JPH02237172A - 多層構造太陽電池 - Google Patents

多層構造太陽電池

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JPH02237172A
JPH02237172A JP1058761A JP5876189A JPH02237172A JP H02237172 A JPH02237172 A JP H02237172A JP 1058761 A JP1058761 A JP 1058761A JP 5876189 A JP5876189 A JP 5876189A JP H02237172 A JPH02237172 A JP H02237172A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は多層構造太陽電池の高効率化に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
第５図は例えば、テクニカル　ダイジェストオブ　セカ
ンド　インターナシゴナル　フォトヴオルティック　サ
イエンス　アンド　エンジニアリング　コンファランス
　（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｇｅｓｔ　ｏｆ２ｎｄ　
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉ
ｃ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ
　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）　（ＰＶＳＥＣ　−ＩＩ　＋
　１９８６北京）の３９５頁に示された従来の多層構造
太陽電池を示す断面図であり、図において、１はｐ型ボ
リシリコン、２はｎ型アモルファスシリコン、３はｐ型
アモルファスシリコン、４はｉ型アモルファスシリコン
、５はｎ型微結晶化シリコン、６は透明導電膜、７は裏
面／ｌ電極であり、光は透明電極６側より入射する．１
１は第一の太陽電池、１２は第二の太陽電池であり、こ
れら２つの太陽電池は直列に接続されている。
次に動作について説明する。入射した光は透明導電膜６
を通り、まず短波長光が第二の太陽電池１２のｉ型のア
モルファスシリコン４で光キャリアとなり、長波長光は
第一の太陽電池１１のｐ型ポリシリコン１で光キャリア
になる。これらの光キャリアがそれぞれの接合部へ流れ
ることにより電流を発生する。第二の太陽電池１２で吸
収する光は、ｉ型アモルファスシリコン４の厚みを厚く
すれば増加させることは可能であるが、ｉ型アモルファ
スシリコン４の改質が不十分であるため、おのずとその
膜厚は制限される。この為、第二の太陽電池１２の光吸
収層であるｉ型アモルファスシリコン４の光学的バンド
ギャップより大きな光でも完全には吸収できず、下層の
第一．の太陽電池１ｌへと透過し、第一層で発生電流に
寄与する。
〔発明が解決しようとする課題］ 第一層と第二層が直列接続されたこのような太陽電池で
は、外部電流は発生電流の少ないいずれかのセル電流で
制限される。ところが、通常第二層に用いられるアモル
ファスシリコンのｐｔｎセルでは、短絡電流は約１５〜
１７ｍＡ／ｃｎ程度である。しかるに第一層の結晶シリ
コンセルの短絡電流は約３６〜４０ｍＡ／ｃ１ｆｌもあ
り、第二層で吸収されずに透過した光だけで約２０〜２
　５　ｍＡ／ｃｍｌの短絡電流を発生する。このため外
部電流は第二層の発生電流である１５〜１７ｍＡ／ｃｆ
ｆｌ程度となり、直列セル発生電流のバランスが取れな
くなり、光電変換効率の上昇を阻害するという問題点が
あった。この場合の変換効率は１４〜１６％程度となる
。
一方、特開昭５９−９６７７７号に記載されているよう
に、透明膜を第一と第二の太陽電池間に、この膜による
反射特性を考慮せずに挿入したのみでは、電流のバラン
スをとることはやはりできず、光電変換効率の向上は望
めない。
また、特開昭６０−３５５８０号では、第一と第二の太
陽電池の間に膜厚１０００〜１５００人のＩＴＯ（イン
ジウム・スズ酸化物）を挿入している。第６図はこの場
合の反射特性を示し、同図から明らかなように、光入射
側のセルにとっては都合よく反射光を利用できるが、下
層セルにとってはＩＴＯ膜を挿入することによって入射
光量が極端に減少するという致命的な問題が発生する。
さらに、特開昭６３−７７１６７号に記載されているよ
うに、ＩＴＯの膜厚が１００〜２０００人であっても光
の有効利用を図ることは不可能である。特に、上記特開
昭６３−７７１６７号の実施例に記載されているＩＴＯ
の膜厚６００人では、第７図に示すごとくその反射特性
はブロードとなり、下層セルの長波長側の感度も同時に
大きく低下することになり、光の有効利用は不可能であ
る。
この発明は上記のような従来のものの問題点を解消する
ためになされたもので、選択反射膜の膜厚を最適に制御
することによって、各々の層で発生するｔ流のバランス
をとり、光電変換効率を向上させることができる多層構
造太陽電池を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る多層構造太陽電池は、直列接続されてい
る第一層と第二層の間に、第二層で吸収できる短波長光
を選択的に反射し、一方第二層では吸収できず第一層で
吸収できる長波長光を透過させることができるように膜
厚を制御した導電性の選択反射膜を挿入したものである
。
また、上記選択反射膜が誘電体の場合は、その所望部分
に開口部を設けるようにしたものである。
〔作用〕
この発明における多層構造太陽電池では、直列接続され
ている第一層と第二層の間に挿入された導電性の選択反
射膜が、第二層で吸収できる短波長光を選択的に反射し
、一方第二層では吸収できず第一層で吸収できる長波長
光を透過させることができることにより、第一層で発仕
する電流の減少を極力抑えつつ第二層で発生する電流を
増加させることができ、従って各々の層で発生する電流
を平衡状態に近づけることができる。
また、上記選択反射膜が誘電体の場合は、その所望部分
に開口部を設けたので、該開口部を通して第一層と第二
