JP2006329960A - 半導体加速度センサ装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加速度センサチップを内部に収容する中空のパッケージであって、パッケージ内部の底面の所定領域内に凹部が形成されているパッケージと、凹部に充填されており、接着性を有する低弾性部材と、低弾性部材上に配置された加速度センサチップであって、低弾性部材と加速度センサチップとの接着面が底面よりも高い加速度センサチップと、からなる半導体加速度センサ装置。
【選択図】 図1
Description
半導体加速度センサ装置は、従来より種々の方式が知られている。その代表的な例として、図17に示す構造の半導体加速度センサ装置がある。この半導体加速度センサ装置は、図16の加速度センサチップ4をパッケージ1に実装してなるものである。
そして、加速度センサチップ4はシリコーンゴム等の接着性を有する低弾性部材3によってパッケージ1内部の底面5に接着されている。ここで低弾性部材3が用いられるのは、加速度センサチップ4の耐衝撃性を確保するためである。また、低弾性部材3は、液状のものを底面5に塗布して硬化させることによって形成される。
なお、その他の半導体加速度センサ装置の例としては、特許文献2に記載されるものがある。
本明細書において、所定領域、凹部、低弾性部材及び加速度センサチップに関して「形状」、「大きさ」、及び「位置」とは、いずれも、平面的な、形状、大きさ、及び位置をいう。
本明細書において「円形」とは、真円形と楕円形の両方を含む。
本発明の第1実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法を図1乃至図4を用いて説明する。図1(b)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の平面図である。図1(a)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図1(b)のA−A’部分の断面図である。図2(a)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の、上蓋10、接着剤8、ワイヤ14、及び加速度センサチップ4を取り除いた状態の平面図である。図2(b)は、図2(a)の低弾性部材3上に加速度センサチップ4を配置した状態の平面図である。図3は、低弾性部材3の形状、大きさ又は位置が、図2(a)に示す低弾性部材3とは異なる場合の例である。図4は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造工程を示す断面図及び平面図である。
図1(a)において、印加された加速度の大きさ及び方向に応じた電気信号を出力する加速度センサチップ4が、中空のパッケージ1の内部に収容されている。パッケージ1は、セラミックからなるチップ収容部6と、チップ収容部6上に接着剤8を用いて覆い被せられたセラミックからなる上蓋10とから構成されている。パッケージ1によって、パッケージ1内部に収容された加速度センサチップ4は密封されている。また、チップ収容部6には、導電性のパッケージ電極12が複数箇所に埋め込まれている。チップ収容部6内側、すなわちパッケージ1内部の底面5には、凹部2が形成されている。凹部2は、底面5内の所定領域R内に形成されており、本実施形態においては、凹部2の形状、大きさ及び位置は、所定領域Rと同じである。なお、このようなチップ収容部6と凹部2の構造は、チップ収容部6は側面7と底面5とからなる第1凹部を有しており、底面5の所定領域R内には凹部2(第2凹部)が形成されている、と捉えることもできる。凹部2には、シリコーンゴムからなる低弾性部材3が充填されている。低弾性部材3は凹部2を埋めるようにして形成されているため、凹部2の側壁によって区画されている。 従って、本実施形態においては、低弾性部材3の形状、大きさ及び位置は、凹部2及び所定領域Rと同じである。低弾性部材3上に、加速度センサチップ4が低弾性部材3によって接着されて配置されている。低弾性部材3と加速度センサチップ4との接着面は、底面5よりもやや高い。これは、パッケージ1が外部から衝撃を受けた場合に加速度センサチップ4が底面5にぶつからないようにするための遊びを設けておく必要があるからである。加速度センサチップ4の電極(図示しない)とパッケージ電極12とは、ワイヤ14によって電気的に接続されている。
次に、本発明の第1実施形態に係る半導体加速度センサ装置の製造方法を図4を用いて説明する。なお、下記製造方法の説明において、構造の説明において記載したのと同じ部分については、その説明を省略する。
本発明の第1実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法の第1変形例を図5及び図4を用いて説明する。なお、上記第1実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法と同じ部分は、その説明を省略する。
