume zwischen dem Gehäuseteil 31
und den Anschlußleitungen 35 wird auch ein Entweichen des Gelschutzmaterials durch die Zwi
schenräume verhindert, wodurch vermieden wird, daß die Sensorvorrichtung beschädigt wird.
Bei der oben beschriebenen ersten Ausführungsform weist der Gehäuseteil in der Sensormontage
vertiefung 32 einen Aussparungsabschnitt 47 zum Auffangen überflüssigen Klebstoffs 39 auf, der
zum Befestigen einer Sensoreinheit aufgetragen wird, die aus einem Halbleiterdrucksensorchip 33
und einem den Chip befestigenden Sockel 38 besteht. Da der Aussparungsabschnitt 47 den
extrudierten Klebstoff 39 auffängt, wird ein Heraufkriechen des überschüssigen Klebstoffs entlang
des Sockels 38 unterdrückt. Daher wird der Spannungsdämpfungseffekt durch den Sockel 38
vollständig erzielt. Durch Unterdrücken des Heraufkriechens des Klebstoffs 39 kann der Sockel 38
dünner als in herkömmlicher Weise gemacht werden, was eine Reduzierung der Kosten für den
Sockel ermöglicht. Wenn der Sockel dünner wird, kann auch der Gehäuseteil 31 dünner gemacht
werden, was zu einem geringeren Harz- bzw. Kunststoffbedarf und somit auch zu einer Kostenredu
zierung führt.
Obwohl gemäß Darstellung in den Fig. 1 bis 3 der Ausnehmungsabschnitt 43 am Gehäuseteil 31 und
der Vorsprungsabschnitt 44 am Deckel 34 gebildet ist und der Vorsprung bei der ersten Ausfüh
rungsform in die Ausnehmung eingreift, kann auch gemäß Darstellung in Fig. 6 eine Ausnehmung 49
im Deckel 34 und ein Vorsprung 48 im Gehäuseteil 31 gebildet sein, die in Eingriff miteinander
stehen.
Obwohl bei der ersten Ausführungsform der Deckel 34 auf den Gehäuseteil 31 aufgesetzt wird, kann
der Gehäuseteil 31 auch an einem Außengehäuse 5 als Deckel befestigt werden, wobei das
Außengehäuse einen Steckverbinder 51 und Anschlüsse 52 zur direkten Montage beispielsweise an
einem Automotor aufweist, wie in Fig. 7 gezeigt. In Fig. 7 weist der Gehäuseteil 31 einen Ausneh
mungsabschnitt 43 und das Außengehäuse 5 einen Vorsprungsabschnitt 54 auf, die in Eingriff
miteinander stehen. Im Gegensatz dazu kann der Vorsprung, der in die Ausnehmung eingreift, im
Gehäuseteil 31 bzw. dem Außengehäuse 5 gebildet sein.
Fig. 8 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitersensorvorrichtung gemäß der zweiten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 9 und 10 sind eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsan
sicht eines Behälters für einen Halbleitersensor für die zweite Ausführungsform der Erfindung. Die
zweite Ausführungsform unterscheidet sich in folgender Weise von der ersten Ausführungsform. Bei
der ersten Ausführungsform werden die Zwischenräume zwischen dem Gehäuse 31 und den
Anschlußleitungen 35 durch Aufbringen und Aushärten von Polyimidharz an den Stellen gefüllt, wo
die Anschlußleitungen aus dem Gehäuseteil nach innen oder außen hervorragen und freiliegen.
Bei der zweiten Ausführungsform der Erfindung dagegen werden die Zwischenräume zwischen dem
Gehäuse 61 und den Anschlußleitungen 35, die einen Leiterrahmen bilden, mit einem Füllstoff 65
aus einem Polyimidfilm gefüllt, der einen Teil der in den Gehäuseteil 61 eingebetteten Anschlußlei
tungen 35 bedeckt. Gleiche Elemente sind hierbei mit gleichen Bezugszeichen versehen und werden
nicht erneut beschrieben.
Fig. 11 ist ein Flußdiagramm, das eine Herstellungsprozedur eines Gehäuseteils 61 zeigt. Die
Schritte der Preßbearbeitung des Leiterrahmens (Schritt S11), des Entfettens (Schritt S112), der
Vorplattierungsbehandlung (S113), der Plattierung (S114) und der Reinigung sowie der Trocknung
(Schritt S115) sind gleich wie die Schritte bei der ersten Ausführungsform. Nach dem Trocknen wird
Polyimidharz auf einen Teil der Anschlußleitungen 35, die in dem Gehäuseteil 61 eingebettet werden
sollen, aufgebracht (Schritt S116) und ausgehärtet (Schritt S117).