層を容易に直列接続することができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による多層構造太陽電池を
示す断面図である。図において、１は厚さ約１０〜４０
０μｍのｐ型のポリシリコン、２は厚さ約１００〜２０
００人のｎ型のアモルファスもしくは微結晶シリコン、
３は厚さ約１００〜５００人のｐ型のアモルファスもし
くは微結晶シリコン、４は厚さ約３０００〜６０００人
のｉ型アモルファスシリコン、５は厚さ約１００〜３０
０人のｎ型のアモルファスもしくは微結晶シリコン、６
は厚さ約５００〜８００人の透明導電膜、７は裏面Ａｆ
電極、８はＩＴＯよりな．る膜厚約２５００人の選択反
射膜である．１１は第一の太陽電池、１２は第二の太陽
電池であり、選択反射膜８を介してこれら２つの太陽電
池は直列に接続されている。ここで、ｐ型ボリシリコン
１は通常用いられるキャスティング法、Ｃ　Ｖ　Ｄ　（
Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
　）法、Ｌ　Ｐ　Ｅ　（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｐｈａｓｅ　Ｅ
ｐｉ　ｔａｘｙ　）法等の手法により形成し、アモルフ
ァス・微結晶ＷＡ２〜５は、Ｐ　Ｃ　Ｖ　Ｄ　（Ｐｌａ
ｓｍａ　Ｃｈｅｍｉｅａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法、光ＣＶＤ法、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）　−　Ｃ
　Ｖ　Ｄ法等によって形成する。また、透明導電膜６は
スパッタ法、電子ビーム蒸着法等により形成する。
以下、動作について説明する。
光は透明導電膜６を通り、第二の太陽電池１２へ入射す
る。この時、約５　０　０　ｎｍ以下の短波長光はほと
んど全て吸収され、それより長波長の光の一部は第二の
太陽電池１２を透過していくが、その下の選択反射膜８
において、第二の太陽電池が吸収できる波長の光のみが
選択的に反射される。
ここで、選択反射膜の反射率の計算方法を説明する。計
算式は、例えばブロシーデインダス　オブ　ザ　セカン
ド　フォトボルクイック　サイエンス　アンド　エンジ
ニアリング　コンファランス　イン　ジャパン．１９８
０ｉジャパニーズジャーナル　オブ　アプライド　フィ
ジックス，ボリューム　２０　（１９８１），サブリメ
ント２０　　２，　　ｐｐ９９　　１０３　（Ｐｒｏｃ
ｅｅｄｉｎｇｓｏｆ　ｔｈｅ　２ｎｄ　Ｐｈｏｔｏｖｏ
ｌｔａｉｃ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅ
ｒｉｎｇＣｏｎｆｅｒａｎｃｅ　ｉｎ　Ｊａｐａｒ＋＋
　１９８０；　Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ
　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，　Ｖｏｌｕｍｅ　
２０　（１９８１）Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ　２０−２，
　ｐｐ　９９−１０３）に記載されているような通常の
計算式を用いる。その式を以下に示す。
Ａ Ｒ（λ）＝ Ｂ Ａ＝　ｒ　１”＋　ｒ　ｚｚ＋　ｒ　：ｌ！＋　ｒ　＋
”ｒ　ｚ”ｒ　３”＋　２　ｒｌ　ｒ　ｚ（１　＋　ｒ
　：ｌ”）　ＣＯＳ２θ１＋　２　ｒｔ　ｒ　３（１　
＋　ｒ　，ｔ）　ｃｏｓ２θ２＋　２ｒｌ　ｒ　３ｃｏ
ｓ２　（θ，＋θ２）＋２ｒ．ｒ．”ｒ．　ｃｏｓ２　
（θ，−θ２）Ｂ＝１＋ｒ，”ｒ．”＋ｒ．！ｒ３ｚ＋
ｒ．”ｒ．”＋　２　ｒｌ　ｒ　ｔ（１　＋　ｒ　３”
）　ｃｏｓ２θ，＋２　ｒｚ　ｒ　３（１　＋　ｒ　＋
”）　ｃｏｓ２θ２＋２ｒ＋ｒｚ　ｃｏｓ２　（θ１＋
θ２）＋２ｒ＋ｒｔ”ｒｓ　ｃｏｓ２　（θ１−θ２）
上式において、Ｒ（λ）一波長λの時の反射率ｒ，一（
ｎｏ　−ｎ＋）／（ｎｏ　＋ｎ＋）ｒｔ＝　（ｎ＋　　
ｎｚ）／（ｎ＋　＋ｎｚ）ｒ，÷（ｎｚ　−ｎ３）／（
ｎｚ　＋ｎｚ）θ，＝２πｎ＋ｄ＋　／λ θｚ　＝　２　πｎｚｄｚ　／λ であり、ｎ　Ｏ＋　ｎ　ｌ＋　ｎ　ｔ＋　ｎ　３はそれ
ぞれ空気，シリコン，選択反射膜，シリコンのそれぞれ
の屈折率、ｄ＋，　ｄｚは光入射側のシリコン，選択反
射膜のそれぞれの膜厚である。本実施例では計算の単純
化のため、上下から屈折率３．８のシリコンにより挟ま
れた屈折率１．７７のＩＴＯを選択反射膜として計算し
た。
第２図に上記選択反射膜の反射率の計算データを示す。
図からわかるように、ＩＴＯの膜厚を２５００人程度に
することにより最も効果のある約６００ｎｍに反射のピ
ークを持ってくることができる。
一方、この選択反射膜を用いた場合、第一の太陽電池１
１で吸収できる約７　０　０　ｎｍ以上の波長の光に対
しては反射率を低く抑えることが同時に可能となり、第
二の太陽電池１２では理論的に吸収できない長波長光を
有効に第一の太陽電池内に導入できる．これらの効果に
より、第二の太陽電池１２の電流を増加させるとともに
、第一の太陽電池１１の電流の減少を抑えられることに
より、二つの太陽電池の電流を平衡状態に近づけること
ができ、従って多層構造太陽電池の効率を向上させるこ
とが可能である。この場合の変換効率は、電流が１７〜
１９ｍＡ／ａ！１となることにより、従来の１４〜１６
％から１６〜１８％へと大幅に上昇する。
なお、この実施例では選択反射膜８としてＩＴＯを用い
、膜厚が約２５００人のものについて説明したが、この
膜厚は２５００人±１５０人の範囲であれば上記実施例
とほぼ同様の効，果を得ることができる。
また、選択反射膜８の材料としては、導電性があり長波
長光に対して透明度の高いものであれば、膜厚の最適化
をそれぞれについて図ることにより使用可能である。
例えば、酸化亜鉛（ｎ＝ｌ．４１）であれば３２００人
±１５０人、酸化チタン（ｎ＝２．３０）であれば１９
５０人±１５０人、スズ（ｎ＝２．０）であれば２２５
０人±１００人とすることにより、ＩＴＯを用いた場合
と同様の効果を奏する。