図5(a)は、本変形例の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図1(b)のA−A’部分の断面図である。図5(b)は、本変形例の半導体加速度センサ装置の、上蓋10、接着剤8、ワイヤ14、及び加速度センサチップ4を取り除いた状態の平面図である。図5(c)は、図5(b)の低弾性部材3上に加速度センサチップ4を配置した状態の平面図である。
すなわち第1に、低弾性部材3が凹部2の側壁によって区画されているため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材3の水平方向への寸法変化を抑制することができる。
第2に、低弾性部材3は矩形なので、矩形以外の形状とするよりも設計が容易である。
第3に、加速度センサチップ4は、形状、大きさ及び位置が所定領域Rと同じであり、かつ、所定領域R内の低弾性部材3の形状が所定領域Rのx軸方向及びy軸方向のそれぞれの辺の中心線Cx及びCyの両方に対して線対称になるように形成されているため、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材3から加速度センサチップ4にかかる応力を均等に分散させることができる。
すなわち第4に、低弾性部材3の大きさが第1実施形態における低弾性部材3よりも小さいため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材3の寸法変化が小さく、低弾性部材3上に接着されている加速度センサチップ4にかかる応力を、第1実施形態よりも低減することができる。従って、温度変化によって加速度センサチップ4に生ずる歪みがより抑制されるため、加速度センサの検出精度を向上させることができる。
本変形例の半導体加速度センサ装置の製造方法において、第1実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と異なる点は、図4(b)及び(b’)において、凹部2を図5(a)及び(b)に示すような大きさに成型する点である。このため、凹部2に充填される低弾性部材3も図5(a)及び(b)に示すように形成されることとなる。その他は図3に示す第1実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同じである。
本発明の第1実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法の第2変形例を図6及び図4を用いて説明する。なお、上記第1実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法と同じ部分は、その説明を省略する。
図6(a)は、本変形例の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図1(b)のA−A’部分の断面図である。図6(b)は、本変形例の半導体加速度センサ装置の、上蓋10、接着剤8、ワイヤ14、及び加速度センサチップ4を取り除いた状態の平面図である。図6(c)は、図6(b)の低弾性部材3上に、加速度センサチップ4を配置した状態の平面図である。
すなわち第1に、低弾性部材3が凹部2の側壁によって区画されているため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材3の水平方向への寸法変化を抑制することができる。
第2に、低弾性部材3は矩形なので、矩形以外の形状とするよりも設計が容易である。
すなわち第3に、加速度センサチップ4の裏面の全面が低弾性部材3に接着しているため、加速度センサチップ4をパッケージ1に安定して実装することができる。
第4に、加速度センサチップ4を、形状が、所定領域Rのx軸方向の辺の中心線Cx、及びy軸方向の辺の中心線Cyを基準に線対称となるように、所定領域R内に配置しているので、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材3から加速度センサチップ4にかかる応力を均等に分散させることができる。
本変形例の半導体加速度センサ装置の製造方法において、第1実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と異なる点は、図4(b)及び(b’)において、加速度センサチップ4を図6(a)及び(c)に示すような大きさに成型する点である。また、図4(d)において、加速度センサチップ4を図6(a)及び(c)に示すような位置に配置する点である。その他は図4に示す第1実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同じである。
すなわち第1に、底面5に凹部2を成型しておいた後に凹部2に液体の低弾性部材3を流し込むことで低弾性部材3を形成するため、低弾性部材3を精度よく形成することができるという効果を有する。