Die Anschlußleitungen 35, die mit einem Polyimidfilm bedeckt sind, der zum Füllstoff 65 werden soll,
werden in eine Gußform eingesetzt (Schritt S118). Gußharz, das gesondert getrocknet worden ist
(Schritt S119), wird in die Gußform eingespritzt und geformt (Schritt S120). Nach Entfernung aus der
Gußform ist der Gehäuseteil 61 fertiggestellt. An dem so hergestellten Gehäuseteil 61 wird eine
Sensoreinheit befestigt, die aus einem Halbleiterdrucksensorchip 33 und einem den Chip befesti
genden Sockel 38 besteht. Nach dem Ausführen der Drahtverbindung wird Gelschutzmaterial 37
eingefüllt, und ein gesondert hergestellter Deckel 34 wird aufgesetzt, um damit eine Drucksensorvor
richtung fertigzustellen.
Bei der oben beschriebenen zweiten Ausführungsform werden die Zwischenräume zwischen dem
Gehäuseteil 61 und den Anschlußleitungen 35 wie bei der ersten Ausführungsform beseitigt. Daher
wird ein Druckleck verhindert, wenn die Kalibrierung des Meßdruckwerts beim Herstellungsprozeß
einer Drucksensorvorrichtung ausgeführt wird, wodurch eine exakte Kalibrierung ermöglicht wird.
Außerdem wird verhindert, daß die Sensorvorrichtung aufgrund des Entweichens von Gelschutz
material 37 beschädigt wird.
Fig. 12 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer Halbleitersensorvorrichtung gemäß der
dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Die Fig. 13 und 14 sind eine Draufsicht
bzw. eine Querschnittsansicht des Aufbaus eines Behälters der Halbleitersensorvorrichtung. Die
dritte Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform in folgender Hinsicht. Bei
der ersten Ausführungsform werden die Zwischenräume zwischen dem Gehäuseteil 31 und den
Anschlußleitungen 35 durch Aufbringen eines Polyimidharzes von außen gefüllt.
Bei der dritten Ausführungsform wird dagegen ein Abschnitt der Anschlußleitungen 35, der in den
Gehäuseteil 71 eingebettet werden soll, zuerst mit Harz umschlossen, was einen Schritt des
vorläufigen Gießens darstellt. Das Harz für das vorläufige Gießen ist beispielsweise Silikongummi,
Epoxidharz, das gleiche Harz wie das Gußharz des Gehäuseteils, beispielsweise ein thermoplasti
sches Harz wie beispielsweise Polyphenylensulfid oder ein anderes Harz. Nach dem vorläufigen
Gießen wird der resultierende Gegenstand zum Gießen des Gehäuseteils 71 verwendet, was einen
Schritt des sekundären Gießens darstellt. Der übrige Aufbau ist gleich wie bei der ersten Ausfüh
rungsform. Die gleichen Elemente sind mit den gleichen Bezugszahlen versehen und werden nicht
erneut beschrieben.
Fig. 15 ist ein Flußdiagramm, das die Herstellungsprozedur des Gehäuseteils 71 zeigt. Die Schritte
der Preßbearbeitung des Leiterrahmens (Schritt S151), des Entfettens (Schritt S152), der Vorplattie
rungsbehandlung (Schritt S153), der Plattierung (Schritt S154), des Reinigens und Trocknens
(Schritt S155), des Einsetzens eines Leiterrahmens in eine Gußform (Schritt S156), des Trocknens
von Harz für das vorläufige Gießen (Schritt S157) und des Einspritzens von Harz sowie des
Formens (Schritt S158) sind gleich wie bei der ersten Ausführungsform. Hier ist der Schritt S158 ein
Schritt des vorläufigen Formens.
Dann wird ein sekundäres Formen ausgeführt (Schritt S159). Nach dem Entfernen aus der Gußform
ist der Gehäuseteil 71 fertiggestellt (Schritt S160). An dem so hergestellten Gehäuseteil 71 wird eine
Sensoreinheit befestigt, die aus einem Halbleiterdrucksensorchip 33 und einem den Chip befesti
genden Sockel 38 besteht. Nach dem Ausführen der Drahtverbindung wird Gelschutzmaterial 37
eingefüllt, und ein gesondert hergestellter Deckel 34 wird aufgesetzt, wodurch eine Drucksensorvor
richtung fertiggestellt ist.
