JP2008166725A - Cmos素子及びその製造方法 - Google Patents
Cmos素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008166725A JP2008166725A JP2007289277A JP2007289277A JP2008166725A JP 2008166725 A JP2008166725 A JP 2008166725A JP 2007289277 A JP2007289277 A JP 2007289277A JP 2007289277 A JP2007289277 A JP 2007289277A JP 2008166725 A JP2008166725 A JP 2008166725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- film
- insulating film
- cmos device
- polysilicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/024—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/38—Cooling arrangements using the Peltier effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
【課題】CMOS素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部基板上に第1シリコン酸化膜及び第1ポリシリコン膜を順次に形成し、該第1ポリシリコン膜に対してイオン注入を行い、所定間隔隔たった複数の下部電気伝導体を形成し、下部電気伝導体にそれぞれコンタクトされ、所定間隔隔たって交互に配置された複数のN型半導体及びP型半導体を形成し、N型半導体及びP型半導体を電気的に連結するように複数の上部電気伝導体を形成し、電気伝導体上に上部基板を形成し、上部基板上に第2ポリシリコンを形成し、第2ポリシリコン内に素子分離膜及びフォトダイオードを形成し、第2ポリシリコン上に絶縁膜側壁を有するゲート電極を形成し、ゲート電極を含むエピ層上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にカラフィルターアレイを形成し、カラーフィルターアレイ上に平坦層を形成し、平坦層上にマイクロレンズを形成してCMOS素子を製造する。
【選択図】図1F
【解決手段】下部基板上に第1シリコン酸化膜及び第1ポリシリコン膜を順次に形成し、該第1ポリシリコン膜に対してイオン注入を行い、所定間隔隔たった複数の下部電気伝導体を形成し、下部電気伝導体にそれぞれコンタクトされ、所定間隔隔たって交互に配置された複数のN型半導体及びP型半導体を形成し、N型半導体及びP型半導体を電気的に連結するように複数の上部電気伝導体を形成し、電気伝導体上に上部基板を形成し、上部基板上に第2ポリシリコンを形成し、第2ポリシリコン内に素子分離膜及びフォトダイオードを形成し、第2ポリシリコン上に絶縁膜側壁を有するゲート電極を形成し、ゲート電極を含むエピ層上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にカラフィルターアレイを形成し、カラーフィルターアレイ上に平坦層を形成し、平坦層上にマイクロレンズを形成してCMOS素子を製造する。
【選択図】図1F
Description
本発明は、CMOS素子及びその製造方法に係り、特に、温度上昇による暗電流を防止できるCMOS素子及びその製造方法に関する。
一般に、イメージセンサーとは、光学映像(optical image)を電気信号に変換させる半導体素子で、このうち、電荷結合素子(CCD:charge coupled device)は、個々のMOS(Metal−Oxide−Silicon)キャパシタが相互に非常に近接した位置に存在するとともに、電荷キャリアがキャパシタに保存され移送される素子であり、CMOS(Complementary MOS)イメージセンサーは、制御回路(control circuit)及び信号処理回路(signal processing circuit)を周辺回路とするCMOS技術を用いて画素数分のMOSトランジスタを作り、これを用いて順次に出力(output)を検出するスイッチング方式を採用する素子である。
しかしながら、イメージセンサーは温度上昇によって暗電流が増加するという問題点があった。
本発明は上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、温度上昇による暗電流を防止するCMOS素子を提供することにある。
本発明の他の目的は、CMOS素子の温度上昇による暗電流を防止するCMOS素子製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、下部基板上に形成された冷却素子と、前記冷却素子上に形成されたイメージセンサーとを備えるCMOS素子を提供する。
前記下部基板は、ヒートシンクまたはポリシリコン膜で形成することを特徴とする。
前記冷却素子は、下部基板上に形成された第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上の第1シリコン絶縁膜内に所定間隔隔てて形成する複数の下部電気伝導体と、前記下部電気伝導体にそれぞれコンタクトされるように前記第1シリコン絶縁膜上の第2シリコン絶縁膜内に所定間隔隔てて交互に形成した複数のN型半導体及びP型半導体と、前記第2シリコン絶縁膜上の前記N型半導体及びP型半導体を電気的に直列連結されるように形成する複数の上部電気伝導体と、前記上部電気伝導体を含む前記下部基板の全面に形成する上部基板と、を備えることを特徴とする。
前記下部電気伝導体は、N型半導体またはアルミニウム膜で形成することを特徴とする。
前記上部電気伝導体は、P型半導体またはN型半導体で形成することを特徴とする。
前記上部基板は、シリコン酸化膜で形成することを特徴とする。
前記イメージセンサーは、前記上部基板上のポリシリコン膜内に形成する素子分離膜及びフォトダイオードと、前記ポリシリコン膜上に形成する絶縁膜側壁を有するゲート電極と、前記ゲート電極を含む前記下部基板の全面に形成する第2絶縁膜と、前記フォトダイオードに対応するように前記第2絶縁膜上に形成するカラーフィルタアレイ(CFA)と、前記カラーフィルターアレイを含む前記下部基板の全面に形成する平坦層と、前記平坦層上に前記カラーフィルターアレイに対応するように形成するマイクロレンズと、を備えることを特徴とする。