第３図は本発明の第２の実施例による多層構造太陽電池
を示す断面図である。図において、第１図と同一符号は
同一または相当部分を示し、９は選択反射膜８に開けら
れた開口部である。本実施例では、選択反射膜８として
二酸化シリコンを用い、その膜厚は３１００人である。
このように、２つの太陽電池１１．１２の間にＳｉｎ，
等の誘電体からなる選択反射膜８を挿入すると、該２つ
の太陽電池の直列接続が不可能になるため、この選択反
射膜８には開口部９を設け、ここを通して電気的接続を
達成させる。
次に動作について説明する。
光は透明導電膜６を通り、第二の太陽電池１２へ入射す
る。この時、約５００ｎｍ以下の短波長光はほとんど全
て吸収され、それより長波長の光の一部は第二の太陽電
池１２を透過していくが、その下の選択反射膜８におい
て、第二の太陽電池が吸収できる波長の光のみが選択的
に反射される。
この選択反射膜の反射率の計算データを第４図に示す。
計算式は第１の実施例と同じである。本？施例では計算
の簡略化のため、上下から屈折率３．８のシリコンによ
りはさまれた屈折率１．４６のＳｉｎ，を選択反射膜と
した時の結果を示している。図からわかるように、Ｓｉ
Ｏ■膜厚を３１００人程度にすることにより、約６００
ｎｍに反射のピークを持ってくることができる。
一方、この選択反射膜を用いた場合、第一の太陽電池１
１で吸収できる約７００ｎｍ以上の波長の光に対しては
反射率を低く抑えることが同時に達成できることになり
、第二の太陽電池１２では理論的に吸収できない長波長
光を有効に第一の太陽電池内に導入できる。これらの効
果により、第二の太陽電池１２の電流を増加させるとと
もに、第一の太陽電池１１の電流の減少を抑えられるこ
とにより、二つの太陽電池の電流を平衡状態に近づける
ことができ、従って多層構造太陽電池の効率を向上させ
ることが可能である。この場合は、選択反射膜にＩＴＯ
を用いた時よりも反射透過特性が優れているため、電流
は１８〜２０ｍＡ／ａｄとさらに大きくなり、従って変
換効率も１７〜１９％とさらに大きく上昇する。
この第２の実施例では、ｐ型ボリシリコン１、アモルフ
ァス・微結晶シリコン膜２〜５、透明導電膜６の形成方
法は第１の実施例と同様である。
また、選択反射膜８は、シリコンラダー溶剤のような塗
布性のある物質を用いてスクリーン印刷により形成する
と、開口部９も同時に形成することができ、工程の短縮
化が図れる。もちろん他の成膜方法によって全面に誘電
体膜を形成したのち、通常の写真製版技術を用いて開口
部を形成することも可能である。また、誘電体膜形成時
にマスク堆積技術を用いることにより開口部を形成する
ことも可能である。
なお、この第２の実施例では、選択反射膜８としてＳｉ
Ｏｚを用い、その膜厚を３１００人としたが、この膜厚
は３１００人±１５０人の範囲であれば同様の効果を得
ることができる。
また、選択反射膜８の材料としては、長波長光に対して
透明度の高いものであれば、膜厚の最適化をそれぞれの
膜について図ることにより使用可能である。例えば窒化
シリコン（ｎ＝２．０）　であれば２３００人±１５０
人、酸化タンタノレ（ｎ＝２．２０）であれば２０５０
人±１５０人、炭化シリコン（ｎ＝２．５９）であれば
１７５０人±１５０人とすることにより、Ｓｉｎ，を用
いた場合と同様の効果を奏する。
なお、上記第１及び第２の実施例では第一の太陽電池に
ｐ型のポリシリコンを用いたが、ｐ型の単結晶シリコン
を用いても同様の効果を奏する。
さらに、上記第１及び第２の実施例では光入射側よりｎ
ｉｐｎｐという構造としたが、全く逆のｐｉｎｐｎとい
う構造をとっても同様の効果が得られるのは言うまでも
ない。
さらに、上記第１及び第２の実施例では裏面側の電極と
してＡｌを用いたが、Ａ１以外の金属、例えばＡｇ，Ａ
ｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｐｄ等導電性があればこ
れらの単体、合金を問わず何を用いても同様の効果が得
られるのは明らかである。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る多層構造太陽電池では、
直列接続されている第一層と第二層の間に、第二層で吸
収できる短波長光を選択的に反射し、一方第二層では吸
収できず第一層で吸収できる長波長光は透過させること
ができるように膜厚を制御した導電性の選択反射膜を挿
入するようにしたので、第一層で発生する電流の減少を
掻力抑えつつ、第二層で発生する電流を増加させること
ができ、したがって各々の層で発生する電流を平衡状態
に近づけることができ、多層構造太陽電池の変換効率を
、選択反射膜を挿入しない時の１４〜１６％から１６〜
１９％程度へと上昇させることができる。
また、上記選択反射膜が誘電体の場合は、その所望部分
に開口部を設けたので、上記効果に加えて、第一層と第
二層の電気的接続を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の第１の実施例による多層構造太陽電
池を示す断面図、第２図は厚さ約２５０？人のＩＴＯを
選択反射膜として用いた時の反射特性を示す図、第３図
はこの発明の第２の実施例による多層構造太陽電池を示
す断面図、第４図は厚さ約３１００人のＳｉＯ■を選択
反射膜として用いた時の反射特性を示す図、第５図は従
来の多層構造太陽電池の断面図、第６図は厚さ約１００
０人〜１５００人のＩＴＯを選択反射膜として用いた従
来例の反射特性を示す図、第７図は厚さ約６００人のＩ
ＴＯを選択反射膜として用いた従来例の反射特性を示す
図である。 １・・・ｐ型ボリシリコン、２・・・ｎ型アモルファス
もしくは微結晶シリコン、３・・・ｐ型アモルファスも
しくは微結晶シリコン、４・・・ｉ型アモルファスシリ
コン、５・・・ｎ型アモルファスもしくは微結晶シリコ
ン、６・・・透明導電膜、７・・・裏面Ａｌ電極、８・
・・選択反射膜、１０・・・開口部、１１・・・第一の
太陽電池、１２・・・第二の太陽電池。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）直列接続された第一層と第二層からなる多層構造
    太陽電池において、 上記第一層と第二層との間に、第二層で吸収できる短波