Bei der oben beschriebenen dritten Ausführungsform bestehen keine Zwischenräume zwischen dem
Gehäuseteil 71 und den Anschlußleitungen 35, wie es bei der ersten Ausführungsform der Fall ist.
Daher werden Drucklecks verhindert, wenn die Kalibrierung des Meßdruckwerts beim Herstellungs
prozeß der Drucksensorvorrichtung ausgeführt wird, was eine exakte Kalibrierung ermöglicht.
Außerdem wird verhindert, daß die Sensorvorrichtung aufgrund des Entweichens des Gelschutzma
terials 37 beschädigt wird. Wenn das vorläufige Formen unter Verwendung eines elastischen
Kunstharzes wie beispielsweise Silikongummi ausgeführt wird, übernimmt das Harz Spannungen,
die durch den Unterschied der Wärmeausdehnung zwischen dem Gehäuseteil 71 und den An
schlußleitungen 35 erzeugt werden. Somit wird die Zwischenräume zwischen dem Gehäuseteil 71
und den Anschlußleitungen 35 vollständig verschlossen.
Die vorliegende Erfindung kann bei Beschleunigungssensorvorrichtungen, Temperatursensorvor
richtungen und Vorrichtungen zum Erfassen anderer physikalischer Größen sowie bei Drucksensor
vorrichtungen eingesetzt werden.
Erfindungsgemäß wird übergelaufenes Gelschutzmaterial in der Nut aufgefangen, um zu verhindern,
daß dieses Gelschutzmaterial an dem Abschnitt des Gehäuseteils anhaftet, an dem der Deckel
aufliegt. Demzufolge wird ein nicht ausreichendes Anhaften des Deckels an dem Gehäuseteil
aufgrund des Überlaufens des Gelschutzmaterials vermieden. Gemäß einem anderen Merkmal der
Erfindung steht ein Ausnehmungsabschnitt oder ein Vorsprungsabschnitt des Gehäuseteils mit
einem Vorsprungsabschnitt oder einem Ausnehmungsabschnitt des Deckels in Eingriff wenn der
Deckel an dem Gehäuseteil befestigt ist. Daher ist der Deckel zuverlässig am Gehäuseteil befestigt.
Demzufolge wird eine unvollkommene Gasdichtigkeit verhindert. Gemäß einem weiteren Merkmal
der Erfindung werden die Zwischenräume zwischen dem Gehäuseteil und den Anschlußleitungen mit
einem Füllmaterial gefüllt, um diese Zwischenräume zu beseitigen. Gemäß einem weiteren Merkmal
der Erfindung wird ermöglicht, daß überschüssiger Klebstoff in den Aussparungsabschnitt läuft,
wenn eine Sensoreinheit an dem Gehäuseteil befestigt wird. Demzufolge wird das Hochkriechen des
Klebstoffs am Sockel entlang, der das Sensorelement fixiert, unterdrückt.
Claims (17)
1. Behälter für einen Halbleitersensor, umfassend:
einen Gehäuseteil (31; 61; 71), der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme eines Sensorelements (33) versehen ist; und
einen Deckel (34) zum Verschließen des Gehäusehohlraums, wobei der Gehäuseteil mit einer Nut (42) versehen ist, die an einem Abschnitt des Gehäuseteils angeordnet ist, der von dem Deckel überdeckt wird und innerhalb eines Abschnitts des Gehäuseteils liegt, der in Kontakt mit dem Deckel steht, und die einen außerhalb des Gehäusehohlraums gelegenen Teil des Gehäuseteils umgibt.
einen Gehäuseteil (31; 61; 71), der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme eines Sensorelements (33) versehen ist; und
einen Deckel (34) zum Verschließen des Gehäusehohlraums, wobei der Gehäuseteil mit einer Nut (42) versehen ist, die an einem Abschnitt des Gehäuseteils angeordnet ist, der von dem Deckel überdeckt wird und innerhalb eines Abschnitts des Gehäuseteils liegt, der in Kontakt mit dem Deckel steht, und die einen außerhalb des Gehäusehohlraums gelegenen Teil des Gehäuseteils umgibt.
