DE19936610B4 - Halbleiterbeschleunigungssensor und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents
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Abstract
Halbleiterbeschleunigungssensor (10; 20; 30), bei dem Funktionselemente, die einen Beschleunigungssensorchip (3) und einen Signalverarbeitungschip (5) enthalten, in einer Harzpackung (2) abgedichtet sind, wobei der Beschleunigungssensorchip (3) in elektrischer Verbindung mit dem Signalverarbeitungschip (5) steht, gekennzeichnet durch ein flexibles Dämpfungsteil (4; 24; 34), welches ringförmig um den Beschleunigungssensorchip (3) ausgestaltet ist, um die von der Harzpackung (2) auf den Beschleunigungssensorchip (3) ausgeübte mechanische Spannung zu mildern; und ein Abdeckteil (6), welches einen oberen Randabschnitt des Dämpfungsteiles (4; 24; 34) und einen oberen Rand des Beschleunigungssensorchips (3) abdeckt, um zu verhindern, dass Harz in einen Spalt zwischen dem Beschleunigungssensorchip (3) und dem Dämpfungsteil (4; 24; 34) während des Prozesses eindringt, in dem die Funktionselemente mit Harz abgedichtet werden, bei dem das Dämpfungsteil (34) eine hohle Schicht (34a) aufweist, die in Höhenrichtung des Dämpfungsteiles (34) ausgebildet ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterbeschleunigungssensor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, wie er aus der
DE 197 27 214 C2 bekannt ist, und betrifft ein Verfahren zur Herstellung solch eines Halbleiterbeschleunigungssensors. - Airbag-Systeme, Antiblockier-Bremssysteme (ABS) und Navigationssysteme sind Beispiele für zunehmend allgemeine Selbstbewegungssysteme, die von einem Halbleiterbeschleunigungssensor abhängig sind, um die Fahrzeugbeschleunigung und einen Aufprall zu detektieren. Ein Halbleiterbeschleunigungssensor umfaßt in typischer Weise einen Beschleunigungssensorchip und einen Signalverarbeitungschip in einer Packung, die sowohl die internen Chips gegenüber der äußeren Umgebung schützt als auch die Außengestalt der Sensoreinheit festlegt (vgl.
DE 197 27 214 C2 ). Bei vielen herkömmlichen Systemen werden diese Packungen durch eine Metallabdeckung geschützt. Als diese Systeme für kleinere Fahrzeuge mit niedrigerem Preis angepaßt wurden, hat der Bedarf nach kompakten Niedrigkostensystemen zu der Anpassung der Systeme geführt, in denen die Komponenten in einer gegossenen Harzpackung abgedichtet sind. -
6 ist eine Schnittansicht eines harz-abgedichteten Halbleiterbeschleunigungssensors nach einem internen Stand der Technik. Bei diesem herkömmlichen Halbleiterbeschleunigungssensor50 ist der Beschleunigungssensorchip53 an den Chipkontaktfleck (die pad)61 durch ein Chipbindeharz63 befestigt. - Der Signalverarbeitungschip
55 ist an dem Beschleunigungssensorchip53 montiert und ist über Metalldrähte59a mit dem Beschleunigungssensorchip53 elektrisch verbunden. Eine Vielzahl von äußeren Leitern57 sind um die Chips53 und55 herum angeordnet, wobei jeder äußere Leiter57 elektrisch mit dem Signalverarbeitungschip55 über einen Metalldraht59b verbunden ist. Die Komponenten werden dann an ihren spezifizierten Positionen gesichert und werden gegenüber der äußeren Umgebung durch Harzformguß oder ein Gußteil52 geschützt, wobei lediglich die außerhalb liegenden Teile der äußeren Leiter57 freiliegend belassen werden. - Der Beschleunigungssensorchip detektiert in typischer Weise die Beschleunigung oder den Aufprall, indem er die winzige Verschiebung einer Masse detektiert. Als ein Ergebnis ist es zu bevorzugen, daß dieser nicht äußeren Spannungen ausgesetzt wird, also anderen als den zu detektierenden. Ein Beschleunigungssensorchip, der in einer Harzgußform abgedichtet ist, wie dies oben beschrieben wurde, wird jedoch einer Spannung unterworfen, die durch Ausdehnen oder Kontraktion der Harzpackung hervorgerufen wird, welche Spannung aus Temperaturänderungen in der äußeren Umgebung resultiert. Der Offset und die Ausgangsempfindlichkeit des Beschleunigungssensors hängen von den Temperatureigenschaften des Sensors ab und können stark variieren, wenn diese externe Spannung einen bestimmten Wert überschreitet, wodurch es schwierig wird, eine gute Beschleunigungs- und Aufpralldetektionsgenauigkeit sicherzustellen.
