JP2653131B2 - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
- Publication number
- JP2653131B2 JP2653131B2 JP63258058A JP25805888A JP2653131B2 JP 2653131 B2 JP2653131 B2 JP 2653131B2 JP 63258058 A JP63258058 A JP 63258058A JP 25805888 A JP25805888 A JP 25805888A JP 2653131 B2 JP2653131 B2 JP 2653131B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- metal
- electrode
- transparent electrode
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 62
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ファクシミリ等の画像入力部に用いる光電
変換素子に関する。
変換素子に関する。
最近、ファクシミリ等の画像入力部に用いられる光電
変換素子としては、縮小光学系を必要とせず、小型化が
可能であることから、原稿と同一幅の長尺読み取り素子
を用いた密着型イメージセンサーの開発が活発となって
いる。
変換素子としては、縮小光学系を必要とせず、小型化が
可能であることから、原稿と同一幅の長尺読み取り素子
を用いた密着型イメージセンサーの開発が活発となって
いる。
この密着型イメージセンサーは、光電変換層として水
素化アモルファスシリコン（α−Si:H）半導体を用い、
金属電極と透明電極とで挟んだサンドイッチ構造の光電
変換素子を配列してなるものであるが、構造が簡単で優
れた光電変換特性を示すことから、実用的なデバイスと
して期待されている。
素化アモルファスシリコン（α−Si:H）半導体を用い、
金属電極と透明電極とで挟んだサンドイッチ構造の光電
変換素子を配列してなるものであるが、構造が簡単で優
れた光電変換特性を示すことから、実用的なデバイスと
して期待されている。
従来のセンサーの断面図を第４図に示す。図中１は絶
縁性基板、２は金属電極、３は半導体層、４は透明電
極、５は透明絶縁膜、5aは透明絶縁膜の開口部、６は配
線金属である。
縁性基板、２は金属電極、３は半導体層、４は透明電
極、５は透明絶縁膜、5aは透明絶縁膜の開口部、６は配
線金属である。
従来の光電変換素子はガラス基板１上にクロム等の金
属電極膜２をスパッタリング法により約1000Åの膜厚に
形成し、これを帯状にパターニングし共通電極としての
金属電極２を形成する。
属電極膜２をスパッタリング法により約1000Åの膜厚に
形成し、これを帯状にパターニングし共通電極としての
金属電極２を形成する。
次いでプラズマCVD法により膜厚１μｍの水素化アモ
ルファスシリコンからなる半導体層３を、シラン（Si
H4）ガスを使用して流量20〜50SCCM、圧力0.2〜0.5Tor
r、基板温度150〜250℃、R.Fパワー10〜50mw/cm2、30〜
60分の条件下で形成する。
ルファスシリコンからなる半導体層３を、シラン（Si
H4）ガスを使用して流量20〜50SCCM、圧力0.2〜0.5Tor
r、基板温度150〜250℃、R.Fパワー10〜50mw/cm2、30〜
60分の条件下で形成する。
続いてDCマグネトロンスパッタリング法により、膜厚
800Åの透明電極層４を酸化インジウム錫を使用して形
成し、更にレジストを塗布し、フォトリソエッチング法
によりパターニングして個別電極としての透明電極４を
形成する。
800Åの透明電極層４を酸化インジウム錫を使用して形
成し、更にレジストを塗布し、フォトリソエッチング法
によりパターニングして個別電極としての透明電極４を
形成する。
そしてこのレジストパターンをそのままマスクとして
テトラフルオロメタンと酸素の混合ガスにより半導体層
３をエッチングして個別に分割された半導体層を形成す
る。レジストを除去後、透明絶縁膜を塗布により形成
し、配線金属接続用開口部5aをバターニングにより開口
し、この開口部5aを介して配線金属６を透明電極４と接
続して作製されている（例えば特開昭63−67772号公
報）。
テトラフルオロメタンと酸素の混合ガスにより半導体層
３をエッチングして個別に分割された半導体層を形成す
る。レジストを除去後、透明絶縁膜を塗布により形成
し、配線金属接続用開口部5aをバターニングにより開口
し、この開口部5aを介して配線金属６を透明電極４と接
続して作製されている（例えば特開昭63−67772号公
報）。
このようにして作製された光電変換素子においては、
金属電極２を介してバイアス電圧を印加しつつ半導体層
に光が照射されると、半導体層にキャリアーが発生し、