    長光を選択的に反射し、一方第二層では吸収できず第一
    層で吸収できる長波長光を透過させることができるよう
    に膜厚を制御した導電性の選択反射膜を備えたことを特
    徴とする多層構造太陽電池。
  2. （２）上記選択反射膜は誘電体であり、その所望部分は
    上記第一層と第二層を直列接続するために除去されてい
    ることを特徴とする請求項１記載の多層構造太陽電池。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04127580A (ja) * 1990-09-19 1992-04-28 Hitachi Ltd 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池
JP2002057359A (ja) * 2000-06-01 2002-02-22 Sharp Corp 積層型太陽電池
JP2002118273A (ja) * 2000-10-05 2002-04-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 集積型ハイブリッド薄膜光電変換装置
US6911352B2 (en) 2002-07-31 2005-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing same
WO2005081324A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha 光電変換装置用基板、光電変換装置、積層型光電変換装置
WO2006038453A1 (ja) * 2004-10-04 2006-04-13 Kaneka Corporation 光電変換装置
US7189917B2 (en) 2003-03-26 2007-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Stacked photovoltaic device
JP2008270562A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Sanyo Electric Co Ltd 多接合型太陽電池
WO2009038083A1 (ja) * 2007-09-18 2009-03-26 Mitsubishi Electric Corporation 薄膜太陽電池素子及びその製造方法
WO2009057698A1 (ja) * 2007-11-02 2009-05-07 Kaneka Corporation 薄膜光電変換装置
WO2009057692A1 (ja) * 2007-10-30 2009-05-07 Sanyo Electric Co., Ltd. 太陽電池
JP2009117463A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Kaneka Corp 薄膜光電変換装置
JP2009147172A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Kaneka Corp 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置
WO2009119124A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 三菱重工業株式会社 光電変換装置
JP2009231781A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Kaneka Corp 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置
WO2010087312A1 (ja) * 2009-01-28 2010-08-05 三菱電機株式会社 薄膜光電変換装置およびその製造方法
WO2010143342A1 (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 パナソニック株式会社 窒化物半導体太陽電池
US7897868B2 (en) 2003-03-26 2011-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Stacked photovoltaic element and method for producing the same
JP2011508430A (ja) * 2007-12-21 2011-03-10 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 多接合光起電力セル
JP2011181608A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Mitsubishi Electric Corp 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
US8643935B2 (en) 1999-10-05 2014-02-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photonic MEMS and structures
JP2014059250A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Seiko Epson Corp 分光装置、波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器
JP2017143103A (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 本田技研工業株式会社 発電池

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753559A (en) * 1996-01-16 1998-05-19 United Microelectronics Corporation Method for growing hemispherical grain silicon