2. Behälter für einen Halbleitersensor, umfassend:
einen Gehäuseteil (31; 61; 71), der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme eines Sensorelements (33) versehen ist; und
einen Deckel (34) zum Verschließen des Gehäusehohlraums, wobei der Gehäuseteil mit einem Ausnehmungsabschnitt (43) oder einem Vorsprungsabschnitt (48) versehen ist, der an einem Abschnitt des Gehäuseteils angeordnet ist, der mit dem Deckel in Kontakt steht und einen außerhalb des Gehäusehohlraums gelegenen Abschnitt des Gehäuseteils umgibt, und der Deckel mit einem Vorsprungsabschnitt (44) oder einem Ausnehmungsabschnitt (49) versehen ist, der in einem Abschnitt des Deckels, der in Kontakt mit dem Gehäuseteil steht, vorgesehen ist und in Eingriff mit dem Ausnehmungsabschnitt (43) bzw. dem Vorsprungsabschnitt (48) des Gehäuseteils steht.
einen Gehäuseteil (31; 61; 71), der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme eines Sensorelements (33) versehen ist; und
einen Deckel (34) zum Verschließen des Gehäusehohlraums, wobei der Gehäuseteil mit einem Ausnehmungsabschnitt (43) oder einem Vorsprungsabschnitt (48) versehen ist, der an einem Abschnitt des Gehäuseteils angeordnet ist, der mit dem Deckel in Kontakt steht und einen außerhalb des Gehäusehohlraums gelegenen Abschnitt des Gehäuseteils umgibt, und der Deckel mit einem Vorsprungsabschnitt (44) oder einem Ausnehmungsabschnitt (49) versehen ist, der in einem Abschnitt des Deckels, der in Kontakt mit dem Gehäuseteil steht, vorgesehen ist und in Eingriff mit dem Ausnehmungsabschnitt (43) bzw. dem Vorsprungsabschnitt (48) des Gehäuseteils steht.
3. Behälter nach Anspruch 1, bei dem der Gehäuseteil (31; 61; 71) außerdem mit einem
Ausnehmungsabschnitt (43) oder einem Vorsprungsabschnitt (48) versehen ist, der an einem
Abschnitt des Gehäuseteils angeordnet ist, der mit dem Deckel in Kontakt steht und einen außerhalb
des Gehäusehohlraums gelegenen Abschnitt des Gehäuseteils umgibt, und der Deckel mit einem
Vorsprungsabschnitt (44) oder einem Ausnehmungsabschnitt (49) versehen ist, der in einem
Abschnitt des Deckels, der in Kontakt mit dem Gehäuseteil steht, vorgesehen ist und in Eingriff mit
dem Ausnehmungsabschnitt (43) bzw. dem Vorsprungsabschnitt (48) des Gehäuseteils steht.
4. Behälter für einen Halbleitersensor, umfassend:
einen Gehäuseteil (31; 61; 71), der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme eines Sensorelements (33) versehen ist;
Anschlußleitungen (35), die den Gehäuseteil für den Anschluß des Sensorelements nach außen durchsetzen; und
einen Füllstoff (45; 46; 65; 75), der die Zwischenräume in Grenzbereichen zwischen Ober flächen des Gehäuseteils und der Anschlußleitungen füllt.
einen Gehäuseteil (31; 61; 71), der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme eines Sensorelements (33) versehen ist;
Anschlußleitungen (35), die den Gehäuseteil für den Anschluß des Sensorelements nach außen durchsetzen; und
einen Füllstoff (45; 46; 65; 75), der die Zwischenräume in Grenzbereichen zwischen Ober flächen des Gehäuseteils und der Anschlußleitungen füllt.
5. Behälter für einen Halbleitersensor, umfassend:
einen Gehäuseteil (31; 61; 71), der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme eines Sensorelements (33) versehen ist;
Anschlußleitungen (35), die den Gehäuseteil für den Anschluß des Sensorelements nach außen durchsetzen; und
einen Füllstoff (65; 75), der die Zwischenräume in Grenzbereichen zwischen den An schlußleitungen und dem Gehäuseteil als Überzug eines Teils der Anschlußleitungen füllt, die im Inneren des Gehäuseteils eingebettet sind.
einen Gehäuseteil (31; 61; 71), der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme eines Sensorelements (33) versehen ist;
Anschlußleitungen (35), die den Gehäuseteil für den Anschluß des Sensorelements nach außen durchsetzen; und
einen Füllstoff (65; 75), der die Zwischenräume in Grenzbereichen zwischen den An schlußleitungen und dem Gehäuseteil als Überzug eines Teils der Anschlußleitungen füllt, die im Inneren des Gehäuseteils eingebettet sind.