- Es ist bekannt, Dämpfungsteile an Beschleunigungssensorchips vorzusehen.
- Der Schutz, den diese Dämpfungsteile vor der durch die Harzpackung aufgebrachten mechanischen Spannungen liefern, ist jedoch nicht ausreichend.
- Aus der
DE 197 27 214 C2 geht ein Halbleiterbeschleunigungssensor hervor, der von einem Gießharzgehäuse ummantelt ist, um diesen vor einer Beschädigung zu schützen. - Die
DE 42 38 113 A1 beschäftigt sich mit drucksensiblen Halbleiterchips, wobei diese in ein Plastikgehäuse eingelassen sind. Des Weiteren sind an der Innenseite Dämpfungselemente vorgesehen. - Ausgehend von der
DE 197 27 214 C2 stellt sich die vorliegende Erfindung die Aufgabe, einen verbesserten Beschleunigungssensor bereitzustellen, bei dem eine gute Detektionspräzision sichergestellt ist, indem die mechanischen Spannungen weitestgehends aufgefangen werden. - Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den Gegenstand gemäß Anspruch 1 sowie durch das Verfahren gemäß Anspruch 5 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen ergeben sich anhand der Unteransprüche.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine vorteilhafte Wirkung erzielt, indem ein Halbleiterbeschleunigungssensor ein flexibles Dämpfungsteil enthält, welches ringförmig entlang den Außenflächen des Beschleunigungschips angeordnet ist, um die Spannung von der Harzpackung an den Beschleunigungssensorchip aufzufangen, und indem ein Abdeckteil einen oberen Randabschnitt des Dämpfungsteiles und einen oberen Rand des Beschleunigungssensorchips bedeckt, damit das Harz nicht in den Spalt zwischen dem Sensorchip und dem Dämpfungsteil, und zwar während des Prozesses, bei dem die Komponenten des Halbleiterbeschleunigungssensors mit Harz abgedichtet werden, eindringt. Der Sensorchip wird somit gegen Spannungen von der Harzpackung geschützt und es kann der Halbleiterbeschleunigungssensor daher eine gute Detektionsgenauigkeit garantieren.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ferner, da das Dämpfungsteil eine hohle Schicht in Höhenrichtung derselben aufweist, die seitliche Flexibilität des Dämpfungsteiles erhöht, wodurch die Fähigkeit des Sensorchips in zuverlässiger Weise die Spannung an dem Sensorchip von dem Harzgußteil her zu absorbieren und zu mindern, erhöht wird.
- Wenn vorteilhafterweise die hohle Schicht des Dämpfungsteiles mit einem Verstärkungsfüllmaterial vom Geltyp gefüllt wird, wird die Festigkeit des Dämpfungsteiles vergrößert, während gleichzeitig eine seitliche Flexibilität des Dämpfungsteiles beibehalten wird. Das verstärkende Füllmaterial besteht in bevorzugter Weise aus Silikongel, und zwar aufgrund des außergewöhnlichen Widerstandes gegenüber Alterung und Hitze und aufgrund einer minimalen Änderung in der Viskosität bei Temperaturänderungen, wodurch ein Dämpfungsteil erzielt wird, welches eine stabile seitliche Biegsamkeit bzw. Flexibilität und Festigkeit besitzt.
- Da das Dämpfungsteil mit dem Abdeckteil ausgebildet ist, kann die Zahl der Teile reduziert werden und somit der erforderliche Herstellungsprozeß vereinfacht werden.
