JPS58122775A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPS58122775A JPS58122775A JP57003430A JP343082A JPS58122775A JP S58122775 A JPS58122775 A JP S58122775A JP 57003430 A JP57003430 A JP 57003430A JP 343082 A JP343082 A JP 343082A JP S58122775 A JPS58122775 A JP S58122775A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ファクシミリなどの画像読取り装置に用いら
れる光電変換素子に関する。
れる光電変換素子に関する。
発明の技術的背景とその問題点
一般にファクシミリなどの１１１ｇ１読諏り装置に用い
られる光電変換素子は、第１図の如く、基板１上に、一
対の電極２および咳電極間に充電変換Ｉ−３が設けられ
てなり、信号光は前記充電変換層３の上部から入射する
。
られる光電変換素子は、第１図の如く、基板１上に、一
対の電極２および咳電極間に充電変換Ｉ−３が設けられ
てなり、信号光は前記充電変換層３の上部から入射する
。
このような光電変換素子においては、素子の光感度は充
電変換層の採光効率に大きく依存している。採光効率は
、光電変換層の光吸収係数および層の厚さに影響を受け
、上記光吸収係数が小さい場合や光電変換層の厚さが小
さい場合、信号光の採光効率が悪くなり、素子の感度が
低下する。
電変換層の採光効率に大きく依存している。採光効率は
、光電変換層の光吸収係数および層の厚さに影響を受け
、上記光吸収係数が小さい場合や光電変換層の厚さが小
さい場合、信号光の採光効率が悪くなり、素子の感度が
低下する。
さらに、前記基板１が光透過性の材料からなる場合、基
板兼面から本来採取されるべきでない雑音光（ノイズの
原因となる光）が入射し、これが光透過性基板層を透過
して光電変換層に入射し吸収されることにより素子の８
／Ｎ特性（信号雑音比）が著しく悪化するという問題を
有する。
板兼面から本来採取されるべきでない雑音光（ノイズの
原因となる光）が入射し、これが光透過性基板層を透過
して光電変換層に入射し吸収されることにより素子の８
／Ｎ特性（信号雑音比）が著しく悪化するという問題を
有する。
発明の目的
本発明は、上述した従来の充電変換素子の欠点を一挙に
解消しようとするものであり、信号光の採光効率の飛躍
的向上を図るとともＩＩｃ、 Ｓ／Ｎ特性が大巾に改善
され走光電変換素子を提供することを目的としている。
解消しようとするものであり、信号光の採光効率の飛躍
的向上を図るとともＩＩｃ、 Ｓ／Ｎ特性が大巾に改善
され走光電変換素子を提供することを目的としている。
発明の概要
本発明者らの研究によれば、光電変換層の下層に、光透
過性絶縁層を介して光反射膜を設けることによシ、従来
有効利用の図られていなかっ九光電叢換層を透過した光
をさらに利用することが可能となり、充電変換層の吸収
する信号光の光量が増大し、さらに不用な雑音光が遮断
されるため素子の感度が着しく向上することが見出され
た。
過性絶縁層を介して光反射膜を設けることによシ、従来
有効利用の図られていなかっ九光電叢換層を透過した光
をさらに利用することが可能となり、充電変換層の吸収
する信号光の光量が増大し、さらに不用な雑音光が遮断
されるため素子の感度が着しく向上することが見出され
た。
すなわち、本発明の光電変換素子は、光透過性基板の下
面に光反射膜を設けるとともに、前記光透過性基板の上
面に１電極と該電極間に光電変換層を設けるか、または
基板上に光反射膜および光透過性絶縁層をこの順序に積
層するとともに、前記光透過性絶縁層上に１電極と骸電
極間に光電変換層を設けたことを特徴とするものである
。
面に光反射膜を設けるとともに、前記光透過性基板の上
面に１電極と該電極間に光電変換層を設けるか、または
基板上に光反射膜および光透過性絶縁層をこの順序に積
層するとともに、前記光透過性絶縁層上に１電極と骸電
極間に光電変換層を設けたことを特徴とするものである
。
発明の実施例
以下添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
実施例１
光透過性基板の下面に光反射膜を設けた場合の本発明の
実施例を第２図に示す。
実施例を第２図に示す。
本実施例においては、光透過性基板１＆の下面に、スプ
レー法、スパッタ法、ＣＶＤ法あるいは真空蒸着法など
により、Ｃｒ 、 Ｎｌ、 ＡＩなどの全域を被覆する
ことにより光反射膜４を形成する。光反射膜の膜厚は、
０１〜１μｍ程度であることが好ましい。
レー法、スパッタ法、ＣＶＤ法あるいは真空蒸着法など
