JP4832802B2 - 半導体加速度センサ装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体加速度センサ装置及びその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、加速度センサチップをパッケージに実装してなる半導体加速度センサ装置に関するものである。
従来より、印加された加速度の大きさ及び方向に応じた電気信号を出力する加速度センサチップをパッケージに実装してなる半導体加速度センサ装置がある。
半導体加速度センサ装置は、従来より種々の方式が知られている。その代表的な例として、図１７に示す構造の半導体加速度センサ装置がある。この半導体加速度センサ装置は、図１６の加速度センサチップ４をパッケージ１に実装してなるものである。
加速度センサチップ４は、中央部の錘１６を４本の梁１８で支持し、梁１８上にピエゾ抵抗素子２０を設置する構造である。このような構造であるため、錘１６がＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に動くと梁１８が伸縮し、ピエゾ抵抗素子２０の抵抗値が変化する。そして各軸方向のピエゾ抵抗素子２０でブリッジ回路を構成して抵抗値変化を電気信号として取り出し、演算処理することにより、印加された加速度の方向及びその大きさを検出することができる。このような方式の加速度センサは、特許文献１にも記載されている。
このように、加速度センサチップ４は錘１６の動きを感知する機構からなるため、加速度センサチップ４を実装するためのパッケージ１は中空にする必要がある。
そして、加速度センサチップ４はシリコーンゴム等の接着性を有する低弾性部材３によってパッケージ１内部の底面５に接着されている。ここで低弾性部材３が用いられるのは、加速度センサチップ４の耐衝撃性を確保するためである。また、低弾性部材３は、液状のものを底面５に塗布して硬化させることによって形成される。
なお、その他の半導体加速度センサ装置の例としては、特許文献２に記載されるものがある。
特開２００４−１９８２４３ 特許第３５１７４２８号
しかしながら、上記の従来の半導体加速度センサ装置においては、加速度センサチップをパッケージ内部の底面に接着するための低弾性部材の熱膨張係数は加速度センサチップの熱膨張係数よりも大きいため、周囲の温度が変化した場合に加速度センサチップに歪みが生ずる。そして、加速度センサチップに歪みが生ずるとピエゾ素子が影響を受けるため、加速度の検出に影響が生ずる。すなわち、温度が変化すると精度よく加速度を検出できないという問題があった。
そこで、上記問題を解決するために、この発明の代表的な半導体加速度センサ装置は、加速度センサチップを内部に収容する中空のパッケージであって、前記パッケージ内部の底面のチップ実装領域内に凹部が形成されている前記パッケージと、前記凹部に充填されており、接着性を有する弾性部材と、前記弾性部材上に配置された前記加速度センサチップであって、前記弾性部材と前記加速度センサチップとの接着面が前記底面よりも高い前記加速度センサチップと、からなり、前記凹部の深さは５０μｍから１００μｍの範囲内であり、前記弾性部材は、上面視の形状、大きさ及び位置が前記凹部と同じであることを特徴とする半導体加速度センサ装置を提供する。
なお、本明細書において「所定領域」とは、パッケージ内部の底面内の平面的な所定領域をいう。
本明細書において、所定領域、凹部、低弾性部材及び加速度センサチップに関して「形状」、「大きさ」、及び「位置」とは、いずれも、平面的な、形状、大きさ、及び位置をいう。
本明細書において「円形」とは、真円形と楕円形の両方を含む。
本発明によれば、低弾性部材が凹部に充填されているため、周囲の温度が変化した場合に、低弾性部材の寸法変化は主に上下方向に生じ、水平方向への寸法変化は抑制される。すなわち、温度変化によって加速度センサチップに生ずる歪みが抑制されるため、加速度センサの検出精度を向上させることができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。以下の各実施形態はあくまでも最良の形態を示すものであって、本発明の範囲は以下の各実施形態に限定されるものではない。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法を図１乃至図４を用いて説明する。図１（ｂ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の平面図である。図１（ａ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図１（ｂ）のＡ−Ａ’部分の断面図である。図２（ａ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の、上蓋１０、接着剤８、ワイヤ１４、及び加速度センサチップ４を取り除いた状態の平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の低弾性部材３上に加速度センサチップ４を配置した状態の平面図である。図３は、低弾性部材３の形状、大きさ又は位置が、図２（ａ）に示す低弾性部材３とは異なる場合の例である。図４は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造工程を示す断面図及び平面図である。
［構造］
図１（ａ）において、印加された加速度の大きさ及び方向に応じた電気信号を出力する加速度センサチップ４が、中空のパッケージ１の内部に収容されている。パッケージ１は、セラミックからなるチップ収容部６と、チップ収容部６上に接着剤８を用いて覆い被せられたセラミックからなる上蓋１０とから構成されている。パッケージ１によって、パッケージ１内部に収容された加速度センサチップ４は密封されている。また、チップ収容部６には、導電性のパッケージ電極１２が複数箇所に埋め込まれている。チップ収容部６内側、すなわちパッケージ１内部の底面５には、凹部２が形成されている。凹部２は、底面５内の所定領域Ｒ内に形成されており、本実施形態においては、凹部２の形状、大きさ及び位置は、所定領域Ｒと同じである。なお、このようなチップ収容部６と凹部２の構造は、チップ収容部６は側面７と底面５とからなる第１凹部を有しており、底面５の所定領域Ｒ内には凹部２（第２凹部）が形成されている、と捉えることもできる。凹部２には、シリコーンゴムからなる低弾性部材３が充填されている。低弾性部材３は凹部２を埋めるようにして形成されているため、凹部２の側壁によって区画されている。 従って、本実施形態においては、低弾性部材３の形状、大きさ及び位置は、凹部２及び所定領域Ｒと同じである。低弾性部材３上に、加速度センサチップ４が低弾性部材３によって接着されて配置されている。低弾性部材３と加速度センサチップ４との接着面は、底面５よりもやや高い。これは、パッケージ１が外部から衝撃を受けた場合に加速度センサチップ４が底面５にぶつからないようにするための遊びを設けておく必要があるからである。加速度センサチップ４の電極（図示しない）とパッケージ電極１２とは、ワイヤ１４によって電気的に接続されている。
パッケージ１は、幅６．０ｍｍ、高さ０．８５ｍｍである。凹部２の深さは７５μｍであるが、５０〜１００μｍであればよい。また、低弾性部材３と加速度センサチップ４との接着面は、底面５よりも１０μｍ程度高いのが好適である。低弾性部材３上面の周縁部には、加速度センサチップ４と接着されない若干の隙間が生じているが、そのような隙間は生じない場合もある。低弾性部材３は、凹部２以外の底面５上には形成されていない。
