JPH0329366A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0329366A JPH0329366A JP1160844A JP16084489A JPH0329366A JP H0329366 A JPH0329366 A JP H0329366A JP 1160844 A JP1160844 A JP 1160844A JP 16084489 A JP16084489 A JP 16084489A JP H0329366 A JPH0329366 A JP H0329366A
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- JP
- Japan
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- solid
- state image
- element chip
- image sensor
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、固体撮像装置のうち、固体撮像素子チップを
封入するパッケージに関するものである．（従来の技術
） ビデオカメラなどの撮像装置に用いられる固体撮像素子
は小型，軽量、長寿命などの特長から、その開発が盛ん
に行われており，現在は，特に多画素，高密度化が進め
られている．固体撮像素子は，その多画素，高密度化に
伴い水平転送の高速化が必要となるが，これは水平転送
部の発熱を招く．この発熱で固体撮像素子全体の温度が
上がると暗電流の増加による面ざらが大きな問題となる
．これに対して従来は，固体撮像素子チップを封入した
パッケージの外部から空冷また４ま電子冷却により、素
子チップの温度を下げていた。以下，図面を参照しなが
ら、上述したような従来のパッケージについて説明する
． 第２図は従来の、固体撮像素子チップを封入したパッケ
ージの断面模式図を示すものである．第２図において１
は固体撮像素子チップ、２は固体撮像素子チップをマウ
ントするためのマウント材，３はセラミック基板，４は
封止ガラスで５はその封止材、６は導電配線、７は固体
撮像素子ｌのパッドとセラミック基板３の導電配線６を
電気的に接続させるボンデイングワイヤ，８は外部電極
ピンとなっている． 以上のように構成された固体撮豫素子チップを封入する
パッケージについて、以下その機能を説明する． セラミック基板３はその中央ベース部に固体撮像素子チ
ップ１をマウント材２によりマウント、固定するように
なっており、固体撮像素子チップ１を気密封止するため
に封止ガラス４を封止材５で固着する．また動作に必要
な駆動パルス、電源電位は外部電極ピン８より与えられ
、導電配線６よりボンディングワイヤ７を通して固体撮
像素子チップ１に印加されるようになっている。特にカ
メラ実装時のチップの冷却はパッケージ裏面の電子冷却
やファンによる空冷が行われていた．（発明が解決しよ
うとする課題） 上記のような構成では，固体撮像素子チップを封止する
パッケージがセラミックで形成されているため、素子チ
ップと外部との熱抵抗が高く，カメラなど撮像装置への
実装時に十分な素子チップの冷却効果が得られない、と
いう欠点を有していた． 本発明の目的は上記欠点に鑑み、固体撮像素子チップと
外部との熱抵抗を大幅に小さくして素子チップの冷却効
果を改善し、暗電流等による面ざらなどの問題を改良し
た固体級像装置を提供することである。
封入するパッケージに関するものである．（従来の技術
） ビデオカメラなどの撮像装置に用いられる固体撮像素子
は小型，軽量、長寿命などの特長から、その開発が盛ん
に行われており，現在は，特に多画素，高密度化が進め
られている．固体撮像素子は，その多画素，高密度化に
伴い水平転送の高速化が必要となるが，これは水平転送
部の発熱を招く．この発熱で固体撮像素子全体の温度が
上がると暗電流の増加による面ざらが大きな問題となる
．これに対して従来は，固体撮像素子チップを封入した
パッケージの外部から空冷また４ま電子冷却により、素
子チップの温度を下げていた。以下，図面を参照しなが
ら、上述したような従来のパッケージについて説明する
． 第２図は従来の、固体撮像素子チップを封入したパッケ
ージの断面模式図を示すものである．第２図において１
は固体撮像素子チップ、２は固体撮像素子チップをマウ
ントするためのマウント材，３はセラミック基板，４は
封止ガラスで５はその封止材、６は導電配線、７は固体
撮像素子ｌのパッドとセラミック基板３の導電配線６を
電気的に接続させるボンデイングワイヤ，８は外部電極
ピンとなっている． 以上のように構成された固体撮豫素子チップを封入する
パッケージについて、以下その機能を説明する． セラミック基板３はその中央ベース部に固体撮像素子チ
ップ１をマウント材２によりマウント、固定するように
なっており、固体撮像素子チップ１を気密封止するため
に封止ガラス４を封止材５で固着する．また動作に必要
な駆動パルス、電源電位は外部電極ピン８より与えられ
、導電配線６よりボンディングワイヤ７を通して固体撮
像素子チップ１に印加されるようになっている。特にカ
メラ実装時のチップの冷却はパッケージ裏面の電子冷却
やファンによる空冷が行われていた．（発明が解決しよ
うとする課題） 上記のような構成では，固体撮像素子チップを封止する
パッケージがセラミックで形成されているため、素子チ
ップと外部との熱抵抗が高く，カメラなど撮像装置への
実装時に十分な素子チップの冷却効果が得られない、と
