JPH0964251A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0964251A
JPH0964251A JP7240987A JP24098795A JPH0964251A JP H0964251 A JPH0964251 A JP H0964251A JP 7240987 A JP7240987 A JP 7240987A JP 24098795 A JP24098795 A JP 24098795A JP H0964251 A JPH0964251 A JP H0964251A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
heat dissipation
dissipation plate
adhesive
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7240987A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3435925B2 (ja
Inventor
Yukinobu Wataya
行展 綿谷
Hideto Isono
秀人 磯野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP24098795A priority Critical patent/JP3435925B2/ja
Priority to US08/696,181 priority patent/US6392309B1/en
Priority to KR1019960034436A priority patent/KR100444559B1/ko
Publication of JPH0964251A publication Critical patent/JPH0964251A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3435925B2 publication Critical patent/JP3435925B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/057Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32153Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/32175Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
    • H01L2224/32188Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385Shape, e.g. interlocking features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 凹型形状に樹脂成型されたパッケージを用い
る固体撮像装置などの半導体装置において、動作時の半
導体チップの温度上昇を低く抑える。 【解決手段】 凹型形状に樹脂成型されたパッケージ1
の凹部1aの底部に放熱板4を埋め込む。凹部1aの底
面上に搭載されるCCDチップ2の中央部の下の部分の
パッケージ1に開口1bを設け、この開口1bを通じて
CCDチップ2と放熱板4とを接着剤3により接着す
る。接着剤3としては、パッケージ1を構成する樹脂よ
りも熱伝導率が大きいものを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置に関
し、特に、凹型形状に樹脂成型されたパッケージの凹部
の底面上に半導体チップが搭載され、このパッケージが
気密封止された構造を有する半導体装置、例えば固体撮
像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、固体撮像装置として図8に示すよ
うなものがある。図8に示すように、この従来の固体撮
像装置においては、凹型形状に樹脂成型されたパッケー
ジ101の凹部101aの底面上に固体撮像素子である
CCDチップ102が接着剤103により接着されてい
る。符号104、105はそれぞれパッケージ101と
一体に形成されたアウターリードおよびインナーリード
を示す。CCDチップ102の図示省略したボンディン
グパッドとインナーリード105とがワイヤー106に
より相互にボンディングされ、これによってCCDチッ
プ102とアウターリード104とが電気的に接続され
ている。また、パッケージ101の上面には光学ガラス
などからなる透明キャップ107が接着剤108により
接着されており、これによってパッケージ101の内部
が気密封止されている。
【0003】しかしながら、この図8に示す従来の固体
撮像装置においては、パッケージ101の底面からこの
パッケージ101の底部を通って凹部101aの内部に
水分が侵入しやすく、耐湿性が悪いという問題がある。
そこで、耐湿性を改善した固体撮像装置として、図9に
示すようなものがある。
【0004】図9に示すように、この従来の固体撮像装
置においては、凹型形状に樹脂成型されたパッケージ1
01の凹部101aの底部に、アウターリード104お
よびインナーリード105の形成に用いられたリードフ
レームの一部(ディプレス部と呼ばれる)からなる耐湿
板109が埋め込まれている。その他の構成は、図8に
示す固体撮像装置と同様である。
【0005】この図9に示す固体撮像装置においては、
耐湿板109により、パッケージ101の底面からパッ
ケージ101の凹部101aの内部に水分が侵入するの
が防止され、これによって固体撮像装置の気密性の向上
が図られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
