JPS61141172A - 一次元イメ−ジセンサ - Google Patents
一次元イメ−ジセンサInfo
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- JPS61141172A JPS61141172A JP59262773A JP26277384A JPS61141172A JP S61141172 A JPS61141172 A JP S61141172A JP 59262773 A JP59262773 A JP 59262773A JP 26277384 A JP26277384 A JP 26277384A JP S61141172 A JPS61141172 A JP S61141172A
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- Japan
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- electrode
- photoconductive film
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- mask
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は一次元イメージセンサに係り、特に。
順次駆動方式−次元イメージセンサに関する。
従来の一次元イメージセンサの光電変換部は電子通信学
会技報ＥＤ８３−６４に記載のごとく（第１図に示す、
）、個別電極１を下層に形成し、その上に光導電膜２を
マスク蒸着法、もしくはマスクＣＶＤ法で形成した後、
ＩＴＯ等の透明電極を形成し上部共通電極３としていた
。この構造において、光照射によって、上部電極と下部
電極の間にはさまれた光導電膜中に発生した電荷が信号
として検出される。しかしながら、現実には光は、電極
にはさまれた部分以外の光導電膜中でも電荷は発生し、
これがクロストークを生ずる。そのため、解像度が低下
するという問題があった。その原因は、個別電極上にも
光導電膜が堆積されているため、ここで発生した電荷が
、横流れして隣接する個別電極に流入するためである。
会技報ＥＤ８３−６４に記載のごとく（第１図に示す、
）、個別電極１を下層に形成し、その上に光導電膜２を
マスク蒸着法、もしくはマスクＣＶＤ法で形成した後、
ＩＴＯ等の透明電極を形成し上部共通電極３としていた
。この構造において、光照射によって、上部電極と下部
電極の間にはさまれた光導電膜中に発生した電荷が信号
として検出される。しかしながら、現実には光は、電極
にはさまれた部分以外の光導電膜中でも電荷は発生し、
これがクロストークを生ずる。そのため、解像度が低下
するという問題があった。その原因は、個別電極上にも
光導電膜が堆積されているため、ここで発生した電荷が
、横流れして隣接する個別電極に流入するためである。
本発明の目的は、クロストークの少ない、解像度の高い
一次元イメージセンサを提供することにある。
一次元イメージセンサを提供することにある。
従来の一次元センサでは１個別電極上に光導電膜が形成
されており、その上に透明電極を形成した画素部分以外
は、むき出しの形となっていたため、クロストークを生
じた。従来構造のままで。
されており、その上に透明電極を形成した画素部分以外
は、むき出しの形となっていたため、クロストークを生
じた。従来構造のままで。
これを防止するための方法として、該当する部分に金属
膜の遮光膜をつける方法が容易に考えられる。その第１
の方法として透明電極パターン形成後、遮光膜パターン
を形成する方法が考えられる。
膜の遮光膜をつける方法が容易に考えられる。その第１
の方法として透明電極パターン形成後、遮光膜パターン
を形成する方法が考えられる。
この方法は工程が少ないという点ですぐれているが、上
部電極と下部電極の交叉面積が大きくなるため、静電容
量が増加するため、信号出力電圧が低下し望ましくない
。
部電極と下部電極の交叉面積が大きくなるため、静電容
量が増加するため、信号出力電圧が低下し望ましくない
。
第２の方法として、上記電極上に一度絶縁膜を被覆して
から、遮光膜を形成する方法が考えられる。この方法は
、第１の方法のような特性の劣化はないが工程が増加す
るという欠点がある。
から、遮光膜を形成する方法が考えられる。この方法は
、第１の方法のような特性の劣化はないが工程が増加す
るという欠点がある。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
第２図に示すごとく、ガラス基板４上に、Ｃｒ５を厚さ
２０００人に蒸着し、これを通常のホトエツチング法に
より、パターン化し、共通電極とした。
２０００人に蒸着し、これを通常のホトエツチング法に
より、パターン化し、共通電極とした。
次に、非晶質水素化シリコンａ−８ｉ光導電膜６を通常
のグロー放電法でマスクを使って堆積し、光導電膜パタ
ーンを形成した。引きつづきＩＴＯ７（酸化シンジウム
と硫化錫の混合物）とＣｒ８゜Ａｕ９をそれぞれ２００
０人、 ２０００人、ｌｐｍの厚さに堆積した後、Ｃｒ
とＡｕをホトエツチング法により加工した個別電極の配
線導体とし、さらに。
のグロー放電法でマスクを使って堆積し、光導電膜パタ
ーンを形成した。引きつづきＩＴＯ７（酸化シンジウム
と硫化錫の混合物）とＣｒ８゜Ａｕ９をそれぞれ２００
０人、 ２０００人、ｌｐｍの厚さに堆積した後、Ｃｒ
とＡｕをホトエツチング法により加工した個別電極の配
線導体とし、さらに。
ＩＴＯをホトエツチングによって加工して、透明個別電
極とした。その後、このサンプルをＣＦ。
極とした。その後、このサンプルをＣＦ。
プラズマによりａ −Ｓ ｉ膜を上部電極をマスクとし
てエツチングした。
てエツチングした。
完成したセンサパターンに半導体集積回路よりなる走査
回路をとりつけ、配線導体を走査回路に接続してセンサ
を完成した。
回路をとりつけ、配線導体を走査回路に接続してセンサ
を完成した。
このセンサは不用な光が入射する部分かまったくないた
め、クロストークは完全に消めつした。
め、クロストークは完全に消めつした。
本発明によれば、光導電膜の画素部分以外が遮光される
ため、不用光による解像度の低下が防止される。
ため、不用光による解像度の低下が防止される。
さらに、本特許の主文にはまったく記載しなか
・つたが１水力式のごとく、個別電極を透明電極とする
ことにより、正孔に比較して電子の方が移動度の大きい
材料を使う場合、共通電極が正に印加されることにより
、応答速度の改善が見られ、さらに、信号出力も正にな
るため、走査回路の設計製作が極めて簡単となる効果も
ある。
・つたが１水力式のごとく、個別電極を透明電極とする
ことにより、正孔に比較して電子の方が移動度の大きい
材料を使う場合、共通電極が正に印加されることにより
、応答速度の改善が見られ、さらに、信号出力も正にな
るため、走査回路の設計製作が極めて簡単となる効果も
ある。
第１図は従来の一次元イメージセンサの平面図、第２図
（ａ）は本発明によるセンサの平面図、第２図（ｂ）は
本発明によるセンサの断面図である。 ４・・・ガラス基板、５・・・クロム膜、６・・・光導
電膜。 第 １ 図
（ａ）は本発明によるセンサの平面図、第２図（ｂ）は
本発明によるセンサの断面図である。 ４・・・ガラス基板、５・・・クロム膜、６・・・光導
電膜。 第 １ 図
Claims (1)
- １、光導電膜を各画素ごとに分離しない一次元方式イメ
ージセンサにおいて、下部電極を共通電極とし、上部電
極を個別電極とし、該上部電極の光入射窓以外の部分を
金属で被覆し、入射窓部を透明電極とし、さらに該上部
電極をマスクとして光導電膜をエッチング除去したこと
を特徴とする一次元イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59262773A JPS61141172A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | 一次元イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59262773A JPS61141172A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | 一次元イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141172A true JPS61141172A (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=17380385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59262773A Pending JPS61141172A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | 一次元イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61141172A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278873A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Toshiba Corp | 密着センサの製造方法 |
-
1984
- 1984-12-14 JP JP59262773A patent/JPS61141172A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278873A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Toshiba Corp | 密着センサの製造方法 |
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