低弾性部材３の材料としてはシリコーンゴムが好適であるが、弾性率が１００ＭＰａ以下であり、かつ接着性を有するものであれば、シリコーンゴム以外のものでも良い（例えばフッ素ゴム等）。
また、本実施形態では、上蓋１０及びチップ収容部６において、図１７に示す従来構造とは異なる構造を採っている。すなわち断面構造において、従来構造の上蓋１０は端部（平面的には、周縁部）まで平坦な板状であるが、本実施形態の上蓋１０は、端部が下方に突出している構造（言い換えれば、凹状）となっている。また、チップ収容部６のパッケージ電極１２が形成されている部分の構造が、従来構造ではパッケージ電極１２の下部がチップ収容部６の裏面から突出している構造であったのに対し、本実施形態ではパッケージ電極１２の下部がチップ収容部６内に埋め込まれており、チップ収容部６の裏面から突出しないようになっており、ゆえにチップ収容部６の裏面が全体として平坦になっている。このように上蓋１０及びチップ収容部６の構造が従来構造と異なるのは、本実施形態では、上蓋１０の端部以外の部分の厚さを従来構造よりも薄くすることでパッケージ１全体としての厚さを薄くしつつも、端部は従来構造と同様の厚さとすることで強度を保つためである。また、パッケージ電極１２の下部がチップ収容部６内に埋め込まれる構造とすることで、実装高さを低くするためである。従って、本実施形態においても、図１７に示す従来構造の上蓋１０及びチップ収容部６の構造を採用しても構わない。
さらに、本実施形態では、パッケージ１はチップ収容部６と上蓋１０とによって加速度センサチップ４を密封している。加速度センサチップ４の検出精度を向上させるためにはこのように何らかの方法により密封している方が良いが、本発明においては必ずしも密封していなくともよい。すなわち、上蓋１０は必ずしも必要ではない。
図１（ｂ）において、上蓋１０はパッケージ１の一部を構成している。上蓋１０の形状（すなわちパッケージ１の形状）は、正方形であり、一辺の長さが６．０ｍｍである。
図２（ａ）は、図１の半導体加速度センサ装置から、上蓋１０、接着剤８、ワイヤ１４、及び加速度センサチップ４を取り除いた状態の平面図である。すなわち、凹部２に低弾性部材３が充填された状態を示している。
凹部２は、底面５内の所定領域Ｒ内に形成されている。本実施形態においては、所定領域Ｒは、大きさが一辺１．８ｍｍで形状が正方形であり、凹部２の形状、大きさ及び位置は、所定領域Ｒと同じである。
凹部２には、シリコーンゴムからなる低弾性部材３が充填されている。低弾性部材３は凹部２を埋めるようにして形成されているため、凹部２の側壁によって区画されている。従って、低弾性部材３の形状、大きさ及び位置は、凹部２及び所定領域Ｒと同じである。このように、低弾性部材３は、所定領域Ｒ内の１箇所に形成されている。また、低弾性部材３は、その形状において、所定領域Ｒのｘ軸方向の辺の中心線Ｃｘを基準に線対称となるように、かつ、ｙ軸方向の辺の中心線Ｃｙを基準に線対称となるように、所定領域Ｒ内に配置されていることとなる。すなわち、本実施形態においては、低弾性部材３の形状、大きさ及び位置が所定領域Ｒと同じなので、必然的にＣｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置される。しかし、例えば図３（ａ）に示すように、その形状が直方形であり、大きさが所定領域Ｒよりも小さい低弾性部材３においては、図３（ａ）の位置に配置した場合にのみＣｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置されていることとなる。また、例えば図３（ｂ）に示すように、その形状が正方形であり、大きさが所定領域Ｒよりも小さい低弾性部材３を、図３（ｂ）に示す位置に配置した場合には、Ｃｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置されているとはいえない（この場合は、Ｃｘ及びＣｙのいずれに対しても線対称ではない）。
そして図２（ｂ）に示すように、加速度センサチップ４は、上記のように形成されている低弾性部材３上に配置されている。すなわち、本実施形態においては加速度センサチップ４の形状、大きさ及び位置は、所定領域Ｒと同じである。このため図２（ｂ）では、加速度センサチップ４が、凹部２及び低弾性部材３をちょうど覆い隠すようにして配置されている。なお、図２（ａ）及び（ｂ）において、所定領域Ｒを示す破線が、凹部２、低弾性部材３及び加速度センサチップ４よりも一回り大きく描かれているが、これは単に線を区別して描くためにそのようにしたに過ぎず、本実施形態においてはこれらの形状、大きさ及び位置は同じである。
この第１実施形態の半導体加速度センサ装置によれば、第１に、接着性を有する低弾性部材３が凹部２に充填されており、凹部２の側壁によって区画されているため、周囲の温度が変化した場合に、低弾性部材３の寸法変化が主に上下方向に生じ、水平方向への寸法変化は抑制される。よって、低弾性部材３上に接着されている加速度センサチップ４にかかる応力を低減することができる。従って、温度変化によって加速度センサチップ４に生ずる歪みが抑制されるため、加速度センサの検出精度を向上させることができる。なお本実施形態では、低弾性部材３は、凹部２を充填するが凹部２以外の底面５上には形成されていない（すなわち、低弾性部材３の形状、大きさ及び位置は、凹部２と同じである。）。しかし、仮に低弾性部材３が凹部２を充填し、同時に凹部２以外の底面５上にも形成されている場合であっても、低弾性部材３が凹部２の側壁によって区画されている部分を有している以上、従来技術に比較して水平方向への寸法変化を抑制することができる。
第２に、低弾性部材３は正方形、すなわち矩形であるため、凹部２も矩形である。凹部２は、型抜きしたセラミックシートの積層によってチップ収容部６を成型する際に同時に成型するのであるが、矩形以外の形状（例えば円形）とするよりも設計が容易である。
第３に、加速度センサチップ４は、形状、大きさ及び位置が所定領域Ｒと同じであり、かつ、所定領域Ｒ内の低弾性部材３の形状が所定領域Ｒのｘ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれの辺の中心線Ｃｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように形成されているため、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材３から加速度センサチップ４にかかる応力を均等に分散させることができる。すなわち、本実施形態においては、正方形の所定領域Ｒ内に、同じ大きさの正方形の低弾性部材３を形成したので、当然ながらＣｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるが、例えば図３（ａ）の場合にも、この第３の効果を得ることができる。他方、図３（ｂ）のようにＣｘ及びＣｙの両方に対して線対称であると言えない場合においては、この第３の効果を奏することはできない。
第４に、加速度センサチップ４は、形状、大きさ及び位置が所定領域Ｒと同じであり、かつ、低弾性部材３も、形状、大きさ及び位置が所定領域Ｒと同じであるため、加速度センサチップ４が低弾性部材３をちょうど覆い隠すように形成されている。すなわち、加速度センサチップ４の底面の実質的に全面が低弾性部材３によって接着されているため、加速度センサチップ４をパッケージ１に安定して実装することができる。なお、「実質的に」全面が接着されていれば良く、上述の通り低弾性部材３上面の周縁部に、加速度センサチップ４と接着されない若干の隙間が生じていても問題ない。