配線金属を介してフォト電流（Ip）が得られ、また光が
照射されない時にはバイアス電圧が印加されていても、
半導体層と電極間のショットキー障壁により暗電流は極
めて低い値となり、これにより光センサーとしての機能
を果たしうるものである。
金属電極２を介してバイアス電圧を印加しつつ半導体層
に光が照射されると、半導体層にキャリアーが発生し、
配線金属を介してフォト電流（Ip）が得られ、また光が
照射されない時にはバイアス電圧が印加されていても、
半導体層と電極間のショットキー障壁により暗電流は極
めて低い値となり、これにより光センサーとしての機能
を果たしうるものである。
しかしながらこのセンサーを作製する工程の中に、ア
ルミニウム等の金属により配線金属を着膜する工程があ
る。この工程はアルミニウム金属をスバッタリングによ
り着膜させる工程であるが、透明電極層界面を衝撃する
ために、アルミニウムが酸化インジウム錫等からなる透
明電極層、更には水素化アモルファスシリコン等からな
る半導体層にまで浸透し、これによりショットキー障壁
が十分には形成されずオーミック接触に近い形となり、
開口部5a面積に比例して暗電流が高くなり、センサーと
しての充分な明暗比が得られないという問題が生じる。
ルミニウム等の金属により配線金属を着膜する工程があ
る。この工程はアルミニウム金属をスバッタリングによ
り着膜させる工程であるが、透明電極層界面を衝撃する
ために、アルミニウムが酸化インジウム錫等からなる透
明電極層、更には水素化アモルファスシリコン等からな
る半導体層にまで浸透し、これによりショットキー障壁
が十分には形成されずオーミック接触に近い形となり、
開口部5a面積に比例して暗電流が高くなり、センサーと
しての充分な明暗比が得られないという問題が生じる。
そのため本発明は、上記従来のセンサーとその構造や
作製プロセスを変更することなく、暗電流を低く抑える
ことができ、かつ明暗比の高い光電変換素子の提供を課
題とする。
作製プロセスを変更することなく、暗電流を低く抑える
ことができ、かつ明暗比の高い光電変換素子の提供を課
題とする。
本発明の光電変換素子は、半導体層を金属電極と透明
電極で挟んだサンドイッチ型光電変換素子において、該
透明電極上に絶縁層を設け、該絶縁層上に設けた開口部
を介して配線金属を接続し、かつ該透明電極と配線金属
との接続部に前記半導体層を介して対向する金属電極部
を切り欠いたことを特徴とする。
電極で挟んだサンドイッチ型光電変換素子において、該
透明電極上に絶縁層を設け、該絶縁層上に設けた開口部
を介して配線金属を接続し、かつ該透明電極と配線金属
との接続部に前記半導体層を介して対向する金属電極部
を切り欠いたことを特徴とする。
また、本発明の光電変換素子は、上記の光電変換素子
における切り欠き部の面積が、透明電極と配線金属との
接続部面積の50％以上であることを特徴とする。
における切り欠き部の面積が、透明電極と配線金属との
接続部面積の50％以上であることを特徴とする。
更に、本発明の光電変換素子は、上記の光電変換素子
における絶縁層がポリイミドにより形成されること特徴
とする また、本発明の光電変換素子は、半導体層を金属電極
と透明電極で挟んだサンドイッチ型光電変換素子におい
て、該透明電極上に絶縁層を設け、該絶縁層上に設けた
開口部を介して配線金属を接続し、かつ該透明電極と配
線金属との接続部に前記半導体層を介して対向する金属
電極の部分を、バイアス電圧が印加された金属電極の部
分から電気的に絶縁したことを特徴とするものである。
における絶縁層がポリイミドにより形成されること特徴
とする また、本発明の光電変換素子は、半導体層を金属電極
と透明電極で挟んだサンドイッチ型光電変換素子におい
て、該透明電極上に絶縁層を設け、該絶縁層上に設けた
開口部を介して配線金属を接続し、かつ該透明電極と配
線金属との接続部に前記半導体層を介して対向する金属
電極の部分を、バイアス電圧が印加された金属電極の部
分から電気的に絶縁したことを特徴とするものである。
配線部はアルミニウム等の金属によりスパッタリング
により形成するとよい。
により形成するとよい。
金属電極はクロム（Cr）、ニクロム（NiCr）、タング
ステン（Ｗ）タンタル（Ta）等を使用しスパッタリング
により形成するとよい。
ステン（Ｗ）タンタル（Ta）等を使用しスパッタリング
により形成するとよい。
半導体層は水素化アモルファスシリコンをプラズマCV
D法により形成するとよい。
D法により形成するとよい。
透明電極は酸化インジウム錫、酸化錫等により形成す
るとよく、プラズマCVD法により形成するとよい。
るとよく、プラズマCVD法により形成するとよい。
絶縁層としてはポリイミドを使用するとよく、スパッ
タリング、塗膜等適宜の手段で形成するとよい。
タリング、塗膜等適宜の手段で形成するとよい。
アルミニウム等の金属を透明電極層上にスバッタリン
グにより着膜させると、透明電極層表面を衝撃するため
に、アルミニウム原子が酸化インジウム錫からなる透明
