JPH08288486A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH08288486A JPH08288486A JP7111054A JP11105495A JPH08288486A JP H08288486 A JPH08288486 A JP H08288486A JP 7111054 A JP7111054 A JP 7111054A JP 11105495 A JP11105495 A JP 11105495A JP H08288486 A JPH08288486 A JP H08288486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- image pickup
- state image
- cooling
- electronic cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像素子を冷却する電子冷却素子の消費
電力を低減化できるようにする。 【構成】 固体撮像素子１の表面を覆う金属遮光膜４の
端部に設けられたコンタクト部５を金属ワイヤ２を介し
て電子冷却素子に接続する。 【効果】 固体撮像素子１の発熱体は基板の表面にある
ため、従来のように半導体基板の裏面を電子冷却素子に
より冷却する方式と比較して冷却効率が高くなり電子冷
却素子の消費電力を少なくすることが可能になる。
電力を低減化できるようにする。 【構成】 固体撮像素子１の表面を覆う金属遮光膜４の
端部に設けられたコンタクト部５を金属ワイヤ２を介し
て電子冷却素子に接続する。 【効果】 固体撮像素子１の発熱体は基板の表面にある
ため、従来のように半導体基板の裏面を電子冷却素子に
より冷却する方式と比較して冷却効率が高くなり電子冷
却素子の消費電力を少なくすることが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電荷結合素子（ＣＣ
Ｄ）などを用いた固体撮像装置に関し、特に固体撮像素
子の温度上昇を抑制して画質の改善を図った固体撮像装
置に関するものである。
Ｄ）などを用いた固体撮像装置に関し、特に固体撮像素
子の温度上昇を抑制して画質の改善を図った固体撮像装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体撮像素子では、プロセス技術
の発達により、また一方で高解像度のニーズに応えるた
めに高画素化が進んでいる。画素数が増えたことによ
り、動作周波数が上がり、それにつれて、素子部の発熱
量が増加しシリコン基板上に固体撮像素子を形成したチ
ップ表面の温度が上がる。
の発達により、また一方で高解像度のニーズに応えるた
めに高画素化が進んでいる。画素数が増えたことによ
り、動作周波数が上がり、それにつれて、素子部の発熱
量が増加しシリコン基板上に固体撮像素子を形成したチ
ップ表面の温度が上がる。
【０００３】その結果、その発熱の影響が無視できない
ようになってきており、とりわけ、温度上昇に伴い、特
定の画素の暗電流が突出して増加し、暗状態で前記の特
定の画素部が白く見え、そのコントラストが温度上昇に
依存して増加する欠陥が顕著になる。この欠陥は、暗電
流が１０度で約２倍に増加するため、画質を著しく劣化
させる。
ようになってきており、とりわけ、温度上昇に伴い、特
定の画素の暗電流が突出して増加し、暗状態で前記の特
定の画素部が白く見え、そのコントラストが温度上昇に
依存して増加する欠陥が顕著になる。この欠陥は、暗電
流が１０度で約２倍に増加するため、画質を著しく劣化
させる。
【０００４】また、暗電流の増加はダイナミックレンジ
を狭める原因にもなっている。実際の固体撮像素子自体
の自己発熱は、０．３から０．５Ｗ程度あり、これに伴
って周囲温度に対して２０度前後の温度上昇が生じ、そ
の結果、画像情報のＳ／Ｎの低下、ダイナミックレンジ
の劣化を招いていた。
を狭める原因にもなっている。実際の固体撮像素子自体
の自己発熱は、０．３から０．５Ｗ程度あり、これに伴
って周囲温度に対して２０度前後の温度上昇が生じ、そ
の結果、画像情報のＳ／Ｎの低下、ダイナミックレンジ
の劣化を招いていた。
【０００５】その解決策として、電子冷却素子等を用い
てチップを冷却する方法がある。チップの温度を下げる
と、暗電流ならびに熱雑音を減らすことが可能となる。
図３（ａ）は、この種冷却手段を備えた従来の固体撮像
装置の平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＣ−
Ｄ線の断面図である。従来技術では、図３に示されるよ
うに、電子冷却素子３の冷却側の電極３ａ上に金属板１
３を介して固体撮像素子１をその受光領域１４を上にし
て搭載し、電子冷却素子の放熱側の電極３ｂを放熱板１
５に接触させていた。この構成により、固体撮像素子自
体が発生する熱を電子冷却素子３に吸収させる一方、電
子冷却素子の発生する熱は、放熱板１５に放出して、チ
ップの温度上昇を防ぐ。なお、この種の冷却手段を備え
た固体撮像装置は、例えば特開平４−１２３４６２号公
報等により公知となっている。
てチップを冷却する方法がある。チップの温度を下げる
と、暗電流ならびに熱雑音を減らすことが可能となる。
図３（ａ）は、この種冷却手段を備えた従来の固体撮像
装置の平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＣ−
Ｄ線の断面図である。従来技術では、図３に示されるよ
うに、電子冷却素子３の冷却側の電極３ａ上に金属板１