第５に、低弾性部材３の形状は正方形であるため、これが長方形である場合よりも、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材３から加速度センサチップ４にかかる応力を均等に分散させることができる。さらに本実施形態では、低弾性部材３が正方形であることに加えて、所定領域Ｒ及び加速度センサチップ４のいずれの形状も正方形であり、かつ大きさ及び位置も同じであるため、これらいずれかの形状、大きさ又は位置が異なる場合と比較して、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材３から加速度センサチップ４にかかる応力をより均等に分散させることができる。
［製造方法］
次に、本発明の第１実施形態に係る半導体加速度センサ装置の製造方法を図４を用いて説明する。なお、下記製造方法の説明において、構造の説明において記載したのと同じ部分については、その説明を省略する。
まず、図４（ａ）に示すように、公知の方法によって製造した加速度センサチップ４を準備する。加速度センサチップ4は、印加された加速度の大きさ及び方向に応じた電気信号を出力するものである。
次に、図４（ｂ）及び（ｂ’）に示すような、底面５の所定領域Ｒ内に凹部２を有するチップ収容部６を準備する。チップ収容部６の材料はセラミックであり、型抜きしたセラミックシートの積層によって形状が成型される。この際同時に、チップ収容部６内側の底面５には凹部２が成型される。また、チップ収容部６は、複数のパッケージ電極１２を有する。なお、図４（ｂ’）において、所定領域Ｒを示す破線が、凹部２よりも一回り大きく描かれているが、これは単に線を区別して描くためにそのようにしたに過ぎず、本実施形態においてはこれらの形状、大きさ及び位置は同じである。
次に、図４（ｃ）に示すように、高温で液化させたシリコーンゴムからなる低弾性部材３を凹部２に流し込むことにより、凹部２を低弾性部材３で充填する。この際、低弾性部材３の表面が表面張力によりやや盛り上がるようにし、その頂点部分がチップ収容部６の底面５よりも数十μｍ程度高くなるようにする。なお、３０μｍ〜４０μｍ程度高くするのが好適である。
次に、図４（ｄ）に示すように、低弾性部材３が液体であるうちに加速度センサチップ４を低弾性部材３上に配置し、低弾性部材３を冷却して固化させる。これによって、チップ収容部６と、低弾性部材３と、加速度センサチップ４とが接着される。この際、低弾性部材３と加速度センサチップ４との接着面は、底面５よりも１０μｍ程度高くなるようにする。
次に、図４（ｅ）に示すように、加速度センサチップ４の電極（図示しない）とパッケージ電極１２とをワイヤ１４によって接続した上で、チップ収容部６上に接着剤８を用いてセラミックからなる上蓋１０を覆い被せる。このようにして、加速度センサチップ４を、チップ収容部６と上蓋１０とからなるパッケージ１によって密封し、半導体加速度センサ装置が完成する。
この第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法によれば、第１に、底面５に凹部２を成型しておいた後に凹部２に液体の低弾性部材３を流し込むことで低弾性部材３を形成するため、低弾性部材３を精度よく形成することができる。
第２に、形成された低弾性部材３上に、凹部２及び低弾性部材３と形状及び大きさが同じ加速度センサチップ４を、凹部２及び低弾性部材３と同じ位置に配置するため、加速度センサチップ４の配置を精度よく行うことができる。
（第１実施形態の第１変形例）
本発明の第１実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法の第１変形例を図５及び図４を用いて説明する。なお、上記第１実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法と同じ部分は、その説明を省略する。
［構造］
図５（ａ）は、本変形例の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図１（ｂ）のＡ−Ａ’部分の断面図である。図５（ｂ）は、本変形例の半導体加速度センサ装置の、上蓋１０、接着剤８、ワイヤ１４、及び加速度センサチップ４を取り除いた状態の平面図である。図５（ｃ）は、図５（ｂ）の低弾性部材３上に加速度センサチップ４を配置した状態の平面図である。
本変形例の半導体加速度センサ装置の構造において、第１実施形態の半導体加速度センサ装置と異なる点は、凹部２及び低弾性部材３の大きさが、第１実施形態におけるこれらよりも小さい点である。言い換えれば、凹部２及び低弾性部材３の大きさが、加速度センサチップ４よりも小さい点である（なお、加速度センサチップ４は、第１実施形態と同様に所定領域Ｒと同じ大きさである）。その他は第１実施形態と同じである。
本変形例の半導体加速度センサ装置によっても、第１実施形態の半導体加速度センサ装置による効果と同様の以下の第１乃至第３の効果を奏することができる。
すなわち第１に、低弾性部材３が凹部２の側壁によって区画されているため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材３の水平方向への寸法変化を抑制することができる。
第２に、低弾性部材３は矩形なので、矩形以外の形状とするよりも設計が容易である。
第３に、加速度センサチップ４は、形状、大きさ及び位置が所定領域Ｒと同じであり、かつ、所定領域Ｒ内の低弾性部材３の形状が所定領域Ｒのｘ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれの辺の中心線Ｃｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように形成されているため、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材３から加速度センサチップ４にかかる応力を均等に分散させることができる。
そしてさらに本変形例においては、次の第４の効果をも有する。
すなわち第４に、低弾性部材３の大きさが第１実施形態における低弾性部材３よりも小さいため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材３の寸法変化が小さく、低弾性部材３上に接着されている加速度センサチップ４にかかる応力を、第１実施形態よりも低減することができる。従って、温度変化によって加速度センサチップ４に生ずる歪みがより抑制されるため、加速度センサの検出精度を向上させることができる。
［製造方法］
本変形例の半導体加速度センサ装置の製造方法において、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と異なる点は、図４（ｂ）及び（ｂ’）において、凹部２を図５（ａ）及び（ｂ）に示すような大きさに成型する点である。このため、凹部２に充填される低弾性部材３も図５（ａ）及び（ｂ）に示すように形成されることとなる。その他は図３に示す第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同じである。
本変形例の半導体加速度センサ装置の製造方法によっても、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同様に、底面５に凹部２を成型しておいた後に凹部２に液体の低弾性部材３を流し込むことで低弾性部材３を形成するため、低弾性部材３を精度よく形成することができるという効果を有する。
（第１実施形態の第２変形例）