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
JP2003069061A (ja) 2001-08-24 2003-03-07 Sharp Corp 積層型光電変換素子
JP2003347563A (ja) * 2002-05-27 2003-12-05 Canon Inc 積層型光起電力素子
US20060180198A1 (en) * 2005-02-16 2006-08-17 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell, solar cell string and method of manufacturing solar cell string
JP2006278550A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US7655542B2 (en) * 2006-06-23 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for depositing a microcrystalline silicon film for photovoltaic device
KR100880946B1 (ko) * 2006-07-03 2009-02-04 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
US20080173350A1 (en) * 2007-01-18 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US20080223440A1 (en) * 2007-01-18 2008-09-18 Shuran Sheng Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US8203071B2 (en) * 2007-01-18 2012-06-19 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US7582515B2 (en) * 2007-01-18 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
TW200840064A (en) * 2007-03-30 2008-10-01 Delta Electronics Inc Solar cell
US20080245414A1 (en) * 2007-04-09 2008-10-09 Shuran Sheng Methods for forming a photovoltaic device with low contact resistance
US7875486B2 (en) * 2007-07-10 2011-01-25 Applied Materials, Inc. Solar cells and methods and apparatuses for forming the same including I-layer and N-layer chamber cleaning
US20090104733A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 Yong Kee Chae Microcrystalline silicon deposition for thin film solar applications
WO2009059240A1 (en) * 2007-11-02 2009-05-07 Applied Materials, Inc. Intrinsic amorphous silicon layer
JP2011503848A (ja) * 2007-11-02 2011-01-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 堆積プロセス間のプラズマ処置
TWI440198B (zh) * 2008-03-13 2014-06-01 Nexpower Technology Corp 薄膜疊層太陽能電池與其製作方法
TWI378565B (en) * 2008-04-30 2012-12-01 Nexpower Technology Corp Stacked-layered thin film solar cell and manufacturing method thereof
US8895842B2 (en) * 2008-08-29 2014-11-25 Applied Materials, Inc. High quality TCO-silicon interface contact structure for high efficiency thin film silicon solar cells
KR20100028729A (ko) * 2008-09-05 2010-03-15 삼성전자주식회사 복층 구조의 태양 전지 및 그 제조 방법
US20100059110A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Microcrystalline silicon alloys for thin film and wafer based solar applications
US20100096011A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High efficiency interferometric color filters for photovoltaic modules
CN102239564A (zh) * 2008-11-05 2011-11-09 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) 太阳能电池器件及其制造方法