図8および図9に示す従来の固体撮像装置においては、
いずれも、熱伝導率の小さい(例えば、2.1×10-3
cal/cm・s・℃)樹脂からなるパッケージ101
の凹部101aの底面上にCCDチップ102が接着さ
れた構造となっているので、動作時にCCDチップ10
2から発生する熱がパッケージ101内にこもってしま
い、CCDチップ102の温度が上昇してしまうという
問題がある。このCCDチップ102の温度上昇は、温
度特性を有する欠陥のレベルを増加させるため、この固
体撮像装置により撮像される画像の品質の劣化を招くお
それがあった。
【0007】以上は固体撮像装置についてであるが、上
述の動作時のチップの温度上昇の問題は、パッケージ1
01と同様なパッケージを用いる半導体装置全般に起こ
り得るものである。
【0008】従って、この発明の目的は、動作時の半導
体チップの温度上昇を低く抑えることができる半導体装
置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、凹型形状に樹脂成型されたパッケージ
の凹部の底面上に半導体チップが搭載され、パッケージ
が気密封止された構造を有する半導体装置において、凹
部の底部のパッケージ中または凹部の底面上に放熱板が
設けられ、半導体チップと放熱板とがパッケージを構成
する樹脂よりも熱伝導率が大きい接着剤により接着され
ていることを特徴とするものである。
【0010】この発明の一実施形態においては、凹部の
底部のパッケージ中に放熱板が埋め込まれ、凹部の底部
のパッケージに放熱板の一部が露出するように設けられ
た開口を通じて半導体チップと放熱板とが接着剤により
接着される。
【0011】この発明の他の実施形態においては、凹部
の底面上に放熱板が設けられ、この放熱板上に半導体チ
ップが接着剤により接着される。
【0012】この発明において、パッケージを構成する
樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられる。
【0013】また、この発明において、パッケージを構
成する樹脂よりも熱伝導率が大きい接着剤としては、例
えば、エポキシ樹脂、イミド樹脂、シリコーン樹脂、ア
クリル樹脂などを主成分とする接着剤が用いられる。こ
れらの接着剤には、典型的には、熱伝導率を大きくする
ために、銀(Ag)などの金属からなるフィラーが添加
される。
【0014】この発明において、パッケージの凹部の底
面上に放熱板が設けられ、この放熱板上に半導体チップ
が接着剤により接着される場合、特に半導体装置が固体
撮像装置であるときには、この放熱板の表面での光の反
射による悪影響が生ずるおそれがあるので、これを防止
するために、放熱板の表面に光吸収性の物質、例えばク
ロム(Cr)などをコーティングするのが好ましい。あ
るいは、放熱板による光の反射を抑えるには、この接着
剤に黒色顔料、例えばカーボンなどを添加して光吸収性
をもたせ、この接着剤を放熱板の表面に塗ることも有効
である。
【0015】この発明の典型的な一実施形態において
は、パッケージを構成する樹脂はエポキシ樹脂であり、
パッケージを構成する樹脂よりも熱伝導率が大きい接着
剤はエポキシ樹脂を主成分とし、金属からなるフィラー
を含有する接着剤である。
【0016】この発明において、放熱板は、典型的には
リードフレームの一部からなるが、リードフレームとは
別の材料を用いて形成してもよい。後者の場合、放熱板
は、パッケージの凹部の底面上に接着剤により接着され
る。この接着剤にも、パッケージを構成する樹脂よりも
熱伝導率が大きい接着剤が用いられる。
【0017】この発明の典型的な一実施形態において
は、放熱が効果的に行われるようにするために、放熱板
の外形は半導体チップの外形よりも大きくする。
【0018】この発明において、半導体装置には、CC
Dチップなどの固体撮像素子チップを搭載した固体撮像
装置のほか、ICチップやLSIチップを搭載した半導
体集積回路装置が含まれる。
【0019】上述のように構成されたこの発明による半
導体装置においては、動作時に半導体チップから発生す
る熱は、パッケージよりも熱伝導率が大きい接着剤を介
して放熱板に迅速に伝導し、この放熱板の全体から放熱
が効果的に行われる。このため、動作時の半導体チップ
の温度上昇を低く抑えることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
【0021】図1〜図5はこの発明の第1の実施形態に
よる固体撮像装置を示す。ここで、図1は平面図、図2
は正面図、図3は側面図、図4は図1のIV−IV線に
沿っての断面図、図5は図1のV−V線に沿っての断面
図である。
【0022】図1、図2、図3、図4および図5に示す
ように、この第1の実施形態による固体撮像装置におい
ては、凹型形状に樹脂成型されたパッケージ1の凹部1
aの底面上にCCDチップ2が接着剤3により接着され
ている。この凹部1aの底部のパッケージ1中には、C
CDチップ2よりも大きな外形を有する放熱板4が埋め
込まれている。また、CCDチップ2の中央部の下の部
分のパッケージ1中には、CCDチップ2よりも小さな
外形を有する例えば四角形状の開口1bが設けられ、こ
の開口1bの部分に放熱板4の一部が露出している。そ
して、この開口1bを通じてCCDチップ2と放熱板4
とが接着剤3により接着されている。
【0023】ここで、開口1bの面積が大きいほど、接
着剤3を介してのCCDチップ2と放熱板4との接触面
積が大きくなり、CCDチップ2から発生する熱の放熱
板4への伝導が効果的に行われるようになるので、この
開口1bの面積は、他に支障のない限り大きく選ぶのが
好ましい。
【0024】符号5、6はそれぞれパッケージ1と一体
に形成されたアウターリードおよびインナーリードを示
す。CCDチップ2の図示省略したボンディングパッド
とインナーリード6とがワイヤー7により相互にボンデ