すなわち第2に、加速度センサチップ4を所望の位置(例えば図6(c)の位置)に精度良く配置できなかったとしても、加速度センサチップ4の底面の全面が低弾性部材3によって接着される安定した位置に配置できる可能性が高いという効果がある。
本発明の第2実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法を図7乃至図9及び図4を用いて説明する。なお、上記第1実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法と同じ部分については、その説明を省略する。
図7(b)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の平面図である。図7(a)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図7(b)のA−A’部分の断面図である。図8(a)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の、上蓋10、接着剤8、ワイヤ14、及び加速度センサチップ4を取り除いた状態の平面図である。図8(b)は、図8(a)の低弾性部材3上に、加速度センサチップ4を配置した状態の平面図である。図9は、低弾性部材3の形状、大きさ又は位置が、本実施形態の低弾性部材3とは異なる場合の例である。
本実施形態の半導体加速度センサ装置の構造において、第1実施形態の半導体加速度センサ装置と異なる点は、低弾性部材3が所定領域R内に間仕切りされて4箇所に形成されている点である。
すなわち第1に、4つの低弾性部材3がそれぞれ凹部2の側壁によって区画されているため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材3の水平方向への寸法変化を抑制することができる。
第2に、低弾性部材3は矩形なので、矩形以外の形状とするよりも設計が容易である。
第3に、加速度センサチップ4は、形状、大きさ及び位置が所定領域Rと同じであり、かつ、所定領域R内の複数の低弾性部材3の形状が所定領域Rのx軸方向及びy軸方向のそれぞれの辺の中心線Cx及びCyの両方に対して線対称になるように形成されているため、周囲の温度が変化した場合に複数の低弾性部材3から加速度センサチップ4にかかる応力を均等に分散させることができる。
すなわち第4に、低弾性部材3が所定領域R内に複数形成されているため、それぞれの低弾性部材3は第1実施形態の低弾性部材3よりも小さい。低弾性部材3の大きさが小さい方が、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材3の寸法変化が小さいため、低弾性部材3上に接着されている加速度センサチップ4にかかる応力を、第1実施形態よりも低減することができる。従って、温度変化によって加速度センサチップ4に生ずる歪みがより抑制されるため、加速度センサの検出精度を向上させることができる。
第5に、加速度センサチップ4は、形状、大きさ及び位置が所定領域Rと同じである。また、所定領域R及び4つの低弾性部材3は共に矩形であり、4つの低弾性部材3がそれぞれ所定領域Rの4つの頂点に接するように配置されている。このため、加速度センサチップ4が4つの低弾性部材3をちょうど覆い隠すように形成されている。従って、加速度センサチップ4の4つの頂点近傍下に低弾性部材3が配置されているため、加速度センサチップ4をパッケージ1に安定して実装することができる。
第6に、4つの低弾性部材3の形状はそれぞれ正方形であるため、これらが長方形である場合よりも、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材3から加速度センサチップ4にかかる応力を均等に分散させることができる。
本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法において、第1実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と異なる点は、図4(b)及び(b’)において、4つの凹部2を図7(a)及び図8(a)に示すような大きさ及び位置に成型する点である。このため、凹部2に充填される4つの低弾性部材3も図7(a)及び図8(a)に示すように形成されることとなる。このように、凹部2と低弾性部材3の数、大きさ及び位置が異なる以外は、第1実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同じである。
本発明の第3実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法を図10乃至図12及び図4を用いて説明する。なお、上記第1実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法と同じ部分については、その説明を省略する。
