JPS61234159A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents

密着型イメ−ジセンサ

Info

Publication number
JPS61234159A
JPS61234159A JP60074198A JP7419885A JPS61234159A JP S61234159 A JPS61234159 A JP S61234159A JP 60074198 A JP60074198 A JP 60074198A JP 7419885 A JP7419885 A JP 7419885A JP S61234159 A JPS61234159 A JP S61234159A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image sensor
long
substrate
metal
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60074198A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Nakamura
中村 恒
Teruo Abe
阿部 輝夫
Shinji Fujiwara
慎司 藤原
Toshiaki Hashiguchi
橋口 利明
Takahiko Murata
隆彦 村田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60074198A priority Critical patent/JPS61234159A/ja
Publication of JPS61234159A publication Critical patent/JPS61234159A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ファクシミリや複写機などのOA機器の画像
入力装置に用いられる密着型イメージセンナに関するも
のである。
(従来の技術) 近年、ファクシミリや複写機などに代表されるOA機器
の進歩はめざましいものがある。このような中にあって
、昨今各種OA機器の画像入力装置の小型軽量化や、高
性能化をはかることを狙いとして密着型イメージセンサ
が広範に利用されるようになってきた。
この密着型イメーゾセンサは、画像入力を必要とする原
稿と同一寸法の受光部を備えた長尺のセンサであり、こ
の種のセンナとして現状では大きく分けて2つのタイプ
のものが実用化されている。
その1つは、一般に薄膜型といわれるタイプで、これは
真空蒸着やスノやツタリングさらにはCVDなどの薄膜
技術を用いて硫化カドミウム(CdS )やアモルファ
スシリコンなどの光導電膜を長尺の絶縁基板に直接形成
したものである。また他の1つは結晶型と称するタイプ
であり、これは、半導体プロセスを利用してシリコン基
板上にフォトダイオードやフォトトランジスタなどから
なる受光部と走査部を形成した、代表的にはCOD (
電荷結合素子)イメージセンサやバイポーラICイメー
ジセンサなどのチップを長尺の回路基板に直線状に配列
、固着し、密着型とし次ものである。これらの2つのタ
イプの密着型イメージセンサはそれぞれ一長一短を備え
ているが、高解像性や高速読み取り性能などの特性が要
求されるOA機器分野では後者の結晶型のものが広く使
われていく傾向にある。
従来、このような結晶タイプの密着型イメージセンサは
、第3図および第4図に示す゛ような形状と構造を有す
るものである。第3図と第4図において、1はセラミッ
ク絶縁基板上に厚膜回路導体層2を形成した回路基板、
3はイメージセンサチップ、4はダイぎンド用接着剤、
5は金属細線、6は封止枠、7は接着剤である。
このような構造を有する密着型イメージセンサは、アル
ミナなどの長尺のセラミック絶縁基板上に銀や銀−白金
、銀−ノやラジウムなどのメタルグレーズ系の導体ペー
ストをスクリーン印刷法により所望の回路図形状に塗布
し、高温焼成を行なう工程を経て作られたいわゆる厚膜
回路基板1を使用し、この長尺の回路基板1に、モノリ
シックタイプの複数個のイメージセンサチップ3を直線
状に精度よく配列して、予め回路基板上に塗布した樹脂
系のダイプント用接着剤4により固定し、各イメージセ
ンサチップと回路基板とをワイヤープント法によって金
属細線5で接続し、しかる後に直線状に配列したイメー
ジセンサチップを封止枠6で囲み、この封止枠6を絶縁
性接着剤7によって回路基板1と強固に接着して−・−
メチツク封止する。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら上記のような密着型イメージセンサは、C
ODやバイポーラICなどのイメージセンサチップ3を
実装、配列する長尺の回路基板1として高価な厚膜セラ
ミック基板を使用しなければならないこと、長尺のセラ