TW201021229A (en) * 2008-11-21 2010-06-01 Ind Tech Res Inst Solar cell having reflective structure
US20100147383A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Carey James E Method and apparatus for laser-processing a semiconductor photovoltaic apparatus
TWI382552B (zh) * 2009-02-13 2013-01-11 Nexpower Technology Corp 具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池與其製作方法
TWI387120B (zh) * 2009-02-17 2013-02-21 Nexpower Technology Corp 薄膜疊層太陽能電池及其製作方法
US20100224229A1 (en) * 2009-03-09 2010-09-09 Pralle Martin U Multi-junction semiconductor photovoltaic apparatus and methods
US20100263721A1 (en) * 2009-04-20 2010-10-21 Electronics And Telecommunications Research Institute Transparent solar cell
ATE509375T1 (de) * 2009-06-10 2011-05-15 Mikko Kalervo Vaeaenaenen Hochleistungs-solarzelle
US20110114177A1 (en) * 2009-07-23 2011-05-19 Applied Materials, Inc. Mixed silicon phase film for high efficiency thin film silicon solar cells
KR101066394B1 (ko) * 2009-09-02 2011-09-23 한국철강 주식회사 광기전력 장치 및 광기전력 장치의 제조 방법
KR101074290B1 (ko) * 2009-09-04 2011-10-18 한국철강 주식회사 광기전력 장치 및 광기전력 장치의 제조 방법
US9673243B2 (en) 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9911781B2 (en) 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
KR20110031850A (ko) * 2009-09-21 2011-03-29 삼성전자주식회사 박막형 태양 전지
WO2011046664A2 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Applied Materials, Inc. A barrier layer disposed between a substrate and a transparent conductive oxide layer for thin film silicon solar cells
US20110126875A1 (en) * 2009-12-01 2011-06-02 Hien-Minh Huu Le Conductive contact layer formed on a transparent conductive layer by a reactive sputter deposition
US20110214722A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-08 Chien-Chung Bi Thin film solar cell
US20110232753A1 (en) * 2010-03-23 2011-09-29 Applied Materials, Inc. Methods of forming a thin-film solar energy device
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
CN103081128B (zh) 2010-06-18 2016-11-02 西奥尼克斯公司 高速光敏设备及相关方法
DE102010017461B4 (de) * 2010-06-18 2013-11-14 Hanwha Q.CELLS GmbH Solarzelle, Solarzellenherstellungsverfahren und Prüfverfahren
TW201228061A (en) * 2010-12-24 2012-07-01 Au Optronics Corp Photovoltaic cell module
US11677038B2 (en) * 2011-05-28 2023-06-13 Banpil Photonics, Inc. Perpetual energy harvester and method of fabrication
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
EP2732402A2 (en) 2011-07-13 2014-05-21 Sionyx, Inc. Biometric imaging devices and associated methods
WO2013034537A2 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Oerlikon Solar Ag, Truebbach Method of manufacturing an intermediate reflector layer
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
