JPS61216360A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
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- JPS61216360A JPS61216360A JP60057006A JP5700685A JPS61216360A JP S61216360 A JPS61216360 A JP S61216360A JP 60057006 A JP60057006 A JP 60057006A JP 5700685 A JP5700685 A JP 5700685A JP S61216360 A JPS61216360 A JP S61216360A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、ファクシミリの原稿読取り装置、ＯＡ機器の
画像入力装置８紙幣鑑別機等に用いられるもので、複数
の受光素子を一線上に配列し、画像をラインごとに順次
読取る密着型イメージセンサに関する。
画像入力装置８紙幣鑑別機等に用いられるもので、複数
の受光素子を一線上に配列し、画像をラインごとに順次
読取る密着型イメージセンサに関する。
密着型イメージセンサの実用例として知られているファ
クシミリ原稿読取装置用イメージセンサの構造を第２図
（Ｊｌ）、（ｂ）に示し、第２図（ａ）の断面図で異な
るハンチングで示した各部の領域は、第２図−）の平面
図では同様な縁取りで示している。これは、絶縁性基板
１１の上に金厚膜をスクリーン印刷、焼成により被着し
、フォトエツチングによって配線部１２を形成し、その
上にＣｒ膜を蒸着後フォトエツチングにより個別電極１
３および配線１２と電気的に接触する電極引出し部１４
を一体に加工し、次いでシランガスと水素の混合ガスよ
りプラズマＣＶＤ法によって真性のアモルファス水素化
シリコン（以下ａ−５ｌと記す）膜１５を個別電極１３
を覆うようにマスク成膜し、最後に共通電極１６を個別
電極１３に対向してＩＴＯのマスク蒸着により形成した
もので、原稿からの光は共通電極１６の側から入射する
。 ところが、このようなイメージセンサは、共通電極１６
を寸法精度の低いマスク蒸着により形成するため、第２
図ｃｂ）にＸで示す共通側１６の縁と個別電極１３の縁
との間の距離にばらつきを生ずる。 引出し部１４の共通電極１６と対向する部分、すなわち
斜線で示した３の部分も充電変換に役立つので、個別電
極３の面積が一定であっても３の面積にばらつきが生ず
ゐと充電出力にばらつきが生ずる。 この結果、画素読取り能力が素子やロフトごとに異なる
ようになり、最終的に製造歩留まりの低下を招くという
欠点がある。 共通電極１６の寸法精度を高めるため、ＩＴＯ全面蒸着
後フォトエツチングに゛より所望の幅に加工すると、そ
の場合のエツチング液がａ−３１１ＩＩ４と接触するこ
とによって膜質を劣化させるため、同様に製造歩留まり
が低下するという欠点がある。
クシミリ原稿読取装置用イメージセンサの構造を第２図
（Ｊｌ）、（ｂ）に示し、第２図（ａ）の断面図で異な
るハンチングで示した各部の領域は、第２図−）の平面
図では同様な縁取りで示している。これは、絶縁性基板
１１の上に金厚膜をスクリーン印刷、焼成により被着し
、フォトエツチングによって配線部１２を形成し、その
上にＣｒ膜を蒸着後フォトエツチングにより個別電極１
３および配線１２と電気的に接触する電極引出し部１４
を一体に加工し、次いでシランガスと水素の混合ガスよ
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シリコン（以下ａ−５ｌと記す）膜１５を個別電極１３
を覆うようにマスク成膜し、最後に共通電極１６を個別
電極１３に対向してＩＴＯのマスク蒸着により形成した
もので、原稿からの光は共通電極１６の側から入射する
。 ところが、このようなイメージセンサは、共通電極１６
を寸法精度の低いマスク蒸着により形成するため、第２
図ｃｂ）にＸで示す共通側１６の縁と個別電極１３の縁
との間の距離にばらつきを生ずる。 引出し部１４の共通電極１６と対向する部分、すなわち
斜線で示した３の部分も充電変換に役立つので、個別電
極３の面積が一定であっても３の面積にばらつきが生ず
ゐと充電出力にばらつきが生ずる。 この結果、画素読取り能力が素子やロフトごとに異なる
ようになり、最終的に製造歩留まりの低下を招くという
欠点がある。 共通電極１６の寸法精度を高めるため、ＩＴＯ全面蒸着
後フォトエツチングに゛より所望の幅に加工すると、そ
の場合のエツチング液がａ−３１１ＩＩ４と接触するこ
とによって膜質を劣化させるため、同様に製造歩留まり