本発明の第１実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法の第２変形例を図６及び図４を用いて説明する。なお、上記第１実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法と同じ部分は、その説明を省略する。
［構造］
図６（ａ）は、本変形例の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図１（ｂ）のＡ−Ａ’部分の断面図である。図６（ｂ）は、本変形例の半導体加速度センサ装置の、上蓋１０、接着剤８、ワイヤ１４、及び加速度センサチップ４を取り除いた状態の平面図である。図６（ｃ）は、図６（ｂ）の低弾性部材３上に、加速度センサチップ４を配置した状態の平面図である。
本変形例の半導体加速度センサ装置の構造において、第１実施形態の半導体加速度センサ装置と異なる点は、加速度センサチップ４の大きさが、第１実施形態におけるこれよりも小さい点である。言い換えれば、加速度センサチップ４の大きさが、低弾性部材３の大きさよりも小さい点である（なお、低弾性部材３は、第１実施形態と同様に所定領域Ｒと同じ大きさである。）。また、本変形例の場合、図６（ｃ）に示すように、加速度センサチップ４は、形状が、所定領域Ｒのｘ軸方向の辺の中心線Ｃｘ、及びｙ軸方向の辺の中心線Ｃｙを基準に線対称となるように、所定領域Ｒ内に配置している。また所定領域Ｒ内（すなわち、低弾性部材３が形成されている領域内）に配置する場合、低弾性部材３と加速度センサチップ４との接着面は、底面５よりも高くなくとも良い。これは、パッケージ１が外部から衝撃を受けた場合に加速度センサチップ４が底面５にぶつかる危険性が無いからである。その他は第１実施形態と同じである。
本変形例の半導体加速度センサ装置によっても、第１実施形態の半導体加速度センサ装置による効果と同様の以下の第１及び第２の効果を奏することができる。
すなわち第１に、低弾性部材３が凹部２の側壁によって区画されているため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材３の水平方向への寸法変化を抑制することができる。
第２に、低弾性部材３は矩形なので、矩形以外の形状とするよりも設計が容易である。
そしてさらに本変形例においては、次の第３及び第４の効果をも有する。
すなわち第３に、加速度センサチップ４の裏面の全面が低弾性部材３に接着しているため、加速度センサチップ４をパッケージ１に安定して実装することができる。
第４に、加速度センサチップ４を、形状が、所定領域Ｒのｘ軸方向の辺の中心線Ｃｘ、及びｙ軸方向の辺の中心線Ｃｙを基準に線対称となるように、所定領域Ｒ内に配置しているので、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材３から加速度センサチップ４にかかる応力を均等に分散させることができる。
［製造方法］
本変形例の半導体加速度センサ装置の製造方法において、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と異なる点は、図４（ｂ）及び（ｂ’）において、加速度センサチップ４を図６（ａ）及び（ｃ）に示すような大きさに成型する点である。また、図４（ｄ）において、加速度センサチップ４を図６（ａ）及び（ｃ）に示すような位置に配置する点である。その他は図４に示す第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同じである。
本変形例の半導体加速度センサ装置の製造方法によっても、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同様の次の第１の効果を奏することができる。
すなわち第１に、底面５に凹部２を成型しておいた後に凹部２に液体の低弾性部材３を流し込むことで低弾性部材３を形成するため、低弾性部材３を精度よく形成することができるという効果を有する。
そしてさらに本変形例においては、次の第２の効果をも有する。
すなわち第２に、加速度センサチップ４を所望の位置（例えば図６（ｃ）の位置）に精度良く配置できなかったとしても、加速度センサチップ４の底面の全面が低弾性部材３によって接着される安定した位置に配置できる可能性が高いという効果がある。
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法を図７乃至図９及び図４を用いて説明する。なお、上記第１実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法と同じ部分については、その説明を省略する。
［構造］
図７（ｂ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の平面図である。図７（ａ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図７（ｂ）のＡ−Ａ’部分の断面図である。図８（ａ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の、上蓋１０、接着剤８、ワイヤ１４、及び加速度センサチップ４を取り除いた状態の平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）の低弾性部材３上に、加速度センサチップ４を配置した状態の平面図である。図９は、低弾性部材３の形状、大きさ又は位置が、本実施形態の低弾性部材３とは異なる場合の例である。
本実施形態の半導体加速度センサ装置の構造において、第１実施形態の半導体加速度センサ装置と異なる点は、低弾性部材３が所定領域Ｒ内に間仕切りされて４箇所に形成されている点である。
すなわち図７（ａ）及び図８（ａ）において、凹部２は、底面５の所定領域Ｒ内に間仕切りされて４箇所に形成されている。低弾性部材３は凹部２それぞれを埋めるようにして形成されているため、それぞれ凹部２の側壁によって区画されている。従って、低弾性部材３それぞれの形状、大きさ及び位置は、対応する凹部２と同じである。低弾性部材３は、それぞれ、大きさが一辺０．８ｍｍで形状が正方形であり、隣り合う低弾性部材３の間隔はそれぞれ０．２ｍｍである。従って、４つの低弾性部材３は、それぞれが所定領域Ｒの４つの頂点に接するように配置されている。４つの低弾性部材３は、その形状において、所定領域Ｒのｘ軸方向の辺の中心線Ｃｘを基準に線対称となるように、かつ、ｙ軸方向の辺の中心線Ｃｙを基準に線対称となるように、所定領域Ｒ内に配置されていることとなる。すなわち、本実施形態においては、形状及び大きさが同じ４つの低弾性部材３がそれぞれ所定領域Ｒの４つの頂点に接するように配置されているため、必然的にＣｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置される。しかし、例えば図９（ａ）に示すような、形状及び大きさが同じではない６つの低弾性部材３の場合は、図９（ａ）の位置に配置した場合にＣｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置されていることとなる。また、例えば図９（ｂ）に示すように、その形状が正方形であり、大きさが同じ４つの低弾性部材３であっても、図９（ｂ）に示す位置に配置した場合には、Ｃｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置されているとはいえない（この場合は、Ｃｘ及びＣｙのいずれに対しても線対称ではない）。