いう欠点を有していた． 本発明の目的は上記欠点に鑑み、固体撮像素子チップと
外部との熱抵抗を大幅に小さくして素子チップの冷却効
果を改善し、暗電流等による面ざらなどの問題を改良し
た固体級像装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明の固体撮像装置は、固体撮像素子チップを封止固
着するベース部と、ワイヤーボンドより外部電極ピンへ
の配線部を有する固体撮像装置のパッケージにおいて，
固体撮像素子チップをマウントするベース部を開口して
熱伝導率の良い材料を挿入固着し、その上に素子チップ
をマウントして、この素子チップとパッケージ外部との
熱抵抗を小さく構威したものである。
着するベース部と、ワイヤーボンドより外部電極ピンへ
の配線部を有する固体撮像装置のパッケージにおいて，
固体撮像素子チップをマウントするベース部を開口して
熱伝導率の良い材料を挿入固着し、その上に素子チップ
をマウントして、この素子チップとパッケージ外部との
熱抵抗を小さく構威したものである。
（作 用）
この構成によって、固体撮像素子の動作時における温度
上昇を抑え，暗電流等発熱によるノイズを低減して高レ
ベルの画質を実現できることとなる． （実施例） 以下，本発明の一実施例について，図面を参照しながら
説明する． 第１図は本発明の一実施例における固体撮像素子チップ
を封入したパッケージの断面模式図を示すものである．
本実施例における固体撮像装置の素子チップを封入した
パッケージは、第２図において固体撮像素子チップをマ
ウントするセラミック基板のベース部を開口し、メタル
ベースを埋め込んだ構造からなる． 第１図において１は固体撮像素子チップ、２は固体撮像
素子チップ１をマウントするためのマウント材、３はセ
ラミック基板、４は封止ガラス、５はその封止材、６は
導電配線、７は固体撮像素子チップ１のパッドとセラミ
ック基板３の導電配線６を電気的に接続させるボンディ
ングワイヤ、８は外部電極ピンであり，９はメタルのベ
ース部，１０はメタルのベース部９とセラミック基板３
を固定する固着材である． 以上のように構成された固体撮像素子チップを封入した
パッケージについて、以下その機能を説明する．セラミ
ック基板３の中央部に固着材１０で固定したメタルベー
ス部９上に固体撮像素子チップ１をマウント材２により
マウント、固定する。
上昇を抑え，暗電流等発熱によるノイズを低減して高レ
ベルの画質を実現できることとなる． （実施例） 以下，本発明の一実施例について，図面を参照しながら
説明する． 第１図は本発明の一実施例における固体撮像素子チップ
を封入したパッケージの断面模式図を示すものである．
本実施例における固体撮像装置の素子チップを封入した
パッケージは、第２図において固体撮像素子チップをマ
ウントするセラミック基板のベース部を開口し、メタル
ベースを埋め込んだ構造からなる． 第１図において１は固体撮像素子チップ、２は固体撮像
素子チップ１をマウントするためのマウント材、３はセ
ラミック基板、４は封止ガラス、５はその封止材、６は
導電配線、７は固体撮像素子チップ１のパッドとセラミ
ック基板３の導電配線６を電気的に接続させるボンディ
ングワイヤ、８は外部電極ピンであり，９はメタルのベ
ース部，１０はメタルのベース部９とセラミック基板３
を固定する固着材である． 以上のように構成された固体撮像素子チップを封入した
パッケージについて、以下その機能を説明する．セラミ
ック基板３の中央部に固着材１０で固定したメタルベー
ス部９上に固体撮像素子チップ１をマウント材２により
マウント、固定する。
固体撮像素子チップ１を気密封止するために封止ガラス
４を封止材５で固着する．また動作に必要な駆動パルス
、電源電位は外部電極ピン８より与えられ、導電配線６
よりボンディングワイヤ７を通して固体撮像素子チップ
１に印加されるようになっている．カメラ実装時の固体
撮像素子チップ１の冷却はメタルベース部９を介して行
うことができる． 以上のように本実施例によれば，従来のセラミック基板
の中央部に設けたメタルベース上に固体撮像素子チップ
をマウントすることで、素子チップの外部からの冷却に
対してその冷却効率をあげることを可能にし、暗電流等
素子チップの発熱によるノイズを改善した固体撮像装置
を実現することができる． なお、本実施例ではセラミック基板中央のベースをメタ
ルとしたが、これは熱伝導の良いものであれば他のもの
でもよい． （発明の効果） 本発明によれば、固体撮像素子チップを封入するパッケ
ージについて、そのセラミック基板中央部を熱良導体例
えばメタルベースで構成することにより，固体撮像装置
外部からの素子チップの冷却効率をあげることを可能に
し、暗電流等素子チップの発熱によるノイズを改善した
固体撮像装置を実現することができ、その実用的効果は
大なるものがある．
４を封止材５で固着する．また動作に必要な駆動パルス
、電源電位は外部電極ピン８より与えられ、導電配線６
よりボンディングワイヤ７を通して固体撮像素子チップ
１に印加されるようになっている．カメラ実装時の固体
撮像素子チップ１の冷却はメタルベース部９を介して行
うことができる． 以上のように本実施例によれば，従来のセラミック基板
の中央部に設けたメタルベース上に固体撮像素子チップ
をマウントすることで、素子チップの外部からの冷却に
対してその冷却効率をあげることを可能にし、暗電流等
素子チップの発熱によるノイズを改善した固体撮像装置
を実現することができる． なお、本実施例ではセラミック基板中央のベースをメタ
ルとしたが、これは熱伝導の良いものであれば他のもの