が低下するという欠点がある。
【発明の目的】
本発明は、上述の欠点を除去し、各受光素子の光電出力
のばらつきが少ない密着型イメージセンサを高い製造歩
留まりで提供することを目的とする。
のばらつきが少ない密着型イメージセンサを高い製造歩
留まりで提供することを目的とする。
本発明は、基板上に一締上に配列された複数の個別電極
に対向して光電変換半導体膜を介して共通電極が設けら
れる密着型イメージセンサの共通電極が、絶縁性樹脂膜
に開けられた所定の寸法の窓部において半導体膜と接触
していることによって上記の目的を達成する。絶縁性樹
脂膜が感光性樹脂よりなり、露光、現像によって窓部が
形成されることは特にを効である。
に対向して光電変換半導体膜を介して共通電極が設けら
れる密着型イメージセンサの共通電極が、絶縁性樹脂膜
に開けられた所定の寸法の窓部において半導体膜と接触
していることによって上記の目的を達成する。絶縁性樹
脂膜が感光性樹脂よりなり、露光、現像によって窓部が
形成されることは特にを効である。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第一の実施例を第２図
と同様に示す、基板として透明ガラス基板ｌを用い、そ
の上にＩＴＯ（酸化インジウムすず）膜を７００人の厚
さに被着し、フォトエツチングにより１００−Ｘ １０
０ ＃の大きさの個別電極３および電極引出し部４を加
工、形成した０次に全面に１０００人の厚さのＣｒ膜、
５ｏｏｏ人の厚さのＮ１膜を順次蒸着し、さらに全面に
２０００人の厚さの＾Ｕ膜をめっきし、これらの金属積
層のフォトエツチングによって配線部２を加工した。つ
いで各個別電極３を覆うように真性のａ−３ｉ膜５を水
素で希釈したシランガスよりプラズマＣＶＤ法によって
ｌ＃ｌｌの厚さにマスク成膜したのち、ネガ型の感光性
ポリミイド樹脂をスピンコータを用いて５０−の厚さに
塗布し、８０℃で９０分プレベークし、フォトマスクを
介して露光、現像後、１８０℃で３０分ポストブレーク
を行った。この際フォトマスクは１２０ｎの幅の線状パ
ターンで、各個別電極３をａ−５ｌ膜５を介して覆う形
で密着させて露光することにより、ａ−ｓｔＩＩｓを個
別電極３上に開いた線状の窓８を残して覆う絶縁膜７の
パターンが形成される。最後に窓８全面を覆うパターン
のマスクを用いて１０００人の厚さのＡＩ、 ３０００
人の厚さのＴｌを蒸着して共通電極６を形成した。この
ようにして製造したイメージセンサはａ−５ｌ膜が酸な
どのエツチング液に触れないので特性の劣化がなく、１
受光素子の光電出力は５ｖのバイアス電圧を印加し、２
５１ｘの光を照射した際平均２．３Ｘ１Ｇ−”Ａであり
、バラツキ （σ）は±１０％以下であった。 第３図（ｊｌ）、（ｂｌは本発明の第二の実施例を示し
、第１図と共通部分には同一の符号が付されている。 透明ガラス基板ｌの上に第一の実施例と同様な方法でＩ
ＴＯからなる個別電極３および電極引出し部４を形成し
、その上にマスキングテープを用いてマスクしたのち全
面に無電解めっきによって５０００人の厚さのＮｌ膜、
２０００人の厚さの＾Ｕ膜を積層し、スクライバ装置に
よりガラス基板ｌ上に被着したＮ ｌ ＊ Ａ ｕをこ
すり落とし、配線部２を形成した。マスクテープをはが
し、ＩＴＯ膜３．４の表面を清浄にしたのちその上を覆
うようにａ−３ｌ膜の１層５を形成した。さらに感光性
ポリミイド樹脂をスクリーン印刷によって３０−の厚さ
に塗布し、８０℃で１２０分プレベータ後、第一の実施
例と同様に１２０ ｎ幅のマスクで露光、現像し、つづ
いて１８０℃で６０分ポストブレークして線状の窓８を
有する絶縁ｓ７を形成した。最後に、炭素と銀の微粒子
を混入した。エポキシ樹脂のスクリーン印刷により、ボ
リミイド膜７の窓部８を覆うように５０−の厚さの膜で
被覆し、共通電極６を形成した。 この第二の実施例で試作したイメージセンサは、出力や
ばらつきが第一の実施例と同様に良好であっただけでな
く、５０℃、 １１．１１．９５％の耐湿性試験１００
０時間にも劣化することのない高い信鯨性を有するもの
であった。また共通電極６の導電性樹脂を絶縁膜７によ
って絶縁される配線部２の上まで伸ばすことにより、配
線に対する電磁波シールドの効果を有せしめるも可能と
なる。さらにＮｉの無電解めっき膜がＩＴＯと密着性が
良く、ガラスと悪いことを利用して、ＩＴＯで個別電極
３と電極引出し部４とを一体に形成したのちＮｌとＡｕ
を無電解めつきしてガラス基板上のＮｉおよびＡｕをこ
すり落とすという工程を用いたため、第一の実施例より
フォトエツチングが蒸着の工程が少なくて済み、製造コ
ストも低いものとなる。 第一、第二の実施例では原稿からの光をガラス基板ｌを