ィングされ、これによってCCDチップ2とアウターリ
ード5とが電気的に接続されている。また、パッケージ
1の上面には光学ガラスなどからなる透明キャップ8が
接着剤9により接着されており、これによってパッケー
ジ1の内部が気密封止されている。
【0025】この第1の実施形態においては、CCDチ
ップ2と放熱板4とを接着する接着剤3としては、パッ
ケージ1を構成する樹脂よりも熱伝導率が大きいものが
用いられる。具体的には、例えば、パッケージ1を構成
する樹脂としてエポキシ樹脂を用いるとすると、この接
着剤3としては、エポキシ樹脂を主成分とし、Agから
なるフィラーを含有する接着剤が用いられる。ここで、
エポキシ樹脂を主成分とし、Agからなるフィラーを含
有するこの接着剤の熱伝導率は、Agの含有率が80〜
90%のときには(8〜10)×10-3cal/cm・
s・℃であり、パッケージ1を構成するエポキシ樹脂の
熱伝導率2.1×10-3cal/cm・s・℃に比べて
4〜5倍も大きい。
【0026】この場合、放熱板4は、アウターリード5
およびインナーリード6の形成に用いられるリードフレ
ームの一部からなる。このリードフレームの材料には、
例えば、ニッケル含有率が42重量%の鉄−ニッケル合
金(いわゆる42アロイ)や銅系の材料などの大きな熱
伝導率を有するものが好適に用いられる。熱伝導率の値
は、前者の鉄−ニッケル合金は0.03cal/cm・
s・℃、後者の銅系の材料は0.4cal/cm・s・
℃であり、いずれもエポキシ樹脂の熱伝導率と比較して
10倍以上大きい。リードフレームの材料として後者の
銅系の材料を用いた場合には、放熱板4による放熱効果
は極めて良好である。
【0027】以上のように、この第1の実施形態によれ
ば、パッケージ1の凹部1aの底部に放熱板4が埋め込
まれ、CCDチップ2とこの放熱板4とがこのCCDチ
ップ2の中央部の下の部分のパッケージ1に設けられた
開口1bを通じて、パッケージ1を構成する樹脂よりも
熱伝導率が大きい接着剤3により接着されている。この
ため、動作時にCCDチップ2から発生する熱は、熱伝
導率が大きい接着剤3を介して放熱板4に迅速に伝導
し、この放熱板4の全体から放熱が効果的に行われる。
これによって、動作時のCCDチップ2の温度上昇を低
く抑えることができる。そして、このCCDチップ2の
温度上昇による問題、すなわち温度特性を有する欠陥の
レベルの増加や画質の劣化を抑えることができる。ここ
で、CCDチップ2の温度上昇の抑制効果の一例を挙げ
ると、例えば図9に示す従来の固体撮像装置において
は、動作時のCCDチップの温度上昇は約5℃であるの
に対して、この第1の実施形態による固体撮像装置にお
ける動作時のCCDチップの温度上昇は約2℃と、実用
上問題のないレベルに抑えられている。
【0028】また、放熱板4はパッケージ1の底部に埋
め込まれているので、透明キャップ8から凹部1aの内
部に入射した光は放熱板4に達する前にパッケージ1に
より吸収される。このため、この入射光が放熱板4の表
面で反射されることによるフレアやゴーストの発生を抑
えることができる。
【0029】さらに、放熱板4は、パッケージ1の底面
からパッケージ1の底部を通って凹部1aの内部に水分
が侵入するのを防止する耐湿板としても機能するので、
固体撮像装置の耐湿性は良好である。
【0030】次に、この発明の第2の実施形態について
説明する。
【0031】この第2の実施形態による固体撮像装置の
平面図、正面図および側面図は図1〜図3に示すと同様
であり、また、図4および図5に対応する断面図はそれ
ぞれ図6および図7に示す通りである。
【0032】図1、図2、図3、図6および図7に示す
ように、この第2の実施形態による固体撮像装置におい
ては、第1の実施形態による固体撮像装置と異なり、放
熱板4はパッケージ1の凹部1aの底面上に密着して設
けられており、また、この凹部1aの底部に開口1bは
設けられていない。その他の構成は、第1の実施形態に
よる固体撮像装置と同様である。
【0033】この第2の実施形態においては、放熱板4
はパッケージ1の凹部1aの底面上に設けられているた
め、このままでは、この放熱板4の表面での光の反射に
よるゴーストやフレアが発生する可能性がある。これ
は、良質な画質を必要としない用途の固体撮像装置にお
いては必ずしも問題とならないが、良質な画質を必要と
する用途の固体撮像装置においては何らかの対策を講ず
る必要がある。この対策としては、この放熱板4の表面
にCrなどの光吸収性物質をコーティングし、光の反射
を抑えることが挙げられる。この放熱板4の表面のコー
ティングは通常、この放熱板4、アウターリード5およ
びインナーリード6の形成に用いられるリードフレーム
のうちの放熱板4となる部分、すなわちディプレス部の
表面のみコーティングすることにより行われる。別の対
策としては、接着剤3にさらに、黒色顔料、例えばカー
ボンを所定量添加して光吸収性を持たせ、この接着剤3
を放熱板4の表面全体に塗布する方法がある。
【0034】この第2の実施形態によれば、パッケージ
1の凹部1aの底面上に放熱板4が設けられ、CCDチ
ップ2とこの放熱板4とがパッケージ1を構成する樹脂
よりも熱伝導率が大きい接着剤3により接着されている
ので、第1の実施形態におけると同様に、動作時のCC
Dチップ2の温度上昇を低く抑えることができ、これに
よって温度特性を有する欠陥のレベルの増加や画質の劣
化を抑えることができる。また、放熱板4の表面にCr
などの光吸収性物質をコーティングしたり、カーボンの
ような黒色顔料を添加した接着剤3を放熱板4の表面全
体に塗布したりすることにより、放熱板4の表面で光が
反射されることによるフレアやゴーストの発生を防止す
ることができる。さらに、放熱板4が耐湿板として機能
することにより、パッケージ1の底面からパッケージ1
の底部を通って凹部1aの内部に水分が侵入するのを防