US9581742B2 (en) * 2012-11-20 2017-02-28 Corning Incorporated Monolithic, linear glass polarizer and attenuator
JP6466346B2 (ja) 2013-02-15 2019-02-06 サイオニクス、エルエルシー アンチブルーミング特性を有するハイダイナミックレンジｃｍｏｓ画像センサおよび関連づけられた方法
US9939251B2 (en) 2013-03-15 2018-04-10 Sionyx, Llc Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
WO2014209421A1 (en) 2013-06-29 2014-12-31 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
US20150136215A1 (en) * 2013-11-21 2015-05-21 Tsmc Solar Ltd. Solar cell contacts and method of fabricating same
US10483410B2 (en) 2015-10-20 2019-11-19 Alta Devices, Inc. Forming front metal contact on solar cell with enhanced resistance to stress
CN110310978A (zh) * 2019-07-30 2019-10-08 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 一种有机发光面板及灯具装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5874087A (ja) * 1981-10-28 1983-05-04 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池の製造方法
JPS59175170A (ja) * 1983-03-24 1984-10-03 Yoshihiro Hamakawa タンデム型太陽電池
JPS611062A (ja) * 1984-06-14 1986-01-07 Toshiba Corp 光起電力装置
JPS6284570A (ja) * 1985-06-07 1987-04-18 エレクトリツク　パワ−　リサ−チ　インスチテユ−ト　インコ−ポレ−テツド 光電池デバイス
JPS636882A (ja) * 1986-06-26 1988-01-12 ザ　スタンダ−ド　オイル　カンパニ− タンデム構成の光電池装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5996777A (ja) * 1982-11-25 1984-06-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 光起電力素子
JPS6112086A (ja) * 1984-06-26 1986-01-20 Sharp Corp 薄膜太陽電池装置
JPS6035580A (ja) * 1984-06-26 1985-02-23 Sharp Corp 積層型薄膜太陽電池の製造方法
US4680422A (en) * 1985-10-30 1987-07-14 The Boeing Company Two-terminal, thin film, tandem solar cells
JPS6377167A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 Sanyo Electric Co Ltd 積層型光起電力装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5874087A (ja) * 1981-10-28 1983-05-04 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池の製造方法
JPS59175170A (ja) * 1983-03-24 1984-10-03 Yoshihiro Hamakawa タンデム型太陽電池
JPS611062A (ja) * 1984-06-14 1986-01-07 Toshiba Corp 光起電力装置
JPS6284570A (ja) * 1985-06-07 1987-04-18 エレクトリツク　パワ−　リサ−チ　インスチテユ−ト　インコ−ポレ−テツド 光電池デバイス
JPS636882A (ja) * 1986-06-26 1988-01-12 ザ　スタンダ−ド　オイル　カンパニ− タンデム構成の光電池装置

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04127580A (ja) * 1990-09-19 1992-04-28 Hitachi Ltd 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池
US8643935B2 (en) 1999-10-05 2014-02-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photonic MEMS and structures
JP2002057359A (ja) * 2000-06-01 2002-02-22 Sharp Corp 積層型太陽電池
JP2002118273A (ja) * 2000-10-05 2002-04-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 集積型ハイブリッド薄膜光電変換装置
US6911352B2 (en) 2002-07-31 2005-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing same
US7189917B2 (en) 2003-03-26 2007-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Stacked photovoltaic device