6. Behälter nach Anspruch 4 oder 5, ferner umfassend:
einen Deckel (34) zum Verschließen des Gehäusehohlraums (32), wobei der Gehäuseteil (31; 61; 71) mit einer Nut (42) versehen ist, die an einem Abschnitt des Gehäuseteils angeordnet ist, der von dem Deckel überdeckt wird und innerhalb eines Abschnitts des Gehäuseteils liegt, der in Kontakt mit dem Deckel steht, und die einen außerhalb des Gehäusehohlraums gelegenen Teil des Gehäuseteils umgibt, und wobei der Gehäuseteil mit einem Ausnehmungsabschnitt (43) oder einem Vorsprungsabschnitt (48) versehen ist; der an einem Abschnitt des Gehäuseteils angeordnet ist, der mit dem Deckel in Kontakt steht und einen außerhalb des Gehäusehohlraums gelegenen Abschnitt des Gehäuseteils umgibt, und der Deckel mit einem Vorsprungsabschnitt (44) oder einem Ausneh mungsabschnitt (49) versehen ist, der in einem Abschnitt des Deckels, der in Kontakt mit dem Gehäuseteil steht, vorgesehen ist und in Eingriff mit dem Ausnehmungsabschnitt (43) bzw. dem Vorsprungsabschnitt (48) des Gehäuseteils steht.
einen Deckel (34) zum Verschließen des Gehäusehohlraums (32), wobei der Gehäuseteil (31; 61; 71) mit einer Nut (42) versehen ist, die an einem Abschnitt des Gehäuseteils angeordnet ist, der von dem Deckel überdeckt wird und innerhalb eines Abschnitts des Gehäuseteils liegt, der in Kontakt mit dem Deckel steht, und die einen außerhalb des Gehäusehohlraums gelegenen Teil des Gehäuseteils umgibt, und wobei der Gehäuseteil mit einem Ausnehmungsabschnitt (43) oder einem Vorsprungsabschnitt (48) versehen ist; der an einem Abschnitt des Gehäuseteils angeordnet ist, der mit dem Deckel in Kontakt steht und einen außerhalb des Gehäusehohlraums gelegenen Abschnitt des Gehäuseteils umgibt, und der Deckel mit einem Vorsprungsabschnitt (44) oder einem Ausneh mungsabschnitt (49) versehen ist, der in einem Abschnitt des Deckels, der in Kontakt mit dem Gehäuseteil steht, vorgesehen ist und in Eingriff mit dem Ausnehmungsabschnitt (43) bzw. dem Vorsprungsabschnitt (48) des Gehäuseteils steht.
7. Behälter für einen Halbleitersensor, umfassend einen Gehäuseteil (31; 61; 71), der mit
einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme eines Sensorelements (33) versehen ist, wobei der
Gehäuseteil mit einem Entlastungsabschnitt (47) zum Ableiten des überschüssigen Teils des
Klebstoffs, der zum Befestigen des Sensorelements am Boden des Gehäusehohlraums verwendet
wird, vom Bereich der Innenwand des Gehäusehohlraums versehen ist.
8. Behälter nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Gehäuseteil (31; 61; 71) mit
einem Entlastungsabschnitt (47) zum Ableiten des überschüssigen Teils des Klebstoffs, der zum
Befestigen des Sensorelements am Boden des Gehäusehohlraums verwendet wird, vom Bereich der
Innenwand des Gehäusehohlraums versehen ist.
9. Verfahren zur Herstellung eines Behälters für einen Halbleitersensor, wobei der Behälter
einen Gehäuseteil (31; 61; 71) aufweist, der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme
eines Sensorelements (33) und Anschlußleitungen (35) versehen ist, die den Gehäuseteil für den
Anschluß des Sensorelements nach außen durchsetzen, wobei das Verfahren folgende Schritte
umfaßt:
Einsatzgießen der Anschlußleitungen und des Gehäuseteils, und
Aufbringen von Kunstharz auf Grenzbereiche zwischen den Oberflächen des Gehäuseteils und der Anschlußleitungen nach dem Formen, um bei diesen Grenzbereichen vorhandene Zwi schenräume zu füllen.
Einsatzgießen der Anschlußleitungen und des Gehäuseteils, und
Aufbringen von Kunstharz auf Grenzbereiche zwischen den Oberflächen des Gehäuseteils und der Anschlußleitungen nach dem Formen, um bei diesen Grenzbereichen vorhandene Zwi schenräume zu füllen.
10. Verfahren zur Herstellung eines Behälters für einen Halbleitersensor, wobei der Be
hälter einen Gehäuseteil (31; 61; 71) aufweist, der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die
Aufnahme eines Sensorelements (33) und Anschlußleitungen (35) versehen ist, die den Gehäuseteil
für den Anschluß des Sensorelements nach außen durchsetzen, wobei das Verfahren folgende
Schritte umfaßt:
Bedecken eines jeweiliges Abschnitts der Anschlußleitungen, der in den Gehäuseteil ein gebettet werden soll, mit Kunstharzfilmen, und
Einsatzgießen der Anschlußleitungen und des Gehäuseteils.