そして図７（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、加速度センサチップ４は、上記のようにして形成されている４つの低弾性部材３上に配置されており、加速度センサチップ４の形状、大きさ及び位置は、所定領域Ｒと同じである。このため図８（ｂ）では、加速度センサチップ４が、４つの凹部２及び４つの低弾性部材３をちょうど覆い隠すようにして配置されている。
この第２実施形態の半導体加速度センサ装置によれば、第１実施形態の半導体加速度センサ装置による効果と同様に、以下の第１乃至第３の効果を奏することができる。
すなわち第１に、４つの低弾性部材３がそれぞれ凹部２の側壁によって区画されているため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材３の水平方向への寸法変化を抑制することができる。
第２に、低弾性部材３は矩形なので、矩形以外の形状とするよりも設計が容易である。
第３に、加速度センサチップ４は、形状、大きさ及び位置が所定領域Ｒと同じであり、かつ、所定領域Ｒ内の複数の低弾性部材３の形状が所定領域Ｒのｘ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれの辺の中心線Ｃｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように形成されているため、周囲の温度が変化した場合に複数の低弾性部材３から加速度センサチップ４にかかる応力を均等に分散させることができる。
そしてさらに本実施形態においては、以下の第４乃至第６の効果を奏することができる。
すなわち第４に、低弾性部材３が所定領域Ｒ内に複数形成されているため、それぞれの低弾性部材３は第１実施形態の低弾性部材３よりも小さい。低弾性部材３の大きさが小さい方が、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材３の寸法変化が小さいため、低弾性部材３上に接着されている加速度センサチップ４にかかる応力を、第１実施形態よりも低減することができる。従って、温度変化によって加速度センサチップ４に生ずる歪みがより抑制されるため、加速度センサの検出精度を向上させることができる。
第５に、加速度センサチップ４は、形状、大きさ及び位置が所定領域Ｒと同じである。また、所定領域Ｒ及び４つの低弾性部材３は共に矩形であり、４つの低弾性部材３がそれぞれ所定領域Ｒの４つの頂点に接するように配置されている。このため、加速度センサチップ４が４つの低弾性部材３をちょうど覆い隠すように形成されている。従って、加速度センサチップ４の４つの頂点近傍下に低弾性部材３が配置されているため、加速度センサチップ４をパッケージ１に安定して実装することができる。
第６に、４つの低弾性部材３の形状はそれぞれ正方形であるため、これらが長方形である場合よりも、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材３から加速度センサチップ４にかかる応力を均等に分散させることができる。
[製造方法]
本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法において、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と異なる点は、図４（ｂ）及び（ｂ’）において、４つの凹部２を図７（ａ）及び図８（ａ）に示すような大きさ及び位置に成型する点である。このため、凹部２に充填される４つの低弾性部材３も図７（ａ）及び図８（ａ）に示すように形成されることとなる。このように、凹部２と低弾性部材３の数、大きさ及び位置が異なる以外は、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同じである。
そして、本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法によっても、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同様に、底面５に凹部２を成型しておいた後に凹部２に液体の低弾性部材３を流し込むことで低弾性部材３を形成するため、低弾性部材３を精度よく形成することができるという効果を有する。
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法を図１０乃至図１２及び図４を用いて説明する。なお、上記第１実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法と同じ部分については、その説明を省略する。
［構造］
図１０（ｂ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の平面図である。図１０（ａ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図１０（ｂ）のＡ−Ａ’部分の断面図である。図１１（ａ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の、上蓋１０、接着剤８、ワイヤ１４、及び加速度センサチップ４を取り除いた状態の平面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の低弾性部材３上に加速度センサチップ４を配置した状態の平面図である。図１２は、低弾性部材３の形状、大きさ又は位置が、図１１（ａ）の低弾性部材３とは異なる場合の例である。
本実施形態の半導体加速度センサ装置の構造において、第１実施形態の半導体加速度センサ装置と異なる点は、低弾性部材３の形状が真円形である点である。
すなわち図１０（ａ）及び図１１（ａ）において、凹部２は、底面５の所定領域Ｒ内に真円形に形成されている。低弾性部材３は凹部２を埋めるようにして形成されているため、凹部２の側壁によって区画されている。従って、低弾性部材３の形状、大きさ及び位置は、凹部２と同じである。低弾性部材３の大きさは半径０．９ｍｍであり、低弾性部材３の円周が所定領域Ｒを構成する四辺と接するような位置に配置されている。また真円形の低弾性部材３は、その形状において、所定領域Ｒのｘ軸方向の辺の中心線Ｃｘを基準に線対称となるように、かつ、ｙ軸方向の辺の中心線Ｃｙを基準に線対称となるように、所定領域Ｒ内に配置されていることとなる。すなわち、本実施形態においては、低弾性部材３の円周が所定領域Ｒを構成する四辺と接するような位置に配置されているので、必然的にＣｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置される。しかし、例えば図１２（ａ）に示すように、その形状が真円形であり、大きさが所定領域Ｒよりも小さい低弾性部材３においては、図１２（ａ）の位置に配置した場合にのみＣｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置されていることとなる。また従って、例えば図１２（ｂ）に示すように、その形状が真円形であり、大きさが所定領域Ｒよりも小さい低弾性部材３を、図１２（ｂ）に示す位置に配置した場合には、Ｃｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置されているとはいえない（この場合は、Ｃｘ及びＣｙのいずれに対しても線対称ではない）。
そして図１０（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、加速度センサチップ４は、上記のようにして形成されている真円形の低弾性部材４上に配置されており、加速度センサチップ４の形状、大きさ及び位置は、所定領域Ｒと同じである。このため図１１（ｂ）では、加速度センサチップ４が、真円形の低弾性部材３をちょうど覆い隠すようにして配置されている。