また、上記の目的を達成するために、本発明は、下部基板上に第1シリコン酸化膜及び第1ポリシリコン膜を順次に形成する段階と、前記第1ポリシリコン膜に対してイオン注入工程を行い、所定間隔に隔たって形成された複数の下部電気伝導体を形成する段階と、前記下部電気伝導体にそれぞれコンタクトされ、所定間隔隔たって交互に配置される複数のN型半導体及びP型半導体を形成する段階と、前記N型半導体及びP型半導体を電気的に連結するように複数の上部電気伝導体を形成する段階と、前記上部電気伝導体上に上部基板を形成する段階と、前記上部基板上に第2ポリシリコンを形成する段階と、前記第2ポリシリコン内に素子分離膜及びフォトダイオードを形成する段階と、前記第2ポリシリコン上に絶縁膜側壁を有するゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含むエピ層上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜上にカラフィルターアレイを形成する段階と、前記カラーフィルタアレイ上に平坦層を形成する段階と、前記平坦層上にマイクロレンズを形成する段階とを含むCMOS素子の製造方法を提供する。
前記下部基板は、ヒートシンクまたはポリシリコン膜で形成することを特徴とする。
前記下部電気伝導体は、N型半導体またはアルミニウム膜で形成することを特徴とする。
前記上部電気伝導体は、P型半導体またはN型半導体で形成することを特徴とする。
前記上部基板を形成した後、シリコン・オン・インシュレーター(SOI:Silicon on insulator)構造のCMOS素子からシリコン酸化膜が露出されるようにCMOS素子の下部に対して裏面研削を行う段階と、所定の温度で前記上部基板にCMOS素子のシリコン酸化膜を結合する段階と、を含むことを特徴とする。
前記上部基板は、シリコン酸化膜で形成することを特徴とする。
前記所定の温度は、350〜1350℃の温度であることを特徴とする。
本発明のペルチェCMOS素子及びその製造方法によれば、CMOS素子の温度を下げ、暗電流を防止することが可能になる。
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明に係るCMOS素子及びその製造方法の好適な実施例について詳細に説明する。
図1A乃至図1Fは、本発明によるCMOS素子の製造方法を示す断面図である。
図1Aに示すように、下部基板100上に所定の厚さで第1絶縁膜102及び第1ポリシリコン膜を順次に蒸着する。
ここで、下部基板100は、ヒートシンク(Heat Sink)またはポリシリコン膜で形成し、第1絶縁膜102は、例えば、10〜300μm厚のシリコン酸化膜(SiO2)またはアルミニウム酸化膜(aluminum oxide)で形成することかできる。
その後、第1ポリシリコン膜上に第1フォトレジストパターンを形成した後、第1フォトレジストパターンをマスクとしてイオン注入工程を行い、第1ポリシリコン膜に不純物イオンを注入して所定間隔隔たった第1下部電気伝導体104a及び第2下部電気伝導体104bを形成した後、アッシング及び洗浄工程によって第1フォトレジストパターンを除去する。
ここで、第1下部電気伝導体104a及び第2下部電気伝導体104bは、アルミニウム膜またはn型不純物イオンを注入したN型半導体で形成することができる。
ここで、第1ポリシリコン膜には、第1下部電気伝導体104a及び第2下部電気伝導体104b間において不純物イオンを注入していない第1領域106が備えられる。
図1Bに示すように、第1下部電気伝導体104a及び第2下部電気伝導体104bを備える第1ポリシリコン膜上に、第2ポリシリコン膜を蒸着し、第2ポリシリコン膜上に第2フォトレジストパターンを形成する。
その後、第2フォトレジストパターンをマスクとするイオン注入工程を行い、第2ポリシリコン膜にn型不純物イオン及びp型不純物イオンを交互に注入し、第1下部電気伝導体104a及び第2下部電気伝導体104bにそれぞれコンタクトされ、所定間隔隔たって交互に配置されるN型半導体108a,108c及びP型半導体108b,108dを形成した後、アッシング及び洗浄工程によって第2フォトレジストパターンを除去する。
この時、第2ポリシリコン膜には不純物イオンを注入していない第2領域110を備える。
図1Cに示すように、第2ポリシリコン膜上に第3フォトレジストパターンを形成し、第3フォトレジストパターンをマスクとするエッチング工程によって第2領域110の第2ポリシリコン膜を選択的にエッチングし、トレンチを備える第2ポリシリコン膜パターンを形成した後、アッシング及び洗浄工程によって第3フォトレジストパターンを除去する。
続いて、第2ポリシリコン膜パターン上に第2絶縁膜を蒸着してトレンチを埋め立てた後、N型半導体108a,108c及びP型半導体108b,108dが露出されるように第2絶縁膜に対して平坦化を行い、第2絶縁膜パターン112を形成する。
図1Dに示すように、第2絶縁膜パターン112上に第3ポリシリコン膜を蒸着し、第3ポリシリコン膜上に第4フォトレジストパターンを形成した後、第4フォトレジストパターンをマスクとするイオン注入工程を行い、第3ポリシリコン膜にN型半導体108a,108cとP型半導体108b,108dが直列連結されるように上部電気伝導体114を形成する。
その後、第3ポリシリコン膜上に第5フォトレジストパターンを形成し、第5フォトレジストパターンをマスクとするエッチング工程を行い、上部電気伝導体114両側の不純物イオンの注入されていない第3ポリシリコン膜を選択的にエッチングした後、アッシング及び洗浄工程によって第5フォトレジストパターンを除去する。
続いて、上部電気伝導体114を含む下部基板100の全面に上部基板116を形成することで、ペルチェ素子(Peltier Element)を完成する。
ここで、第3電気伝導体114は、N型半導体またはP型半導体で形成し、上部基板はシリコン酸化膜で形成することができる。
ペルチェ素子の第1下部電気伝導体104a及び第2下部電気伝導体104bに電源を供給すると、第2下部電気伝導体104bを通してN型半導体108cに電流を印加し、上部電気伝導体114及びP型半導体素子108bを通して第1下部電気伝導体104aに電流が流れる。
この時、上部電気伝導体114では放熱現象が発生し、下部基板100で吸熱現象が発生しながら冷却がなされる。
したがって、ペルチェ素子により最終製造されるCMOS素子の温度を下げることができる。
図1Eに示すように、ペルチェ素子の上部基板116上に第4ポリシリコン膜118及びエピ層120を順次に形成した後、エピ層120において素子分離領域に素子分離膜122を形成する。
ここで、素子分離膜122は、STI(shallow trench isolation)工程またはLOCOS(local oxidation of silicon)工程などを用いて形成すれば良い。