により、Ｃｒ 、 Ｎｌ、 ＡＩなどの全域を被覆する
ことにより光反射膜４を形成する。光反射膜の膜厚は、
０１〜１μｍ程度であることが好ましい。
また、光透過性基板としては、ソーダガラス、石英ガラ
ス、硼珪酸ガラス、プラスチックなどの光を透過する物
質を広く使用し得るが、光電変換層に入射する光量を増
大するためには、なるべく光透過性の良い材料が好まし
く用いられる。
ス、硼珪酸ガラス、プラスチックなどの光を透過する物
質を広く使用し得るが、光電変換層に入射する光量を増
大するためには、なるべく光透過性の良い材料が好まし
く用いられる。
このようＫして下面に光反射膜４が設けられた光透過性
基板１ａの上面に、常法に従い一対の電極２と峡電極関
に光電変換層３が形成される。光電変換層としてはたと
えばＣｄ８． ＣｄＳ＊、 ＺｎＳ、 Ｚｎ５ｅなど物
質が−Ｎ１あるいはそれ以上積層されて用いられ、電極
としては、通常Ｃｒ、 ＮＩ、 Ａｕ、 ＡＩなどの金
属が用いられる。
基板１ａの上面に、常法に従い一対の電極２と峡電極関
に光電変換層３が形成される。光電変換層としてはたと
えばＣｄ８． ＣｄＳ＊、 ＺｎＳ、 Ｚｎ５ｅなど物
質が−Ｎ１あるいはそれ以上積層されて用いられ、電極
としては、通常Ｃｒ、 ＮＩ、 Ａｕ、 ＡＩなどの金
属が用いられる。
本実施例においては、光電変換層３の上方から入射した
信号光は一部上記光電変換層に吸収され、さらに光電変
換層を透過した光は光透過性基板層を経て光反射膜４に
より反射し、ふたたび光電変換層に入射する。したがっ
て光電変換に寄与する光量は、光反射膜を設けない場合
よりも増加し、これＫより素子の感度の向上を図ること
ができる。
信号光は一部上記光電変換層に吸収され、さらに光電変
換層を透過した光は光透過性基板層を経て光反射膜４に
より反射し、ふたたび光電変換層に入射する。したがっ
て光電変換に寄与する光量は、光反射膜を設けない場合
よりも増加し、これＫより素子の感度の向上を図ること
ができる。
反射光の光電変換への寄与は、光電変換層の光吸収係数
および層の厚さが小さいほど大きい。
および層の厚さが小さいほど大きい。
実施例２
本発明の光電変換素子の別の具体例を第３図に示す。本
実施例においては、基板１上に光反射膜４および光透過
性絶縁層５が積層され、さらに前記光透過性絶縁層上に
一対の電極２と鋏電極間に光電変換層３が設けられてい
る。光透過性絶縁層は、光反射膜４上Ｋ ５ＩＯ２、ホ
ウケイ酸ガラスなどの物質をスパッタ法あるいは真空蒸
着法などの方法で被覆することにより形成される。この
光透過性絶縁層５は、電極２および光電変換層３と光反
射膜４とを電気的に絶縁するために設けるものである。
実施例においては、基板１上に光反射膜４および光透過
性絶縁層５が積層され、さらに前記光透過性絶縁層上に
一対の電極２と鋏電極間に光電変換層３が設けられてい
る。光透過性絶縁層は、光反射膜４上Ｋ ５ＩＯ２、ホ
ウケイ酸ガラスなどの物質をスパッタ法あるいは真空蒸
着法などの方法で被覆することにより形成される。この
光透過性絶縁層５は、電極２および光電変換層３と光反
射膜４とを電気的に絶縁するために設けるものである。
したがって層の厚さとしては、上記絶縁機能が実質的に
はたされる程度の厚さで足り、０．５〜５μｍ程度が好
ましい。また上記範囲内で厚さを薄くできるため、充電
変換層上部からの入射光と光反射膜による反射光との間
のタイムラグ（ｔｉｍ＠１ｍｇ）の問題も解消すること
ができる。
はたされる程度の厚さで足り、０．５〜５μｍ程度が好
ましい。また上記範囲内で厚さを薄くできるため、充電
変換層上部からの入射光と光反射膜による反射光との間
のタイムラグ（ｔｉｍ＠１ｍｇ）の問題も解消すること
ができる。
光反射膜４、電極２および光電変換層３の材料および形
成条件については実施例１と同様である。
成条件については実施例１と同様である。
また本実施例においては、・基板１の光透過性は問題と
ならないため、基板１はシリコン、セラミック、金属な
どの材料を広く使用し得る。
ならないため、基板１はシリコン、セラミック、金属な
どの材料を広く使用し得る。
発明の効果
上述したように、本発明の光電変換素子は、光電変換層
の下層に光反射膜を設けたので、光電変換層を透過した
光が光反射膜に反射しふたたび光電変換層に入射するた
め採光効率が向上するとともに、雑音光が遮断されるこ
とによりＳ／Ｎ％性本改善本改善とができる。
の下層に光反射膜を設けたので、光電変換層を透過した
光が光反射膜に反射しふたたび光電変換層に入射するた
め採光効率が向上するとともに、雑音光が遮断されるこ
とによりＳ／Ｎ％性本改善本改善とができる。
第１図は従来の光電変換素子の断面図であり、第２図お
よび第３図は本発明の光電変換素子の断面図である。 １・・・基板、１ａ・・・光透過性基板、２・・・電極