電極層を損傷し、更には水素化アモルファスシリコン等
の半導体層に浸透し、透明電極層と半導体層間のショッ
トキー障壁が破壊され、オーミック接触に近い形とな
る。そのため配線金属とその透明電極との接続部におい
ては、その面積に比例して暗電流が多く流れ、センサー
としての充分な明暗比が得られなくなるものと考えられ
る。
グにより着膜させると、透明電極層表面を衝撃するため
に、アルミニウム原子が酸化インジウム錫からなる透明
電極層を損傷し、更には水素化アモルファスシリコン等
の半導体層に浸透し、透明電極層と半導体層間のショッ
トキー障壁が破壊され、オーミック接触に近い形とな
る。そのため配線金属とその透明電極との接続部におい
ては、その面積に比例して暗電流が多く流れ、センサー
としての充分な明暗比が得られなくなるものと考えられ
る。
そのために本発明は、透明電極とその配線金属の接続
部に対抗する金属電極部分を切り欠くことにより、暗電
流の電圧依存性を低く抑えることができ、また透明電極
とその配線金属との接続部を、金属電極におけるバイア
ス電圧印加部と絶縁層を介して絶縁することにより、透
明電極とその配線金属との接続部においてはバイアス電
圧が印加されていない状態とすることができ、垂直方向
に電界が存在しないので、暗電流を低く抑えることがで
きるものである。
部に対抗する金属電極部分を切り欠くことにより、暗電
流の電圧依存性を低く抑えることができ、また透明電極
とその配線金属との接続部を、金属電極におけるバイア
ス電圧印加部と絶縁層を介して絶縁することにより、透
明電極とその配線金属との接続部においてはバイアス電
圧が印加されていない状態とすることができ、垂直方向
に電界が存在しないので、暗電流を低く抑えることがで
きるものである。
以下、図面に従い実施例を説明する。
第１図は本発明の光電変換素子を示す図で、第１図
（ａ）はその平面図、第１図（ｂ）はそのＡ−Ａ線での
断面図、第２図は本発明の光電変換素子の作製過程を説
明するための図、第３図は本発明の光電変換素子の他の
実施例を示す図で、第３図（ａ）はその断面図、第３図
（ｂ）はその平面図である。
（ａ）はその平面図、第１図（ｂ）はそのＡ−Ａ線での
断面図、第２図は本発明の光電変換素子の作製過程を説
明するための図、第３図は本発明の光電変換素子の他の
実施例を示す図で、第３図（ａ）はその断面図、第３図
（ｂ）はその平面図である。
なお、図中2aは金属電極の開口部を示し、上記第４図
における番号と同一のものは同一内容を示す。
における番号と同一のものは同一内容を示す。
まず本発明の光電素子の製造方法を第１図、及び第２
図により説明する。
図により説明する。
まず第２図（ａ）に示すように絶縁性基板１としてガ
ラスを用い、その上にクロムを用いて金属電極２を約10
00Åの膜厚にスパッタリング法により着膜し、第１図
（ａ）に示すような帯状の形状にフォトリソエッチング
し、共通電極を形成する。その際後で形成する透明絶縁
膜の開口部5aに対向する切り欠き開口部2aを有するパタ
ーンとしておく。
ラスを用い、その上にクロムを用いて金属電極２を約10
00Åの膜厚にスパッタリング法により着膜し、第１図
（ａ）に示すような帯状の形状にフォトリソエッチング
し、共通電極を形成する。その際後で形成する透明絶縁
膜の開口部5aに対向する切り欠き開口部2aを有するパタ
ーンとしておく。
次いで第２図（ｃ）に示すように、半導体層３として
水素化アモルファスシリコンを約1.5μｍ、更にその上
に透明電極４を酸化インジウム錫を約700Åの膜厚にス
パッタリングにより形成し、まず透明電極層４をフォト
リソエッチングにより、次いで半導体層３をテトラフル
オロメタンと酸素により通常の条件でドライエッチング
により各々第１図（ａ）に示すような受光部形状にパタ
ーニングする。
水素化アモルファスシリコンを約1.5μｍ、更にその上
に透明電極４を酸化インジウム錫を約700Åの膜厚にス
パッタリングにより形成し、まず透明電極層４をフォト
リソエッチングにより、次いで半導体層３をテトラフル
オロメタンと酸素により通常の条件でドライエッチング
により各々第１図（ａ）に示すような受光部形状にパタ
ーニングする。
更に第２図（ｄ）に示すように、透明絶縁層５として
ポリイミドを約1.5μｍの膜厚で塗膜形成し、次いで開
口部5aを、第１図（ａ）に示すような形状にパターニン
グする。この際開口部5aの大きさを金属電極に開口部2a
より小さくフォトリソエッチングする。
ポリイミドを約1.5μｍの膜厚で塗膜形成し、次いで開
口部5aを、第１図（ａ）に示すような形状にパターニン
グする。この際開口部5aの大きさを金属電極に開口部2a
より小さくフォトリソエッチングする。
そして第２図（ｆ）に示すようにその上に配線金属６
としてアルミニウム金属を約1.5μの膜厚にスパッタリ
ングにより着膜し、第２図（ｇ）、第１図（ａ）に示す
ような形状に配線金属６をフォトリソエッチングし、本
発明の光電変換素子を作製する。
