JPS6235670A - 非晶質シリコンイメ−ジセンサ - Google Patents
非晶質シリコンイメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6235670A JPS6235670A JP60175207A JP17520785A JPS6235670A JP S6235670 A JPS6235670 A JP S6235670A JP 60175207 A JP60175207 A JP 60175207A JP 17520785 A JP17520785 A JP 17520785A JP S6235670 A JPS6235670 A JP S6235670A
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- JP
- Japan
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- amorphous silicon
- deposited
- image sensor
- thickness
- chrome
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明のファクシミリ、ＯＣＲ、イメージスキャナなど
の読取部として用いられる長尺の非晶質シリコンイメー
ジセンサに関するものである。
の読取部として用いられる長尺の非晶質シリコンイメー
ジセンサに関するものである。
従来、この種の非晶質シリコンイメージセンサとして第
２図に示すものがあった。図中１は絶縁基板、２は金属
電極で、例えば蒸着法で被着したクロムをホトエツチン
グにより所定の形状にパターン化して形成する。３は前
記金属電極２上に形成された非晶質シリコン、４は前記
非晶質シリコン３上に、前記金属電極２の受光部となる
べき部分と対向するように形成された透明電極で、５は
前記非晶質シリコン３及び前記透明電極４上に、受光部
となるべき部分以外を覆うように形成された遮光膜で、
例えばクロムなどが用いられる。
２図に示すものがあった。図中１は絶縁基板、２は金属
電極で、例えば蒸着法で被着したクロムをホトエツチン
グにより所定の形状にパターン化して形成する。３は前
記金属電極２上に形成された非晶質シリコン、４は前記
非晶質シリコン３上に、前記金属電極２の受光部となる
べき部分と対向するように形成された透明電極で、５は
前記非晶質シリコン３及び前記透明電極４上に、受光部
となるべき部分以外を覆うように形成された遮光膜で、
例えばクロムなどが用いられる。
前述した従来の非晶質シリコンイメージセンサは、下部
の金属電極２と上部の透明電極４の間の眉間シヲートの
発生が多いという欠点を有していた。これは非晶質シリ
コン層が１〜２μｍ と薄いためゴミの付着やピンホー
ルなどで簡単シ冒−トがおこってしまう。また、この層
間シ冒−トは上下電極の対向面積が多いほどたくさん発
生する。
の金属電極２と上部の透明電極４の間の眉間シヲートの
発生が多いという欠点を有していた。これは非晶質シリ
コン層が１〜２μｍ と薄いためゴミの付着やピンホー
ルなどで簡単シ冒−トがおこってしまう。また、この層
間シ冒−トは上下電極の対向面積が多いほどたくさん発
生する。
ところで密着型センサにおいては副走査方向の分解能を
上げるため受光部以外の非晶質シリコン、特に受光部と
ならない金属電極のある部分は遮光する必要がある。と
ころがこの遮光膜が透明電極と同電位であるため上下電
極の対向面積を増加させ、その結果層間シーａｈが増加
し、デバイスの歩留りが低下するという欠点が従来の非
晶質シリコンイメージセンサにはあった。
上げるため受光部以外の非晶質シリコン、特に受光部と
ならない金属電極のある部分は遮光する必要がある。と
ころがこの遮光膜が透明電極と同電位であるため上下電
極の対向面積を増加させ、その結果層間シーａｈが増加
し、デバイスの歩留りが低下するという欠点が従来の非
晶質シリコンイメージセンサにはあった。
本発明は透明電極と非晶質シリコン層の間に、金属電極
の受光部となるべき部分を除いて榎うよに形成された絶
縁層を設けたことを特徴とし、その目的は上下電極の対
向部のうち直接非晶質シリコン層と接する必要のない部
分の対向距離を大きくして層間シｌ−トの発生率を低く
することにある。
の受光部となるべき部分を除いて榎うよに形成された絶
縁層を設けたことを特徴とし、その目的は上下電極の対
向部のうち直接非晶質シリコン層と接する必要のない部
分の対向距離を大きくして層間シｌ−トの発生率を低く
することにある。
次に本発明の実施例を第１図を参照して説明する。
第一の実施例を説明すると、ガラス基板１上にクロムを
蒸着により５００〜１０００に被着する。
蒸着により５００〜１０００に被着する。
これをホトエツチングにより所定の形状にパターン化し
て金属電極２を形成する。その後シランのグロー放電分
解により非晶質シリコン層３を１〜２μｍ被着する。さ
らに、全開電極２の引出電極側の受光部端から引出電極
側にかけて窓の開いた形状のメタルマスクを用いて窒化
硅素ちるイハ酸化硅素をグロー放電分署により１〜２μ
ｍ被着し絶縁層６を形成する。その後透明ｉｔ楓４とし
てＩＴＯをスパッタ【より６００人、遮光膜５としてク
ロムを蒸着により１０００〜２０００人それぞれメタル
マスクを用いて形成し、フォトエツチングにより受光部
のクロムを取り除いて完成する。
て金属電極２を形成する。その後シランのグロー放電分
解により非晶質シリコン層３を１〜２μｍ被着する。さ
らに、全開電極２の引出電極側の受光部端から引出電極
側にかけて窓の開いた形状のメタルマスクを用いて窒化
硅素ちるイハ酸化硅素をグロー放電分署により１〜２μ
ｍ被着し絶縁層６を形成する。その後透明ｉｔ楓４とし
てＩＴＯをスパッタ【より６００人、遮光膜５としてク
ロムを蒸着により１０００〜２０００人それぞれメタル
マスクを用いて形成し、フォトエツチングにより受光部
のクロムを取り除いて完成する。
次に第二の実施例を説明する。第一の実施例と同様にガ
ラス基板１上に金属電極２と非晶質シリコン層３を形成
した後、感光性樹脂、−例を上げレバホトレジストをス