通して入射させるものであるが、本発明を第２図の従来
例のように基板と反対側から光を入射させるイメージセ
ンサに対して実施することもできる。その場合は、例え
ば第１図におけろ個別電極３および電極引出し部４をＣ
ｒ膜により形成し、ａ−３ｉ膜５絶縁膜７の上の共通電
極６をＩＴｏを用いて形成する。 上記の実施例では、充電変喚半導体膜上の絶縁膜として
感光性ポリミイド膜を用いてパターン形成する方法を示
したが、感光性のないポリミイド膜などの高分子膜を用
い、通常のホトリソグラフィ法によってパターニングし
てもよく、その場合も高分子膜の除去は溶剤によって行
われるため半導体膜の膜質を劣化させることはない。
と同様に示す、基板として透明ガラス基板ｌを用い、そ
の上にＩＴＯ（酸化インジウムすず）膜を７００人の厚
さに被着し、フォトエツチングにより１００−Ｘ １０
０ ＃の大きさの個別電極３および電極引出し部４を加
工、形成した０次に全面に１０００人の厚さのＣｒ膜、
５ｏｏｏ人の厚さのＮ１膜を順次蒸着し、さらに全面に
２０００人の厚さの＾Ｕ膜をめっきし、これらの金属積
層のフォトエツチングによって配線部２を加工した。つ
いで各個別電極３を覆うように真性のａ−３ｉ膜５を水
素で希釈したシランガスよりプラズマＣＶＤ法によって
ｌ＃ｌｌの厚さにマスク成膜したのち、ネガ型の感光性
ポリミイド樹脂をスピンコータを用いて５０−の厚さに
塗布し、８０℃で９０分プレベークし、フォトマスクを
介して露光、現像後、１８０℃で３０分ポストブレーク
を行った。この際フォトマスクは１２０ｎの幅の線状パ
ターンで、各個別電極３をａ−５ｌ膜５を介して覆う形
で密着させて露光することにより、ａ−ｓｔＩＩｓを個
別電極３上に開いた線状の窓８を残して覆う絶縁膜７の
パターンが形成される。最後に窓８全面を覆うパターン
のマスクを用いて１０００人の厚さのＡＩ、 ３０００
人の厚さのＴｌを蒸着して共通電極６を形成した。この
ようにして製造したイメージセンサはａ−５ｌ膜が酸な
どのエツチング液に触れないので特性の劣化がなく、１
受光素子の光電出力は５ｖのバイアス電圧を印加し、２
５１ｘの光を照射した際平均２．３Ｘ１Ｇ−”Ａであり
、バラツキ （σ）は±１０％以下であった。 第３図（ｊｌ）、（ｂｌは本発明の第二の実施例を示し
、第１図と共通部分には同一の符号が付されている。 透明ガラス基板ｌの上に第一の実施例と同様な方法でＩ
ＴＯからなる個別電極３および電極引出し部４を形成し
、その上にマスキングテープを用いてマスクしたのち全
面に無電解めっきによって５０００人の厚さのＮｌ膜、
２０００人の厚さの＾Ｕ膜を積層し、スクライバ装置に
よりガラス基板ｌ上に被着したＮ ｌ ＊ Ａ ｕをこ
すり落とし、配線部２を形成した。マスクテープをはが
し、ＩＴＯ膜３．４の表面を清浄にしたのちその上を覆
うようにａ−３ｌ膜の１層５を形成した。さらに感光性
ポリミイド樹脂をスクリーン印刷によって３０−の厚さ
に塗布し、８０℃で１２０分プレベータ後、第一の実施
例と同様に１２０ ｎ幅のマスクで露光、現像し、つづ
いて１８０℃で６０分ポストブレークして線状の窓８を
有する絶縁ｓ７を形成した。最後に、炭素と銀の微粒子
を混入した。エポキシ樹脂のスクリーン印刷により、ボ
リミイド膜７の窓部８を覆うように５０−の厚さの膜で
被覆し、共通電極６を形成した。 この第二の実施例で試作したイメージセンサは、出力や
ばらつきが第一の実施例と同様に良好であっただけでな
く、５０℃、 １１．１１．９５％の耐湿性試験１００
０時間にも劣化することのない高い信鯨性を有するもの
であった。また共通電極６の導電性樹脂を絶縁膜７によ
って絶縁される配線部２の上まで伸ばすことにより、配
線に対する電磁波シールドの効果を有せしめるも可能と
なる。さらにＮｉの無電解めっき膜がＩＴＯと密着性が
良く、ガラスと悪いことを利用して、ＩＴＯで個別電極
３と電極引出し部４とを一体に形成したのちＮｌとＡｕ
を無電解めつきしてガラス基板上のＮｉおよびＡｕをこ
すり落とすという工程を用いたため、第一の実施例より
フォトエツチングが蒸着の工程が少なくて済み、製造コ
ストも低いものとなる。 第一、第二の実施例では原稿からの光をガラス基板ｌを
通して入射させるものであるが、本発明を第２図の従来
例のように基板と反対側から光を入射させるイメージセ
ンサに対して実施することもできる。その場合は、例え
ば第１図におけろ個別電極３および電極引出し部４をＣ
ｒ膜により形成し、ａ−３ｉ膜５絶縁膜７の上の共通電
極６をＩＴｏを用いて形成する。 上記の実施例では、充電変喚半導体膜上の絶縁膜として
感光性ポリミイド膜を用いてパターン形成する方法を示
したが、感光性のないポリミイド膜などの高分子膜を用