としてアルミニウム金属を約1.5μの膜厚にスパッタリ
ングにより着膜し、第２図（ｇ）、第１図（ａ）に示す
ような形状に配線金属６をフォトリソエッチングし、本
発明の光電変換素子を作製する。
次に第３図に本発明の光電変換素子の他の実施例を示
す。
す。
第３図（ａ）に示す本発明の光電変換素子は、配線金
属６と透明電極との接続部（ロ）と、光電変換素子にお
ける受光部（イ）とを分離した構造を有するものであ
る。
属６と透明電極との接続部（ロ）と、光電変換素子にお
ける受光部（イ）とを分離した構造を有するものであ
る。
その作製方法としては、まず基板１上に金属電極２、
半導体層３を順次着膜し、同図（ｂ）に示すように分離
した形状に金属電極２、半導体層３をパターニングす
る。次いでポリイミドからなる透明絶縁層５を着膜さ
せ、上記金属電極２、半導体層３のパターン上に開口部
をレジストを介してエッチングにより開口する。そして
透明電極４として上記第１図に示す実施例同様に水素化
アモルファスシリコンを着膜させ、第３図（ｂ）に示す
ような形状にパターニングする。
半導体層３を順次着膜し、同図（ｂ）に示すように分離
した形状に金属電極２、半導体層３をパターニングす
る。次いでポリイミドからなる透明絶縁層５を着膜さ
せ、上記金属電極２、半導体層３のパターン上に開口部
をレジストを介してエッチングにより開口する。そして
透明電極４として上記第１図に示す実施例同様に水素化
アモルファスシリコンを着膜させ、第３図（ｂ）に示す
ような形状にパターニングする。
次いで上記第１図に示す実施例同様に透明絶縁層５を
ポリイミドを使用して形成し、開口部5aをパターニング
により開口する。そしてその上に配線金属６をアルミニ
ウム金属を使用して約1.5μの膜厚にスパッタリングに
より形成し、第３図（ｂ）に示すような形状に配線金属
６をパターニングする。
ポリイミドを使用して形成し、開口部5aをパターニング
により開口する。そしてその上に配線金属６をアルミニ
ウム金属を使用して約1.5μの膜厚にスパッタリングに
より形成し、第３図（ｂ）に示すような形状に配線金属
６をパターニングする。
こうして第３図（ａ）に示すような受光部（イ）と配
線金属６と透明電極との接続部（ロ）とを絶縁層５によ
り電気的に絶縁した構造とすることができるが、受光部
（イ）におえる金属電極部２をバイアス電源VBに接続
し、一方配線金属６を駆動回路部（図示せず）に接続
し、フォト電流を取り出すようにする。
線金属６と透明電極との接続部（ロ）とを絶縁層５によ
り電気的に絶縁した構造とすることができるが、受光部
（イ）におえる金属電極部２をバイアス電源VBに接続
し、一方配線金属６を駆動回路部（図示せず）に接続
し、フォト電流を取り出すようにする。
本発明の光電変換素子は、配線金属と透明電極との接
続部に対向する金属電極に、該接続部面積に対応する切
り欠きを設けるか、または透明電極とその配線金属との
接続部を金属電極におけるバイアス電圧印加部と絶縁層
を介して絶縁することにより、透明電極と金属電極間に
電圧が印加しても配線金属と透明電極との接続部に対応
する部分は電圧が印加されないので、従来のセンサーと
その構造、または作製プロセスを変更することなく、暗
電流を低下させることができ、センサーとしての明暗比
を高くすることができるものである。
続部に対向する金属電極に、該接続部面積に対応する切
り欠きを設けるか、または透明電極とその配線金属との
接続部を金属電極におけるバイアス電圧印加部と絶縁層
を介して絶縁することにより、透明電極と金属電極間に
電圧が印加しても配線金属と透明電極との接続部に対応
する部分は電圧が印加されないので、従来のセンサーと
その構造、または作製プロセスを変更することなく、暗
電流を低下させることができ、センサーとしての明暗比
を高くすることができるものである。
第１図は本発明の光電変換素子を示す図で、第１図
（ａ）はその平面図、第１図（ｂ）はそのＡ−Ａ線での
断面図、第２図は本発明の光電変換素子の作製過程を説
明するための図、第３図は本発明の光電変換素子の他の
実施例を示す図で、第３図（ａ）はその断面図、第３図
（ｂ）はその平面図、第４図は従来の光電変換素子の断
面図である。 図中１は絶縁性基板、２は金属電極、2aは金属電極の開
口部、３は半導体層、４は透明電極、５は透明絶縁膜、
5aは透明絶縁膜の開口部、６は配線金属である。
（ａ）はその平面図、第１図（ｂ）はそのＡ−Ａ線での
断面図、第２図は本発明の光電変換素子の作製過程を説
明するための図、第３図は本発明の光電変換素子の他の
実施例を示す図で、第３図（ａ）はその断面図、第３図
（ｂ）はその平面図、第４図は従来の光電変換素子の断
面図である。 図中１は絶縁性基板、２は金属電極、2aは金属電極の開
口部、３は半導体層、４は透明電極、５は透明絶縁膜、