この第３実施形態の半導体加速度センサ装置によれば、第１実施形態の半導体加速度センサ装置による効果と同様に、以下の第１及び第２の効果を奏することができる。
すなわち第１に、低弾性部材３がそれぞれ凹部２の側壁によって区画されているため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材３の水平方向への寸法変化を抑制することができる。
第２に、加速度センサチップ４は、形状、大きさ及び位置が所定領域Ｒと同じであり、かつ、所定領域Ｒ内に形成されている低弾性部材３の形状が所定領域Ｒのｘ軸方向及びｙ軸方向の辺の中心線Ｃｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように形成されているため、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材３から加速度センサチップ４にかかる応力を均等に分散させることができる。
そしてさらに本実施形態においては、以下の第３及び第４の効果を奏することができる。
まず第３に、低弾性部材３が円形であるため、その直径と同じ長さの辺からなる矩形の低弾性部材（例えば、第１実施形態の低弾性部材３）と比較して、周囲の温度が変化した場合の寸法変化をより抑制することができる。すなわち、矩形の低弾性部材３においては、その４つの頂点近傍は周囲温度が変化した場合の寸法変化が最も大きい場所である。そして円形の低弾性部材３には、矩形の低弾性部材３の４つの頂点近傍部分に相当する部分が無いからである。従って、そのような頂点近傍部分が加速度センサチップ４に接触しないため、周囲の温度が変化した場合に加速度センサチップ４にかかる応力をより抑制することができる。特に本実施形態では低弾性部材３は真円形であり、楕円形である場合よりも、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材３から加速度センサチップ４にかかる応力を均等に分散させることができる。
第４に、円形の低弾性部材３は、その円周が所定領域Ｒを構成する四辺と接するような位置に配置されているため、上記第３の効果を有しつつも加速度センサチップ４を安定して接着することができる。
[製造方法]
本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法において、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と異なる点は、図４（ｂ）及び（ｂ’）において、凹部２を図１０（ａ）及び図１１（ａ）に示すような形状（真円形）、大きさ及び位置に成型する点である。このため、凹部２に充填される低弾性部材３も図１０（ａ）及び図１１（ａ）に示すように形成されることとなる。このように、凹部２と低弾性部材３の形状、大きさ及び位置が異なる以外は、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同じである。
そして、本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法によっても、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同様に、底面５に凹部２を成型しておいた後に凹部２に液体の低弾性部材３を流し込むことで低弾性部材３を形成するため、低弾性部材３を精度よく形成することができるという効果を有する。
そしてさらに本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法によれば、第２に、凹部２が円形であるため、図４（ｃ）において高温で液化させたシリコーンゴムからなる低弾性部材３を凹部２に流し込む際に、液体は円形に広がるため、低弾性部材３が自然に広がった状態でそのまま低弾性部材３の形状を形成することができる。すなわち、凹部２が矩形である場合と比較して低弾性部材３を無理なく形成することができ、形状が安定する。特に本実施形態では、低弾性部材３の形状は真円形なので、楕円形である場合よりも液体の低弾性部材３の自然な広がりに合わせて低弾性部材３の形状を形成することができる。
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法を図１３乃至１５、及び図４を用いて説明する。なお、上記第１実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法と同じ部分については、その説明を省略する。
［構造］
図１３（ｂ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の平面図である。図１３（ａ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図１３（ｂ）のＡ−Ａ’部分の断面図である。図１４（ａ）は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の、上蓋１０、接着剤８、ワイヤ１４、及び加速度センサチップ４を取り除いた状態の平面図である。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の低弾性部材３上に加速度センサチップ４を配置した状態の平面図である。図１５は、低弾性部材３の形状、大きさ又は位置が、図１４（ａ）の低弾性部材３とは異なる場合の例である。
本実施形態の半導体加速度センサ装置の構造において、第１実施形態の半導体加速度センサ装置と異なる点は、真円形の低弾性部材３が所定領域Ｒ内に間仕切りされて４箇所に形成されている点である。
すなわち図１３（ａ）及び図１４（ａ）において、円形の凹部２は、底面５の所定領域Ｒ内に間仕切りされて４箇所に形成されている。低弾性部材３は凹部２それぞれを埋めるようにして形成されているため、それぞれ凹部２の側壁によって区画されている。従って、低弾性部材３それぞれの形状、大きさ及び位置は、対応する凹部２と同じである。低弾性部材３は、それぞれ、半径０．４ｍｍの円形であり、隣り合う低弾性部材３の最も近い部分の距離はそれぞれ０．２ｍｍである。従って、４つの低弾性部材３は、それぞれが所定領域Ｒの４つの頂点を構成する２辺に接するように配置されている。すなわち、４つの低弾性部材３は、その形状において、所定領域Ｒのｘ軸方向の辺の中心線Ｃｘを基準に線対称となるように、かつ、ｙ軸方向の辺の中心線Ｃｙを基準に線対称となるように、所定領域Ｒ内に配置されていることとなる。すなわち、本実施形態においては、形状及び大きさが同じ４つの円形の低弾性部材３それぞれが所定領域Ｒの４つの頂点を構成する２辺に接するように配置されているため、必然的にＣｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置される。しかし、例えば図１５（ａ）に示すように、形状及び大きさがすべて同じではない５つの低弾性部材３の場合は、図１５（ａ）の位置に配置した場合にはＣｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置されていることとなる。また、例えば図１５（ｂ）に示すように、大きさが同じではない５つの低弾性部材３であっても、図１５（ｂ）に示す位置に配置した場合には、Ｃｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように配置されているとはいえない（この場合は、Ｃｘ及びＣｙのいずれに対しても線対称ではない）。