い、通常のホトリソグラフィ法によってパターニングし
てもよく、その場合も高分子膜の除去は溶剤によって行
われるため半導体膜の膜質を劣化させることはない。
本発明によれば、イメージセンサの充電変換半導体膜上
に設けられる共通電極の半導体膜の間に所定の寸法の窓
を有する絶縁性樹脂膜を介在させるものである。この結
果、各受光素子の充電変換有効面積が、半導体膜の膜質
を劣化させもことのない溶剤を用いて現像するフォトプ
ロセスによってパターニングをすることのできる絶縁性
樹脂膜の寸法精度により規定されろため、各素子の有効
面積、従って各素子の充電出力のばらつきが極めて少な
い密着型イメージセンサを得られるのでその効果はすこ
ぶろ大である。
に設けられる共通電極の半導体膜の間に所定の寸法の窓
を有する絶縁性樹脂膜を介在させるものである。この結
果、各受光素子の充電変換有効面積が、半導体膜の膜質
を劣化させもことのない溶剤を用いて現像するフォトプ
ロセスによってパターニングをすることのできる絶縁性
樹脂膜の寸法精度により規定されろため、各素子の有効
面積、従って各素子の充電出力のばらつきが極めて少な
い密着型イメージセンサを得られるのでその効果はすこ
ぶろ大である。
第１図は本発明の第一の実施例、第２図は従来例、第３
図は第二の実施例を示し、それぞれｔａ＋が断面図、
（ｂｌが平面図である。 ｌニガラス基板、２：配線部、３：個別電極、４：電極
引出し部、５：ａ−３ｔ膜、６：共通電極、’ｒａｍ縁
膜、８：窓。 第３図
図は第二の実施例を示し、それぞれｔａ＋が断面図、
（ｂｌが平面図である。 ｌニガラス基板、２：配線部、３：個別電極、４：電極
引出し部、５：ａ−３ｔ膜、６：共通電極、’ｒａｍ縁
膜、８：窓。 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に一線上に配列された複数の個別電極に対向
して光電変換半導体膜を介して共通電極が設けられるも
のにおいて、共通電極が絶縁性樹脂膜に開けられた所定
の寸法の窓部において半導体膜と接触していることを特
徴とする密着型イメージセンサ。 ２）特許請求の範囲第１項記載のセンサにおいて、絶縁
性樹脂膜が感光性樹脂よりなり、露光、現像によって窓
部が開けられたことを特徴とする密着型イメージセンサ
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60057006A JPS61216360A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 密着型イメ−ジセンサ |
| US06/841,170 US4791466A (en) | 1985-03-20 | 1986-03-19 | Line scanner image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60057006A JPS61216360A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216360A true JPS61216360A (ja) | 1986-09-26 |
Family
ID=13043369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60057006A Pending JPS61216360A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4791466A (ja) |
| JP (1) | JPS61216360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352921A (en) * | 1991-03-18 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and image sensor |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2702131B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1998-01-21 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置及び該装置を有する画像情報読取装置 |
| JP2653131B2 (ja) * | 1988-10-13 | 1997-09-10 | 富士ゼロックス株式会社 | 光電変換素子 |
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