- Andere Ziele und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Bezugnahme auf die nachfolgende Beschreibung und Ansprüche in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen.
-
1 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbeschleunigungssensors, von dem die vorliegende Erfindung ausgeht; -
2 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß1 ; -
3 ist eine Schnittansicht eines weiteren Halbleiterbeschleunigungssensors von dem die vorliegende Erfindung ausgeht; -
4 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
5 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
6 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß einem internen Stand der Technik; -
7 ist eine teilweise vergrößerte Schnittdarstellung eines Halbleiterbeschleunigungssensors, der in6 gezeigt ist. - Die Ausführungsformen, die der vorliegenden Erfindung zugrunde gelegt werden, und die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im folgenden unter Hinweis auf die beigefügten Figuren beschrieben.
-
1 und2 sind eine Seitenansicht bzw. Draufsicht eines harz-eingebetteten oder -abgedichteten Halbleiterbeschleunigungssensors als Ausgangspunkt für die vorliegende Erfindung. Es sei darauf hingewiesen, daß zum Zwecke der Veranschaulichung der inneren Struktur des Halbleiterbeschleunigungssensors in2 die Harzpackung als durchscheinend oder durchsichtig dargestellt ist, wobei lediglich die Außenseitenlinien der Packung durch eine imaginäre oder gedachte Linie angezeigt sind. - Der Halbleiterbeschleunigungssensor
10 umfaßt einen Beschleunigungssensorchip3 , um die Verschiebung einer Masse zu detektieren, und einen Signalverarbeitungschip5 zum Berechnen der Beschleunigung oder des Aufpralls, basierend auf der detektierten Verschiebung. Der Sensorchip3 besitzt eine Drei-Schicht-Struktur aus Glas-Silizium-Glas und ist an einem Chipanschlußfleck11 mit dem Verbindungsharz13 befestigt. Der Signalverarbeitungschip5 ist an dem Sensorchip3 befestigt. Der Sensorchip3 und der Signalverarbeitungschip5 sind durch einen Metalldraht9a , wie beispielsweise einen Golddraht, miteinander elektrisch verbunden. - Wie in
2 gezeigt ist, sind eine Vielzahl von äußeren Leitern7 , welche die äußeren Anschlüsse des Halbleiterbeschleunigungssensors10 darstellen, entlang beider Längskanten des Sensors10 angeordnet (an den Ober- und Unterseiten, wie in2 gezeigt ist). Jeder dieser äußeren Leiter7 ist elektrisch durch Metalldrähte9b mit dem Signalverarbeitungschip5 verbunden. Die Komponenten des Halbleiterbeschleunigungssensors10 werden dann in ihren spezifizierten Positionen gesichert und werden gegenüber der äußeren Umgebung durch ein Harzgußteil2 geschützt, wobei lediglich die Außenseitenteile der äußeren Leiter7 freiliegend belassen werden. - Ein beispielhaftes Harzgußteil (resin molding)
2 ist aus einem Epoxyharz bei der gezeigten Ausführungsform hergestellt. Wie durch eine gedachte oder imaginäre Linie in2 angezeigt ist, definiert dieses Harzgußteil2 die Außengestalt des Halbleiterbeschleunigungssensors10 . - Um die Spannung zu absorbieren und abzufangen, die aus der Expansion und Kontraktion des Harzgußteiles
2 resultiert, wenn sich die Umgebungstemperatur ändert, bedeckt ein Dämpfungsteil4 die Außenflächen des Sensorchips3 in diesem Halbleiterbeschleunigungssensor10 . - Das Dämpfungsteil