Bedecken eines jeweiliges Abschnitts der Anschlußleitungen, der in den Gehäuseteil ein gebettet werden soll, mit Kunstharzfilmen, und
Einsatzgießen der Anschlußleitungen und des Gehäuseteils.
11. Verfahren zur Herstellung eines Behälters für einen Halbleitersensor, wobei der Be
hälter einen Gehäuseteil (31; 61; 71) aufweist, der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die
Aufnahme eines Sensorelements (33) und Anschlußleitungen (35) versehen ist, die den Gehäuseteil
für den Anschluß des Sensorelements nach außen durchsetzen, wobei das Verfahren folgende
Schritte umfaßt:
Umschließen eines jeweiliges Abschnitts der Anschlußleitungen, der in den Gehäuseteil eingebettet werden soll, mit Kunstharz durch vorläufiges Formen, und
Bilden einer endgültigen Form durch Ausführen eines sekundären Formens der Anschluß leitungen und des Gehäuseteils.
Umschließen eines jeweiliges Abschnitts der Anschlußleitungen, der in den Gehäuseteil eingebettet werden soll, mit Kunstharz durch vorläufiges Formen, und
Bilden einer endgültigen Form durch Ausführen eines sekundären Formens der Anschluß leitungen und des Gehäuseteils.
12. Halbleitersensorvorrichtung, umfassend:
einen Behälter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6;
ein Halbleitersensorelement (33), das in dem in dem Gehäuseteil (31; 61; 71) vorgesehe nen Gehäusehohlraum (32) aufgenommen ist; und
einen Deckel (34), der den Gehäusehohlraum verschließt.
einen Behälter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6;
ein Halbleitersensorelement (33), das in dem in dem Gehäuseteil (31; 61; 71) vorgesehe nen Gehäusehohlraum (32) aufgenommen ist; und
einen Deckel (34), der den Gehäusehohlraum verschließt.
13. Halbleitersensorvorrichtung, umfassend:
einen Behälter nach einem der Ansprüche 1 bis 3;
Anschlußleitungen (35), die den Gehäuseteil (31; 61; 71) für den Anschluß des Sensorele ments nach außen durchsetzen;
ein Halbleitersensorelement (33), das in dem Gehäusehohlraum (32) befestigt ist;
Verbindungsdrähte (36), welche die Anschlußleitungen und das Sensorelement verbinden; und
einen Füllstoff (46), der einen jeweiligen Abschnitt der Anschlußleitungen, der in dem Ge häusehohlraum freiliegt, und die Stelle der Verbindung der Anschlußleitungen und der Verbindungs drähte bedeckt und Zwischenräume in Grenzbereichen zwischen den Anschlußleitungen und dem Gehäuseteil auf der Seite des Gehäusehohlraums füllt.
einen Behälter nach einem der Ansprüche 1 bis 3;
Anschlußleitungen (35), die den Gehäuseteil (31; 61; 71) für den Anschluß des Sensorele ments nach außen durchsetzen;
ein Halbleitersensorelement (33), das in dem Gehäusehohlraum (32) befestigt ist;
Verbindungsdrähte (36), welche die Anschlußleitungen und das Sensorelement verbinden; und
einen Füllstoff (46), der einen jeweiligen Abschnitt der Anschlußleitungen, der in dem Ge häusehohlraum freiliegt, und die Stelle der Verbindung der Anschlußleitungen und der Verbindungs drähte bedeckt und Zwischenräume in Grenzbereichen zwischen den Anschlußleitungen und dem Gehäuseteil auf der Seite des Gehäusehohlraums füllt.
14. Halbleitersensorvorrichtung, umfassend:
einen Gehäusekörper (31; 61; 71), der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme eines Sensorelements (33) versehen ist;
Anschlußleitungen (35), die den Gehäuseteil (31; 61; 71) für den Anschluß des Sensorele ments nach außen durchsetzen;
ein Halbleitersensorelement (33), das in dem Gehäusehohlraum (32) befestigt ist;
Verbindungsdrähte (36), welche die Anschlußleitungen und das Sensorelement verbinden; und
einen Füllstoff (46), der einen jeweiligen Abschnitt der Anschlußleitungen, der in dem Ge häusehohlraum freiliegt, und die Stelle der Verbindung der Anschlußleitungen und der Verbindungs drähte bedeckt und Zwischenräume in Grenzbereichen zwischen den Anschlußleitungen und dem Gehäuseteil auf der Seite des Gehäusehohlraums füllt.