5aは透明絶縁膜の開口部、６は配線金属である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−172367（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−50362（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−3458（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】半導体層を金属電極と透明電極で挟んだサ
ンドイッチ型光電変換素子において、該透明電極上に絶
縁層を設け、該絶縁層上に設けた開口部を介して配線金
属を接続し、かつ該透明電極と配線金属との接続部に前
記半導体層を介して対向する金属電極部を切り欠いたこ
とを特徴とする光電変換素子。 - 【請求項２】上記切り欠き部の面積が、透明電極と配線
金属との接続部面積の50％以上であることを特徴とする
請求項１記載の光電変換素子。 - 【請求項３】上記絶縁層がポリイミドにより形成される
こと特徴とする請求項１記載の光電変換素子。 - 【請求項４】半導体層を金属電極と透明電極で挟んだサ
ンドイッチ型光電変換素子において、該透明電極上に絶
縁層を設け、該絶縁層上に設けた開口部を介して配線金
属を接続し、かつ該透明電極と配線金属との接続部に前
記半導体層を介して対向する金属電極の部分を、バイア
ス電圧が印加された金属電極の部分から電気的に絶縁し
たことを特徴とする光電変換素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258058A JP2653131B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光電変換素子 |
| US07/420,829 US5038190A (en) | 1988-10-13 | 1989-10-12 | Photoelectric conversion device with disabled electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258058A JP2653131B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103968A JPH02103968A (ja) | 1990-04-17 |
| JP2653131B2 true JP2653131B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=17314951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63258058A Expired - Lifetime JP2653131B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光電変換素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5038190A (ja) |
| JP (1) | JP2653131B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06314779A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Nec Corp | イメージセンサ |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4698495A (en) * | 1984-06-12 | 1987-10-06 | Nec Corporation | Amorphous silicon photo-sensor for a contact type image sensor |
| JPS6150362A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置 |
| JPS61172367A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | イメ−ジセンサ |
| JPS61216360A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Fuji Electric Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS61284957A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Fuji Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
| JPS61281550A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Fuji Electric Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS6233452A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Fuji Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