そして図１３（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、加速度センサチップ４は、上記のようにして形成されている４つの円形の低弾性部材４上に配置されており、加速度センサチップ４の形状、大きさ及び位置は、所定領域Ｒと同じである。このため図１４（ｂ）では、加速度センサチップ４が、４つの凹部２及び４つの低弾性部材３をちょうど覆い隠すようにして配置されている。
この第４実施形態の半導体加速度センサ装置によれば、第１実施形態及び第２実施形態の半導体加速度センサ装置と同様に、以下の第１乃至第３の効果を奏することができる
すなわち第１に、４つの低弾性部材３がそれぞれ凹部２の側壁によって区画されているため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材３の水平方向への寸法変化を抑制することができる。
第２に、低弾性部材３が所定領域Ｒ内に複数形成されているため、それぞれの低弾性部材３は第１実施形態の低弾性部材３よりも小さい。低弾性部材３の大きさが小さい方が、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材３の寸法変化が小さいため、低弾性部材３上に接着されている加速度センサチップ４にかかる応力を、第１実施形態よりも低減することができる。従って、温度変化によって加速度センサチップ４に生ずる歪みがより抑制されるため、加速度センサの検出精度を向上させることができる。
第３に、加速度センサチップ４は、形状、大きさ及び位置が所定領域Ｒと同じであり、かつ、所定領域Ｒ内の複数の低弾性部材３の形状が所定領域Ｒのｘ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれの辺の中心線Ｃｘ及びＣｙの両方に対して線対称になるように形成されているため、周囲の温度が変化した場合に複数の低弾性部材３から加速度センサチップ４にかかる応力を均等に分散させることができる。
そしてさらに本実施形態においては、以下の第３及び第４の効果を奏することができる。
まず第３に、複数の低弾性部材３がそれぞれ円形であるため、その直径と同じ長さの辺からなる矩形の低弾性部材（例えば、第２実施形態の低弾性部材３）と比較して、周囲の温度が変化した場合の寸法変化をより抑制することができる。すなわち、矩形の低弾性部材３においては、その４つの頂点近傍は周囲温度が変化した場合の寸法変化が最も大きい場所である。そして円形の低弾性部材３には、矩形の低弾性部材３の４つの頂点近傍部分に相当する部分が無いからである。従って、そのような頂点近傍部分が加速度センサチップ４に接触しないため、周囲の温度が変化した場合に加速度センサチップ４にかかる応力を、第２実施形態の半導体加速度センサ装置よりさらに抑制することができる。特に、本実施形態においては４つの低弾性部材３は真円形であるため、これらが楕円形である場合よりも、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材３から加速度センサチップ４にかかる応力を均等に分散させることができる。
第４に、４つの円形の低弾性部材３は、それぞれが所定領域Ｒの４つの頂点を構成する２辺に接するように配置されているため、上記第３の効果を有しつつも加速度センサチップ４を安定して接着することができる。
[製造方法]
本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法において、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と異なる点は、図４（ｂ）及び（ｂ’）において、凹部２を図１３（ａ）及び図１４（ａ）に示すような形状（真円形）、大きさ及び位置に成型する点である。このため、凹部２に充填される低弾性部材３も図１３（ａ）及び図１４（ａ）に示すように形成されることとなる。このように、凹部２と低弾性部材３の形状、大きさ及び位置が異なる以外は、第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同じである。
本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法によっても、第１実施形態及び第３実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同様に、以下の第１及び第２の効果を奏することができる。
まず第１に、底面５に凹部２を成型しておいた後に凹部２に液体の低弾性部材３を流し込むことで低弾性部材３を形成するため、低弾性部材３を精度よく形成することができるという効果を有する。
第２に、凹部２がそれぞれ円形であるため、図４（ｃ）において高温で液化させたシリコーンゴムからなる低弾性部材３を凹部２に流し込む際に、液体は円形に広がるため、低弾性部材３が自然に広がった状態でそのまま低弾性部材３の形状を形成することができる。すなわち、凹部２が矩形である場合と比較して低弾性部材３を無理なく形成することができ、形状が安定する。特に本実施形態では、低弾性部材３の形状は真円形なので、楕円形である場合よりも液体の低弾性部材３の自然な広がりに合わせて低弾性部材３の形状を形成することができる。
以上、本発明の最良の実施形態を説明したが、各実施形態の要素を組み合わせることも可能である。例えば、第２実施形態乃至第４実施形態に、第１実施形態の第１変形例又は第２変形例を組み合わせることが可能である。具体的には、例えば第２実施形態に第１実施形態の第２変形例を組み合わせて、第２実施形態の所定領域Ｒよりも小さい加速度センサチップ４を、４つの正方形の低弾性部材３上に配置することも可能である。
第１実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造を示す、断面図及び平面図である。 第１実施形態に係る半導体加速度センサ装置の上蓋１０等を取り除いた構造を示す平面図である。 第１実施形態に係る半導体装置において、低弾性部材３の形状、大きさ又は位置が、図２（ａ）に示す低弾性部材３とは異なる場合の例である。 第１実施形態の半導体加速度センサ装置の製造工程を示す断面図及び平面図である。 第１実施形態の半導体加速度センサ装置の構造の第１変形例を示す断面図及び平面図である。 第１実施形態の半導体加速度センサ装置の構造の第２変形例を示す断面図及び平面図である。 第２実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造を示す、断面図及び平面図である。 第２実施形態に係る半導体加速度センサ装置の上蓋１０等を取り除いた構造を示す平面図である。 第２実施形態に係る半導体装置において、低弾性部材３の形状、大きさ又は位置が、図８（ａ）に示す低弾性部材３とは異なる場合の例である。 第３実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造を示す、断面図及び平面図である。 第３実施形態に係る半導体加速度センサ装置の上蓋１０等を取り除いた構造を示す平面図である。 第３実施形態に係る半導体装置において、低弾性部材３の形状、大きさ又は位置が、図１１（ａ）に示す低弾性部材３とは異なる場合の例である。 第４実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造を示す、断面図及び平面図である。 第４実施形態に係る半導体加速度センサ装置の上蓋１０等を取り除いた構造を示す平面図である。 第４実施形態に係る半導体装置において、低弾性部材３の形状、大きさ又は位置が、図１４（ａ）に示す低弾性部材３とは異なる場合の例である。 加速度センサチップ４の構造を示す斜視図である。 従来の半導体加速度センサ装置の構造を示す断面図である。