その後、エピ層上にゲート絶縁膜125及びゲート電極用物質層を蒸着し、フォト及びエッチング工程を用いて物質層及びゲート絶縁膜125を選択的にエッチングし、素子分離膜122によって定義されたアクティブ領域にゲート電極126を形成する。
続いて、ゲート電極126を含むエピ層120の全面に第3絶縁膜を蒸着し、全面にエッチバック工程を行うことでゲート電極126の両側面に絶縁膜側壁128を形成した後、エピ層に不純物イオンを注入し、入射する光量による電荷を生成するフォトダイオード(Photo Diode)124を形成する。
図1Fに示すように、フォトダイオード124を含む全面に層間絶縁膜130を形成し、層間絶縁膜130上に青色、赤色、緑色のレジスト層をそれぞれ塗布した後、露光及び現像工程を行い、それぞれの波長帯別に光をフィルタリングするカラーフィルタアレイ(CFA:color filter arrary)132を形成する。
その後、カラーフィルタアレイ132上に平坦化層134を形成し、平坦化層134上にマイクロレンズ形成用物質層を塗布した後、露光及び現像工程によって物質層をパターニングしてマイクロレンズ136を形成し、これでペルチェCMOS素子を完成する。
また、SOI(Silicon on insulatior)構造を持つCMOS素子において、CMOS素子の下部に対して裏面研削(back grinding)を行ってシリコン酸化膜を露出させた後、上記の図1A乃至図1D工程で形成されたペルチェ素子のシリコン酸化膜に、所定の温度、例えば、350〜1350℃の温度でCMOS素子のシリコン酸化膜を結合させることでCMOS素子を完成する。
100 下部基板、 102 第1絶縁膜、 104a 第1下部電気伝導体、 104b 第2株電気伝導体、 106 第1領域、 108a N型半導体、108b P型半導体、 108c N型半導体、 110 第2領域、112 第2絶縁膜パターン、 114 上部前記伝導体、 116 上部基板、 118 第4ポリシリコン膜、 120 エピ層、 122 素子分離膜、 124 フォトダイオード、 125 ゲート絶縁膜、 126 ゲート電極、 128 絶縁膜側壁、 130 層間絶縁膜、 132 カラーフィルタアレイ、 134 平坦化層、 136 マイクロレンズ。
Claims (14)
- 下部基板上に形成された冷却素子と、
前記冷却素子上に形成されたイメージセンサーと、
を備えることを特徴とするCMOS素子。 - 前記下部基板は、ヒートシンクまたはポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項1に記載のCMOS素子。
- 前記冷却素子は、
下部基板上に形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜上の第1シリコン絶縁膜内に所定間隔隔てて形成する複数の下部電気伝導体と、
前記下部電気伝導体にそれぞれコンタクトされるように前記第1シリコン絶縁膜上の第2シリコン絶縁膜内に所定間隔隔てて交互に形成した複数のN型半導体及びP型半導体と、
前記第2シリコン絶縁膜上の前記N型半導体及びP型半導体を電気的に直列連結されるように形成する複数の上部電気伝導体と、
前記上部電気伝導体を含む前記下部基板の全面に形成する上部基板と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のCMOS素子。 - 前記下部電気伝導体は、N型半導体またはアルミニウム膜で形成することを特徴とする請求項3に記載のCMOS素子。
- 前記上部電気伝導体は、P型半導体またはN型半導体で形成することを特徴とする請求項3に記載のCMOS素子。
- 前記上部基板は、シリコン酸化膜で形成することを特徴とする請求項3に記載のCMOS素子。
- 前記イメージセンサーは、
前記上部基板上のポリシリコン膜内に形成する素子分離膜及びフォトダイオードと、
前記ポリシリコン膜上に形成する絶縁膜側壁を有するゲート電極と、
前記ゲート電極を含む前記下部基板の全面に形成する第2絶縁膜と、
前記フォトダイオードに対応するように前記第2絶縁膜上に形成するカラーフィルターアレイと、
前記カラーフィルターアレイを含む前記下部基板の全面に形成する平坦層と、
前記平坦層上に前記カラーフィルターアレイに対応するように形成するマイクロレンズと、
を備えることを特徴とする請求項3に記載のCMOS素子。 - 下部基板上に第1シリコン酸化膜及び第1ポリシリコン膜を順次に形成する段階と、
前記第1ポリシリコン膜に対してイオン注入工程を行い、所定間隔に隔たって形成された複数の下部電気伝導体を形成する段階と、
前記下部電気伝導体にそれぞれコンタクトされ、所定間隔隔たって交互に配置される複数のN型半導体及びP型半導体を形成する段階と、
前記N型半導体及びP型半導体を電気的に連結するように複数の上部電気伝導体を形成する段階と、
前記上部電気伝導体上に上部基板を形成する段階と、
前記上部基板上に第2ポリシリコンを形成する段階と、
前記第2ポリシリコン内に素子分離膜及びフォトダイオードを形成する段階と、
前記第2ポリシリコン上に絶縁膜側壁を有するゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を含むエピ層上に絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜上にカラフィルターアレイを形成する段階と、
前記カラーフィルタアレイ上に平坦層を形成する段階と、
前記平坦層上にマイクロレンズを形成する段階と、
を含むことを特徴とするCMOS素子の製造方法。 - 前記下部基板は、ヒートシンクまたはポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項8に記載のCMOS素子の製造方法。
- 前記下部電気伝導体は、N型半導体またはアルミニウム膜で形成することを特徴とする請求項8に記載のCMOS素子の製造方法。
- 前記上部電気伝導体は、P型半導体またはN型半導体で形成することを特徴とする請求項8に記載のCMOS素子の製造方法。
- 前記上部基板を形成した後、シリコン・オン・インシュレーター構造のCMOS素子からシリコン酸化膜が露出されるようにCMOS素子の下部に対して裏面研削を行う段階と、
所定の温度で前記上部基板にCMOS素子のシリコン酸化膜を結合する段階と、
を含むことを特徴とする請求項8に記載のCMOS素子の製造方法。 - 前記上部基板は、シリコン酸化膜で形成することを特徴とする請求項8に記載のCMOS素子の製造方法。
- 前記所定の温度は、350〜1350℃の温度であることを特徴とする請求項12に記載のCMOS素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060137322A KR20080062045A (ko) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 시모스 소자 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008166725A true JP2008166725A (ja) | 2008-07-17 |
Family
ID=39465908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007289277A Pending JP2008166725A (ja) | 2006-12-29 | 2007-11-07 | Cmos素子及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080157141A1 (ja) |
JP (1) | JP2008166725A (ja) |
KR (1) | KR20080062045A (ja) |
CN (1) | CN101211939A (ja) |
DE (1) | DE102007051312B4 (ja) |
TW (1) | TW200828583A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010055754A1 (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-20 | ミツミ電機株式会社 | 熱電変換モジュール及び熱電変換装置 |
JP2011192923A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Fujitsu Ltd | 熱電変換装置及びその製造方法 |
JP2013501354A (ja) * | 2009-07-29 | 2013-01-10 | エスティー‐エリクソン、(グルノーブル)、エスアエス | 半導体技術を用いた熱電装置 |
US8395255B2 (en) | 2010-01-13 | 2013-03-12 | Sony Corporation | Semiconductor device having a cooling function component |
JP2013229398A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Fujitsu Ltd | 熱電変換素子及びその製造方法 |
WO2014192199A1 (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2016507889A (ja) * | 2012-12-19 | 2016-03-10 | ゼットティーイー コーポレーションZte Corporation | トランジスタ、トランジスタの放熱構造及びトランジスタの製造方法 |
JP2017525135A (ja) * | 2014-06-02 | 2017-08-31 | ハット テクノロジ アノニム シルケット | 冷却アレイを有している集積回路 |
WO2019078291A1 (ja) * | 2017-10-20 | 2019-04-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101477981A (zh) * | 2008-01-03 | 2009-07-08 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 光源模组及其制造方法 |
KR101053736B1 (ko) * | 2008-11-11 | 2011-08-02 | 주식회사 동부하이텍 | 후면수광 이미지센서 및 그 제조방법 |
DE102010029526B4 (de) | 2010-05-31 | 2012-05-24 | GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One Ltd. Liability Company & Co. KG | Halbleiterbauelement mit einer gestapelten Chipkonfiguration mit einem integrierten Peltier-Element |
JP2013050818A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Toshiba Corp | メモリシステム |
DE102012110021A1 (de) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | Bpe E.K. | Multifunktions-Mikroelektronikbauteil und Herstellungsverfahren dafür |
KR102036346B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2019-10-24 | 삼성전자 주식회사 | 열적 리셋을 수행할 수 있는 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치들 |
FR3027731B1 (fr) * | 2014-10-24 | 2018-01-05 | Stmicroelectronics Sa | Capteur d'image face avant a courant d'obscurite reduit sur substrat soi |
DE102014222706B4 (de) * | 2014-11-06 | 2018-05-03 | Dialog Semiconductor B.V. | Thermoelektrische Vorrichtung auf einem Chip |
US9837334B2 (en) * | 2015-03-30 | 2017-12-05 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Programmable active cooling device |
US20180226515A1 (en) * | 2017-02-06 | 2018-08-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device and method of forming embedded thermoelectric cooler for heat dissipation of image sensor |
CN110518032B (zh) * | 2019-09-02 | 2022-12-23 | 电子科技大学 | 多晶硅soi基板型光电耦合器、其集成电路及制备方法 |
CN112164684B (zh) * | 2020-09-02 | 2023-01-03 | 维沃移动通信有限公司 | 摄像头模组及电子设备 |
KR20220095595A (ko) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서, 이를 이용한 이미지 센서 테스트 시스템 및 방법 |
US11500151B2 (en) * | 2021-02-22 | 2022-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Semiconductor arrangement and method of making |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288486A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-11-01 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
JP2006066880A (ja) * | 2004-05-24 | 2006-03-09 | Seiko Instruments Inc | 電子機器、デジタルカメラ、及び電子機器の駆動方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01245549A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置およびその製法 |
JP3310404B2 (ja) * | 1993-07-23 | 2002-08-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 冷却型固体撮像装置 |
US5837929A (en) * | 1994-07-05 | 1998-11-17 | Mantron, Inc. | Microelectronic thermoelectric device and systems incorporating such device |
DE19845104A1 (de) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Wandlers |
DE10004390C2 (de) * | 2000-02-02 | 2002-05-02 | Infineon Technologies Ag | Thermoelektrischer Generator und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6559538B1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-05-06 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Integrated circuit device having a built-in thermoelectric cooling mechanism |
US6800933B1 (en) * | 2001-04-23 | 2004-10-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit cooling device |
US6709774B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-03-23 | International Business Machines Corporation | Magnetic thin film disks with a nonuniform composition |
DE10228592A1 (de) * | 2002-06-26 | 2003-10-02 | Infineon Technologies Ag | Leistungsbauteil mit einer Wärmesenke |
US7173663B2 (en) * | 2002-10-31 | 2007-02-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Automatic exposure control system for a digital camera |
US20060044430A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Chandra Mouli | Thermoelectric cooling for imagers |
JP2006191465A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Seiko Instruments Inc | 電子機器 |
US7262400B2 (en) * | 2005-12-02 | 2007-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor device having an active layer overlying a substrate and an isolating region in the active layer |
-
2006
- 2006-12-29 KR KR1020060137322A patent/KR20080062045A/ko active Search and Examination
-
2007
- 2007-10-19 US US11/875,419 patent/US20080157141A1/en not_active Abandoned
- 2007-10-24 TW TW096139960A patent/TW200828583A/zh unknown
- 2007-10-26 DE DE102007051312A patent/DE102007051312B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-07 JP JP2007289277A patent/JP2008166725A/ja active Pending
- 2007-11-15 CN CNA2007101703714A patent/CN101211939A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288486A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-11-01 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
JP2006066880A (ja) * | 2004-05-24 | 2006-03-09 | Seiko Instruments Inc | 電子機器、デジタルカメラ、及び電子機器の駆動方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010055754A1 (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-20 | ミツミ電機株式会社 | 熱電変換モジュール及び熱電変換装置 |
JP2013501354A (ja) * | 2009-07-29 | 2013-01-10 | エスティー‐エリクソン、(グルノーブル)、エスアエス | 半導体技術を用いた熱電装置 |
US8395255B2 (en) | 2010-01-13 | 2013-03-12 | Sony Corporation | Semiconductor device having a cooling function component |
JP2011192923A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Fujitsu Ltd | 熱電変換装置及びその製造方法 |
JP2013229398A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Fujitsu Ltd | 熱電変換素子及びその製造方法 |
JP2016507889A (ja) * | 2012-12-19 | 2016-03-10 | ゼットティーイー コーポレーションZte Corporation | トランジスタ、トランジスタの放熱構造及びトランジスタの製造方法 |
WO2014192199A1 (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2017525135A (ja) * | 2014-06-02 | 2017-08-31 | ハット テクノロジ アノニム シルケット | 冷却アレイを有している集積回路 |
WO2019078291A1 (ja) * | 2017-10-20 | 2019-04-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
JPWO2019078291A1 (ja) * | 2017-10-20 | 2020-11-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
US11456323B2 (en) | 2017-10-20 | 2022-09-27 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102007051312A1 (de) | 2008-07-03 |
US20080157141A1 (en) | 2008-07-03 |
DE102007051312B4 (de) | 2009-09-10 |
CN101211939A (zh) | 2008-07-02 |
TW200828583A (en) | 2008-07-01 |
KR20080062045A (ko) | 2008-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008166725A (ja) | Cmos素子及びその製造方法 | |
KR100720503B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR100619396B1 (ko) | 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR100710207B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
KR100778856B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
KR20070087847A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR100698082B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR20070069833A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
TW201606982A (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
KR100672730B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
JP2006024934A (ja) | Cmosイメージセンサーの製造方法 | |
JP2006191054A (ja) | Cmosイメージセンサの製造方法 | |
US20070145443A1 (en) | CMOS Image Sensor and Method of Manufacturing the Same | |
JP4575913B2 (ja) | Cmosイメージセンサの製造方法 | |
US9647023B2 (en) | Image pickup device and method of manufacturing the same | |
KR100640977B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
JP4115446B2 (ja) | Cmosイメージセンサの製造方法 | |
TWI782650B (zh) | 背照式影像感測器的製造方法 | |
KR100720497B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
JP2007180536A (ja) | Cmosイメージセンサ及びその製造方法 | |
KR100672686B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR100815936B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
KR100731118B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR100720467B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR100720492B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110322 |