US7897868B2 (en) 2003-03-26 2011-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Stacked photovoltaic element and method for producing the same
US8957300B2 (en) 2004-02-20 2015-02-17 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for photoelectric conversion device, photoelectric conversion device, and stacked photoelectric conversion device
JP2009060149A (ja) * 2004-02-20 2009-03-19 Sharp Corp 積層型光電変換装置
WO2005081324A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha 光電変換装置用基板、光電変換装置、積層型光電変換装置
WO2006038453A1 (ja) * 2004-10-04 2006-04-13 Kaneka Corporation 光電変換装置
JP2008270562A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Sanyo Electric Co Ltd 多接合型太陽電池
WO2009038083A1 (ja) * 2007-09-18 2009-03-26 Mitsubishi Electric Corporation 薄膜太陽電池素子及びその製造方法
JP5143136B2 (ja) * 2007-09-18 2013-02-13 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池素子の製造方法
WO2009057692A1 (ja) * 2007-10-30 2009-05-07 Sanyo Electric Co., Ltd. 太陽電池
WO2009057698A1 (ja) * 2007-11-02 2009-05-07 Kaneka Corporation 薄膜光電変換装置
JP2009117463A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Kaneka Corp 薄膜光電変換装置
JP2009147172A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Kaneka Corp 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置
RU2485626C2 (ru) * 2007-12-21 2013-06-20 Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк. Многопереходные фотогальванические элементы
JP2011508430A (ja) * 2007-12-21 2011-03-10 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 多接合光起電力セル
JP2009231781A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Kaneka Corp 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置
WO2009119124A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 三菱重工業株式会社 光電変換装置
US8481848B2 (en) 2008-03-28 2013-07-09 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Photovoltaic device
JP2009246029A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換装置
JPWO2010087312A1 (ja) * 2009-01-28 2012-08-02 三菱電機株式会社 薄膜光電変換装置およびその製造方法
WO2010087312A1 (ja) * 2009-01-28 2010-08-05 三菱電機株式会社 薄膜光電変換装置およびその製造方法
WO2010143342A1 (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 パナソニック株式会社 窒化物半導体太陽電池
JP2011181608A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Mitsubishi Electric Corp 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
JP2014059250A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Seiko Epson Corp 分光装置、波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器
JP2017143103A (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 本田技研工業株式会社 発電池

Also Published As

Publication number Publication date
US5021100A (en) 1991-06-04
JP2738557B2 (ja) 1998-04-08

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