符号の説明
１ パッケージ
２ 凹部
３ 低弾性部材
４ 加速度センサチップ
５ 底面
６ チップ収容部
７ 側面
８ 接着剤
１０ 上蓋
１２ パッケージ電極
１４ ワイヤ
１６ 錘
１８ 梁
２０ ピエゾ抵抗素子
Ｒ 所定領域
Ｃｘ Ｘ軸方向の辺の中心線
Ｃｙ Ｙ軸方向の辺の中心線

Claims (21)

  1. 加速度センサチップを内部に収容する中空のパッケージであって、前記パッケージ内部の底面のチップ実装領域内に凹部が形成されている前記パッケージと、
    前記凹部に充填されており、接着性を有する弾性部材と、
    前記弾性部材上に配置された前記加速度センサチップであって、前記弾性部材と前記加速度センサチップとの接着面が前記底面よりも高い前記加速度センサチップと、からなり、
    前記凹部の深さは５０μｍから１００μｍの範囲内であり、
    前記弾性部材は、上面視の形状、大きさ及び位置が前記凹部と同じであることを特徴とする半導体加速度センサ装置。
  2. 前記弾性部材は、前記上面視の形状が矩形であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体加速度センサ装置。
  3. 前記チップ実装領域は矩形であり、
    前記弾性部材は、前記チップ実装領域内の１箇所に形成されており、前記上面視の形状が前記チップ実装領域のｘ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれの辺の中心線を基準に線対称になるように配置されており、
    前記加速度センサチップは、上面視の形状、大きさ及び位置が前記チップ実装領域と同じであることを特徴とする、請求項２に記載の半導体加速度センサ装置。
  4. 前記弾性部材は、前記上面視の形状、大きさ及び位置が前記チップ実装領域と同じであることを特徴とする、請求項３に記載の半導体加速度センサ装置。
  5. 前記チップ実装領域は、略正方形であることを特徴とする、請求項４に記載の半導体加速度センサ装置。
  6. 前記弾性部材は、前記チップ実装領域内の複数箇所に形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の半導体加速度センサ装置。
  7. 前記チップ実装領域は矩形であり、
    前記弾性部材は、前記上面視の形状が前記チップ実装領域のｘ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれの辺の中心線を基準に線対称になるように配置されており、
    前記加速度センサチップは、上面視の形状、大きさ及び位置が前記チップ実装領域と同じであることを特徴とする、請求項６に記載の半導体加速度センサ装置。
  8. 前記チップ実装領域は略正方形であり、
    前記複数の弾性部材は４つであり、
    前記４つの弾性部材は、それぞれが前記チップ実装領域の４つの頂点に接するように配置されていることを特徴とする、請求項７に記載の半導体加速度センサ装置。
  9. 前記弾性部材は、前記上面視の形状が円形であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体加速度センサ装置。
  10. 前記チップ実装領域は矩形であり、
    前記円形の弾性部材は、前記チップ実装領域内の１箇所に形成されており、前記上面視の形状が前記チップ実装領域のｘ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれの方向の中心線を基準に線対称になるように配置されており、
    前記加速度センサチップは、上面視の形状、大きさ及び位置が前記チップ実装領域と同じであることを特徴とする、請求項９に記載の半導体加速度センサ装置。
  11. 前記円形の弾性部材は、前記上面視の円形の形状において円周が前記チップ実装領域を構成する四辺と接することを特徴とする、請求項１０に記載の半導体加速度センサ装置。
  12. 前記チップ実装領域は矩形であり、
    前記円形の弾性部材は、前記チップ実装領域内の複数箇所に形成されており、前記上面視の形状が前記チップ実装領域のｘ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれの方向の中心線を基準に線対称になるように配置されており、
    前記加速度センサチップは、上面視の形状、大きさ及び位置が前記チップ実装領域と同じであることを特徴とする、請求項９に記載の半導体加速度センサ装置。
  13. 前記チップ実装領域は略正方形であり、
    前記複数の円形の弾性部材は４つであり、
    前記４つの円形の弾性部材は、それぞれが前記チップ実装領域の４つの頂点を構成する２辺に接するように配置されていることを特徴とする、請求項１２に記載の半導体加速度センサ装置。
  14. 前記接着面は、前記底面よりも１０μｍ高く形成されていることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれかに記載の半導体加速度センサ装置。
  15. 前記弾性部材はシリコーンゴムからなることを特徴とする、請求項１乃至１４のいずれかに記載の半導体加速度センサ装置。
  16. 前記加速度センサチップは、大きさが前記弾性部材よりも小さく、前記加速度センサチップの底面全体が前記弾性部材に接するように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体加速度センサ装置。
  17. 前記加速度センサチップは、前記弾性部材と接している部分の形状が、前記チップ実装領域のｘ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれの辺の中心線を基準に線対称になるように配置されていることを特徴とする、請求項１６に記載の半導体加速度センサ装置。
  18. 前記弾性部材はシリコーンゴムからなることを特徴とする、請求項１７に記載の半導体加速度センサ装置。
  19. 側面と底面とからなる第１凹部を有するチップ収容部であって、前記底面のチップ実装領域内に第２凹部が形成されている前記チップ収容部と、
    前記第２凹部に充填されており、接着性を有する弾性部材と、
    前記弾性部材上に配置された加速度センサチップであって、前記弾性部材と前記加速度センサチップとの接着面が前記底面よりも高い前記加速度センサチップと、からなり、
    前記第２凹部の深さは５０μｍから１００μｍの範囲内であり、
    前記弾性部材は、上面視の形状、大きさ及び位置が前記第２凹部と同じであることを特徴とする半導体加速度センサ装置。
  20. 加速度センサチップを準備する工程と、
    前記加速度センサチップの底面のチップ実装領域内において、５０μｍから１００μｍの深さの凹部を有するチップ収容部を準備する工程と、
    弾性部材を液化させ前記凹部に流し込み、前記凹部を前記弾性部材で充填する工程と、
    前記弾性部材上に前記加速度センサチップを配置して前記弾性部材を固化することにより、前記弾性部材と前記加速度センサチップとを接着する工程と、
    前記チップ収容部上に上蓋を覆い被せる工程と、を備えることを特徴とする、半導体加速度センサ装置の製造方法。
  21. 前記凹部を液化させた前記弾性部材で充填する工程において、前記弾性部材の表面の頂点部分が前記底面よりも高くなるように充填することを特徴とする、請求項２０に記載の半導体加速度センサ装置の製造方法。
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