止することができ、固体撮像装置の耐湿性を良好なもの
とすることができる。
【0035】以上、この発明の実施形態につき具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
【0036】例えば、上述の第1の実施形態において、
接着剤3にカーボンのような黒色顔料を添加し、この接
着剤3に光吸収性を持たせるようにしてもよい。このよ
うにすることにより、パッケージ1の凹部1aの底部の
開口1bに露出した放熱板4の表面による光の反射を抑
えることができる。これは、特に、この開口1bの面積
を大きくする場合に有効である。
【0037】また、上述の第1の実施形態および第2の
実施形態におけるパッケージ1の形状やアウターリード
5およびインナーリード6の数(いわゆるピン数)など
は一例に過ぎず、これと異なる形状やピン数としてもよ
いことは言うまでもない。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による半
導体装置によれば、凹部の底部のパッケージ中または凹
部の底面上に放熱板が設けられ、半導体チップと放熱板
とがパッケージを構成する樹脂よりも熱伝導率が大きい
接着剤により接着されているので、動作時に半導体チッ
プから発生する熱はこの接着剤を介して放熱板に迅速に
伝導し、この放熱板の全体から効果的に放熱が行われ、
これによって動作時の半導体チップの温度上昇を低く抑
えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施形態による固体撮像装置
を示す平面図である。
【図2】この発明の第1の実施形態による固体撮像装置
を示す正面図である。
【図3】この発明の第1の実施形態による固体撮像装置
を示す側面図である。
【図4】図1のIV−IV線に沿っての断面図である。
【図5】図1のV−V線に沿っての断面図である。
【図6】この発明の第2の実施形態による固体撮像装置
を示す断面図である。
【図7】この発明の第2の実施形態による固体撮像装置
を示す断面図である。
【図8】従来の固体撮像装置の一例を示す断面図であ
る。
【図9】従来の固体撮像装置の他の例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
1 パッケージ 1a 凹部 1b 開口 2 CCDチップ 3、9 接着剤 4 放熱板 5 アウターリード 6 インナーリード 7 ワイヤー 8 透明キャップ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 凹型形状に樹脂成型されたパッケージの
    凹部の底面上に半導体チップが搭載され、上記パッケー
    ジが気密封止された構造を有する半導体装置において、 上記凹部の底部の上記パッケージ中または上記凹部の底
    面上に放熱板が設けられ、 上記半導体チップと上記放熱板とが上記パッケージを構
    成する樹脂よりも熱伝導率が大きい接着剤により接着さ
    れていることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 上記凹部の底部の上記パッケージ中に上
    記放熱板が埋め込まれ、上記凹部の底部の上記パッケー
    ジに上記放熱板の一部が露出するように設けられた開口
    を通じて上記半導体チップと上記放熱板とが上記接着剤
    により接着されていることを特徴とする請求項1記載の
    半導体装置。
  3. 【請求項3】 上記凹部の底面上に上記放熱板が設けら
    れ、上記放熱板上に上記半導体チップが上記接着剤によ
    り接着されていることを特徴とする請求項1記載の半導
    体装置。
  4. 【請求項4】 上記パッケージを構成する樹脂はエポキ
    シ樹脂であり、上記接着剤はエポキシ樹脂を主成分と
    し、金属からなるフィラーを含有する接着剤であること
    を特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 上記放熱板はリードフレームの一部から
    なることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  6. 【請求項6】 上記放熱板の外形は上記半導体チップの
    外形よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の半導
    体装置。
  7. 【請求項7】 上記半導体装置は固体撮像装置であるこ
    とを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
JP24098795A 1995-08-25 1995-08-25 半導体装置 Expired - Fee Related JP3435925B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24098795A JP3435925B2 (ja) 1995-08-25 1995-08-25 半導体装置
US08/696,181 US6392309B1 (en) 1995-08-25 1996-08-13 Semiconductor device including solid state imaging device
KR1019960034436A KR100444559B1 (ko) 1995-08-25 1996-08-20 반도체장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24098795A JP3435925B2 (ja) 1995-08-25 1995-08-25 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0964251A true JPH0964251A (ja) 1997-03-07