３を介して固体撮像素子１をその受光領域１４を上にし
て搭載し、電子冷却素子の放熱側の電極３ｂを放熱板１
５に接触させていた。この構成により、固体撮像素子自
体が発生する熱を電子冷却素子３に吸収させる一方、電
子冷却素子の発生する熱は、放熱板１５に放出して、チ
ップの温度上昇を防ぐ。なお、この種の冷却手段を備え
た固体撮像装置は、例えば特開平４−１２３４６２号公
報等により公知となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の固体撮像装置では、チップの裏面からの冷却である
ため、チップ表面の発熱源の温度上昇を抑えるために
は、チップ全体を冷却しなければならない。すなわち、
厚さ４００〜７００μｍにおよぶシリコン基板の裏面か
ら加えた冷却熱がシリコンの熱伝導による効率でシリコ
ン基板全体を冷却しながら、チップの表面まで到達し
て、表面に形成された固体電子素子の発熱部を冷却する
ものである。
来の固体撮像装置では、チップの裏面からの冷却である
ため、チップ表面の発熱源の温度上昇を抑えるために
は、チップ全体を冷却しなければならない。すなわち、
厚さ４００〜７００μｍにおよぶシリコン基板の裏面か
ら加えた冷却熱がシリコンの熱伝導による効率でシリコ
ン基板全体を冷却しながら、チップの表面まで到達し
て、表面に形成された固体電子素子の発熱部を冷却する
ものである。
【０００７】そのため、冷却しなければならない全体の
熱容量が増加するので、素子の発熱部の温度上昇を抑え
るための電子冷却素子が大規模化しまたその消費電力が
増加する。また、シリコンの熱伝導率が金属にくらべ小
さいため、チップ全体の冷却が飽和に達するまでに時間
がかかるという欠点があった。
熱容量が増加するので、素子の発熱部の温度上昇を抑え
るための電子冷却素子が大規模化しまたその消費電力が
増加する。また、シリコンの熱伝導率が金属にくらべ小
さいため、チップ全体の冷却が飽和に達するまでに時間
がかかるという欠点があった。
【０００８】本発明は、上記課題を解決するものであっ
て、固体撮像素子の温度上昇を低消費電力、短時間で抑
制し、良好な画質を得ることのできる固体撮像装置を提
供することを目的とする。
て、固体撮像素子の温度上昇を低消費電力、短時間で抑
制し、良好な画質を得ることのできる固体撮像装置を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、固体撮像素子の表面に形成された
金属遮光膜が電子冷却素子により直接的に冷却されてい
ることを特徴とする固体撮像装置、が提供される。すな
わち、より具体的には、固体撮像素子の表面に形成され
た金属遮光膜が電子冷却素子の電極または電子冷却素子
が設けられた金属基板に接続されていることを特徴とす
る固体撮像装置、が提供される。
め、本発明によれば、固体撮像素子の表面に形成された
金属遮光膜が電子冷却素子により直接的に冷却されてい
ることを特徴とする固体撮像装置、が提供される。すな
わち、より具体的には、固体撮像素子の表面に形成され
た金属遮光膜が電子冷却素子の電極または電子冷却素子
が設けられた金属基板に接続されていることを特徴とす
る固体撮像装置、が提供される。
【００１０】
【作用】本発明は、上記の構成により、熱伝導率が大き
い金属遮光膜が冷却され、そしてこの金属遮光膜に近接
して、転送電極などの配線や半導体活性層が存在してい
るために、発熱体を効果的にかつ短時間で冷却すること
ができるようになる。その結果、低消費電力で固体撮像
素子の温度上昇を抑制することができるようになり、ダ
イナミックレンジが広く、良好な画質の固体撮像装置を
小規模の冷却手段により実現することが可能になる。
い金属遮光膜が冷却され、そしてこの金属遮光膜に近接
して、転送電極などの配線や半導体活性層が存在してい
るために、発熱体を効果的にかつ短時間で冷却すること
ができるようになる。その結果、低消費電力で固体撮像
素子の温度上昇を抑制することができるようになり、ダ
イナミックレンジが広く、良好な画質の固体撮像装置を
小規模の冷却手段により実現することが可能になる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施例を
示す平面図であり、図１（ｂ）はそのＡ−Ｂ線の断面図
である。図１（ａ）に示されるように、固体撮像素子１
の表面には、受光開口部６を有する金属遮光膜４が形成
されており、金属遮光膜４の端部２個所にはそれぞれコ
ンタクト部５が形成されている。このコンタクト部５は
金属ワイヤ２を介して電子冷却素子（図示なし）の冷却
側の電極に接続されている。
して説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施例を
示す平面図であり、図１（ｂ）はそのＡ−Ｂ線の断面図
である。図１（ａ）に示されるように、固体撮像素子１
の表面には、受光開口部６を有する金属遮光膜４が形成
されており、金属遮光膜４の端部２個所にはそれぞれコ
ンタクト部５が形成されている。このコンタクト部５は
金属ワイヤ２を介して電子冷却素子（図示なし）の冷却
側の電極に接続されている。
【００１２】図１（ｂ）に示されるように、金属遮光膜
４に開設された受光開口部６の下には、光電変換領域と
なるｎ型半導体領域９ａが形成されており、このｎ型半
導体領域９ａに隣接して、この光電変換領域で生成され
た信号電荷を転送するためのｎ型半導体領域９ｂが形成
されている。これらの２種のｎ型半導体領域９ａ、９ｂ
は、両者の間を結合するための領域（電荷読み出し領
域）を除いて素子分離用のｐ+ 型半導体領域１０により