| JPS633458A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Ricoh Co Ltd | 等倍光センサ |
| US4764682A (en) * | 1986-09-16 | 1988-08-16 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Photosensitive pixel sized and shaped to optimize packing density and eliminate optical cross-talk |
| US4811069A (en) * | 1987-02-23 | 1989-03-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63258058A patent/JP2653131B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-10-12 US US07/420,829 patent/US5038190A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5038190A (en) | 1991-08-06 |
| JPH02103968A (ja) | 1990-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3510681B2 (ja) | 薄膜トランジスタ・アセンブリを製造する方法 | |
| FR2747234A1 (fr) | Procede de fabrication d'un transistor en couche mince, et transistor en couche mince | |
| US5470761A (en) | Process for fabricating a front surface resonant mesh array detector | |
| JP3349356B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2653131B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JPH04171767A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2873119B2 (ja) | アクティブマトリックス基板の製造方法 | |
| JPH0629510A (ja) | Ｔｆｔ駆動イメージセンサおよびその製造方法 | |
| JP2755707B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH0691105B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH07118527B2 (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| JP2001068709A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH08321621A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP2522014B2 (ja) | 透明電極の形成方法 | |
| JPH04215474A (ja) | 半導体素子における配線の製造方法 | |
| JPH0712078B2 (ja) | 受光素子の製造方法 | |
| JPS61229370A (ja) | 光センサ素子の製造方法 | |
| JPH0982990A (ja) | フォトコンダクタおよびその製造方法、ならびに光スイッチ | |
| JP2978999B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11111734A (ja) | 表面保護膜の形成方法 | |
| KR960011476B1 (ko) | 밀착형 이메지 센서의 광전변환소자 구조 및 제조방법 | |
| JP2714144B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS62172755A (ja) | フオトセンサの作製方法 | |
| JPS61278173A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62119966A (ja) | 配線パタ−ンの形成方法 |