JPS61234161A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents

密着型イメ−ジセンサ

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Publication number
JPS61234161A
JPS61234161A JP60074200A JP7420085A JPS61234161A JP S61234161 A JPS61234161 A JP S61234161A JP 60074200 A JP60074200 A JP 60074200A JP 7420085 A JP7420085 A JP 7420085A JP S61234161 A JPS61234161 A JP S61234161A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image sensor
resin
sealing
mounting body
sealing frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP60074200A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Nakamura
中村 恒
Teruo Abe
阿部 輝夫
Tsukasa Shiraishi
司 白石
Shinji Fujiwara
慎司 藤原
Toshiaki Hashiguchi
橋口 利明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60074200A priority Critical patent/JPS61234161A/ja
Publication of JPS61234161A publication Critical patent/JPS61234161A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ファクシミリや複写機などのOA機器の画像
入力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するも
のである。
(従来の技術) 近年、ファクシミリや複写機などに代表されるOA機器
の進歩はめざましいものがある。このような中にあって
、昨今OA種機器画像入力装置の小型、高性化に対する
要望が増大しておシ、この画像入力装置に用いられる密
着型のイメージセンナが注目されている。
との密着型イメージセンサは、大がかシな光学系を必要
とせず、原稿と同じ寸法の細長い形状を有する。その種
類は大きく分けて次の2つがある。
その1つは、薄膜タイプであり、とれは硫化カドミウム
(CdS )などの光導電膜を蒸着やス・ぐツタリング
などの薄膜技術を駆使して長尺のガラス基板上に直接形
成してセンサを構成するものである。
また他の1つは結晶タイプのもので、これは結晶シリコ
ン基板を用いてCCDやMOS、ノ々イポーラICなど
のイメージセンサチップを作り、これらの結晶型イメー
ジセンサチップの複数個を長尺の回路基板に直線状に配
列してセンナを構成したものである。このような2つの
タイプの密着型イメージセンナにはそれぞれ一長一短が
あシ、その用途に応じて使い分けられるが、最近では画
像入力装置の高速性や高解像性への要求が増大しておシ
、この要求を満たすものとして後者の結晶タイプの密着
型イメージセンサの用途がますます拡大している。
従来、この結晶タイプの密着型イメージセンサは、第4
図に示すたように構成されていた。第4図において、l
はアルミナ絶縁基板上に回路導体層2を形成した回路基
板、3はイメージセンサチップグ、4はダイプント用接
着剤、5は金属細線、6は封止枠、7は接着剤である。
この密着型イメージセンサは、アルミナなどの平面性に
すぐれ、そりやたわみなどの変形が起シ忙<い長尺の基
板の表面如銀や銀−白金などのメタルグレーズ系の導体
ペーストを用いて回路導体層2を形成した、いわゆる厚
膜回路基板lに、熱膨張係数の比較的小さい樹脂系の導
電性接着剤を塗布し、その上にCODやMOS 、バイ
ポーラICなどの結晶型のイメージセンサチップ3を複
数個直線状に配列し、固定する。次に、各イメージセン
サチップ3と回路導体層2とをワイヤープント法によっ
てアルミニウムヤ金などの金属細線5によシ接続し、し
かる後に配列したイメージセンサチップの周Dt−取シ
囲むように、上面に透光性のよいガラス板を接着したア
ルミナ製の封止枠6をかぶせ、この封止枠6をエポキシ
樹脂などの耐湿性にすぐれた接着剤7で回路基板1に接
着してイメージセンサチップを気密封止するものである