囲まれている。また、光電変換領域であるｎ型半導体領
域９ａ上は、この領域を埋め込み型とするためにｐ+ 型
半導体領域１０により覆われている。
４に開設された受光開口部６の下には、光電変換領域と
なるｎ型半導体領域９ａが形成されており、このｎ型半
導体領域９ａに隣接して、この光電変換領域で生成され
た信号電荷を転送するためのｎ型半導体領域９ｂが形成
されている。これらの２種のｎ型半導体領域９ａ、９ｂ
は、両者の間を結合するための領域（電荷読み出し領
域）を除いて素子分離用のｐ+ 型半導体領域１０により
囲まれている。また、光電変換領域であるｎ型半導体領
域９ａ上は、この領域を埋め込み型とするためにｐ+ 型
半導体領域１０により覆われている。
【００１３】これら各半導体領域は、ｎ型シリコン基板
１２上に形成されたｐ型半導体領域１１の表面領域内に
形成されている。半導体基板上には、シリコン酸化膜８
に囲まれて第１の転送電極７ａと第２の転送電極７ｂが
形成されている。これらの転送電極により、ｎ型半導体
領域９ａにて生成された信号電荷は、電荷転送領域であ
るｎ型半導体領域９ｂに読み出された後、この領域を紙
面の垂直方向に転送される。
１２上に形成されたｐ型半導体領域１１の表面領域内に
形成されている。半導体基板上には、シリコン酸化膜８
に囲まれて第１の転送電極７ａと第２の転送電極７ｂが
形成されている。これらの転送電極により、ｎ型半導体
領域９ａにて生成された信号電荷は、電荷転送領域であ
るｎ型半導体領域９ｂに読み出された後、この領域を紙
面の垂直方向に転送される。
【００１４】上記のように構成された固体撮像装置にお
いて、電子冷却素子を冷却すると、金属ワイヤ２は金属
の熱伝導によって冷却される。金属ワイヤ２の冷却によ
り、金属遮光膜４はコンタクト部５から徐々に冷却さ
れ、金属中の自由電子により冷却熱が金属遮光膜４全体
に伝播し、均一温度に飽和冷却される。
いて、電子冷却素子を冷却すると、金属ワイヤ２は金属
の熱伝導によって冷却される。金属ワイヤ２の冷却によ
り、金属遮光膜４はコンタクト部５から徐々に冷却さ
れ、金属中の自由電子により冷却熱が金属遮光膜４全体
に伝播し、均一温度に飽和冷却される。
【００１５】そして、均一温度に冷却された金属遮光膜
４からの冷却熱が、シリコン酸化膜８を介して、第１、
第２の転送電極および拡散層へ伝わり、これらの転送電
極および光電変換領域、電荷転送領域などの半導体領域
を冷却する。而して、図１（ｂ）に示されるように、半
導体基板裏面から基板表面までの距離は４００〜７００
μｍ程度あるのに対し、金属遮光膜４から転送電極７
ａ、７ｂまでの距離は１μｍ程度であり、基板表面の拡
散層までの距離は２μｍ程度である。よって、本実施例
では従来例に比べ、熱抵抗が小さく、冷却効果が高くな
り、格段に低い消費電力により温度上昇を抑えることが
可能になる。また、冷却手段の小規模化も可能になる。
４からの冷却熱が、シリコン酸化膜８を介して、第１、
第２の転送電極および拡散層へ伝わり、これらの転送電
極および光電変換領域、電荷転送領域などの半導体領域
を冷却する。而して、図１（ｂ）に示されるように、半
導体基板裏面から基板表面までの距離は４００〜７００
μｍ程度あるのに対し、金属遮光膜４から転送電極７
ａ、７ｂまでの距離は１μｍ程度であり、基板表面の拡
散層までの距離は２μｍ程度である。よって、本実施例
では従来例に比べ、熱抵抗が小さく、冷却効果が高くな
り、格段に低い消費電力により温度上昇を抑えることが
可能になる。また、冷却手段の小規模化も可能になる。
【００１６】図２は、本発明の第２の実施例を示す斜視
図である。同図に示されるように、本実施例において
は、固体撮像素子１上の金属遮光膜と、電子冷却素子３
の冷却側電極との間がそれぞれ３本ずつの金属ワイヤ２
により接続されている。このように電子冷却素子と金属
遮光膜間を接続する金属ワイヤの本数を増やしたことに
より、電子冷却素子−金属遮光膜間の熱抵抗が第１の実
施例の場合よりも低くなり、より効率的な冷却を行うこ
とが可能になる。
図である。同図に示されるように、本実施例において
は、固体撮像素子１上の金属遮光膜と、電子冷却素子３
の冷却側電極との間がそれぞれ３本ずつの金属ワイヤ２
により接続されている。このように電子冷却素子と金属
遮光膜間を接続する金属ワイヤの本数を増やしたことに
より、電子冷却素子−金属遮光膜間の熱抵抗が第１の実
施例の場合よりも低くなり、より効率的な冷却を行うこ
とが可能になる。
【００１７】図３は、本発明の第３の実施例を示す斜視
図である。同図に示されるように、本実施例において
は、固体撮像素子１上の金属遮光膜の両側に、電子冷却
素子３の冷却側電極が直接接続されている。このように
構成したことにより、電子冷却素子−金属遮光膜間の熱
抵抗がさらに低くなり、一層効率的な冷却を行うことが
可能になる。
図である。同図に示されるように、本実施例において
は、固体撮像素子１上の金属遮光膜の両側に、電子冷却
素子３の冷却側電極が直接接続されている。このように
構成したことにより、電子冷却素子−金属遮光膜間の熱
抵抗がさらに低くなり、一層効率的な冷却を行うことが
可能になる。
【００１８】以上の実施例では、電子冷却素子の冷却側
電極に金属ワイヤを接続したりあるいはこの電極を金属
遮光膜に直接接続したりしていたが、これに代えて、金
属基板上に絶縁膜を介して複数の冷却側電極を形成しそ
の上に冷却素子を設けたものを作製し、この金属基板の
裏面をワイヤを介するなどして金属遮光膜に接続するよ
うにしてもよい。また、上記の実施例と、従来例とを組
み合わせて、他の電子冷却素子上に固体撮像素子を搭載