4 ist ringförmig gestaltet und die innere Umfangsfläche desselben ist an der äußeren Umfangsfläche des Sensorchips3 befestigt, wobei das Chipverbindungsharz3 dazwischen liegt. Die Höhe des Dämpfungsteiles4 wird in solcher Weise bestimmt, daß der obere Rand des Dämpfungsteiles4 bündig mit der Oberfläche des Sensorchips3 verläuft. Es sei darauf hingewiesen, daß das Dämpfungsteil4 aus einem nachgiebigen Material, wie beispielsweise Gummi, hergestellt ist. - Ein plattenförmiges Abdeckteil
6 ist ferner angeordnet, um die oberen Ränder des Dämpfungsteiles4 und den Sensorchip3 bei dieser ersten Ausführungsform abzudecken. Das Abdeckteil6 ist ebenfalls aus einem nachgiebigen Material, wie beispielsweise Gummi, hergestellt. Die Bindungszwischenschicht zwischen dem Dämpfungsteil4 und dem Sensorchip3 ist durch eine strichlierte Linie P in2 angezeigt. - Indem man auf diese Weise den oberen Rand des Dämpfungsteiles
4 und den oberen Rand des Sensorchips3 mit einem Abdeckteil6 abdeckt, ist die Chance für das Harz in den Spalt zwischen dem Sensorchip und dem Dämpfungsteil4 während des Prozesses, bei dem die Komponenten des Halbleiterbeschleunigungssensors10 mit Harz abgedichtet werden, einzudringen, beseitigt. Als ein Ergebnis ist der Sensorchip3 gegen Spannungen geschützt, die von dem Harzgußteil2 angelegt werden und der Halbleiterbeschleunigungssensor10 kann daher eine gute Detektionsgenauigkeit garantieren. - Ein weiterer Ausgangspunkt der vorliegenden Erfindung wird als nächstes im folgenden unter Hinweis auf die beigefügte
3 beschrieben, in denen gleiche Teile durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet sind. Eine weitere Beschreibung solcher gleicher Teile wird daher unten weggelassen. -
3 ist eine Seitenschnittansicht eines mit Harz abgedichteten Halbleiterbeschleunigungssensors. Dieser Halbleiterbeschleunigungssensor20 umfaßt wie in1 ein Dämpfungsteil24 , welches darüber hinaus einstückig mit dem Abdeckteil ausgebildet ist. - Spezifischer ausgedrückt, ist das Dämpfungsteil
24 ebenfalls umfangsmäßig an der Außenseite des Sensorchips3 angeordnet, um die Spannung zu resorbieren und zu mindern, die ihren Ursprung in der Kontraktion und Expansion des Harzgußteiles2 hat, und zwar aufgrund von Änderungen in der Umgebungstemperatur. Zusätzlich umfaßt das Dämpfungsteil24 einen Flansch24a von der oberen Kante desselben zum radialen Zentrum des Dämpfungsteiles24 hin. Als ein Ergebnis besitzt das Dämpfungsteil24 einen L-gestalteten Querschnitt, wobei der Flansch24a von der oberen Seite zur Innenseite des Dämpfungsteiles24 hin vorspringt. Dieses Dämpfungsteil24 besitzt somit eine ringförmige Gestalt und ist aus Gummi oder einem anderen nachgiebigen Material hergestellt. - Wenn das Dämpfungsteil
24 an dem Sensorchip3 angeordnet wird, kontaktiert das Ende des Flansches24a den oberen Außenrand des Sensorchips3 . Indem auf diese Weise die Öffnung zu dem Spalt zwischen dem Dämpfungsteil4 und dem Sensorchip3 mit dem Flansch24a verschlossen wird, ist die Möglichkeit, daß Harz in diesen Spalt eindringt, und zwar während des Prozesses, bei dem die Komponenten des Halbleiterbeschleunigungssensors10 mit Harz abgedichtet werden, beseitigt. - Als ein Ergebnis ist der Sensorchip