einen Gehäusekörper (31; 61; 71), der mit einem Gehäusehohlraum (32) für die Aufnahme eines Sensorelements (33) versehen ist;
Anschlußleitungen (35), die den Gehäuseteil (31; 61; 71) für den Anschluß des Sensorele ments nach außen durchsetzen;
ein Halbleitersensorelement (33), das in dem Gehäusehohlraum (32) befestigt ist;
Verbindungsdrähte (36), welche die Anschlußleitungen und das Sensorelement verbinden; und
einen Füllstoff (46), der einen jeweiligen Abschnitt der Anschlußleitungen, der in dem Ge häusehohlraum freiliegt, und die Stelle der Verbindung der Anschlußleitungen und der Verbindungs drähte bedeckt und Zwischenräume in Grenzbereichen zwischen den Anschlußleitungen und dem Gehäuseteil auf der Seite des Gehäusehohlraums füllt.
15. Halbleitersensorvorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, wobei der Gehäuseteil (31; 61;
71) mit einem Entlastungsabschnitt (47) zum Ableiten des überschüssigen Teils des Klebstoffs, der
zum Befestigen des Sensorelements (33) am Boden des Gehäusehohlraums (32) verwendet wird,
vom Bereich der Innenwand des Gehäusehohlraums versehen ist.
16. Halbleitersensorvorrichtung, umfassend:
einen Behälter gemäß Anspruch 7 oder 8;
ein Halbleitersensorelement (33) und einen das Sensorelement fixierenden Sockel (38), die beide in dem Gehäusehohlraum (32) aufgenommen sind, der in dem Gehäuseteil (31; 61; 71) des Behälters vorgesehen ist; und
einen Deckel (34), der den Gehäusehohlraum verschließt, wobei der Sockel dazu dient, Spannungen abzuschwächen, die durch einen Unterschied der Wärmeausdehnung zwischen dem Sensorelement und dem Gehäuseteil erzeugt werden.
einen Behälter gemäß Anspruch 7 oder 8;
ein Halbleitersensorelement (33) und einen das Sensorelement fixierenden Sockel (38), die beide in dem Gehäusehohlraum (32) aufgenommen sind, der in dem Gehäuseteil (31; 61; 71) des Behälters vorgesehen ist; und
einen Deckel (34), der den Gehäusehohlraum verschließt, wobei der Sockel dazu dient, Spannungen abzuschwächen, die durch einen Unterschied der Wärmeausdehnung zwischen dem Sensorelement und dem Gehäuseteil erzeugt werden.
17. Halbleitersensorvorrichtung nach Anspruch 12 oder 16, bei dem das Halbleitersensor
element (33) ein Drucksensorelement ist, das Druck in ein elektrisches Signal umsetzt.
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DE10216019A Ceased DE10216019A1 (de) | 2001-04-12 | 2002-04-11 | Behälter für Halbleitersensor, Verfahren zu dessen Herstellung und Halbleitersensorvorrichtung |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10324139A1 (de) * | 2003-05-26 | 2005-01-05 | Infineon Technologies Ag | Mikroelektromechanisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP3943904A3 (de) * | 2021-10-20 | 2022-05-18 | Melexis Technologies NV | Drucksensorvorrichtung |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4519424B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2010-08-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 樹脂モールド型半導体装置 |
TWI242862B (en) * | 2003-08-21 | 2005-11-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package with heat sink |
JP4207753B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2009-01-14 | 株式会社デンソー | 電気回路機器の樹脂筐体構造 |
TWI321342B (en) * | 2004-11-05 | 2010-03-01 | Altus Technology Inc | An integrate circuit chip encapsulation and the method of manufacturing it |
JP4746358B2 (ja) * | 2005-06-09 | 2011-08-10 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP4779614B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2011-09-28 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置 |
US7600850B2 (en) * | 2006-03-01 | 2009-10-13 | Lexmark International, Inc. | Internal vent channel in ejection head assemblies and methods relating thereto |
US7766455B2 (en) * | 2006-03-29 | 2010-08-03 | Lexmark International, Inc. | Flexible adhesive materials for micro-fluid ejection heads and methods relating thereto |
US7768124B2 (en) * | 2007-02-16 | 2010-08-03 | Denso Corporation | Semiconductor sensor having a flat mounting plate with banks |
DE102008037206B4 (de) * | 2008-08-11 | 2014-07-03 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | 300°C-Flowsensor |
JP5089561B2 (ja) * | 2008-12-01 | 2012-12-05 | アルプス電気株式会社 | センサパッケージ及びその製造方法 |
DE102009047506A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Sensor mit einem Sensorgehäuse |
SG183819A1 (en) * | 2010-03-31 | 2012-10-30 | Ev Group Gmbh | Method and device for producing a micro-lens |
JP5494538B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-05-14 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