でもよい． （発明の効果） 本発明によれば、固体撮像素子チップを封入するパッケ
ージについて、そのセラミック基板中央部を熱良導体例
えばメタルベースで構成することにより，固体撮像装置
外部からの素子チップの冷却効率をあげることを可能に
し、暗電流等素子チップの発熱によるノイズを改善した
固体撮像装置を実現することができ、その実用的効果は
大なるものがある．
第１図は本発明の一実施例における固体撮像装置の固体
撮像素子チップを封入したパッケージの断面構造を説明
するための模式図，第２図は従来の固体撮像装置のパッ
ケージの断面構造を説明するための模式図である。 １ ・・・固体撮像素子チップ、 ２・・・マウント材
， ３ ・・・セラミック基板， ４封止ガラス、 ５
・・・封止材、 ６ ・・・導電配線、 ７・・・ボン
ディングワイヤ、８・・・外部電極ピン、 ９ ・・・
メタルベー入部、 １０ 固着材．
撮像素子チップを封入したパッケージの断面構造を説明
するための模式図，第２図は従来の固体撮像装置のパッ
ケージの断面構造を説明するための模式図である。 １ ・・・固体撮像素子チップ、 ２・・・マウント材
， ３ ・・・セラミック基板， ４封止ガラス、 ５
・・・封止材、 ６ ・・・導電配線、 ７・・・ボン
ディングワイヤ、８・・・外部電極ピン、 ９ ・・・
メタルベー入部、 １０ 固着材．
Claims (1)
- 固体撮像素子チップを封止固着するベース部と、ワイヤ
ーボンドより外部電極ピンへの配線部を有する固体撮像
装置のパッケージにおいて、前記固体撮像素子チップを
マウントするベース部を開口して熱伝導率の良い材料を
挿入固着し、その上に素子チップをマウントして前記素
子チップとパッケージ外部との熱抵抗を小さく構成した
ことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160844A JPH0329366A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160844A JPH0329366A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0329366A true JPH0329366A (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=15723632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1160844A Pending JPH0329366A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0329366A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751059A (en) * | 1992-06-19 | 1998-05-12 | Thomson-Csf Semiconducteurs Specifiques | Pyroelectric sensor |
| US6392309B1 (en) * | 1995-08-25 | 2002-05-21 | Sony Corporation | Semiconductor device including solid state imaging device |
| JP2006332841A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Shimadzu Corp | 撮像素子組立体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610975A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPH01303745A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子のパツケージ |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP1160844A patent/JPH0329366A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610975A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPH01303745A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子のパツケージ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751059A (en) * | 1992-06-19 | 1998-05-12 | Thomson-Csf Semiconducteurs Specifiques | Pyroelectric sensor |
| US6392309B1 (en) * | 1995-08-25 | 2002-05-21 | Sony Corporation | Semiconductor device including solid state imaging device |
| JP2006332841A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Shimadzu Corp | 撮像素子組立体 |
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