3 gegenüber Spannungen geschützt, die von dem Harzgußteil2 her aufgebracht werden und der Halbleiterbeschleunigungssensor20 kann daher eine gute Detektionspräzision erreichen. Ferner ist die Zahl der Teile reduziert, indem das Abdeckungsteil mit dem Dämpfungsteil24 integriert ist, so daß auch der Herstellungsprozeß vereinfacht wird. - Erstes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung:
-
4 ist eine Seitenschnittansicht eines mit Harz abgedichteten Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Dieser Halbleiterbeschleunigungssensor30 besitzt ebenfalls ein Dämpfungsteil34 , welches umfangsmäßig an der Außenseite des Sensorchips3 angeordnet ist, um eine Spannung zu absorbieren und zu mildern, die ihren Ursprung in der Kontraktion und Expansion des Harzgußteiles2 hat, und zwar aufgrund von Änderungen in der Umgebungstemperatur. Das Dämpfungsteil34 dieser Ausführungsform besitzt eine hohle Schicht34a , die in Höhenrichtung des Dämpfungsteiles34 ausgebildet ist. Das offene Ende dieser hohlen Schicht34a ist durch ein Abdeckteil6 verschlossen, welches so angeordnet ist, um den oberen Rand des Dämpfungsteiles34 und den oberen Rand des Sensorchips3 zu schließen, so daß dadurch Luft innerhalb der hohlen Schicht34a eingefangen ist. - Die Anordnung einer hohlen Schicht
34a in der Höhenrichtung bei dem Dämpfungsteil34 erhöht die seitliche Flexibilität des Dämpfungsteiles34 , wodurch die Fähigkeit des Sensorchips3 in zuverlässiger Weise Spannungen an dem Sensorchip3 zu absorbieren und zu mindern, die von dem Harzgußteil2 stammen, erhöht wird. - Zweites Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung:
-
5 zeigt eine Seitenschnittansicht eines durch Harz abgedichteten Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Halbleiterbeschleunigungssensor40 ist die hohle Schicht34a in dem Dämpfungsteil34 der oben beschriebenen dritten Ausführungsform mit einem verstärkenden Füllmaterial42 vom Geltyp gefüllt. Dieses verstärkende Füllmaterial42 verbessert die Festigkeit des Dämpfungsteiles34 , verglichen mit einer hohlen Schicht34a , die lediglich mit Luft gefüllt ist, während auch gleichzeitig im wesentlichen die seitliche Flexibilität in dem Dämpfungsteil34 beibehalten wird. - Ein beispielhaftes verstärkendes Füllmaterial
42 ist Silikongel, und zwar aufgrund dessen außergewöhnlichem Widerstand gegenüber einer Alterung und Hitze und aufgrund einer minimalen Änderung in der Viskosität bei Temperaturänderungen. Ein Dämpfungsteil34 mit einer stabilen seitlichen Biegefähigkeit bzw. Flexibilität und Festigkeit kann somit realisiert werden. - Beispielsweise können das Dämpfungsteil und das Abdeckteil, die oben beschrieben wurden, aus Gummi oder einem anderen nachgiebigen Material hergestellt werden, wobei die Erfindung darauf jedoch nicht beschränkt ist. Spezifischer ausgedrückt, können das Dämpfungsteil und das Abdeckteil aus Kunststoff oder einem anderen steifen Harz insofern hergestellt werden, als das Material dafür geeignet ist, eine Spannung zu absorbieren und zu mildern, die von dem Harzguß herrührt und dafür geeignet ist, den oberen Rand des Dämpfungsteiles und den oberen Rand des Beschleunigungssensorchips abzudecken.