(発明の解決しようとする問題点) しかしながら上記のような構成の密着型イメージセンナ
では、イメージセンサチップ30周シを取シ囲んでいる
封止枠6と回路基板1との接着状態によってその気密封
止性能が大きく影響を受け、構造的に封止枠と回路基板
との接着面積が大きくとれないために湿度のリークp4
スが短かくなシ、十分なる気密封止性が得られにくいこ
と、形状が長尺であることから、イメージセンサチップ
を配列する回路基板としてd、そシやたわみなどの変形
がおこシにくく、平面精度のよい材質のものを使用する
必要があって、アルミナなどのコストの高い材料を使用
しなげればならないこと、さらには回路基板と封止枠と
を接着する封止作業において、接着剤が封止枠からはみ
出さないようにするため、接着剤の選択や工程作業条件
の管理を厳重に行わねばならないなど種々の問題点があ
った。
本発明は、上記問題点に鑑み、イメージセンサチップの
気密封止性を改善するとともに、イメージセンサチップ
を配列する長尺回路基板の材質が制約されず、さらには
封止作業において接着剤の塗布条件などが大幅に緩和さ
れ、工程管理の軽減が図れる密着墓イメージセンサを提
供するものである。
(問題点を解決するための手段) 上記問題点を解決するために、本発明の密着型イメージ
センサは、所望の回路導体層を形成した長尺の回路基板
に複数個のイメージセンサチップを直線状に配列固着し
てこのイメージセンサチップと回路導体層とを電気的に
接続し、イメージセンサチップ部をハーメチック封止し
た実装体を、支持体ケースに設けた凹部の略中央部に入
れ封止枠の周辺部を合成樹脂で充填した構成とする。
(作 用) 本発明は、上記したように、イメージセンサチップの封
止枠の周辺部が耐湿性にすぐれた合成樹脂によシ充填さ
れた構造となるため、封止枠の接着が不完全でも、イメ
ージセンサチップの気密封止性が著しく改善され、かつ
イメージセンサチップを配列した長尺回路基板が、平面
性にすぐれた硬質の支持体ケースで保持されるので、長
尺回路基板のそりやたわみがあっても容易に矯正され、
従って、長尺回路基板の材質の制約が緩和されて、設計
の自由度が大きくなるものである。
(実施例) 以下。実施例について図面を参照しながら説明する。第
1図は、本発明の一実施例の密着型イメージセンサの断
面を示したものである。第1図において、8は絶縁基板
の一方の面に回路導体層9を形成した長尺の回路基板、
10はイメージセンサチップ、11はダイプント用接着
剤、12は金属細線、13は封止枠、14は封止枠13
を回路基板8に接着する接着剤、15は硬質の支持体ケ
−ス、16は合成樹脂である。
以上のように構成された本実施例の密着型イメージセン
サは、次のようにして作製される。まず、アルミナなど
のセラミック絶縁板を長尺状に加工し、このセラミック
絶縁板の主面上に銀や銀−白金などからなる貴金属系の
メタルグレーズ導体イーストをスクリーン印刷法によシ
所望の配線回路図形状に塗布し、800〜900℃の空
気中で高温焼成して、回路導体層9を形成した厚膜回路
基板8を作る。この長尺の厚膜回路基板8の所定の位置
に銀粉とエポキシ樹脂を分散混合した樹脂系のダイプン
ト用接着剤11を塗布し、この接着剤上に精密なダイシ
ング加工を行なったCCDやバイポーラICなどによる
結晶タイプのイメージセンサチップ10の複数個を載せ
、配列治具を用いてこのイメージセンサチップ10を、
第2図に示すように長尺の回路基板8に直線状に並べて
からダイプント用接着剤11を硬化してイメージセンサ
チッf10を固定する。
次に、各イメージセンサチップ10の電極端子と厚膜回
路基板上の回路導体層9とをワイヤープント法によシ、
アルミニウムや金などの金属細線12を用いて接続し、
その後、配列したイメージセンサチップ10を取り囲む
ように、アルミナなどのセラミック板の中心部を長方形
にくりぬいて作った枠体の上面に透光性にすぐれたガラ
ス板を接着した封止枠13を、エポキシ樹脂やシリコン
樹脂などからなる樹脂系の接着剤14によシ接着するこ
とによってイメージセンサチップを配列した構造の実装
体を作る。さらに、この実装体を、第3図に示すように
部分的に凹部を設けた樹脂成形体や金属板などからなる
硬質の支持体ケース15に入れ、イメージセンサチップ
の封止枠の外側の凹部にエポキシ系樹脂あるいはシリコ
ン系樹脂などの硬化収縮が小さく、耐湿性や耐候性にす
ぐれた合成樹脂16を充填し、加熱硬化する。
以上のように、本実施例によれば、長尺の回路基板8に
配列したイメージセンサチップ10のバーメチ、り封止
枠13の周辺部に耐湿性にすぐれた合成樹脂16を充填
することにより、イメージセンサの気密封止性を改善す
ることができる。
尚、上述した実施例では、イメージセンサチ。
グを直線状に配列する長尺の回路基板8としてアルミナ
等のセラミ、り製基板9を用いたが、セラミック基板に
限定されるものではなく、例えばガラスエポキシなどの
合成樹脂基板や、アルミニウム、鉄などの金属基板を絶
縁化して回路導体層を形成したもの、さらには金属基板
とポリイミドフレキシブル配線板とを貼り合わせた構造
の回路基板など、いろいろな種類の回路基板を用いるこ
とが可能であり、これらの長尺の回路基板を用いること
によりイメージセンサチップを実装する工程で生じる基
板のそりやたわみなどの変形は最終的に平面性にすぐれ
た硬質の支持体ケース15に埋設して接着する工程で、
容易に矯正することができるものである。
(発明の効果) 以上のように本発明は、所望の回路導体層を備えた長尺
の回路基板にイメージセンサチップを直線状に配列、固
着して電気的接続を行ない、イメージセンサチップをハ
ーメチック封止した実装体を、硬質の支持体ケースの凹
部の中央部に入れ、その周囲を合成樹脂で充填して構成
したものであるから、イメージセンサの気密封止性が著
しく改善される。また、長尺回路基板としてセラミック
以外の樹脂系基板や金属基板など、経済性にすぐれ、か
つ、アルミナ基板よりもさらに長尺化が可能な基板を使
用することができ、これらの回路基板を使用することに
より生じるそりやたわみなどの変形は、硬質の平面度に
すぐれた支持体ケースに埋設、接着することによって容
易に矯正することができるので、安価なイメージセンサ
を実現することができる。また一方、製造段階において
は封止枠と長尺回路基板の封止接着工程で、使用する接
着剤の封止枠からのはみ出しを抑えるために、塗布量を
少なく調整でき、さらに接着状態が不安定であっても封
止枠の周辺部に樹脂を充填モールドすることによって気
密封止性は十分に確保できるので、封止作業における工
程管理が軽減される等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例における密着型イメージセ
ンサの断面図、第2図はイメージセンサチップ実装体の
斜視図、第3図は、硬質支持体ケースの斜視図、第4図
は、従来例の断面図である。 8・・・回路基板、9・・・回路導体層、10・・・イ
メージセンサチップ、11・・・ダイ?ンド用接着剤、
12・・・金属細線、13・・・封止枠、14・・・接
着剤、15・・・硬質支持体ケース、16・・・合成樹
脂。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第1図 8・・・u発基板 9・・・切緊44ホ曹 10・・・ イメパジゼンプゲッフ゛ 11・・ りパイボ°/ド)FI 賽扇卓112・・・
A′&腟穐 15・・・≦暖己″f!久qイレyく七r−又16・・
・合成樹脂 第3図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 所望の回路導体層を備えた長尺の回路基板上に複数個の
    イメージセンサチップを直線状に配列、固着し、前記回
    路導体層とイメージセンサチップとを電気的に接続する
    とともに、前記イメージセンサチップ部を封止した実装
    体を、硬質支持体ケースの凹部の略中央部に入れ、前記
    実装体の周囲に合成樹脂を充填してなることを特徴とす
    る密着型イメージセンサ。
JP60074200A 1985-04-10 1985-04-10 密着型イメ−ジセンサ Pending JPS61234161A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5068713A (en) * 1988-08-18 1991-11-26 Seiko Epson Corporation Solid state image sensing device
JP2004508679A (ja) * 2000-09-06 2004-03-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Oledデバイスのカプセル化
EP1430550A2 (en) * 1999-12-17 2004-06-23 Osram Opto Semiconductors GmbH Method for encapsulation of electronic devices
KR100713347B1 (ko) * 2004-11-05 2007-05-04 삼성전자주식회사 이미지 센서 조립체 및 그 제작 방법
US8344360B2 (en) 1999-12-17 2013-01-01 Osram Opto Semiconductor Gmbh Organic electronic devices with an encapsulation

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