図10(b)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の平面図である。図10(a)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図10(b)のA−A’部分の断面図である。図11(a)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の、上蓋10、接着剤8、ワイヤ14、及び加速度センサチップ4を取り除いた状態の平面図である。図11(b)は、図11(a)の低弾性部材3上に加速度センサチップ4を配置した状態の平面図である。図12は、低弾性部材3の形状、大きさ又は位置が、図11(a)の低弾性部材3とは異なる場合の例である。
本実施形態の半導体加速度センサ装置の構造において、第1実施形態の半導体加速度センサ装置と異なる点は、低弾性部材3の形状が真円形である点である。
すなわち第1に、低弾性部材3がそれぞれ凹部2の側壁によって区画されているため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材3の水平方向への寸法変化を抑制することができる。
第2に、加速度センサチップ4は、形状、大きさ及び位置が所定領域Rと同じであり、かつ、所定領域R内に形成されている低弾性部材3の形状が所定領域Rのx軸方向及びy軸方向の辺の中心線Cx及びCyの両方に対して線対称になるように形成されているため、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材3から加速度センサチップ4にかかる応力を均等に分散させることができる。
まず第3に、低弾性部材3が円形であるため、その直径と同じ長さの辺からなる矩形の低弾性部材(例えば、第1実施形態の低弾性部材3)と比較して、周囲の温度が変化した場合の寸法変化をより抑制することができる。すなわち、矩形の低弾性部材3においては、その4つの頂点近傍は周囲温度が変化した場合の寸法変化が最も大きい場所である。そして円形の低弾性部材3には、矩形の低弾性部材3の4つの頂点近傍部分に相当する部分が無いからである。従って、そのような頂点近傍部分が加速度センサチップ4に接触しないため、周囲の温度が変化した場合に加速度センサチップ4にかかる応力をより抑制することができる。特に本実施形態では低弾性部材3は真円形であり、楕円形である場合よりも、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材3から加速度センサチップ4にかかる応力を均等に分散させることができる。
第4に、円形の低弾性部材3は、その円周が所定領域Rを構成する四辺と接するような位置に配置されているため、上記第3の効果を有しつつも加速度センサチップ4を安定して接着することができる。
本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法において、第1実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と異なる点は、図4(b)及び(b’)において、凹部2を図10(a)及び図11(a)に示すような形状(真円形)、大きさ及び位置に成型する点である。このため、凹部2に充填される低弾性部材3も図10(a)及び図11(a)に示すように形成されることとなる。このように、凹部2と低弾性部材3の形状、大きさ及び位置が異なる以外は、第1実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同じである。
本発明の第4実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法を図13乃至15、及び図4を用いて説明する。なお、上記第1実施形態に係る半導体加速度センサ装置の構造及び製造方法と同じ部分については、その説明を省略する。
図13(b)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の平面図である。図13(a)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の断面図であり、図13(b)のA−A’部分の断面図である。図14(a)は、本実施形態の半導体加速度センサ装置の、上蓋10、接着剤8、ワイヤ14、及び加速度センサチップ4を取り除いた状態の平面図である。図14(b)は、図14(a)の低弾性部材3上に加速度センサチップ4を配置した状態の平面図である。図15は、低弾性部材3の形状、大きさ又は位置が、図14(a)の低弾性部材3とは異なる場合の例である。
本実施形態の半導体加速度センサ装置の構造において、第1実施形態の半導体加速度センサ装置と異なる点は、真円形の低弾性部材3が所定領域R内に間仕切りされて4箇所に形成されている点である。