- Bezugszeichenliste
-
- 2
- Gußteil (Harzgußteil, Harzpackung, Harzformguß)
- 3
- Beschleunigungssensorchip
- 4
- Dämpfungsteil
- 5
- Signalverarbeitungschip
- 6
- Abdeckteil
- 7
- Äußerer Leiter
- 9a
- Metalldraht
- 9b
- Metalldraht
- 10
- Halbleiterbeschleunigungssensor
- 11
- Chipanschlußflecken
- 13
- Verbindungsharz
- 20
- Halbleiterbeschleunigungssensor
- 24
- Dämpfungsteil
- 24a
- Flansch
- 30
- Halbleiterbeschleunigungssensor
- 34
- Dämpfungsteil
- 34a
- Hohle Schicht
- 40
- Halbleiterbeschleunigungssensor
- 42
- Füllmaterial
- 50
- Halbleiterbeschleunigungssensor
- 52
- Gußteil (Harzgußteil)
- 52a
- Harz
- 53
- Beschleunigungssensorchip
- 54
- Dämpfungsteil
- 55
- Signalverarbeitungschip
- 57
- Leiter
- 59a
- Metalldraht
- 59b
- Metalldraht
- 61
- Chipanschlußflecken
- 63
- Chip-Verbindungsharz
- B
- Strichlierte Linie
Claims (7)
- Halbleiterbeschleunigungssensor (
10 ;20 ;30 ), bei dem Funktionselemente, die einen Beschleunigungssensorchip (3 ) und einen Signalverarbeitungschip (5 ) enthalten, in einer Harzpackung (2 ) abgedichtet sind, wobei der Beschleunigungssensorchip (3 ) in elektrischer Verbindung mit dem Signalverarbeitungschip (5 ) steht, gekennzeichnet durch ein flexibles Dämpfungsteil (4 ;24 ;34 ), welches ringförmig um den Beschleunigungssensorchip (3 ) ausgestaltet ist, um die von der Harzpackung (2 ) auf den Beschleunigungssensorchip (3 ) ausgeübte mechanische Spannung zu mildern; und ein Abdeckteil (6 ), welches einen oberen Randabschnitt des Dämpfungsteiles (4 ;24 ;34 ) und einen oberen Rand des Beschleunigungssensorchips (3 ) abdeckt, um zu verhindern, dass Harz in einen Spalt zwischen dem Beschleunigungssensorchip (3 ) und dem Dämpfungsteil (4 ;24 ;34 ) während des Prozesses eindringt, in dem die Funktionselemente mit Harz abgedichtet werden, bei dem das Dämpfungsteil (34 ) eine hohle Schicht (34a ) aufweist, die in Höhenrichtung des Dämpfungsteiles (34 ) ausgebildet ist. - Halbleiterbeschleunigungssensor nach Anspruch 1, bei dem das Dämpfungsteil (
4 ;24 ;34 ) einstückig mit dem Abdeckteil ausgebildet ist. - Halbleiterbeschleunigungssensor nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die hohle Schicht (
34a ) des Dämpfungsteiles (34 ) mit einem verstärkenden Füllmaterial (42 ) vom Geltyp gefüllt ist. - Halbleiterbeschleunigungssensor nach Anspruch 3, bei dem das verstärkende Füllmaterial (
42 ) Silikongel ist. - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbeschleunigungssensors, bei dem Funktionselemente, die einen Beschleunigungssensorchip (
3 ) und einen Signalverarbeitungschip (5 ) enthalten, in einer Harzpackung (2 ) abgedichtet sind, wobei der Beschleunigungssensorchip (3 ) in elektrischer Verbindung mit dem Signalverarbeitungschip (5 ) steht, gekennzeichnet durch folgende Schritte: – Befestigen des Beschleunigungssensorchips (3 ) an einem Chipanschlussflecken (11 ), – Anordnen eines flexiblen Dämpfungsteiles (4 ;24 ;34 ) ringförmig um den Beschleunigungssensorchip (3 ), um die mechanische Spannung von der Harzpackung (2 ) auf den Beschleunigungssensorchip (3 ) zu mildern, und – Anordnen eines Abdeckteiles (6 ) in der Weise, dass es einen oberen Randabschnitt des Dämpfungsteiles (4 ;24 ;34 ) und einen oberen Rand des Beschleunigungssensorchips (3 ) abdeckt um zu verhindern, dass Harz in einen Spalt zwischen den Beschleunigungssensorchip (3 ) und dem Dämpfungsteil (4 ;24 ;34 ) während des Prozesses eindringt, in dem die Funktionselemente mit Harz abgedichtet werden, bei dem das Dämpfungsteil (34 ) eine hohle Schicht (34a ) aufweist, die in Höhenrichtung des Dämpfungsteiles (34 ) ausgebildet ist. - Verfahren nach Anspruch 5, bei dem das Dämpfungsteil (
4 ;24 ;34 ) einstückig mit dem Abdeckteil (6 ) ausgebildet wird. - Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, bei dem die hohle Schicht (
34a ) des Dämpfungsteiles (34 ) mit einem verstärkenden Füllmaterial (42 ) vom Geltyp gefüllt ist.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001235485A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
JP2002005951A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-09 | Denso Corp | 半導体力学量センサ及びその製造方法 |