、３・・・光Ｘｉ換層、４・・・光反射膜、５・・・光
透過性絶縁層。 出願人代理人 猪 股 漬 床 １ 閃 消 ２ 謹 も３図
よび第３図は本発明の光電変換素子の断面図である。 １・・・基板、１ａ・・・光透過性基板、２・・・電極
、３・・・光Ｘｉ換層、４・・・光反射膜、５・・・光
透過性絶縁層。 出願人代理人 猪 股 漬 床 １ 閃 消 ２ 謹 も３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光透過性基板の下面に光反射膜を設けるとともに、
前記光透過性基板の上面に、電極および該電極間に光電
変換層を設けたことを４＄１１ｋとする光電変換素子。 ２、基板上に光反射膜および光透過性絶縁層をこの順序
に積層するとともに１前記光透過性絶縁層上に、電極お
よび歇電極関に光電変換層を設けたことを特徴とする光
電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57003430A JPS58122775A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57003430A JPS58122775A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122775A true JPS58122775A (ja) | 1983-07-21 |
Family
ID=11557152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57003430A Pending JPS58122775A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122775A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234159A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS63133668A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| US4979007A (en) * | 1986-06-17 | 1990-12-18 | Tokyo Electric Company, Ltd. | Photoelectric conversion device |
| US5063426A (en) * | 1990-07-30 | 1991-11-05 | At&T Bell Laboratories | InP/InGaAs monolithic integrated photodetector and heterojunction bipolar transistor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748276A (en) * | 1980-09-06 | 1982-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image sensor |
-
1982
- 1982-01-14 JP JP57003430A patent/JPS58122775A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748276A (en) * | 1980-09-06 | 1982-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image sensor |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234159A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| US4979007A (en) * | 1986-06-17 | 1990-12-18 | Tokyo Electric Company, Ltd. | Photoelectric conversion device |
| JPS63133668A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| US5063426A (en) * | 1990-07-30 | 1991-11-05 | At&T Bell Laboratories | InP/InGaAs monolithic integrated photodetector and heterojunction bipolar transistor |
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