すなわち第1に、4つの低弾性部材3がそれぞれ凹部2の側壁によって区画されているため、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材3の水平方向への寸法変化を抑制することができる。
第2に、低弾性部材3が所定領域R内に複数形成されているため、それぞれの低弾性部材3は第1実施形態の低弾性部材3よりも小さい。低弾性部材3の大きさが小さい方が、周囲の温度が変化した場合の低弾性部材3の寸法変化が小さいため、低弾性部材3上に接着されている加速度センサチップ4にかかる応力を、第1実施形態よりも低減することができる。従って、温度変化によって加速度センサチップ4に生ずる歪みがより抑制されるため、加速度センサの検出精度を向上させることができる。
第3に、加速度センサチップ4は、形状、大きさ及び位置が所定領域Rと同じであり、かつ、所定領域R内の複数の低弾性部材3の形状が所定領域Rのx軸方向及びy軸方向のそれぞれの辺の中心線Cx及びCyの両方に対して線対称になるように形成されているため、周囲の温度が変化した場合に複数の低弾性部材3から加速度センサチップ4にかかる応力を均等に分散させることができる。
まず第3に、複数の低弾性部材3がそれぞれ円形であるため、その直径と同じ長さの辺からなる矩形の低弾性部材(例えば、第2実施形態の低弾性部材3)と比較して、周囲の温度が変化した場合の寸法変化をより抑制することができる。すなわち、矩形の低弾性部材3においては、その4つの頂点近傍は周囲温度が変化した場合の寸法変化が最も大きい場所である。そして円形の低弾性部材3には、矩形の低弾性部材3の4つの頂点近傍部分に相当する部分が無いからである。従って、そのような頂点近傍部分が加速度センサチップ4に接触しないため、周囲の温度が変化した場合に加速度センサチップ4にかかる応力を、第2実施形態の半導体加速度センサ装置よりさらに抑制することができる。特に、本実施形態においては4つの低弾性部材3は真円形であるため、これらが楕円形である場合よりも、周囲の温度が変化した場合に低弾性部材3から加速度センサチップ4にかかる応力を均等に分散させることができる。
第4に、4つの円形の低弾性部材3は、それぞれが所定領域Rの4つの頂点を構成する2辺に接するように配置されているため、上記第3の効果を有しつつも加速度センサチップ4を安定して接着することができる。
本実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法において、第1実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と異なる点は、図4(b)及び(b’)において、凹部2を図13(a)及び図14(a)に示すような形状(真円形)、大きさ及び位置に成型する点である。このため、凹部2に充填される低弾性部材3も図13(a)及び図14(a)に示すように形成されることとなる。このように、凹部2と低弾性部材3の形状、大きさ及び位置が異なる以外は、第1実施形態の半導体加速度センサ装置の製造方法と同じである。
まず第1に、底面5に凹部2を成型しておいた後に凹部2に液体の低弾性部材3を流し込むことで低弾性部材3を形成するため、低弾性部材3を精度よく形成することができるという効果を有する。
第2に、凹部2がそれぞれ円形であるため、図4(c)において高温で液化させたシリコーンゴムからなる低弾性部材3を凹部2に流し込む際に、液体は円形に広がるため、低弾性部材3が自然に広がった状態でそのまま低弾性部材3の形状を形成することができる。すなわち、凹部2が矩形である場合と比較して低弾性部材3を無理なく形成することができ、形状が安定する。特に本実施形態では、低弾性部材3の形状は真円形なので、楕円形である場合よりも液体の低弾性部材3の自然な広がりに合わせて低弾性部材3の形状を形成することができる。
2 凹部
3 低弾性部材
4 加速度センサチップ
5 底面
6 チップ収容部
7 側面
8 接着剤
10 上蓋
12 パッケージ電極
14 ワイヤ
16 錘
18 梁
20 ピエゾ抵抗素子
R 所定領域
Cx X軸方向の辺の中心線
Cy Y軸方向の辺の中心線
Claims (22)
- 加速度センサチップを内部に収容する中空のパッケージであって、前記パッケージ内部の底面の所定領域内に凹部が形成されている前記パッケージと、
前記凹部に充填されており、接着性を有する低弾性部材と、
前記低弾性部材上に配置された前記加速度センサチップであって、前記低弾性部材と前記加速度センサチップとの接着面が前記底面よりも高い前記加速度センサチップと、
からなる半導体加速度センサ装置。 - 前記低弾性部材は、形状、大きさ及び位置が前記凹部と同じであることを特徴とする、請求項1に記載の半導体加速度センサ装置。
- 前記低弾性部材は、形状が矩形であることを特徴とする、請求項2に記載の半導体加速度センサ装置。
- 前記所定領域は矩形であり、
前記低弾性部材は、前記所定領域内の1箇所に形成されており、形状が前記所定領域のx軸方向及びy軸方向のそれぞれの辺の中心線を基準に線対称になるように配置されており、