するようにしてもよい。
電極に金属ワイヤを接続したりあるいはこの電極を金属
遮光膜に直接接続したりしていたが、これに代えて、金
属基板上に絶縁膜を介して複数の冷却側電極を形成しそ
の上に冷却素子を設けたものを作製し、この金属基板の
裏面をワイヤを介するなどして金属遮光膜に接続するよ
うにしてもよい。また、上記の実施例と、従来例とを組
み合わせて、他の電子冷却素子上に固体撮像素子を搭載
するようにしてもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置は、固体撮像素子の表面に設けられた金属遮光膜を
直接的に電子冷却素子により冷却するものであるので、
発熱体までの距離を従来方式に比較して格段に近付ける
ことができ、短時間で効率よく冷却することが可能にな
る。したがって、本発明によれば、低消費電力で小規模
な冷却手段により、固体撮像素子の温度上昇を抑制する
ことが可能になり、良好な撮像品質の固体撮像装置を実
現することが可能になる。
装置は、固体撮像素子の表面に設けられた金属遮光膜を
直接的に電子冷却素子により冷却するものであるので、
発熱体までの距離を従来方式に比較して格段に近付ける
ことができ、短時間で効率よく冷却することが可能にな
る。したがって、本発明によれば、低消費電力で小規模
な冷却手段により、固体撮像素子の温度上昇を抑制する
ことが可能になり、良好な撮像品質の固体撮像装置を実
現することが可能になる。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す平面図とそのＡ
−Ｂ線の断面図。
−Ｂ線の断面図。
【図２】 本発明の第２の実施例を示す斜視図。
【図３】 本発明の第３の実施例を示す斜視図。
【図４】 従来例の平面図とそのＣ−Ｄ線の断面図。
１ 固体撮像素子 ２ 金属ワイヤ ３ 電子冷却素子 ４ 金属遮光膜 ５ コンタクト部 ６ 受光開口部 ７ａ 第１の転送電極 ７ｂ 第２の転送電極 ８ シリコン酸化膜 ９ａ ｎ型半導体領域（光電変換領域） ９ｂ ｎ型半導体領域（電荷転送領域） １０ ｐ+ 型半導体領域 １１ ｐ型半導体領域 １２ ｎ型シリコン基板 １３ 金属板 １４ 受光領域 １５ 放熱板
Claims (4)
- 【請求項１】 固体撮像素子の表面に形成された金属遮
光膜が電子冷却素子により直接的に冷却されていること
を特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記金属遮光膜が前記電子冷却素子の電
極または前記電子冷却素子が設けられた金属基板に接続
されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装
置。 - 【請求項３】 前記金属遮光膜が金属ワイヤを介して前
記電子冷却素子の電極または前記電子冷却素子が設けら
れた金属基板に接続されていることを特徴とする請求項
１記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】 前記固体撮像素子が他の電子冷却素子上
に搭載されていることを特徴とする請求項１記載の固体
撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7111054A JP2674563B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7111054A JP2674563B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288486A true JPH08288486A (ja) | 1996-11-01 |
| JP2674563B2 JP2674563B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=14551248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7111054A Expired - Lifetime JP2674563B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674563B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339214A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Fujifilm Holdings Corp | 固体撮像装置 |
| KR100790290B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-01-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 전자 냉각소자 및 그의 제조방법 |
| JP2008166725A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Dongbu Hitek Co Ltd | Ｃｍｏｓ素子及びその製造方法 |
| WO2019078291A1 (ja) * | 2017-10-20 | 2019-04-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