ミック基板が、ソリ、タワミなどの変形、機械的強度の
低下、耐熱衝撃試験による基板のヒビ割れ、銀導体層の
マイグレーションによる回路導体層間の短絡不良の発生
などによシ信頼性に欠けること、さらには上記した問題
点に起因してセラミック基板の長尺化にはおのずから限
界があり、サイズの大きな原稿を読み取るイメージセン
サが構成できないなどの問題点を有していた。
本発明は、上記問題点に鑑み、経済性に富み、長尺化の
寸法制約を大幅に改善し、かつ信頼性にすぐれた密着型
イメージセンサを提供するものである。
(問題点を解決するための手段) 上記問題点を解決するために、本発明の密着型イメージ
センサは、金属基板の少くとも一方の主面上に絶縁層を
介して回路導体層を形成した長尺の回路基板に、CCD
やパイポニラICなどのイメージセンサチップを複数個
直線状に配列、固着し、各イメージセンサチップと回路
導体層とを電気的に接続してハーメチック封止した構成
を有する。
(作 用) 本発明による密着型イメージセンサは、上記した構成に
よって、イメージセンサチップが金属基板をペースとし
だ長尺の回路基板に直線状に配列されるので、回路基板
のソリなどの変形や機械的強度が著しく改善されるとと
もに、金属基板を支持基板としているため長尺化への寸
法制約が大幅に緩和され、しかも信頼性や経済性に極め
てすぐれた密着型イメージセンナが実現できるものであ
る。
(実施例) 以下、実施例につい゛て図面を参照しながら説明する。
第1図は、本発明の第1の実施例における密着型イメー
ジセンサの断面°を示したものである。第1図において
、8は金属基板、9は樹脂系の絶縁層、10は回路導体
層、11はイメージセンサチップ、12はダイプント用
接着剤、13は金属細線、14は封止枠、15は接着剤
層である。
以上のように構成された本実施例は、次のようにして作
製される。まず、金属基板8としてアルミニウム板を使
用し、このアルミニウム板を長尺状に加工してその一方
の主面上に、ポリイミドフィルムを絶縁層9としてその
主面上に金属銅箔から成る回路導体層10を形成したい
わゆるフレキシブル配線板を接着することにより長尺の
回路基板を作製する。この長尺の回路基板上に樹脂系の
導電ペーストなどからなるダイプント用接着剤12をデ
ィスペンサーやスクリーン印刷法などによって塗布した
後、この接着剤層の上に、別途シリコンウェハーから高
精度ダイシング技術を利用して切断加工を施したバイポ
ーラICタイプのイメージセンサチップ11を複数個直
線状に配置し、ダイプント用接着剤12を硬化させて固
定する。
次いで、各イメージセンサチッ7’llと長尺回路基板
の回路導体層9とを通常のワイヤー?ンド法によって釜
やアルミニウムなどの金属細線13により電気的に接続
する。この場合、長尺回路基板の回路導体層には銅箔上
に部分的に金めつきを施こして、金属細線が接続しやす
くしておく必要がある。しかる後に直線状に配設したイ
メージセンサチップ11の周辺部を、上面に透光性にす
ぐれたガラス板を接着した細長い形状のセラミックや金
属製の封止枠14で囲み、エポキシ系接着剤115によ
υ封止枠と回路基板とを接着してイメージセンサチップ
をハーメチック封止する。
以上のように本実施例によれば、複数個のイメージセン
サチップを直線状に配列するためのペース基板として、
金属基板とフレキシブル配線板を組合わせた複合基板を
使用しているので、長尺化における寸法制約が大幅に緩
和され、最大長さ400m、幅25膿(A−3サイズに
対応)、厚さ3閣の長尺の密着型イメージセンサを得る
ことができた。また長尺の回路基板は回路導体層が金属
銅によって構成されているのでコストが安価で、しかも
そシなどの変形が極めて少なく、熱衝撃テスト等によっ
てベース基板が破壊されることはなく、信頼性の高い密
着型イメージセンサを実現することかできた。さらに回
路導体層が金属銅で構成されているため、マイグレーシ
ョンによる短絡不良が防止できるなどの効果が得られた
第2図は、本発明の第2の実施例における密着型イメー
ジセンサの断面を示したものであシ、金属基板8の中央
部に直線状の細長い形状の凹部16を設け、この凹部1
6部分を除いて金属基板の表面に、ポリイミドフィルム
を絶縁層9としてその表面に銅箔からなる回路導体層1
0を形成したフレキシブル配線板を接着してなる長尺の
回路基板が使用されている。この長尺の回路基板に設け
られた直線状の細長い凹部16に複数個のイメージセン
サチップ11が直線状に配列され、固着されている。
以上のように、本実施例では、イメージセンサチップが
金属基板に設けた凹部に埋設された構成となるため、イ
メージセンサチップの配列精度がより一層向上するとと
もに、全体として薄形の密着型イメージセンサが実現で
きる効果が得られる。
サラにこの実施例ではイメー・ノセンサチップが金属基
板と接触する構造となるため放熱性が改善される効果が
ある。