前記加速度センサチップは、形状、大きさ及び位置が前記所定領域と同じであることを特徴とする、
請求項3に記載の半導体加速度センサ装置。 - 前記低弾性部材は、形状、大きさ及び位置が前記所定領域と同じであることを特徴とする、
請求項4に記載の半導体加速度センサ装置。 - 前記所定領域は、略正方形であることを特徴とする、
請求項5に記載の半導体加速度センサ装置。 - 前記低弾性部材は、前記所定領域内の複数箇所に形成されていることを特徴とする、
請求項3に記載の半導体加速度センサ装置。 - 前記所定領域は矩形であり、
前記低弾性部材は、形状が前記所定領域のx軸方向及びy軸方向のそれぞれの辺の中心線を基準に線対称になるように配置されており、
前記加速度センサチップは、形状、大きさ及び位置が前記所定領域と同じであることを特徴とする、
請求項7に記載の半導体加速度センサ装置。 - 前記所定領域は略正方形であり、
前記複数の低弾性部材は4つであり、
前記4つの低弾性部材は、それぞれが前記所定領域の4つの頂点に接するように配置されていることを特徴とする、請求項8に記載の半導体加速度センサ装置。 - 前記低弾性部材は、形状が円形であることを特徴とする、請求項2に記載の半導体加速度センサ装置。
- 前記所定領域は矩形であり、
前記円形の低弾性部材は、前記所定領域内の1箇所に形成されており、形状が前記所定領域のx軸方向及びy軸方向のそれぞれの方向の中心線を基準に線対称になるように配置されており、
前記加速度センサチップは、形状、大きさ及び位置が前記所定領域と同じであることを特徴とする、
請求項10に記載の半導体加速度センサ装置。 - 前記円形の低弾性部材は、形状において円周が前記所定領域を構成する四辺と接することを特徴とする、
請求項11に記載の半導体加速度センサ装置。 - 前記所定領域は矩形であり、
前記円形の低弾性部材は、前記所定領域内の複数箇所に形成されており、形状が前記所定領域のx軸方向及びy軸方向のそれぞれの方向の中心線を基準に線対称になるように配置されており、
前記加速度センサチップは、形状、大きさ及び位置が前記所定領域と同じであることを特徴とする、
請求項10に記載の半導体加速度センサ装置。 - 前記所定領域は略正方形であり、
前記複数の円形の低弾性部材は4つであり、
前記4つの円形の低弾性部材は、それぞれが前記所定領域の4つの頂点を構成する2辺に接するように配置されていることを特徴とする、請求項13に記載の半導体加速度センサ装置。 - 前記接着面は、前記底面よりも10μm程度高く形成されていることを特徴とする、請求項1乃至14に記載の半導体加速度センサ装置。
- 前記低弾性部材はシリコーンゴムからなることを特徴とする、請求項1乃至15に記載の半導体加速度センサ装置。
- 加速度センサチップを内部に収容する中空のパッケージであって、前記パッケージ内部の底面の所定領域内に凹部が形成されている前記パッケージと、
前記凹部に充填されており、接着性を有する低弾性部材と、
前記低弾性部材上に配置された前記加速度センサチップと、
からなる半導体加速度センサ装置であって、
前記低弾性部材は、前記所定領域内の1箇所に形成されており、
前記加速度センサチップは、大きさが前記低弾性部材よりも小さく、前記加速度センサチップの底面全体が前記低弾性部材に接するように配置されていることを特徴とする、
半導体加速度センサ装置。 - 前記加速度センサチップは、前記低弾性部材と接している部分の形状が、前記所定領域のx軸方向及びy軸方向のそれぞれの辺の中心線を基準に線対称になるように配置されていることを特徴とする、
請求項17に記載の半導体加速度センサ装置。 - 前記低弾性部材はシリコーンゴムからなることを特徴とする、
請求項18に記載の半導体加速度センサ装置。 - 側面と底面とからなる第1凹部を有するチップ収容部であって、前記底面の所定領域内に第2凹部が形成されている前記チップ収容部と、
前記第2凹部に充填されており、接着性を有する低弾性部材と、
前記低弾性部材上に配置された加速度センサチップであって、前記低弾性部材と前記加速度センサチップとの接着面が前記底面よりも高い前記加速度センサチップと、
からなる半導体加速度センサ装置。 - 加速度センサチップを準備する工程と、
その底面の所定領域内に凹部を有するチップ収容部を準備する工程と、
液化させた低弾性部材を前記凹部に流し込み、前記凹部を前記低弾性部材で充填する工程と、
前記低弾性部材上に前記加速度センサチップを配置した上で前記低弾性部材を固化することにより、前記低弾性部材と前記加速度センサチップとを接着する工程と、
前記チップ収容部上に上蓋を覆い被せる工程と、
を備えることを特徴とする、半導体加速度センサ装置の製造方法。 - 前記凹部を液化させた前記低弾性部材で充填する工程において、
前記低弾性部材の表面の頂点部分が前記底面よりも高くなるように充填することを特徴とする、請求項21に記載の半導体加速度センサ装置の製造方法。
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