JP3435925B2 JP3435925B2 (ja) 2003-08-11

Family

ID=17067640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24098795A Expired - Fee Related JP3435925B2 (ja) 1995-08-25 1995-08-25 半導体装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6392309B1 (ja)
JP (1) JP3435925B2 (ja)
KR (1) KR100444559B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006329960A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体加速度センサ装置及びその製造方法
KR100910054B1 (ko) * 2007-12-18 2009-07-30 에스엘 주식회사 Led방열 장치
CN106486385A (zh) * 2015-08-24 2017-03-08 姜崇义 温测组件的封装方法、盖体结构及其制造方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3702788B2 (ja) * 1998-07-01 2005-10-05 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US6303986B1 (en) * 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US6525413B1 (en) * 2000-07-12 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Die to die connection method and assemblies and packages including dice so connected
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6707168B1 (en) * 2001-05-04 2004-03-16 Amkor Technology, Inc. Shielded semiconductor package with single-sided substrate and method for making the same
US6614102B1 (en) 2001-05-04 2003-09-02 Amkor Technology, Inc. Shielded semiconductor leadframe package
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
EP1357605A1 (en) * 2002-04-22 2003-10-29 Scientek Corporation Image sensor semiconductor package with castellation
US6767751B2 (en) * 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
KR20040033193A (ko) * 2002-10-11 2004-04-21 (주)그래픽테크노재팬 이미지 센서용 반도체 칩 패키지 및 제조 방법
US20040119862A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-24 Jackson Hsieh Image sensor capable of radiating heat rapidly
SG157957A1 (en) * 2003-01-29 2010-01-29 Interplex Qlp Inc Package for integrated circuit die
JP4159897B2 (ja) * 2003-02-26 2008-10-01 東洋鋼鈑株式会社 ハンダ性に優れた表面処理Al板、それを用いたヒートシンク、およびハンダ性に優れた表面処理Al板の製造方法
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US6926072B2 (en) * 2003-10-22 2005-08-09 Thermal Corp. Hybrid loop heat pipe
JP2006339291A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Fujifilm Holdings Corp 中空パッケージとこれを用いた半導体装置及び固体撮像装置
JP4802867B2 (ja) * 2006-05-31 2011-10-26 富士ゼロックス株式会社 電子部品、レーザ装置、光書込み装置及び画像形成装置
JP2010267954A (ja) * 2009-04-15 2010-11-25 Panasonic Corp 電子機器
US20120314419A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Wen-Kung Sung Heat dissipation structure of light-emitting diode
FR3066044B1 (fr) * 2017-05-02 2020-02-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Detecteur de rayonnement electromagnetique, encapsule par report de couche mince.