JP4156946B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2008-09-24 | 三菱電機株式会社 | 加速度センサ |
US7145253B1 (en) * | 2004-06-09 | 2006-12-05 | Amkor Technology, Inc. | Encapsulated sensor device |
JP4277079B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2009-06-10 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体加速度センサ装置及びその製造方法 |
JP4832802B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-12-07 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体加速度センサ装置及びその製造方法 |
JP4380618B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2009-12-09 | 株式会社デンソー | センサ装置 |
JP4692260B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2011-06-01 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサ装置およびその製造方法 |
DE102006022807A1 (de) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Robert Bosch Gmbh | Chipgehäuse mit reduzierter Schwingungseinkopplung |
DE102010000848A1 (de) * | 2010-01-13 | 2011-07-14 | Robert Bosch GmbH, 70469 | Trägermaterial mit einer mechanischen Filtereigenschaft und Verfahren zur Herstellung eines Trägermaterials |
JP5904019B2 (ja) * | 2012-06-05 | 2016-04-13 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニット,運動計測システム、およびテニスラケット |
WO2014042055A1 (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-20 | アルプス電気株式会社 | 半導体装置 |
US9472904B2 (en) * | 2014-08-18 | 2016-10-18 | Amphenol Corporation | Discrete packaging adapter for connector |
CN106872727B (zh) * | 2017-01-18 | 2019-06-04 | 清华大学 | 一种基于压阻效应的自供电加速度传感器及其制造方法 |
CN112880667B (zh) * | 2019-11-29 | 2023-12-08 | 精工爱普生株式会社 | 传感器单元、电子设备以及移动体 |
EP3835792A1 (de) * | 2019-12-11 | 2021-06-16 | Treon Oy | Beschleunigungsaufnehmer und verfahren zur messung von beschleunigungsdaten |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH021957A (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-08 | Nec Corp | 半導体集積回路用パッケージ |
DE4238113A1 (de) * | 1992-11-12 | 1994-05-19 | Mikroelektronik Und Technologi | Anordnung zur spannungsfreien Chipmontage |
JPH07225240A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Omron Corp | 半導体加速度センサ及び半導体加速度センサ装置並びに半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ装置 |
US5847445A (en) * | 1996-11-04 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Die assemblies using suspended bond wires, carrier substrates and dice having wire suspension structures, and methods of fabricating same |
DE19727214C2 (de) * | 1996-11-18 | 1999-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterbeschleunigungssensor, insb. für Airbags |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10197374A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体センサ |
-
1999
- 1999-01-27 JP JP01833699A patent/JP3962499B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-18 US US09/335,522 patent/US6323529B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-04 DE DE19936610A patent/DE19936610B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH021957A (ja) * | 1988-06-10 | 1990-01-08 | Nec Corp | 半導体集積回路用パッケージ |
DE4238113A1 (de) * | 1992-11-12 | 1994-05-19 | Mikroelektronik Und Technologi | Anordnung zur spannungsfreien Chipmontage |
JPH07225240A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Omron Corp | 半導体加速度センサ及び半導体加速度センサ装置並びに半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ装置 |
US5847445A (en) * | 1996-11-04 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Die assemblies using suspended bond wires, carrier substrates and dice having wire suspension structures, and methods of fabricating same |
DE19727214C2 (de) * | 1996-11-18 | 1999-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterbeschleunigungssensor, insb. für Airbags |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013003130A1 (de) * | 2013-02-23 | 2014-09-11 | Testo Ag | Messgerät |
DE102013003130B4 (de) | 2013-02-23 | 2019-09-05 | Testo Ag | Messgerät |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6323529B1 (en) | 2001-11-27 |
DE19936610A1 (de) | 2000-08-10 |
JP2000214177A (ja) | 2000-08-04 |
JP3962499B2 (ja) | 2007-08-22 |
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