尚、上記第1.第2の実施例において、長尺の回路基板
としてアルミニウム金属板にポリイミドフィルムのフレ
キシブル配線板を接着した構造のものを使用したが、こ
の回路基板を構成する金属基板8と、絶縁層9としての
樹脂基板の組み合わせは上記したものに限定されるもの
ではなく、例えば金属基板として鉄、ステンレス、銅な
ど、樹脂基板としてガラスエビキシ基板などを使用して
もよいことはいうまでもない。またイメージセンサチッ
プ11は、本実施例ではバイポーラICチップを使用し
たが、CODやMOS型などのシリコン基板上に受光膜
を形成したモノリシックタイプのイメージセンサチップ
を使用してもよい。
(発明の効果) 以上のように本発明は、基本的には金属基板に絶縁層を
介して所望の回路導体層を形成した長尺状の回路基板に
、モノリシックタイプの複数個のイメージセンサチップ
が直線状に配列した構造を有する。ものでsb、イメー
ジセンサテップを、金属基板をベースとした長尺の回路
基板に配列して読み取りを必要とする原稿の寸法と同等
の長さのイメージセンサを構成するため、その長さが、
セラミ、りをペースとした回路基板に比べ寸法制約を受
けないで自由に設計できるとともに、基板材料や回路導
体層のコストを大幅に低減することができる。また、金
属基板を用いることによシ、長尺回路基板のソリ等の変
形や耐熱衝撃性などの特性が大幅に改善され、かつ、回
路導体層が金属鋼によシ形成されるので導体層間の短絡
不良が防止できるなど、高信頼性化がはかれると同時に
、金属基板上に接着した、フレキシブル配線板に回路導
体層と一体化した外部接続端子を備えた構造にすること
ができるので、このイメージセンサをOA機器システム
に接続する場合、その接続作業が容易にできる効果があ
る。さらに、本発明では、金属基板の一部に凹部を設け
、その中にイメージセンサテップを埋設する構造を採る
ことによって放熱性にすぐれ、かつ薄形の密着型イメー
ジセンサにすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の第1の実施例における密着型イメー
ジセンサの断面図、第2図は、本発明の第2の実施例に
おける密着型イメージセンサの断面図、第3図は、従来
例の密着型イメージセンサの斜視図、第4図は、第3図
の断面図である。 8・・・金属基板、9・・・絶縁層、10・・・回路導
体層、11・・・イメージセンサテップ、12・・・ダ
イプント用接着剤、13・・・金属細線、14・・・封
止枠、15・・・接着剤層、16・・・金属基板の凹部
。 第1図 8・・・麿sI蔓板 9・・比球曹 15・・侑鶏制書 第2図 16・・・tsJ乏根凹仲

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属基板の少くとも一方の主面上に絶縁体層を介
    して所望の回路導体層を形成した長尺の回路基板に、複
    数個のイメージセンサチップを直線状に配列、固着し、
    前記イメージセンサチップと回路導体層とを電気的に接
    続するとともに、イメージセンサチップ部を封止してな
    ることを特徴とする密着型イメージセンサ。
  2. (2)長尺の回路基板が金属基板にフレキシブル配線板
    を貼着してなることを特徴とする特許請求範囲第(1)
    項記載の密着型イメージセンサ。
  3. (3)金属基板は、その一部に一定の幅の細長い凹部を
    有し、前記凹部に複数個のイメージセンサチップが装着
    されていることを特徴とする特許請求範囲第(1)項記
    載の密着型イメージセンサ。
JP60074198A 1985-04-10 1985-04-10 密着型イメ−ジセンサ Pending JPS61234159A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60074198A JPS61234159A (ja) 1985-04-10 1985-04-10 密着型イメ−ジセンサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60074198A JPS61234159A (ja) 1985-04-10 1985-04-10 密着型イメ−ジセンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61234159A true JPS61234159A (ja) 1986-10-18

Family

ID=13540244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60074198A Pending JPS61234159A (ja) 1985-04-10 1985-04-10 密着型イメ−ジセンサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61234159A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61253972A (ja) * 1985-05-02 1986-11-11 Seiko Epson Corp 固体撮像装置