KR102130628B1 (ko) 2018-09-21 2020-07-06 주식회사 뷰웍스 영상 촬영 기기
KR20220060380A (ko) 2020-11-04 2022-05-11 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3922775A (en) * 1973-09-13 1975-12-02 Sperry Rand Corp High frequency diode and manufacture thereof
JPS6226847A (ja) * 1985-07-27 1987-02-04 Daiichi Seiko Kk 気密封止形半導体装置
JPH01100955A (ja) * 1987-10-14 1989-04-19 Sumitomo Electric Ind Ltd チップ封止用パッケージ
US4914551A (en) * 1988-07-13 1990-04-03 International Business Machines Corporation Electronic package with heat spreader member
JPH0329366A (ja) * 1989-06-26 1991-02-07 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置
JPH03252155A (ja) * 1990-02-28 1991-11-11 Narumi China Corp 半導体パッケージ
US5026748A (en) * 1990-05-07 1991-06-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thermally conductive adhesive
DE69131784T2 (de) 1990-07-21 2000-05-18 Mitsui Chemicals, Inc. Halbleiteranordnung mit einer Packung
JPH04217350A (ja) * 1990-12-19 1992-08-07 Hitachi Ltd 固体撮像装置
JP2839795B2 (ja) * 1991-08-09 1998-12-16 シャープ株式会社 半導体装置
JPH0685115A (ja) * 1992-09-02 1994-03-25 Ibiden Co Ltd 電子部品搭載用基板
JPH06188341A (ja) * 1992-12-17 1994-07-08 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージ
JPH06291216A (ja) * 1993-04-05 1994-10-18 Sony Corp 基板及びセラミックパッケージ
JP3362530B2 (ja) * 1993-12-16 2003-01-07 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006329960A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体加速度センサ装置及びその製造方法
KR100910054B1 (ko) * 2007-12-18 2009-07-30 에스엘 주식회사 Led방열 장치
US8201976B2 (en) 2007-12-18 2012-06-19 Sl Seobong Heat-dissipating apparatus
CN106486385A (zh) * 2015-08-24 2017-03-08 姜崇义 温测组件的封装方法、盖体结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3435925B2 (ja) 2003-08-11
KR100444559B1 (ko) 2004-11-12
KR970013389A (ko) 1997-03-29
US6392309B1 (en) 2002-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3435925B2 (ja) 半導体装置
US6229702B1 (en) Ball grid array semiconductor package having improved heat dissipation efficiency, overall electrical performance and enhanced bonding capability
KR0134902B1 (ko) 칩 캐리어 패키지 및 집적 회로 패키지
US7834926B2 (en) Semiconductor image sensing element and fabrication method therefor, and semiconductor image sensing device and fabrication method therefor
JP2881575B2 (ja) ヒートシンク付着ボールグリッドアレイ半導体パッケージ
JP2001284523A (ja) 半導体パッケージ
JP3376356B2 (ja) 薄型感光式半導体装置
JP2008244143A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP3054576B2 (ja) 半導体装置
JPH0621414A (ja) 固体撮像装置とその製造方法
JP2007324244A (ja) 半導体装置
JP2010263004A (ja) 固体撮像装置
JP2009111334A (ja) 光学デバイスおよびその製造方法、並びに半導体デバイス
JP4708175B2 (ja) 固体撮像装置
JP3523047B2 (ja) 光結合素子及びその製造方法
JPH07335982A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0846224A (ja) オプトエレクトロニック組立体及びその製造方法及び使用方法
JPH046860A (ja) 半導体装置
JPH07170024A (ja) 半導体装置
US12074183B2 (en) Semiconductor packaging method and semiconductor package device
JP2003209332A (ja) プリント配線基板、プリント配線基板の製造方法、及び実装基板
JPS62131555A (ja) 半導体集積回路装置
KR100197876B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
JPH08256296A (ja) ビデオカメラ
JPS618959A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080606

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees