JPWO2019078291A1 - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
1.実施の形態(第1半導体基板に接する熱伝導配線を有する撮像装置)
2.変形例1(第1半導体基板内に冷却素子が設けられた例)
3.変形例2(複数の半導体チップの積層構造を有する例)
4.適用例(電子機器の例)
5.応用例(移動体への応用例)
図1は、本開示の一実施の形態に係る撮像装置(撮像装置1)の全体構成を模式的に表したものである。撮像装置1は、例えばCCDイメージセンサまたはCMOSイメージセンサ等に用いられるものであり、複数の画素P(後述の図7参照)を有する受光領域110Aと、受光領域110Aの外側に設けられ、周辺回路(例えば、後述の図7の周辺回路部130)を有する周辺領域110Bと、受光領域110Aを冷却するための冷却素子Eとを有している。周辺領域110Bには、周辺回路が設けられるとともに、接続領域110Cが設けられている。この接続領域110Cには、外部と電気的な接続を行う電気接続部1Bと、冷却素子Eが接続された熱接続部1Cが設けられている。
半導体基板11は、例えばp型のシリコン(Si)によって構成されている。この半導体基板11には画素分離溝11Aが設けられている。画素分離溝11Aは、半導体基板11の受光面S1側から、半導体基板11の厚み方向(Z方向)に延びている。この画素分離溝11Aは、隣り合う画素P(PD12)の間に設けられ、例えば、画素Pを取り囲むように格子状に配置されている(図4)。画素分離溝11Aは、例えば、後述するフローティングディフュージョン(FD)13やソース・ドレイン領域21E〜21Hに重なるように配置されている。画素分離溝11Aの深さ(高さ(h))はクロストークを抑制しうる深さであればよく、FD13やソース・ドレイン領域21E〜21Hの厚みを1μm以下とする場合には、例えば0.25μm以上5μm以下であることが好ましい。幅(W)は、クロストークを抑制し得る幅となっていればよく、100nm以上500nm以下である。
図7は撮像装置1の全体構成をブロック図として表したものである。この撮像装置1は、例えばCMOSイメージセンサを構成するものであり、半導体基板11上の中央部に撮像エリアとしての受光領域110Aを有している。受光領域110Aの外側の周辺領域110Bには、例えば行走査部131、システム制御部132、水平選択部123および列走査部134を含む周辺回路部130が設けられている。
撮像装置1では、例えば次のようにして信号電荷(ここでは電子)が取得される。撮像装置1に、オンチップレンズ35を介して光Lが入射すると、光Lはカラーフィルタ34等を通過して各画素PにおけるPD12で検出(吸収)され、赤,緑または青の色光が光電変換される。PD12で発生した電子−正孔対のうち、電子は半導体基板11(例えば、Si基板ではn型半導体領域)へ移動して蓄積され、正孔はp型領域へ移動して排出される。
本実施の形態の撮像装置1では、熱伝導配線33が、半導体基板11に接して設けられているので、冷却素子Eにより、熱伝導配線33を介して半導体基板11が効率よく冷却される。以下、これについて説明する。
図8は、上記実施の形態の変形例1に係る撮像装置(撮像装置1A)の要部の模式的な構成を表したものである。この撮像装置1Aでは、半導体基板11の周辺領域110Bに冷却素子Eが設けられている。この点を除き、変形例1に係る撮像装置1Aは、上記実施の形態の撮像装置1と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
図9は、上記実施の形態の変形例に係る撮像装置(撮像装置2)の模式的な断面構成を表したものである。この撮像装置2は、第1半導体チップ81および第2半導体チップ82の積層構造を有している。本技術は、このような積層型の撮像装置2にも適用可能である。
上述の撮像装置1,1A,2は、撮像機能を有するあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。例えば、撮像装置1,1A,2は、デジタルスチルカメラおよびビデオカメラ等のカメラシステム、携帯電話またはスマートフォン等に適用できる。図10に、その一例として、電子機器9(カメラ)の概略構成を示す。この電子機器9は、例えば静止画または動画を撮影可能なカメラであり、撮像装置1,1A,2と、光学系(光学レンズ)310と、シャッタ装置311と、撮像装置1,1A,2およびシャッタ装置311を駆動する駆動部313と、信号処理部312とを有する。
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械(トラクター)などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
以下の構成の本開示によれば、熱伝導配線を第1半導体基板に接して設けるようにしたので、例えば、第1半導体基板を間接的に冷却する場合に比べて、第1半導体基板に設けられた光電変換部を効率よく冷却することができる。よって、より効率的に光電変換部を冷却することが可能となる。
(1)
光電変換部を有する第1半導体基板と、
前記第1半導体基板に接して設けられた熱伝導配線と、
前記熱伝導配線を介して前記光電変換部の温度を制御する冷却素子と
を備えた撮像装置。
(2)
前記第1半導体基板は溝を有し、
前記溝に前記熱伝導配線が埋め込まれている
前記(1)に記載の撮像装置。
(3)
前記光電変換部を複数有し、
前記溝は隣り合う前記光電変換部の間に設けられている
前記(2)に記載の撮像装置。
(4)
前記熱伝導配線は、前記光電変換部に入射する光に対して遮光性を有する材料により構成されている
前記(1)ないし(3)のうちいずれか1つに記載の撮像装置。
(5)
前記熱伝導配線は、タングステン(W),銅(Cu),チタン(Ti),タンタル(Ta),アルミニウム(Al),ルテニウム(Ru)またはカーボングラファイトを含む
前記(1)ないし(4)のうちいずれか1つに記載の撮像装置。
(6)
前記第1半導体基板には、前記光電変換部が設けられた受光領域と、前記受光領域の外側の周辺領域とが設けられ、
前記熱伝導配線は、前記受光領域に設けられるとともに、前記受光領域から前記周辺領域に延在している
前記(1)ないし(5)のうちいずれか1つに記載の撮像装置。
(7)
前記熱伝導配線は、前記第1半導体基板の受光面に設けられ、前記周辺領域にベタ膜部分を有する
前記(6)に記載の撮像装置。
(8)
前記周辺領域で、前記熱伝導配線は前記冷却素子に熱的に接続されている
前記(6)または(7)に記載の撮像装置。
(9)
前記熱伝導配線は、ワイヤボンディングにより前記冷却素子に熱的に接続されている
前記(1)ないし(8)のうちいずれか1つに記載の撮像装置。
(10)
前記冷却素子は、前記第1半導体基板に対向して設けられている
前記(1)ないし(8)のうちいずれか1つに記載の撮像装置。
(11)
更に、前記第1半導体基板に電気的に接続されるとともに、前記第1半導体基板に積層された第2半導体基板を有し、
前記冷却素子は、前記第2半導体基板を間にして前記第1半導体基板に対向している
前記(10)に記載の撮像装置。
(12)
更に、前記第2半導体基板に設けられ、前記熱伝導配線と前記冷却素子とを熱的に接続する貫通電極を有する
前記(11)に記載の撮像装置。
(13)
前記冷却素子は、ペルチェ素子である
前記(1)ないし(12)のうちいずれか1つに記載の撮像装置。
(14)
前記第1半導体基板には、前記光電変換部が設けられた受光領域と、前記受光領域の外側の周辺領域とが設けられ、
前記冷却素子が前記周辺領域に設けられている
前記(1)ないし(8)のうちいずれか1つに記載の撮像装置。
(15)
前記冷却素子は、前記第1半導体基板内に設けられたP型半導体部およびN型半導体部と、前記P型半導体部と前記N型半導体部との間の金属部とを含んでいる
前記(14)に記載の撮像装置。
(16)
前記熱伝導配線は前記金属部に接続されている
前記(15)に記載の撮像装置。
Claims (16)
- 光電変換部を有する第1半導体基板と、
前記第1半導体基板に接して設けられた熱伝導配線と、
前記熱伝導配線を介して前記光電変換部の温度を制御する冷却素子と
を備えた撮像装置。 - 前記第1半導体基板は溝を有し、
前記溝に前記熱伝導配線が埋め込まれている
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記光電変換部を複数有し、
前記溝は隣り合う前記光電変換部の間に設けられている
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記熱伝導配線は、前記光電変換部に入射する光に対して遮光性を有する材料により構成されている
請求項3に記載の撮像装置。 - 前記熱伝導配線は、タングステン(W),銅(Cu),チタン(Ti),タンタル(Ta),アルミニウム(Al),ルテニウム(Ru)またはカーボングラファイトを含む
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1半導体基板には、前記光電変換部が設けられた受光領域と、前記受光領域の外側の周辺領域とが設けられ、
前記熱伝導配線は、前記受光領域に設けられるとともに、前記受光領域から前記周辺領域に延在している
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記熱伝導配線は、前記第1半導体基板の受光面に設けられ、前記周辺領域にベタ膜部分を有する
請求項6に記載の撮像装置。 - 前記周辺領域で、前記熱伝導配線は前記冷却素子に熱的に接続されている
請求項6に記載の撮像装置。 - 前記熱伝導配線は、ワイヤボンディングにより前記冷却素子に熱的に接続されている
請求項8に記載の撮像装置。 - 前記冷却素子は、前記第1半導体基板に対向して設けられている
請求項1に記載の撮像装置。 - 更に、前記第1半導体基板に電気的に接続されるとともに、前記第1半導体基板に積層された第2半導体基板を有し、
前記冷却素子は、前記第2半導体基板を間にして前記第1半導体基板に対向している
請求項10に記載の撮像装置。 - 更に、前記第2半導体基板に設けられ、前記熱伝導配線と前記冷却素子とを熱的に接続する貫通電極を有する
請求項11に記載の撮像装置。 - 前記冷却素子は、ペルチェ素子である
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1半導体基板には、前記光電変換部が設けられた受光領域と、前記受光領域の外側の周辺領域とが設けられ、
前記冷却素子が前記周辺領域に設けられている
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記冷却素子は、前記第1半導体基板内に設けられたP型半導体部およびN型半導体部と、前記P型半導体部と前記N型半導体部との間の金属部とを含んでいる
請求項14に記載の撮像装置。 - 前記熱伝導配線は前記金属部に接続されている
請求項15に記載の撮像装置。
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