JP2007208045A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Sony Corp 撮像装置、カメラモジュール、電子機器および撮像装置の製造方法
WO2016042819A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58122775A (ja) * 1982-01-14 1983-07-21 Ricoh Co Ltd 光電変換素子
JPS6042974A (ja) * 1983-08-19 1985-03-07 Toshiba Corp イメ−ジセンサ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58122775A (ja) * 1982-01-14 1983-07-21 Ricoh Co Ltd 光電変換素子
JPS6042974A (ja) * 1983-08-19 1985-03-07 Toshiba Corp イメ−ジセンサ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61253972A (ja) * 1985-05-02 1986-11-11 Seiko Epson Corp 固体撮像装置
JP2007208045A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Sony Corp 撮像装置、カメラモジュール、電子機器および撮像装置の製造方法
WO2016042819A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置
JPWO2016042819A1 (ja) * 2014-09-19 2017-06-29 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4578697A (en) Semiconductor device encapsulating a multi-chip array
US6331221B1 (en) Process for providing electrical connection between a semiconductor die and a semiconductor die receiving member
EP0253295A1 (en) Thermally enhanced LSI integrated circuit package
US6313519B1 (en) Support for semiconductor bond wires
JPS61234159A (ja) 密着型イメ−ジセンサ
US9633927B2 (en) Chip arrangement and method for producing a chip arrangement
KR100207902B1 (ko) 리드 프레임을 이용한 멀티 칩 패키지
JP4799746B2 (ja) 放射線検出器モジュール
JPS5938075A (ja) サ−マルヘツド
US4406054A (en) Method of mounting and packaging elongate silicon devices on a ceramic base
EP0809861A1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device for surface mounting suitable for comparatively high voltages, and such a semiconductor device
JPH03227045A (ja) パワーモジュール
JPS62256472A (ja) 密着型イメ−ジセンサ−の組み立て方法
JPS62109357A (ja) 密着型イメ−ジセンサとその組立方法
JPS61168926A (ja) 樹脂基板
JPS61256667A (ja) 密着型イメ−ジセンサ
JP3048707B2 (ja) 混成集積回路
JPH03109760A (ja) 半導体装置
JPS61234160A (ja) 密着型イメ−ジセンサの組立て方法
JPS62230048A (ja) 密着型イメ−ジセンサの組立方法
JPS6236385B2 (ja)
JPS62109356A (ja) 密着型イメ−ジセンサの組立方法
JPH04320052A (ja) 半導体装置
JPS62238760A (ja) サ−マルヘツド
JPH0719895B2 (ja) 密着型イメージセンサ