US9040352B2 (en) * | 2012-06-28 | 2015-05-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Film-assist molded gel-fill cavity package with overflow reservoir |
US9510495B2 (en) | 2012-11-27 | 2016-11-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Electronic devices with cavity-type, permeable material filled packages, and methods of their manufacture |
FR3000205B1 (fr) * | 2012-12-21 | 2015-07-31 | Michelin & Cie | Capteur de pression perfectionne a boitier etanche |
JP6136402B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニット、電子機器、および移動体 |
US9018753B2 (en) * | 2013-08-02 | 2015-04-28 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Electronic modules |
DE102014105861B4 (de) * | 2014-04-25 | 2015-11-05 | Infineon Technologies Ag | Sensorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Sensorvorrichtung |
JP2016033969A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 株式会社東芝 | 電子部品、及び電子ユニット |
US9598280B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-03-21 | Nxp Usa, Inc. | Environmental sensor structure |
JP2017181302A (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | アルプス電気株式会社 | 防水型圧力センサ、防水型圧力センサの製造方法および搬送体 |
CN107902626A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-04-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 共晶键合的方法及半导体器件的制造方法 |
DE102017222393A1 (de) * | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Robert Bosch Gmbh | Sensorbaugruppe und Verfahren zur Herstellung einer Sensorbaugruppe |
JP6795538B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2020-12-02 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
JP7145054B2 (ja) * | 2018-11-26 | 2022-09-30 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
JP7327247B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2023-08-16 | 株式会社デンソー | 蒸発燃料漏れ検査装置の圧力センサ |
JP7251509B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2023-04-04 | 株式会社デンソー | 蒸発燃料漏れ検査装置の圧力センサ |
JP7251510B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2023-04-04 | 株式会社デンソー | 蒸発燃料漏れ検査装置の圧力センサ |
JP2023109029A (ja) * | 2022-01-26 | 2023-08-07 | アルプスアルパイン株式会社 | 荷重センサ装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5256901A (en) * | 1988-12-26 | 1993-10-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic package for memory semiconductor |
JP2651967B2 (ja) * | 1991-12-18 | 1997-09-10 | 松下電器産業株式会社 | 半導体圧力センサ |
JP3004119B2 (ja) * | 1992-02-28 | 2000-01-31 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ |
JPH06148014A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
US5459351A (en) * | 1994-06-29 | 1995-10-17 | Honeywell Inc. | Apparatus for mounting an absolute pressure sensor |
JP2828055B2 (ja) * | 1996-08-19 | 1998-11-25 | 日本電気株式会社 | フリップチップの製造方法 |
US6011304A (en) * | 1997-05-05 | 2000-01-04 | Lsi Logic Corporation | Stiffener ring attachment with holes and removable snap-in heat sink or heat spreader/lid |
JPH1131751A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Sony Corp | 中空パッケージとその製造方法 |
US6525405B1 (en) * | 2000-03-30 | 2003-02-25 | Alphatec Holding Company Limited | Leadless semiconductor product packaging apparatus having a window lid and method for packaging |
US6282096B1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-08-28 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Integration of heat conducting apparatus and chip carrier in IC package |
TW521410B (en) * | 2001-11-15 | 2003-02-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package article |
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002093505A patent/JP2002372473A/ja active Pending
- 2002-04-11 DE DE10216019A patent/DE10216019A1/de not_active Ceased
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-
2006
- 2006-10-19 JP JP2006284853A patent/JP2007086081A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10324139A1 (de) * | 2003-05-26 | 2005-01-05 | Infineon Technologies Ag | Mikroelektromechanisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10324139B4 (de) * | 2003-05-26 | 2005-07-21 | Infineon Technologies Ag | Mikroelektromechanisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
US7462919B2 (en) | 2003-05-26 | 2008-12-09 | Infineon Technologies Ag | Microelectromechanical component and method for the production thereof |
EP3943904A3 (de) * | 2021-10-20 | 2022-05-18 | Melexis Technologies NV | Drucksensorvorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020180019A1 (en) | 2002-12-05 |
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US6747346B2 (en) | 2004-06-08 |
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KR20020080274A (ko) | 2002-10-23 |
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