| WO2021014849A1 (ja) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、電子機器及び固体撮像装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-04-13 JP JP7111054A patent/JP2674563B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339214A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Fujifilm Holdings Corp | 固体撮像装置 |
| KR100790290B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-01-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 전자 냉각소자 및 그의 제조방법 |
| JP2008166725A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Dongbu Hitek Co Ltd | Ｃｍｏｓ素子及びその製造方法 |
| WO2019078291A1 (ja) * | 2017-10-20 | 2019-04-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
| JPWO2019078291A1 (ja) * | 2017-10-20 | 2020-11-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
| US11456323B2 (en) | 2017-10-20 | 2022-09-27 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging unit |
| WO2021014849A1 (ja) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、電子機器及び固体撮像装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2674563B2 (ja) | 1997-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI281347B (en) | Semiconductor image sensor module, manufacturing method of semiconductor image sensor module, camera and manufacturing method of camera | |
| US7920195B2 (en) | Image sensing apparatus having an effective pixel area | |
| JP2002237614A (ja) | 光電変換装置及びその駆動方法並びに情報処理装置 | |
| US20220344400A1 (en) | Image capturing device and image capturing apparatus | |
| JPH01295449A (ja) | 冷却型固体撮像装置 | |
| JP2674563B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2009018109A (ja) | Ｘ線診断装置 | |
| JP2013201568A (ja) | 撮像モジュール | |
| US12035060B2 (en) | Stacked image sensor | |
| US20230144963A1 (en) | Stacked image sensor | |
| US20240079432A1 (en) | Photodetector and electronic apparatus | |
| JP3511463B2 (ja) | 固体撮像装置および大面積固体撮像装置 | |
| JP2002124655A (ja) | 電磁波電気信号変換システム及びイメージセンサ | |
| JP2005175104A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS60220965A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2023117516A (ja) | 放射線の検出器 | |
| JPH04283965A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH06302801A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6255961A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2510149B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH06260630A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS5991777A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0669482A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0232833B2 (ja) | ||
| JPS58125979A (ja) | 固体撮像素子 |