ピンコードし、金属電極２の引出電極側の受光部端から
引出電極側にかけてホトレジストが残るようなホトマス
クを用いて露光、現像する。その後、第一の実施例と同
様に透明電極４、遮光膜５を形成する。
ラス基板１上に金属電極２と非晶質シリコン層３を形成
した後、感光性樹脂、−例を上げレバホトレジストをス
ピンコードし、金属電極２の引出電極側の受光部端から
引出電極側にかけてホトレジストが残るようなホトマス
クを用いて露光、現像する。その後、第一の実施例と同
様に透明電極４、遮光膜５を形成する。
以上二つの実施例に示したように構成されたイメージセ
ンサ素子は上下電極の対向部のうちで直接非晶質シリコ
ンと接し、非晶質シリコン層のみを間にはさんで対向す
る部分の面積が必要最小限度しかない。また、非晶質シ
リコン層と絶縁層を間にはさんで対向している部分にお
いては、その対向距離は従来のものに比べて２〜３倍で
あるため、非晶質シリコン層・絶縁層の両層を貫くピン
ホールによる短絡はまず考えられない。またゴミなどの
異物による短絡は、異物がよほど大きな物が付着してい
ない限り短絡とはならず、いずれにしても非晶質シリコ
ン層と絶縁層の二層を間にはさんだ部分では眉間ショー
トはほとんど発生しない。
ンサ素子は上下電極の対向部のうちで直接非晶質シリコ
ンと接し、非晶質シリコン層のみを間にはさんで対向す
る部分の面積が必要最小限度しかない。また、非晶質シ
リコン層と絶縁層を間にはさんで対向している部分にお
いては、その対向距離は従来のものに比べて２〜３倍で
あるため、非晶質シリコン層・絶縁層の両層を貫くピン
ホールによる短絡はまず考えられない。またゴミなどの
異物による短絡は、異物がよほど大きな物が付着してい
ない限り短絡とはならず、いずれにしても非晶質シリコ
ン層と絶縁層の二層を間にはさんだ部分では眉間ショー
トはほとんど発生しない。
以上説明したように本発明によれば上下電極のうち、間
に非晶質シリコンのみを間にはさんで対向している部分
の面積が必要最小限度しかない。
に非晶質シリコンのみを間にはさんで対向している部分
の面積が必要最小限度しかない。
例えば受光部面積が０．０１ｔｊ、引出電極の幅が０．
０５Ｍで透明電極あるいは遮光膜と対向してい部分の長
さが２■の場合、従来のものは合計０．１１−の部分に
層間シｌ−トが超こる可能性がある。しかし１本発面に
よれば層間シｓ）の起こる可能性のある部分は０．１１
−であり、層間シ冒−トの発生する確率も１１分の１に
減少する。
０５Ｍで透明電極あるいは遮光膜と対向してい部分の長
さが２■の場合、従来のものは合計０．１１−の部分に
層間シｌ−トが超こる可能性がある。しかし１本発面に
よれば層間シｓ）の起こる可能性のある部分は０．１１
−であり、層間シ冒−トの発生する確率も１１分の１に
減少する。
したがって非晶質シリコンイメージセンサデバイスが高
い歩留りで得られる。
い歩留りで得られる。
第１図は本発明のイメージセンサ素子の断面図。
第２図は従来のイメージセンサ素子の断面図である。
１・・・・・・基板、２・・・・・・金属電極、３・・
・・・・非晶質シリコン、４・・・・・・透明電極、５
・・・・・・遮光膜、６・・・・・・絶縁層。 代理人 弁理士 内 原 晋 半 １回 第２図
・・・・非晶質シリコン、４・・・・・・透明電極、５
・・・・・・遮光膜、６・・・・・・絶縁層。 代理人 弁理士 内 原 晋 半 １回 第２図
Claims (3)
- （１）絶縁基板上に形成された金属電極と、該金属電極
上に形成された非晶質シリコン層と、該非晶質シリコン
層上に形成された透明電極と該透明電極上に形成された
遮光膜とを有する非晶質シリコンイメージセンサにおい
て、金属電極の受光部となるべき部分を除いて覆うよう
に形成された絶縁層を前記非晶質シリコン層と前記透明
電極との間に設けたことを特徴とする非晶質シリコンイ
メージセンサ。 - （２）前記絶縁層が窒化硅素、酸化硅素などの硅素化物
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の非
晶質シリコンイメージセンサ。 - （３）前記絶縁層が感光性樹脂であり、ホトエッチング
によりパターン化することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の非晶質シリコンイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175207A JPS6235670A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175207A JPS6235670A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235670A true JPS6235670A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=15992164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60175207A Pending JPS6235670A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235670A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083171A (en) * | 1988-04-20 | 1992-01-21 | Konica Corporation | Image sensor |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60175207A patent/JPS6235670A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083171A (en) * | 1988-04-20 | 1992-01-21 | Konica Corporation | Image sensor |
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